模拟电子技术试卷1
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模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是。
2.三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。
3.当输入信号频率为和时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了,此时及中频时相比,放大倍数的附加相移约为。
4.为提高放大电路输入电阻应引入反应;为降低放大电路输出电阻,应引入反应。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流、静态时的电源功耗。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可到达,但这种功放有失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反应;为了正常稳压,调整管必须工作在区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,那么这只三极管是( )。
A.型硅管 B.型锗管 C.型硅管 D.型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型管D.N沟道耗尽型管3.在图示2差分放大电路中,假设 = 20 ,那么电路的( )。
A.差模输入电压为10 ,共模输入电压为10 。
B.差模输入电压为10 ,共模输入电压为20 。
C.差模输入电压为20 ,共模输入电压为10 。
D.差模输入电压为20 ,共模输入电压为20 。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中为其输入电阻,为常数,为使下限频率降低,应( )。
A.减小C,减小 B.减小C,增大C.增大C,减小 D.增大C,增大6.如下图复合管,V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,那么复合后的 b 约为( )。
A.1500 B.80 C.50 D.307.桥式正弦波振荡电路由两局部电路组成,即串并联选频网络和( )。
A.根本共射放大电路 B.根本共集放大电路C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路8.某电路输入电压和输出电压的波形如下图,该电路可能是( )。
《模拟电子技术》试卷一.填空题(每空1分,共30分)1.P型半导体掺入三价元素,多子是自由电子,少子是空穴。
2.PN结主要特性是具有单向导电性,即正导通,反向截止。
3.三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。
4.在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的放大区;在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区,此时也称它工作在开关状态。
5.幅度失真和相位失真统称为频率失真,它属于线性失真。
6.功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率,乙类功率放大电路的效率最高。
7.放大电路中为了稳定静态工作点,应引入a(a.直流负反馈,b.交流负反馈)。
8.三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。
9.分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用,其原理是构成电压串联负反馈。
10.集成运算放大器是直接耦合放大电路。
集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端,前者的极性与输出端同相;后者的极性同输出端反相。
11.根据MOS管导电沟道的类型,可分为PMOS和NMOS型。
二、单项选择题(每题2分,共20分,将答案填在下表中)1.常温下,硅二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V;锗二极管的开启电压约______V,导通后在较大电流下的正向压降约______V。
CA) 0.3,0.5,0.5,0.7 B) 0.5,0.7,0.3,0.5C) 0.5,0.7,0.1,0.2 D) 0.3,0.5,0.1,0.22.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管?正确的说法是( D )A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETB) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFETD) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET;N沟道结型3.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大I E,电压放大倍数将(A)A) 增加B)减小C) 不变D) 不能确定4.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力,试问采用下列( B )措施好。
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
期末模拟试卷一答案课程名称:模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下,二极管的反向电流随温度升高而____。
A 、增大 ,B 、减小,C 、不变 答案:A2. 在N 型半导体中,空穴浓度____电子浓度。
A 、大于,B 、小于 ,C 、等于 答案:B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。
A 、所放大的信号不同,B 、交流通路不同,C 、直流通路不同 答案:C4. 在长尾式的差分放大电路中,Re 对__有负反馈作用。
A 、差模信号,B 、共模信号,C 、任意信号 答案:B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ,可能是因为_____。
A 、CC V 过大 , B 、c R 开路, C 、b R 开路, D 、β 过大答案:C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ,测得I =1μA 。
当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时,I 将____。
A 、 为2μA 左右,B 、为0.5μA 左右,C 、变化不大,D 、远大于2μA 答案:C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V,UE=0.3V,UC=3V,则此晶体管工作在____状态。
A.截止B.饱和C.放大 D. 开关答案:C8. 差动放大电路的主要特点是____。
A. 放大差模信号,抑制共模信号;B. 既放大差模信号,又放大共模信号;C. 放大共模信号,抑制差模信号;D. 既抑制差模信号,又抑制共模信号。
答案:A9.互补输出级采用射极输出方式是为了使____。
A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案:D10.集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。
A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案:C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路,其组成主要是____。
A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案:B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路(A、低通,B、高通,C、带通,D、带阻,E、全通)。
电⼦技术(模拟)综合试卷[⼀]⾼三电⼦技术(模拟)综合试卷[⼀]【2011级电⼦升学班】【本试卷共8页,满分150分 90分钟完卷】姓名________ 专业________ 总分________⼀、填空题(每题2分,共40分)1、流过⼆极管的正向电流较⼤,反相电流较⼩,说明⼆极管具有________性。
2、测得某NPN型硅管三个电极的电压分别为V E=3伏、V B=3.7伏、V C=9伏,则三极管⼯作在________区。
3、差分放⼤电路中若两三极管基极输⼊信号等幅反相称为________输⼊⽅式。
4、正弦波振荡器主要由放⼤路,反馈⽹络和________电路三个部分组成。
5、三极管串联型稳压电源取样电路中电位器RP是⽤来调节________⼤⼩的。
6、在某串联谐振电路中,谐振频率为1000KH Z,电容为0.005uF,通频带为20KH Z,串联谐振电路中电阻值为________欧。
7、在OTL功率放⼤器是基本电路中,输出端的耦合电容C不仅隔直通交,⽽且起到________的作⽤。
8、理想差动放⼤电路其共模电压放⼤倍数为_________。
9、射极输出器的三个主要特点是:(1)电压放⼤倍数略⼩于1;(2)输⼊电阻⼤;(3)________。
10、LM7809正常输出电压是________________。
11、功率放⼤器有甲类:甲⼄类、⼄类三种类型,它们的表态⼯作点逐渐___________。
12、OTL电路的中点直流电压总电压的_____________倍。
13、为稳定输出电压且使输⼊电阻减⼩,放⼤电路引⼊_____________。
14、差分放⼤电路中若三极管基极输⼊信号等幅反相则称为____________输⼊⽅式。
15、在⽂⽒电桥振荡器中,RC串并联选频回路引_______________反馈。
16、射极输出器的三个主要三个主要特点是(1)输⼊电阻⼤;(2)输出电阻⼩;(3)______________。
《模拟电子技术》试卷及答案(本题共5小题,每小题4分,共20 分)一、填空题1.多级放大电路常见的三种耦合方式中,若要求各级静态工作点互不影响,可选用耦合方式;若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号,可选用耦合方式;若要求能实现阻抗变换,使负载与输出级阻抗相匹配,可选用耦合方式。
2. 某放大电路中,晶体管三个电极的电流测出分别为:I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。
由此可知:电极1是极,电极2是极,电极3是极。
若已知I1电流方向流入晶体管,则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。
3. 硅二极管导通压降的典型值是V、锗二极管导通压降的典型值是V;NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管;PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。
4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同,其中饱和失真和截止失真属于失真;幅频失真和相频失真属于失真。
5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小,称为反馈;若反馈量使放大电路的净输入量增大,称为反馈。
放大电路通常采取反馈。
6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件;串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态;开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。
(本题共10小题,每小题1分,共10分)二、判断正、误题1. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
()2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。
()3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时,才能称为具有放大作用。
()4. 发光二极管正常工作在正向导通区,其导通压降为0.7V。
()5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管,复合管的类型取决于第一个管子的类型。
()6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。
()7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。
()8. 放大交流信号,只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。
模拟电子技术考试试卷(附答案)一、填空题(除6题外,每空1分,共20分)1.稳压管是一种特殊的二极管,它工作在____________ 状态.2.甲类、乙类和甲乙类放大电路中,_______________电路导通角最大;_______________电路效率较高;_______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而又有较高的效率一般采用_______________电路。
3.直接耦合放大电路存在____________ 现象。
4.图1示电路,要求达到以下效果,应该引人什么反馈?(1)希望提高从输入端看进去的输入电阻,接Rf应与_______点和________点相连;(2)希望输出端接上负载RL 后,Uo(在给定Ui情况下的交流电压有效值)基本不变,接Rf与_______点和________点相连;(用A~F的字符表示连接点)。
5.集成运放内部一般包括四个组成部分,它们是______________,_________,______________和_______________。
6.在图2示差动放大电路中,假设各三极管均有β=50,UBE=0.7V。
求(1)ICQ1=ICQ2=__________mA;(2分)(2)UCQ1=UCQ2=__________V(对地);(2分)(3)Ro = __________KΩ。
(2分)二、OCL 电路如图3所示,已知V cc =12V ,R L = 8Ω ,v i 为正弦电压。
(10分) 1.求在U CES = 0的情况下,电路的最大输出功率P max 、效率η和管耗P T 。
2.求每个管子的最大允许管耗P CM 至少应为多少?三、某放大电路的频率响应如图4所示。
(12分) 1.该电路的中频放大倍数|A um | = ?2.该电路的增益频率响应 A U (j ω)表达式如何?3.若已知其输出电压最大不失真动态范围为U om = 10V ,当输入信号时,试判断输出信号是否会失真?说明理由。
模拟电子技术试卷1答案及评分标准一、判断题(每题1分,共10分)1.半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。
(对)2.三极管共集电极电路的发射极电阻R e可以稳定静态工作点。
(对)3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(对)4.差分放大电路采用双端输出时,在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。
(对)5.只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
(错 )6.可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。
(错)7.共集电极电路的输入阻抗高,输出阻抗低,电压放大倍数大。
(错)8.过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。
(错)9.互补输出级应采用共集或共漏接法。
( 对)10.乙类功率放大电路的效率最高,理论上可达78.5%,但存在交越失真。
(对)二、填空题(每空1分,共28分)1.当 PN 结正向偏置时,扩散电流大于_漂移电流,耗尽层变窄。
当 PN 结反向偏置时,扩散电流_小于_漂移电流。
(填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄)2.三极管的外加偏置满足发射结正偏和集电结反偏时,工作在放大区。
3.当温度升高时,晶体三极管的U BE将_减小,I CEO增大,β_ 增大。
(增大或减小)4.场效应管是通过改变电压来改变电流的,所以它是一个电压控制器件;根据结构的不同,场效应管可分为结型和绝缘栅型两种类型。
5.集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路,其目的是克服零点漂移。
6.在差分放大电路中,两输入端获得的一对大小相等,极性相反的信号称差模信号;而大小相等,极性相同的信号称为共模信号。
7.已知某深度负反馈电路开环增益A Ud=100,反馈系数F=0.1,则闭环增益A Uf=9.09 。
8.正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路、选频网络和稳幅环节等四个环节组成,而且缺一不可。
9.正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是:振幅条件和相位条件。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一.(共60题,共150分)1.理想的功率放大电路应工作于()状态。
(2分)A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案:C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于()处将产生顶部失真。
(2分)A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案:A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是()接法。
(2分)A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案:B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时,应采用的最佳滤波电路是()。
(2分)A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案:C5.为了提高电压放大倍数,希望放大电路的()大一些。
(2分)A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案:D6.当PN给外加反向电压时,其内部的扩散电流将()漂移电流。
此时,耗尽层的宽度将()。
(2分)A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案:C7.差动放大电路的特点是抑制()信号,放大()信号。
(2分)A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案:B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位()。
(2分)A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案:A9.直流电源滤波的主要目的是:()。
(2分)A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案:D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了,则输出()。
(2分)A.只有半周波形B.全波整流波形,但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案:D11.双极型三极管是控制器件,当其工作在放大区时发射结需要加偏置,集电结需要加偏置。
场效应管是控制器件。
(2分)★检查答案标准答案:1.电流;2.正向;3.反向;4.电压;12.在有源滤波器中,运算放大器工作在区;在滞回比较器中,运算放大器工作在区。
《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法差分接法(4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。
(A)ββ2(C)2β(D)1+β(5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小的电路是;既能放大电流,又能放大电压的电路是。
大学《模拟电子技术》复习题及答案一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况B R L 开路C C 开路D 一个二极管和C 开路E 一个二极管开路F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术试题一、判断题:(20×2ˊ)1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别,若降低环境温度导电能力会减弱。
(对)2、在P型半导体中,少数载流子是空穴,多数载流子是电子。
(F)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。
(错)5、二极管和三极管都是非线性器件。
( T )6、N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
(对)7、二极管加反向电压时,形成很小的反向电流,在电压不超过某一范围时,二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
(对)8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)9、使用稳压管时应阳极接正,阴极接负(错)10、二极管的核心是一个PN结,所以二极管具有单向导电性。
(T)11、某发光二极管,两引脚一个长,一个短,则长引脚对应发光管的阴极。
( F )12、稳压管在正常稳压工作区域里,它的电流变化很大,而电压变化很小(对)13、普通二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿(∨)14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分( F )15、整流电路由二极管组成,利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
(∨)16、放大电路的三种组态,都有功率放大作用。
( T )17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结,所以三极管在作放大管使用时,发射极和集电极可相互调换使用。
( F )18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可以将其改成P型半导体。
( T )19、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(F)20、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(对)二、选择题:(15×3ˊ)1、P型半导体的多数载流子是( B )。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是( C )。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场,短接两端会有电流产生3、关于P型.N型半导体内参与导电的粒子,下列说法正确的是( A )。
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。
在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
)1. 用万用表的R ×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R ×1k 档,测量同一二极管,则其正向电阻值( )a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定 2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管( )a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V ,当接入2k Ω负载后,其输出电压降为4V ,这表明该放大电路的输出电阻为( )a. 10k Ωb. 2k Ωc. 1k Ωd. 0.5k Ω 4. 某放大电路图4所示.设V CC >>V BE,L CEO ≈0,则在静态时该三极管处于( ) a.放大区 b.饱和区 c.截止区 d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设L R '=R D //R L ,则电路的电压增益为( ) a.L m R g ' b.s m Lm 1R g R g +'-C.L m R g '- d.mL /g R '-图56. 图5中电路的输入电阻R i为()a. R g+(R g1//R g2)b. R g//(R g1+R g2)c. R g//R g1//R g2d. [R g+(R g1//R g2)]//(1+g m)R S7. 直流负反馈是指()a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是()a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5Vb. -5Vc. -6.5Vd. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。
2、漂移电流是温度电流,它由少数载流子形成,其大小与温度有关,而与外加电压无关。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为0,等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为无穷,等效成断开;4、三极管是电流控制元件,场效应管是电压控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变小,发射结压降不变。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是共基、共射、共集放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用电压并联负反馈,为了稳定交流输出电流采用串联负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=1/(1/A+F),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=1/ F。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=(1+AF)BW,其中BW=fH –fL,1+AF称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为共模信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为差模信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的交越失真,而采用甲乙类互补功率放大器。
13、OCL电路是双电源互补功率放大电路;OTL电路是单电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数小于近似等于1,输入电阻大,输出电阻小等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制零点漂移,也称温度漂移,所以它广泛应用于集成电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为调幅,未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为载波信号。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=KUxUy,电路符号是。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C ),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于( F )状态。
模拟电子技术》模拟试题1一、填空题(每空1 分,共32 分)1、空穴为()载流子。
自由电子为()载流子的杂质半导体称为P 型半导体。
2、PN 结的P 型侧接高电位,N 型侧接低电位称为()反之称为()3、由漂移形成的电流是反向电流,它由()栽流子形成,其大小决定于(),而与外电场()。
4、稳定二极管稳压时是处于()偏置状态,而二极管导通时是处于()偏置状态。
5、晶体三极管的集电极电流Ic=()所以它是()控制元件。
6、当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO()所以Ic 也()。
7、为了稳定三极管放大电路静态工作点,采用()负反馈。
为稳定交流输出电压,采用()负反馈,为了提高输入电阻采用()负反馈.。
8、负反馈使放大电路增益下降,但它可以()通频带()失真。
9、反馈导数F=()。
反馈深度是()。
10、差分放大电路能够抑制()信号,放大(信号。
11、OCL 电路是()电源互补功放,OTL 是()电源互补功放。
12、用低频信号改变高频信号的相位称为()。
低频信号称为()、高频信号称为()。
13、晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而()。
共基极电路比共射极电路高频特性()。
14、振荡电路的平衡条件是(),()反馈才能满足振荡电路的相位平衡条件。
15 在桥式整流电阻负载时,理想二极管承受的最高反压是()。
二、选择题(每空2 分,共34 分)1、三端集成稳压器CXX7805 的输出电压是()A 5vB 9vC 12v 2、测某电路中三极管各极电位分别是0 V、-6V、0.2V 则三极管的三个电极分别是(),该管是()。
A (E、C、B) B(C 、B 、E) C(B、C、E)D(PNP)E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为()失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为()失真。
A 饱和B 截止C 交越D 频率4、差分放大电路是为了()而设置的。
A 稳定AuB 放大信号C 抑制零点漂移5、对功率放大器的主要要求有()()()A Uo 高B Po 大C 效率高D Ri 大E 波形不失真6、LM386是集成功率放大器,它可以使电压放大倍数在()变化。
模拟电子技术基础试卷一附答案一.(10分)设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出图(a)电路在v i=5sinωt V时的输出v o波形以及图(b)电路的输出电压V o1。
(a)(b)二.(10分)放大电路如图所示。
已知:R b1=62K,R b2=15K,R s=10K,R c=3K,R e=1K,R L=3K,C1=C2=10μ,C e=220μ,V CC=+15V,β=80,V BE=0.7V。
1.说明电路属于何种组态,画出该电路的直流通路;(5分)2.计算该电路的静态工作点。
(5分)3.画小信号等效电路,求电压放大倍数,输入电阻,输出电阻。
4.说明电路属于何种组态,三.(18分)放大电路如图所示。
已知C足够大,场效应管的参数g m=0.8ms,R2=6.8KΩ,三极管的参数β=50,r be=0.5K,R3=90KΩ,R4=10KΩ,R5=4KΩ,R6=1.5KΩ,R L=4KΩ。
1.画出其小信号模型等效电路。
(4分)2.计算电路的电压放大倍数A v、输入电阻R i和输出电阻R o。
(10分)3.若R s=10K时,计算源电压放大倍数A vs,说明R6对电路频率响应的影响。
(4分)四.(12分)反馈放大电路如图示。
1.判断各电路中级间交流反馈的极性(要求在图上标出反馈极性)。
(4分)2.对于级间交流反馈为负反馈的电路,进一步判断反馈的类型,同时按深度负反馈的条件估算电路的闭环电压增益(写出表达式)。
并简单说明电路对输入电阻,输出电阻的影响,对信号源内阻有什么要求?(8分)(a)(b)五.(10分)集成运算放大器构成的运算电路如图示,求电路的输出电压。
1.求出电路(a)的输出电压。
(4分)2.在电路(b)中,设t=0时v c=0,此时加入v i=1V,求t=40ms时v o=?(6分)(a)(b)六.(10分)电路如图所示,试用相位平衡条件判断哪个能振荡,哪个不能振荡(要求在电路中应标出i V ,o V ,fV 以及它们的瞬时极性)?对能振荡的电路写出振荡频率的表达式。
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一.填空(25分)(1)本征硅中若掺入五价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,掺杂越多,则其数量一定越 多 ,相反,少数载流子应是 空穴 ,掺杂越多,则其数量一定越 少 。
(2)把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
(3)当PN 结外加正向电压时,PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
(4)硅二极管的导通电压值约为 0.6V ,锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
(5)晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
(6)对于由三极管组成的放大电路而言,就其输入回路和输出回路的公共端不同,可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
(7)放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变,称为 幅频特性,而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变,称为 相频 特性。
(8)假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、,那么多级放大电路的放大倍数uA = un u u A A A (21)(9)要使电路产生稳定的振荡,必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
(10)小功率直流电源一般由四部分组成,分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二.选择题(每题2分,共20分)(1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ; 。
(A )电流负反馈 (B ) 电压负反馈 (C ) 直流负反馈 (D )交流负反馈(2)RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
(A )感性 (B ) 阻性 (C )容性 (3)通用型集成运放的输入级多采用 。
(A )共基接法 (B )共集接法 (C )共射接法 (D ) 差分接法 (4)两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为 。
诚信保证
本人知晓我院考场规则和违纪处分条例的有关规定,保证遵守考场规则,诚实守信。
本人签字:
一、 填空(20分)
1.半导体二极管最主要的特性是( )。
2.半导体三极管工作在放大区的条件是:发射结( ),集电结( )。
3.半导体三极管是一种( )控制型器件,场效应管是一种( )控制型器件。
4.绝缘栅型场效应管按栅源极电压等于零时漏源极之间是否存在导电沟道来分,可以分为( )型和( )型两类。
5.当差动放大器的输入电压分别为u i1=4mV ,u i2=2mV 时,输入信号中的差模成分为( ),共模信号为( )。
6.负反馈降低了放大器的放大倍数,但可以( )放大倍数的稳定性,( )非线性失真,( )放大器的通频带。
电压负反馈可以稳定输出( ),电流负反馈可以稳定输出( )。
7.根据选频电路的不同,正弦波振荡电路可以分为( )振荡器、( )振荡器和( )振荡器,其中具有很高频率稳定度的是( )振荡器。
8.集成运放工作在线性状态的必要条件是引入( ),当集成运放在开环状态或引入正反馈时,运放工作在( )状态。
二、判断题(10分)
1.光敏二极管用作光的测量时,应该工作在反向偏置状态。
( )
2. 晶体管集电极和基极上的电流总能满足B C I I β=的关系。
( )
3. 在负反馈放大电路中反馈深度越深,闭环放大倍数就越稳定。
( ) 4. 采用甲乙类功率放大器是为了消除交越失真。
( ) 5. 只要有正反馈,电路就一定能产生正弦波振荡。
( )
三、分析并填空(20分)
1. 设二极管是理想二极管,图示电路中的二极管VD ( )(导通还是截止),输出电压U O =( )V 。
(6分)
2.图示电路的反馈类型是( )负反馈,输出电流和输入电压的关系是O i =( )I u 。
(8分)
3. 图示稳压电路由变压器、( )电路、( )电路和( )电路四个部分组成。
(3分)
4.图示稳压电路的输出电压U O 为( )伏。
(3分)
第3题和第4题图
四、分析计算题(50分)
1.在图示分压式偏置放大电路中,已知V CC =12V ,R B1=100k Ω,R B2=50 k Ω,R E =3.3 k Ω,R C =4k Ω,R L =4k Ω。
设U BE =0.7V ,β=50。
(1)计算静态工作点电流I CQ 和电压U CEQ 。
(4分) (2)求小信号输入时的电压放大倍数u A 、输入电阻i R 和输出电阻o R 。
(6分)
u i
R L
2.设集成运算为理想运放,电路如图所示,试求O u 与I u
的关系表达式。
(10分)
3.如图所示是由运算放大器组成的电路。
试根据输入电压的波形在输入信号的坐标图中
画出输出电压波形。
(10分)
4.如图所示电路中,已知V CC =12V ,R L =5Ω,VT 1和VT 2管的饱和压降C E S U =2V ,输入电压足够大。
试求:
(1)最大不失真输出时的输出功率P o ma x ;(5分) (2)单个管子的最大管耗P c ma x 。
(5分)
5.图示电路为函数发生器,请问:u O1、u O2、u O3各输出什么波形?已知R =10kΩ,C =0.01μF
,计算振荡频率。
(10分)。