极限参数

已知极限值求参数的方法在数学中，极限是一个重要的概念，它描述了函数在某一点或无穷远处的趋势。

在求解问题时，有时我们需要根据已知的极限值来确定参数的取值范围或具体数值。

本文将介绍一些常见的方法和技巧，帮助读者理解和应用这一求解方法。

一、夹逼定理夹逼定理是一种常用的求解极限的方法，它的基本思想是通过夹逼函数来确定极限的值。

具体而言，假设我们已知函数f(x)和g(x)在某一点a的左侧和右侧的极限值分别为L和M，且存在另一个函数h(x)，使得f(x)≤h(x)≤g(x)对于所有的x都成立。

则当x趋近于a 时，h(x)的极限值也为L。

利用夹逼定理，我们可以通过已知的极限值来求解参数的取值范围。

例如，考虑函数f(x) = (x-a)/(x-2)。

当x趋近于2时，我们可以通过夹逼定理求解参数a的取值范围。

首先，我们观察到当x<2时，f(x)的取值范围为负无穷到正无穷；当x>2时，f(x)的取值范围为正无穷到负无穷。

因此，我们可以得到不等式组a-2≤f(x)≤a+2。

根据夹逼定理，当x趋近于2时，f(x)的极限值为a。

因此，a的取值范围为[-2, 2]。

二、洛必达法则洛必达法则是另一种常用的求解极限的方法，它通过对函数的导数进行分析来确定极限的值。

具体而言，假设我们已知函数f(x)和g(x)在某一点a的导数分别为f'(x)和g'(x)，且g'(x)≠0。

如果f'(x)/g'(x)的极限值存在或为无穷大，那么f(x)/g(x)的极限值也存在且等于f'(x)/g'(x)的极限值。

例如，考虑函数f(x) = (x-a)/(x-2)。

当x趋近于2时，我们可以通过洛必达法则求解参数a的取值范围。

首先，计算f'(x)和g'(x)的值，得到f'(x) = 1/(x-2)和g'(x) = 1。

当x趋近于2时，f'(x)/g'(x)的极限值为1。

3dg30g晶体管参数 (1)3DG30G晶体管参数晶体管是一种基础的电子器件，广泛用于电子设备中，起到放大和开关控制的作用。

在众多晶体管型号中，3DG30G是一款常见的晶体管型号。

本文将详细介绍3DG30G晶体管的参数及其相关信息。

1. 型号与封装3DG30G是一款双极型(NPN)晶体管，常采用TO-92封装。

TO-92封装是一种常见且易于使用的封装，适用于小功率应用。

2. 极限参数2.1 最大耐压（BVCEO）3DG30G晶体管的最大耐压为30V。

当超过该电压时，晶体管可能会被损坏。

因此，在使用晶体管时应注意电压的限制。

2.2 最大电流（IC）3DG30G晶体管的最大集电极电流为500mA。

不得超过此电流限制，否则可能导致晶体管故障。

2.3 热阻（θjc）晶体管的热阻表示其散热性能。

3DG30G晶体管的热阻（θjc）为125℃/W。

较高的热阻会使晶体管在工作时产生较高的温度。

因此，在选择散热器时需留意其散热性能。

3. 特性参数3.1 饱和压降（VCEsat）3DG30G晶体管的饱和压降（VCEsat）为0.5V。

在正常工作情况下，晶体管的集电极与发射极之间的电压降低不得超过该值。

3.2 漏极电流（ICEO）3DG30G晶体管的漏极电流（ICEO）为50nA。

漏极电流是指当基极与发射极断开时，晶体管的集电极与基极之间的电流。

4. 应用范围由于3DG30G晶体管具有较小的封装和适中的参数，它适用于各种低功率应用，例如电路中的小信号放大、开关控制和驱动等。

5. 使用注意事项为了确保3DG30G晶体管的正常工作和寿命，以下是一些使用注意事项：5.1 输入和输出电压应在允许的范围内，以避免损坏晶体管。

5.2 当晶体管用作开关时，应注意基极电流控制与负载匹配的问题。

5.3 在高温工作环境中，需注意散热问题，以避免晶体管过热。

5.4 在电路设计中尽量减小晶体管的工作温度，以提高其可靠性和寿命。

总结：本文详细介绍了3DG30G晶体管的参数及其相关信息。

序号气体名称化学式通常状态在空气中爆炸极限范围(%)主要理化性质1氢H2压缩气体 4.0-75可燃、无毒、2甲烷CH4压缩气体 5.0-15无腐蚀性、3乙烷C2H6高压液化气 3.0-12.4能与空气形成4乙烯C2H4高压液化气 2.7-36爆炸性混合物5乙炔C2H2溶解性气体 2.5-816丙烷C3H8低压液化气 2.1-9.57丙烯C3H6低压液化气 2.4-118丁烷C4H10低压液化气 1.8-8.49丁烯C4H8低压液化气 1.8-9.610一氧化碳CO压缩气体12.5-72.2可燃、有毒、能与空气形成11羰基硫COS低压液化气11.9-28.5爆炸性混合物12环氧乙烷C2H3SH低压液化气 3.0-10013甲硫醇C2H3SH低压液化气 3.9-21.814氯乙烯C2H3Cl低压液化气 3.6-3815硅烷SiH4高压液化气0.8-9816磷烷PH3高压液化气 1.3-9817砷烷AsH3高压液化气0.8-9818硼烷B2H3高压液化气0.8-9819锗烷GeH4高压液化气0.8-98体爆炸极限安全参数20硒化氢H2Se 低压液化气21氧O2压缩气体22氧化亚氮N2O 高压液化气23二氧化硫SO2低压液化气有毒、24一氧化氮NO 压缩气体有腐蚀性25硫化氢H2S 低压液化气 3.5-45（含水气时）26二氧化氮NO2低压液化气27氨NH3低压液化气15-2828氯Cl2低压液化气29氰化氢HCN 低压液化气 6.0-4130氯化氢HCl 低压液化气31光气COCl2低压液化气32氟化氢HF低压液化气不可燃、无毒、无腐蚀性、但有窒息性助燃、严禁接触油污及可燃物、无腐蚀性33氮N2压缩气体。

极限公式极限公式是数学中的重要概念，它描述了函数在某一点处的趋势和极限值。

在数学中，极限公式可以用符号和数学公式来表示，但在本篇文章中，我们将以简洁明了的方式，用文字描述极限公式的概念和应用。

我们来了解一下什么是极限。

在数学中，极限是指函数在某一点无限逼近的过程。

当自变量趋近于某个值时，函数的值也趋近于一个确定的值，我们称之为极限值。

极限公式可以用来计算这个极限值，帮助我们更好地理解函数的变化趋势。

极限公式可以分为不同类型，比如常见的极限公式有：1. 无穷大极限：当自变量趋近于无穷大时，函数的极限值是多少。

例如，当x趋近于正无穷大时，函数f(x)的极限可以表示为lim f(x) = L。

2. 零点极限：当自变量趋近于某个值时，函数的极限值是多少。

例如，当x趋近于a时，函数f(x)的极限可以表示为lim f(x) = L。

3. 两个变量的极限：当两个变量同时趋近于某个值时，函数的极限值是多少。

例如，当x和y同时趋近于a时，函数f(x, y)的极限可以表示为lim f(x, y) = L。

极限公式在数学中有着广泛的应用。

它可以用来求解函数的最大值和最小值，帮助我们优化问题的解。

例如，在微积分中，我们可以通过求函数的极限来求解函数的导数，进而研究函数的变化规律。

除了在数学中的应用，极限公式也在物理学、工程学等领域中发挥着重要作用。

在物理学中，我们可以利用极限公式来描述物体的运动规律，求解物体的速度、加速度等参数。

在工程学中，极限公式可以帮助我们设计和优化结构，提高工程的可靠性和安全性。

极限公式是数学中的重要概念，它可以帮助我们更好地理解函数的变化趋势和极限值。

无论是在数学、物理还是工程等领域，极限公式都有着广泛的应用。

通过掌握极限公式，我们可以更好地解决问题，优化解决方案，提高工作效率。

希望本文对您理解极限公式的概念和应用有所帮助。

无穷小，则下列选项中错误的是
(2014，数三，4 分ห้องสมุดไป่ตู้ 【解析】 当 又 则 所以答案为（D)。 2、 当x 时， 与 为等价无穷小，求 与 的值。 (2013，数二，10 分) 【解析】 时, 的泰勒展开式为 ，
则 3、
。 已知极限 其中 为常数，且 则
(2013，数一，4 分) 【解析】 ，所以 ，故应选（D)。
通过求极限确定参数的方法 对于确定极限中参数的问题，一般方法是求所给的极限，确定极 限中的参数，有些参数在求极限的过程中可以确定，有些参数在求得 极限后可以确定出来。 求极限的方法要根据题中所给的极限类型来确 定，这类问题往往是和洛必达法则、等价无穷小替换、泰勒公式仅仅 绑定在一起。 历年真题
1、 设 ，当 时，若 是比 高阶的
4、
已知函数 的取值范围。
，设
，试求
(2011，数二，10 分) 【解析】
由题意
，得
。
又因为
由题意 综上所述， 5、 确定常数
，得 。
。
的值，使 (1998，数一，5 分)
【解析】 由于 从而 而
从而 （在计算过程中 。 ，否则原式极限为 ） 。
， 且 。
， 则
，
。
6、
设
，则
(1994，数一，4 分)
【解析】
(
，否则原式极限为 )

k6C5P 6.30.32508±3-8——9 2.220 6C6B 6.30.21209±2.7R k=220Ω——5525 6C7B 6.30.2250 4.5±1.3R k=400Ω——16465 6C16 6.30.315024R k=60Ω———24—6C31B-Q 6.30.225040±100——0.6520>13 6C32B-Q 6.30.162003±1.3R k=280Ω——28.5 3.5100 6N1 6.30.62507.5±2R k=600Ω——8 4.435 6N2 6.30.34250 2.3±0.9-1.5——46 2.197.5 6N3 6.30.351508.5-2—— 5.9 5.935 6N4 6.3/12.60.33/0.17250 2.3-1.5——46 2.197.5 6N5P 6.3 2.5±0.59060±3.5-30——450±150 4.5—6N6 6.30.7512030±10-2—— 1.81120±4 6N7P 6.30.83007±2-6——11 3.235 6N8P 6.30.62509-8——7.7 2.620 6N9P 6.30.3250 2.3-8——44 1.670 6N10 6.3/12.60.33/0.1625010.5R k=800Ω——7.7 2.217 6N11 6.30.349016R k=90Ω——21.612.527 6N12P 6.30.918023-7—— 2.4717 6N13P 6.3 2.59080±32-30——R i≤460Ω5—6N15 6.30.4510090R k=90Ω—— 6.8 5.638 6N16B 6.30.4100 6.3±1.9R k=325Ω——5525 6N17B 6.30.4100 3.3±1R k=325Ω——20 3.875 6N17B 6.30.4200 3.3±1R k=325Ω——20 3.875 6N21B-Q 6.30.4200 3.5±1.3R k=330Ω——21 4.290 6J1 6.30.171207R k=200Ω1203300 5.2—6J1B 6.30.21207.5R k=200Ω120 3.5— 4.8—6J2 6.30.17120 5.5R k=200Ω120 5.7130 3.7—6J2B 6.30.2120 5.5R k=200Ω120<6— 3.2—6J3 6.30.32507±3R k=200Ω150<37505—6J4 6.30.325011±3R k=68Ω150<6900 5.7—6NJ4P 6.30.4530010R k=160Ω150 2.5±1—9—6J5 6.30.4530010±4-2150<43509±3—6J8 6.30.22503-2±11400.5—2—6J8P 6.30.32503±1-31000.8— 1.7—6J9 6.30.315016R k=80Ω150<4.5—17.5—6J20 6.30.4515018+6——>3517—6J23 6.30.4415013.5R k=50Ω150<8—15±5—6J23B-Q 6.30.171206±2R k=200Ω120 1.4—6±2—12J1S12.675mA150 1.2~3.5075—— 1.0~2.5—6K1B 6.30.21207.5R k=200Ω120<4— 4.8—6K3P 6.30.32509-3100 2.5±1—2±0.4—6K4 6.30.325010±3R k=68Ω100<6850 4.4—6K5 6.30.325010±3R k=68Ω100<6850 4.4—12K3P 12.60.152509-3100 2.5±1—2±0.4—2P2 1.2/2.460mA/30mA 60 3.5±1.2-3.560<1.2—>0.9—2P3 1.4/2.80.2/0.113516±4-7.590≤3— 2.4—2P19B 2.20.11207.6-590<4— 1.7—2P29 2.20.111203045<1.2— 1.6—4P1S 4.20.3315060±20-3.5150≤6—6—6P1 6.30.525044±11-13250≤740 4.9—6P3P 6.30.925072-14250≤8 4.36—6P4P 6.30.925072-14250≤8—6—6P6P 6.30.4525045-12250≤7524—6P9P 6.30.6530030±10-3150 6.5—11.7—6P13P 6.3 1.320060-19200≤8258.5—6P14 6.30.7625048R k =120Ω250≤7389—6P15 6.30.7630030±8R k =75Ω150<610012256P25B 6.30.4511030±7-8110<4— 4.2—6P30B-Q 6.30.4712030±8R k =330Ω120<2— 4.5—6P31B-Q 6.30.4712030±8R k =330Ω120<3— 3.4—13P1P 130.752642±10026<4 1.57.5—6P27P 6.3 1.537538-14256<7—9—6S6 6.30.5415046±12R k =30Ω150<14834—6T1 6.30.415015±4R k =120Ω120<4606—6A26.30.32503±1-1.51007>0.3>0.3—6F1三极部分10013±5-2——45206F1五极部分17010-2170<4.5400 6.2(2)6F2三极部分15018±6R k =56Ω——58.5406F2五极部分25010±3R k =68Ω110<5.5400 5.2—6G2P二极部分0>0.2——————6G2P三极部分250 1.2-2——91 1.1100WE-300B 30062-61——0.74 5.3WE-300B 35060-74——0.795FU-5103±0.5 1.5k 74-10——— 4.5—FU-5F 12.622±2——-300—— 5.815±357~85FU-7 6.30.660036±12-293004—6±1—FU-13105±0.32k 50±15-100400——4±0.9—FU-17 6.3/12.60.8/0.430023±13—2006— 3.2±17FU-2512.60.4560036±12-293004—6±1—FU-29 6.3/12.6 2.2/1.125036±13-11/-10017513———FU-317.55—————10 3.335FU-32 6.3/12.6 1.6/0.825032±14-10/-100135<5.514——FU-331010±0.83k 100±40-50————35FU-15 4.4/2.20.68/1.3525090±30-14±6200<9— 4.7±1.3—FU-46 6.3 1.25±0.240080±16-40195<2546±1.2—FU-5012.60.7±0.180050-40±15250<7 3.33~5.2—FU-8012.6112k 200—600<200— 5.5±1—FU-811 6.34 1.5k 26±10-20——— 3.6160FU-250F 26.50.581k 150-38±73005—12—6336A 240—— 1.75—EL81 6.3 1.0520050-3.152004 2.5——8550 6.3 1.6600100-35300584510 3.251k 90-145——1.7 3.16CA7 6.3 1.54502*45-20450110.420.450.31.26.36.36.357092100——FD422 6.3 1.560050-6545 5.584510 3.251k 40-175—— 3.16.30.75250 1.2-3——52 1.3686.30.7515030R k =620Ω——0.92 5.456.30.7520024-8.5125 5.27010—6.30.751509.2-5——8.7 4.64018045180.1321020-3210<5.5—11—FC4 6.30.5250 2.2-3—— 2.715406C22D 6.30.13525018R k =75Ω——8.6 6.5566.3 1.6250140-148.86.3 1.6600115-3130045.56.3 1.6250140-148.86.3 1.645090-4568.8PL8121.50.320050-31.52004 2.5——EL34 6.3 1.525090-13.5250——11—EL84 6.30.763002*24-11300————2A3 2.5 2.525060-45——— 5.3—21110 3.25100-70——— 3.6—572B 6.342k 21-20——— 3.6—F-81010 4.5 1.2k 90-20——— 4.2—FU-812 6.34 1.2k 30-30———4.2—58816.30.925072-146—KT1006CY76CX86550g6.9 5.7350 2.75——6.9 5.7250 1.4——R g<1MΩ6.9 5.7300 1.45——R g<1MΩ6.9 5.7—4——7 5.7100 2.5——R g<1MΩ7 5.7250 4.5——R g<2MΩ7 5.7300 2.2——R g<1MΩ7 5.73001——R g<0.5MΩ7 5.7300 1.5——R g<1MΩ7 5.73001——R g<0.5MΩ6.9 5.725013——功率双极管7—300 4.8——R g<1MΩ6.9 5.73006——功放6.9 5.7330 2.75——R g<0.5MΩ6.9 5.7275 1.1——R g<0.5MΩ6.9/13.8 5.7/11.4250 2.5——6.9 5.71302——R g<1MΩ6.9 5.7300 4.2——R g<100kΩ6.9 5.730013——R g<1MΩ7 5.7300 1.6——R g<100kΩ6.9 5.72000.9——R g<1MΩ6.9 5.72500.9——R g<1MΩ6.9 5.72500.9——R g<1MΩ7 5.72501——R g<2MΩ7 5.7200 1.81500.55R g<1MΩ6.9 5.7150 1.21250.4R g<1MΩ7 5.7200 1.81500.9R g<1MΩ6.9 5.71500.91250.7R g<1MΩ7 5.7330 2.51650.55R g<1MΩ7 5.7300 3.51500.96.9 5.7330 3.3165—7 5.7300 3.61500.5R g<0.5MΩ7 5.730012000.2R g<2.2MΩ7 5.7330 2.81400.7R g<500kΩ7 5.7250316000.75R g<1MΩ7 5.7200 3.5——6.9 5.7150 2.5150 1.2R g<300kΩ7 5.7150 1.21500.5R g<1MΩ14.510.825022250.7P o≥0.4W6.9 5.7150 1.21250.3R g<1MΩ6.9 5.7300 4.41400.447 5.730031250.6R g<500kΩ7 5.730031250.6R g<500kΩ13.811.4330 4.41400.441.4/2.80.9/1.8900.490—P o ≥50mW 1.54/3.081.26/2.5215021350.5P o ≥0.5W 2.5 1.820011300.352.4220011200.34.7 3.92507.5250 1.5R g <500k Ω7 5.725012250 2.5R g <500k Ω7 5.740020330 2.7R g <500k Ω7 5.740020300 2.8P o ≥5W 6.9 5.735013310 2.2P o >3.6W 7 5.73309330 1.5P o >2.4W 6.9 5.745014—47 5.7300123002P o >3W 7 5.733012330 1.5R g <1M Ω6.9 5.7155 3.71550.7P o ≥0.75W 7 5.7250 5.52502R g <1M Ω7 5.7250 5.52502R a =2k Ω14.311.71106801P o =0.2~0.6W 7 5.7300123002P o >3W 6.9 5.72508.3250 2.3三极管接法 μ=366.9 5.7250 3.5165 1.8R g <100k Ω6.9 5.7330 1.1110 1.10.3mA/V 为变频互导250 1.5——R g <500k Ω250 2.51750.7括号中(z)为变频互导300 2.7——R g <1M Ω300 2.83000.5————I e >0.8mA 3300.5——330——状态Ⅰ360——状态Ⅱ10.59.5 1.5k 125——P o =150W 12.6—5k 2.5k ——P o =3.5kW 7 5.760025300 3.5F m ≥60MHz 10.59.52k 100400226.9/14 5.7/11.4400625031411.460025300 3.5P o =33W 7/14 5.7/11.4750402257两管U go 不同——1k 50——P o =95W 7.0/14 5.7/11.4500152505P o =7W 10.59.5 3.3k 300——P o =800W 4.8/2.4 4.0/2.0400152504P o ≥11W 6.9 5.775252503P o =55W 13.911.31k 402505P o ≥50W 13.411.83k 450600120P o >600W 6.66 1.2k 40——P o >130W 27.525.22k 160~2504008~12P o ≈200W P o =25W 75.730052501P o =20W P o =100W P o =24W(A类)P o =40W 6.96.96.95.5 5.75.75.75.7(AB1类PP)P o =200W P o =50W 10.59.5——P o =75W(AB 1)6.9 5.7——第二组三极管6.9 5.7——第一组三极管6.9 5.7五极管部分6.9 5.7——三极管部分20 6.3R L =51k 五极管7 5.730015——R g <500k Ω6.9 5.730025——R g <100k Ω7 5.7P o =12单管甲类7 5.7PP(AB 1类)7 5.7P o =12单管甲类7 5.7P o =90PP(AB 1类)7 5.730052501PP(B类)6.9 5.7A类6.9 5.7三极管接法/AB1-PP2.7 2.3三极管10.59.5三极管7 5.7 2.2k 三极管10.59.5 1.5k 三极管6.9 5.8 1.5k 三极管6.9 5.7350束射四极管Po≈160W Po≈180W Po≈130W Po≈5.4A类时,Po≈4W A类时,Po≈100W。

晶体管的极限参数
晶体管所能接受的电压、功率耗散以及所经过的电流都是有必定极限的，当其跨过额外值时，轻则影响晶体管的作业功用，严峻时将使其损坏。

以下介绍晶体管的首要极限参数。

1.集电极最大容许耗散功率Pcm
Pcm是指晶体管因温度添加致使参数的改动不跨过规矩值时，集电极所耗费的最大功率。

晶体管在正常作业时，集电结加的是反向偏置电压，集电结的反向电阻很高，这么，集电极电流流过集电结时就要发作许多的热量，结温就会添加，若温度过高，将致使晶体管不行反转的损坏。

咱们依据晶体管最高容许结温定出最大容许耗散功率。

为了降低结温，关于大功率晶体管，咱们通常要另设散热片，散热片外表积越大，散热效果越好，晶体管的Pcm就能够恰其时进。

2.集电极最大容许电流Icm
集电极电流增大，会致使晶体管的电流拓宽倍数beta;降低，当beta;降至低频电流拓宽倍数beta;o的额外倍数（通惯例矩为二分之一或三分之一）时，此刻的集电极电流称为集电极最大容许电流Icm。

因而，当晶体管的集电极电流抵达Icm时，晶体管虽不致损坏，但电流拓宽倍数已大凹凸降低。

3.集电极--发射极击穿电压BVCEO
BVCEO是指晶体管基极开路时，加在晶体管集电极与发射极之间的最大容许电压。

关于NPN型晶体管而言，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极；关于PNP型晶体管而言，集电极接电源的负极，发射极接电源的正极。

当加在晶体管集电极与发射极之间的电压大于BVCEO的值时，流过晶体管的电流会俄然增大，致使晶体管耐久性损坏，这种景象称为击穿。

光二极管的正向饱和压降为１．６Ｖ～２．１Ｖ, 正向工作电流为５～２０ｍＡLED的特性1．极限参数的意义（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。

超过此值，LED发热、损坏。

（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。

超过此值可损坏二极管。

（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。

超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。

（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。

低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。

2．电参数的意义(1)正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。

在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。

(2)正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。

一般是在IF=20mA时测得的。

发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。

在外界温度升高时，VF将下降。

(3)V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。

当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。

由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。

正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。

LED的分类1．按发光管发光颜色分按发光管发光颜色分，可分成红色、橙色、绿色（又细分黄绿、标准绿和纯绿）、蓝光等。

另外，有的发光二极管中包含二种或三种颜色的芯片。

根据发光二极管出光处掺或不掺散射剂、有色还是无色，上述各种颜色的发光二极管还可分成有色透明、无色透明、有色散射和无色散射四种类型。

散射型发光二极管和达于做指示灯用。

2．按发光管出光面特征分按发光管出光面特征分圆灯、方灯、矩形、面发光管、侧向管、表面安装用微型管等。

圆形灯按直径分为φ2mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm及φ20mm等。

国外通常把φ3mm 的发光二极管记作T-1；把φ5mm的记作T-1（3/4）；把φ4.4mm的记作T-1（1/4）。

特征值的由来天然地基承载力特征值是只有载荷试验地基土压力便性关系线性变形内部超过比例界限点的地基压力值，实际即为地基承载力的允许值。

进行地基基础设计时，由于土是大变形材料，当荷载增加时，随着地基变形的相应增加，地基承载力也在逐渐增大，很难界定出一个真正的“极限值”，另外，建筑物的使用有一个功能要求，常常是地基承载力还有潜力可挖，而地基变形却已经达到或超过按正常使用的限值。

因此，地基设计时采用正常使用极限状态这一原则，所选定的地基承载力为地基承载力特征值。

旧地基规范选用的地基承载力标准值，是在由试验或其他方法得到地基承载力基本值后，经过统计处理，乘以回归系数，得到地基承载力标准值。

现行地基规范采用特征值一词，用以表示正常使用极限状态计算时采用的地基承载力，其涵义即为在发挥正常使用功能时所允许的抗力设计值，以避免原《地基规范》一律提“标准值”时带来的混淆。

******************************************************************* 《建筑地基基础设计规范》(ＧＢ50007—2002)中“特征值”一词的说明国家建筑科学研究院地基基础研究所钟亮一、起因与钢、混凝土、砌体等材料相比,土属于大变形材料,当荷载增加时,随着地基变形的相应增长,地基承载力也在逐渐加大,很难界定出一个真正的“极限值”,而根据现有理论的、半理论半经验的或经验的承载力计算公式,可以得出不同的值。

因此,地基极限承载力的确定,实际上没有一个可以通用的界定标准,也没有一个可以适用于一切土类的计算公式,主要依赖于根据工程经验所定下的界限和相应的安全系数加以调整,考虑一个满足工程要求的地基承载力值。

它不仅与土质、土层埋藏顺序有关,而且与基础底面的形状、大小、埋深、上部结构对变形的适应程度、地下水位的升降、地区经验的差别等等有关,不能作为土的工程特性指标。

另一方面,建筑物的正常使用应满足其功能要求,常常是承载力还有潜力可挖,而变形已达到或超过正常使用的限值,也就是由变形控制了承载力。

1.1落料1.1.1数控冲落料：数控冲落料，就是利用在数控冲床上的单片机预先输入对钣金零件的加工程序（尺寸，加工路径，加工工具等等信息），使数控冲床采用各种刀具，通过丰富的NC指令可以实现各种各样的冲孔、切边、成形等形式的加工。

数控冲一般不能实现形状太复杂的冲孔和落料。

特点：速度快，价格低。

加工灵活，方便。

基本上能够满足样品下料生产中的需要。

数控冲一般适合冲裁T=3.5～4mm以下的低碳钢、电解板、覆铝锌板、铝板、铜板、T=3mm 以下的不锈钢板，推荐的数控冲床加工的板料厚度为：铝合金板和铜板为0.8～4.0，低碳钢板为0.8～3.5mm，不锈钢板0.8～2.5mm。

对铜板加工变形较大，数控冲加工PC和PVC板，加工边毛刺大。

冲压时用的刀具直径和宽度必须大于料厚，比如Φ1.4的刀具不能冲1.5mm的材料.1.1.2激光切割：激光切割是由电子放电作为供给能源，利用反射镜组聚焦产生激光光束作热源的一种无接触切割技术，利用这种高密度光能来实现对钣金件的打孔及落料。

特点：切割形状多样化，切割速度比线切割快，热影响区小，材料不会变形，切口细，精度及质量高，噪声小，无刀具磨损，无需考虑切割材料的硬度，可加工大型，形状复杂及其它方法难以加工的零件。

但其成本较高，同时会损坏工件的支撑台，而且切割面易沉积氧化膜，难处理。

一般只适合单件和小批量加工。

注意的问题及要求：一般只用于钢板。

铝板及铜板一般不能用，因为材料传热太快，造成切口周围融化，不能保证加工精度及质量。

激光切割端面有一层氧化皮，酸洗不掉，有特殊要求的切割端面要打磨；激光切割密孔变形较大，一般不用激光切割密孔。

1.2钣金件的折弯钣金的折弯，是指改变板材或板件角度的加工。

如将板材弯成V形，U形等。

一般情况下，钣金折弯有两种方法:一种方法是模具折弯，用于结构比较复杂，体积较小、大批量加工的钣金结构；另一种是折弯机折弯，用于加工结构尺寸比较大的或产量不是太大的钣金结构。

学会看MOSFET数据手册MOS管数据手册上的相关参数有很多，以MOS管VBZM7N60为例，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。

极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。

VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。

VGS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。

ID表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。

IDM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。

EAS表示单脉冲雪崩击穿能量，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。

EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

PD表示最大耗散功率，是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，使用时要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量，此参数一般会随结温的上升而有所减额。

（此参数靠不住）TJ, Tstg，这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间，应避免超过这个温度，并留有一定余量，如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。

对系统来说，过高的dv/dt必然会带来高的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。

热阻表示热传导的难易程度，热阻分为沟道-环境之间的热阻、沟道-封装之间的热阻，热阻越小，表示散热性能越好。

△VDS/TJ表示的是漏源击穿电压的温度系数，正温度系数，其值越小，表明稳定性越好。

VGS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压)，对于NMOS，当外加栅极控制电压 VGS超过 VGS(th) 时，NMOS就会导通。

IGSS表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。

IDSS表示漏源漏电流，栅极电压 VGS=0 、 VDS 为一定值时的漏源漏流，一般在微安级。

M测 量 easurement
滚齿机极限尺寸加工参数优化选择
齐重数控装备股份有限公司 （黑龙江齐齐哈尔 161004） 张 庆 徐忠和
滚齿机按机床给定规格参数，加工临界规格尺 寸的齿轮时，时有滚刀架与工件干涉，以 及在加工人字齿时，刀具与出刀槽发生干 涉的问题，从而影响零件的加工。
通过多年的工作实践和相关技术资料，总结归 纳以下方法，防止工件与滚齿机滚刀架以及刀具与 零件的干涉现象，可在滚齿前对相关工艺参数进行 核准。
7 75 80 85 26 250 275 290
8 85 90 95 28 290 310 325
9 95 105 110 30 315 335 345
10 100 110 115 32 290 330 350
12 125 135 145 34 310 340 360
14 140 155 175 36 330 360 380
4. 结语 我们验证改进后机床的磨削效果，先后在4台 机床磨削6个品种共计228套阴阳转子，齿根齿顶咬 合表面擦伤与端面曲线啮合间隙大两项问题没有再 发生，达到了满意效果。
（收稿日期：20121213）
图3 X轴极限位置 （2）当 d >2时，应满足以下条件
2
式中，ω为滚刀安装角（ω=β±θ）；D为工件分度
最小空刀槽宽度W
最小空刀槽宽度W
mn
βf=
βf=
βf=
mn
βf=
βf=
βf=
15°～ 25°～ 35°～
15°～ 25°～ 35°～
25° 35° 45°
25° 35° 45°
4 50 55 60 20 200 215 230
5 60 65 70 22 215 230 250

2TY三极管的电气参数介绍二极管是一种半导体器件，常用于电子电路中。

其中的三极管是一种具有三个控制电极的半导体器件，可用于放大电流和控制电路的开关。

本文将深入探讨2TY三极管的电气参数，包括极限参数、静态参数和动态参数。

极限参数极限参数是指三极管在正常工作范围内的最大或最小值，超过这些值可能会导致器件损坏或不正常工作。

以下列出了2TY三极管的一些重要极限参数： - 集电极最大电压（VCEO）：指基极和发射极之间的最大电压。

对2TY三极管来说，这个值通常在30V到40V之间。

- 集电极-基极最大电压（VCBO）：指集电极和基极之间的最大电压。

对2TY三极管来说，这个值通常在50V到60V之间。

- 发射极-基极最大电压（VEBO）：指发射极和基极之间的最大电压。

对2TY三极管来说，这个值通常在7V到10V之间。

静态参数静态参数是指三极管在稳定工作状态下的电气特性。

以下是2TY三极管的一些重要静态参数： - 饱和区电压（VCEsat）：指集电极和发射极之间的饱和区电压。

对2TY三极管来说，这个值通常在0.2V到0.4V之间。

- 截止区电流（ICutoff）：指在截止区的集电极电流。

对2TY三极管来说，这个值通常在几十微安到几百微安之间。

动态参数动态参数是指三极管在变化的工作条件下的电气特性。

以下是2TY三极管的一些重要动态参数： - 基极电容（Cj）：指基极和发射极之间的电容。

对2TY三极管来说，这个值通常在几十皮法到几百皮法之间。

- 集电极电容（Cje）：指集电极和发射极之间的电容。

对2TY三极管来说，这个值通常在几十皮法到几百皮法之间。

- 输出电容（Cob）：指集电极和基极之间的电容。

对2TY三极管来说，这个值通常在几百皮法到几千皮法之间。

汇总综上所述，2TY三极管的电气参数包括极限参数、静态参数和动态参数。

了解这些参数对于正确选用、设计和应用3TY三极管是非常重要的。

在选择器件时，需要根据具体的应用需求以及这些参数的限制来进行合理的选择和设计。

如何彻底读懂MOS的数据手册MOS管数据手册上的相关参数有很多，下面一起来看一看，MOS管的数据手册一般会包含哪些参数吧。

极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。

V DS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。

V GS表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。

I D表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。

I DM表示的是漏源之间可承受的单次脉冲电流强度，如果超过该值，会引起击穿的风险。

E AS表示单脉冲雪崩击穿能量，如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。

E AS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

P D表示最大耗散功率，是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率，使用时要注意MOS的实际功耗应小于此参数并留有一定余量，此参数一般会随结温的上升而有所减额。

（此参数靠不住）T J, T stg，这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间，应避免超过这个温度，并留有一定余量，如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

dV/dt反映的是器件承受电压变化速率的能力，越大越好。

对系统来说，过高的dv/dt 必然会带来高的电压尖峰，较差的EMI特性，不过该变化速率通过系统电路可以进行修正。

热阻表示热传导的难易程度，热阻分为沟道-环境之间的热阻、沟道-封装之间的热阻，热阻越小，表示散热性能越好。

△V DS/T J表示的是漏源击穿电压的温度系数，正温度系数，其值越小，表明稳定性越好。

V GS(th)表示的是MOS的开启电压(阀值电压)，对于NMOS，当外加栅极控制电压 V GS超过 V GS(th)时，NMOS就会导通。

I GSS表示栅极驱动漏电流，越小越好，对系统效率有较小程度的影响。

I DSS 表示漏源漏电流，栅极电压 V GS=0 、 V DS为一定值时的漏源漏流，一般在微安级。

I =I0·K1·K2·K3 =120*0.756 *1.0*0.95 =86（A）
I =I0·K1·K2·K3 =145*0.756 *1.0*0.95 =104.1（A）
I =I0·K1·K2·K3 =180*0.756*1.0*0.95 =130（A）
I =I0·K1·K2·K3 =205*0.756*1.0*0.95 =147（A）
619(A)
699(A)
755(A)
852(A)
1173(A)
178(A)
218(A)
275(A)
336(A)
393(A)
461(A)
522(A)
母线型号规格温度校正
LJ-35
LJ-50
LJ-70
LJ-95
LJ-120
LJ-150
LJ-185
气温25℃，导体工作温度70℃
170(A)
215(A)
265(A)
325(A)
375(A)
440(A)
500(A)
气温40℃时*0.81
I =I0·K1·K2·K3 =120*0.756 *0.9*0.95 =78（A）
I =I0·K1·K2·K3 =145*0.756 *0.9*0.95 =93.7（A）
I =I0·K1·K2·K3 =180*0.756*0.9*0.95 =116（A）
I =I0·K1·K2·K3 =205*0.756*0.9*0.95 =133（A）
I =I0·K1·K2·K3 =235*0.756*0.9 *0.9 =143.9（A）
I =I0·K1·K2·K3 =270*0.756*0.9*0.9 =165.3（A）
I =I0·K1·K2·K3 =320*0.756*0.9 *0.9 =195.9（A）

k6C5P 6.30.32508±3-8——9 2.220 6C6B 6.30.21209±2.7R k=220Ω——5525 6C7B 6.30.2250 4.5±1.3R k=400Ω——16465 6C16 6.30.315024R k=60Ω———24—6C31B-Q 6.30.225040±100——0.6520>13 6C32B-Q 6.30.162003±1.3R k=280Ω——28.5 3.5100 6N1 6.30.62507.5±2R k=600Ω——8 4.435 6N2 6.30.34250 2.3±0.9-1.5——46 2.197.5 6N3 6.30.351508.5-2—— 5.9 5.935 6N4 6.3/12.60.33/0.17250 2.3-1.5——46 2.197.5 6N5P 6.3 2.5±0.59060±3.5-30——450±150 4.5—6N6 6.30.7512030±10-2—— 1.81120±4 6N7P 6.30.83007±2-6——11 3.235 6N8P 6.30.62509-8——7.7 2.620 6N9P 6.30.3250 2.3-8——44 1.670 6N10 6.3/12.60.33/0.1625010.5R k=800Ω——7.7 2.217 6N11 6.30.349016R k=90Ω——21.612.527 6N12P 6.30.918023-7—— 2.4717 6N13P 6.3 2.59080±32-30——R i≤460Ω5—6N15 6.30.4510090R k=90Ω—— 6.8 5.638 6N16B 6.30.4100 6.3±1.9R k=325Ω——5525 6N17B 6.30.4100 3.3±1R k=325Ω——20 3.875 6N17B 6.30.4200 3.3±1R k=325Ω——20 3.875 6N21B-Q 6.30.4200 3.5±1.3R k=330Ω——21 4.290 6J1 6.30.171207R k=200Ω1203300 5.2—6J1B 6.30.21207.5R k=200Ω120 3.5— 4.8—6J2 6.30.17120 5.5R k=200Ω120 5.7130 3.7—6J2B 6.30.2120 5.5R k=200Ω120<6— 3.2—6J3 6.30.32507±3R k=200Ω150<37505—6J4 6.30.325011±3R k=68Ω150<6900 5.7—6NJ4P 6.30.4530010R k=160Ω150 2.5±1—9—6J5 6.30.4530010±4-2150<43509±3—6J8 6.30.22503-2±11400.5—2—6J8P 6.30.32503±1-31000.8— 1.7—6J9 6.30.315016R k=80Ω150<4.5—17.5—6J20 6.30.4515018+6——>3517—6J23 6.30.4415013.5R k=50Ω150<8—15±5—6J23B-Q 6.30.171206±2R k=200Ω120 1.4—6±2—12J1S12.675mA150 1.2~3.5075—— 1.0~2.5—6K1B 6.30.21207.5R k=200Ω120<4— 4.8—6K3P 6.30.32509-3100 2.5±1—2±0.4—6K4 6.30.325010±3R k=68Ω100<6850 4.4—6K5 6.30.325010±3R k=68Ω100<6850 4.4—12K3P 12.60.152509-3100 2.5±1—2±0.4—2P2 1.2/2.460mA/30mA 60 3.5±1.2-3.560<1.2—>0.9—2P3 1.4/2.80.2/0.113516±4-7.590≤3— 2.4—2P19B 2.20.11207.6-590<4— 1.7—2P29 2.20.111203045<1.2— 1.6—4P1S 4.20.3315060±20-3.5150≤6—6—6P1 6.30.525044±11-13250≤740 4.9—6P3P 6.30.925072-14250≤8 4.36—6P4P 6.30.925072-14250≤8—6—6P6P 6.30.4525045-12250≤7524—6P9P 6.30.6530030±10-3150 6.5—11.7—6P13P 6.3 1.320060-19200≤8258.5—6P14 6.30.7625048R k =120Ω250≤7389—6P15 6.30.7630030±8R k =75Ω150<610012256P25B 6.30.4511030±7-8110<4— 4.2—6P30B-Q 6.30.4712030±8R k =330Ω120<2— 4.5—6P31B-Q 6.30.4712030±8R k =330Ω120<3— 3.4—13P1P 130.752642±10026<4 1.57.5—6P27P 6.3 1.537538-14256<7—9—6S6 6.30.5415046±12R k =30Ω150<14834—6T1 6.30.415015±4R k =120Ω120<4606—6A26.30.32503±1-1.51007>0.3>0.3—6F1三极部分10013±5-2——45206F1五极部分17010-2170<4.5400 6.2(2)6F2三极部分15018±6R k =56Ω——58.5406F2五极部分25010±3R k =68Ω110<5.5400 5.2—6G2P二极部分0>0.2——————6G2P三极部分250 1.2-2——91 1.1100WE-300B 30062-61——0.74 5.3WE-300B 35060-74——0.795FU-5103±0.5 1.5k 74-10——— 4.5—FU-5F 12.622±2——-300—— 5.815±357~85FU-7 6.30.660036±12-293004—6±1—FU-13105±0.32k 50±15-100400——4±0.9—FU-17 6.3/12.60.8/0.430023±13—2006— 3.2±17FU-2512.60.4560036±12-293004—6±1—FU-29 6.3/12.6 2.2/1.125036±13-11/-10017513———FU-317.55—————10 3.335FU-32 6.3/12.6 1.6/0.825032±14-10/-100135<5.514——FU-331010±0.83k 100±40-50————35FU-15 4.4/2.20.68/1.3525090±30-14±6200<9— 4.7±1.3—FU-46 6.3 1.25±0.240080±16-40195<2546±1.2—FU-5012.60.7±0.180050-40±15250<7 3.33~5.2—FU-8012.6112k 200—600<200— 5.5±1—FU-811 6.34 1.5k 26±10-20——— 3.6160FU-250F 26.50.581k 150-38±73005—12—6336A 240—— 1.75—EL81 6.3 1.0520050-3.152004 2.5——8550 6.3 1.6600100-35300584510 3.251k 90-145—— 1.73.16.36.36.350.420.450.31.26CA7 6.3 1.54502*45-20450117092100——FD422 6.3 1.560050-6545 5.584510 3.251k 40-175—— 3.16.30.75250 1.2-3——52 1.3686.30.7515030R k =620Ω——0.92 5.456.30.7520024-8.5125 5.27010—6.30.751509.2-5——8.7 4.64018045180.1321020-3210<5.5—11—FC4 6.30.5250 2.2-3—— 2.715406C22D 6.30.13525018R k =75Ω——8.6 6.5566.3 1.6250140-148.86.3 1.6600115-3130045.56.3 1.6250140-148.86.3 1.645090-4568.8PL8121.50.320050-31.52004 2.5——EL34 6.3 1.525090-13.5250——11—EL84 6.30.763002*24-11300————2A3 2.5 2.525060-45——— 5.3—21110 3.25100-70——— 3.6—572B 6.342k 21-20——— 3.6—F-81010 4.5 1.2k 90-20——— 4.2—FU-812 6.34 1.2k 30-30———4.2—58816.30.925072-146—KT1006CY76CX86550g6.9 5.7350 2.75——6.9 5.7250 1.4——R g<1MΩ6.9 5.7300 1.45——R g<1MΩ6.9 5.7—4——7 5.7100 2.5——R g<1MΩ7 5.7250 4.5——R g<2MΩ7 5.7300 2.2——R g<1MΩ7 5.73001——R g<0.5MΩ7 5.7300 1.5——R g<1MΩ7 5.73001——R g<0.5MΩ6.9 5.725013——功率双极管7—300 4.8——R g<1MΩ6.9 5.73006——功放6.9 5.7330 2.75——R g<0.5MΩ6.9 5.7275 1.1——R g<0.5MΩ6.9/13.8 5.7/11.4250 2.5——6.9 5.71302——R g<1MΩ6.9 5.7300 4.2——R g<100kΩ6.9 5.730013——R g<1MΩ7 5.7300 1.6——R g<100kΩ6.9 5.72000.9——R g<1MΩ6.9 5.72500.9——R g<1MΩ6.9 5.72500.9——R g<1MΩ7 5.72501——R g<2MΩ7 5.7200 1.81500.55R g<1MΩ6.9 5.7150 1.21250.4R g<1MΩ7 5.7200 1.81500.9R g<1MΩ6.9 5.71500.91250.7R g<1MΩ7 5.7330 2.51650.55R g<1MΩ7 5.7300 3.51500.96.9 5.7330 3.3165—7 5.7300 3.61500.5R g<0.5MΩ7 5.730012000.2R g<2.2MΩ7 5.7330 2.81400.7R g<500kΩ7 5.7250316000.75R g<1MΩ7 5.7200 3.5——6.9 5.7150 2.5150 1.2R g<300kΩ7 5.7150 1.21500.5R g<1MΩ14.510.825022250.7P o≥0.4W6.9 5.7150 1.21250.3R g<1MΩ6.9 5.7300 4.41400.447 5.730031250.6R g<500kΩ7 5.730031250.6R g<500kΩ13.811.4330 4.41400.441.4/2.80.9/1.8900.490—P o ≥50mW 1.54/3.081.26/2.5215021350.5P o ≥0.5W 2.5 1.820011300.352.4220011200.34.7 3.92507.5250 1.5R g <500k Ω7 5.725012250 2.5R g <500k Ω7 5.740020330 2.7R g <500k Ω7 5.740020300 2.8P o ≥5W 6.9 5.735013310 2.2P o >3.6W 7 5.73309330 1.5P o >2.4W 6.9 5.745014—47 5.7300123002P o >3W 7 5.733012330 1.5R g <1M Ω6.9 5.7155 3.71550.7P o ≥0.75W 7 5.7250 5.52502R g <1M Ω7 5.7250 5.52502R a =2k Ω14.311.71106801P o =0.2~0.6W 7 5.7300123002P o >3W 6.9 5.72508.3250 2.3三极管接法 μ=366.9 5.7250 3.5165 1.8R g <100k Ω6.9 5.7330 1.1110 1.10.3mA/V 为变频互导250 1.5——R g <500k Ω250 2.51750.7括号中(z)为变频互导300 2.7——R g <1M Ω300 2.83000.5————I e >0.8mA 3300.5——330——状态Ⅰ360——状态Ⅱ10.59.5 1.5k 125——P o =150W 12.6—5k 2.5k ——P o =3.5kW 7 5.760025300 3.5F m ≥60MHz 10.59.52k 100400226.9/14 5.7/11.4400625031411.460025300 3.5P o =33W 7/14 5.7/11.4750402257两管U go 不同——1k 50——P o =95W 7.0/14 5.7/11.4500152505P o =7W 10.59.5 3.3k 300——P o =800W 4.8/2.4 4.0/2.0400152504P o ≥11W 6.9 5.775252503P o =55W 13.911.31k 402505P o ≥50W 13.411.83k 450600120P o >600W 6.66 1.2k 40——P o >130W 27.525.22k 160~2504008~12P o ≈200W P o =25W 75.730052501P o =20W P o =100W P o =24W(A类)6.96.96.95.5 5.75.75.75.7P o =40W P o =200W P o =50W 10.59.5——P o =75W(AB 1)6.9 5.7——第二组三极管6.9 5.7——第一组三极管6.9 5.7五极管部分6.9 5.7——三极管部分20 6.3R L =51k 五极管7 5.730015——R g <500k Ω6.9 5.730025——R g <100k Ω7 5.7P o =12单管甲类7 5.7PP(AB 1类)7 5.7P o =12单管甲类7 5.7P o =90PP(AB 1类)7 5.730052501PP(B类)6.9 5.7A类6.9 5.7三极管接法/AB1-PP2.7 2.3三极管10.59.5三极管7 5.7 2.2k 三极管10.59.5 1.5k 三极管6.9 5.8 1.5k 三极管6.9 5.7350束射四极管A类时,Po≈4W A类时,Po≈100W(AB1类PP)Po≈160W Po≈180W Po≈130W Po≈5.4。

MOS重要参数MOS管为压控器件：加在输入端G（栅极）电压，来控制D（漏极）输出端电流。

一、极限参数：ID ：最大漏源电流（最大连续电流）。

是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。

场效应管的工作电流不应超过 ID 。

此参数会随结温度的上升而有所衰减。

IDM ：最大脉冲漏源电流（所能承受瞬间最大电流）。

此参数会随结温度的上升而有所减额。

PD ：最大耗散功率。

是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。

使用时，场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量。

此参数一般会随结温度的上升而有所衰减。

BVDSS :漏源雪崩电压.VGS ：最大栅源电压。

Tj ：最大工作结温。

通常为 150 ℃或 175 ℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。

TSTG ：存储温度范围.二、静态参数：V(BR)DSS：漏源击穿电压。

（D端-S端所能承受电压值，受制于内藏二极管的耐压，条件：VGS=0，ID=250uA时，与温度成正比）是指栅源电压 VGS 为 0 时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS 。

它具有正温度特性，故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数,一般为 0.1V/ ℃。

RDS(on) ：在特定的 VGS (一般为 10V,4.5V,2.5V )、结温及漏极电流的条件下，MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗。

（量测方法：GS给电压，DS端给电流ID，量测VDS与ID，通过欧姆定律算出电阻：内阻）它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET 导通时的DC消耗功率。

此参数一般会随结温度的上升而有所增大。

故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。

VGS(th) ：开启电压(阀值电压)。

当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。