SCR可控硅
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可控硅波形可控硅(SCR)是一种常用的半导体器件,广泛应用于电力电子领域。
它具有可控性强、耐压高、耐大电流等特点,被广泛应用于各种电力控制电路中。
我们来了解一下可控硅的基本结构和工作原理。
可控硅由4层半导体材料构成,其中有3个p型区域和1个n型区域。
两个p型区域被一个n型区域隔开,形成了一个pnpn的结构。
其中,两个p区被称为阳极(A)和阳极(K),而n区则被称为控制极(G)。
当可控硅的阳极与控制极之间施加一个正向电压时,可控硅处于导通状态。
而当施加一个负向电压时,可控硅处于截止状态。
接下来,我们来了解一下可控硅的波形特性。
可控硅的波形特性主要包括导通特性和截止特性。
在导通特性方面,当施加一个正向电压时,可控硅将开始导通,形成一个电流通路。
而在截止特性方面,当施加一个负向电压时,可控硅将停止导通,电流无法通过。
在实际应用中,可控硅通常与其他器件组成电力控制电路。
其中,最常见的一种电路是交流电压调节电路。
这种电路通常由可控硅、变压器和控制电路组成。
变压器用于将输入的交流电压降压到合适的电压范围,而控制电路则用于控制可控硅的导通和截止。
通过调节可控硅的导通角,可以实现对输出电压的调节。
可控硅还可以应用于交流电的控制开关。
在这种应用中,可控硅通常与触发电路和控制电路组成。
触发电路用于控制可控硅的导通,而控制电路则用于调节触发电路的触发角。
通过调节触发角,可以实现对交流电的控制开关。
总结起来,可控硅是一种常用的半导体器件,具有可控性强、耐压高、耐大电流等特点。
它的波形特性主要包括导通特性和截止特性。
在实际应用中,可控硅通常与其他器件组成电力控制电路,如交流电压调节电路和交流电的控制开关。
通过合理设计和控制,可控硅可以实现对电力的精确控制,广泛应用于各种领域。
可控硅(SCR)知识可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。
1.可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G 三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G 三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A 与阴极K 之间加有正向电压,同时控制极G 与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。
此时A、K 间呈低阻导通状态,阳极A 与阴极K 间压降约1V。
单向可控硅导通后,控制器G 即使失去触发电压,只要阳极A 和阴极K 之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A 电压拆除或阳极A、阴极K 间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止,即使阳极A 和阴极K 间又重新加上正向电压,仍需在控制极G 和阴极K 间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1 与第二阳极A2 间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G 和第一阳极A1 间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2 间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2 电流减小,小于维持电流或A1、A2 间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
2.单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极。
逆变器可控硅的作用逆变器可控硅(SCR)是一种常见的电子器件,广泛应用于电力电子转换系统中。
它的主要作用是实现电能的变换和控制,将直流电能转换为交流电能,并根据需要对电流进行调节。
在现代电力系统中,逆变器可控硅起到了至关重要的作用。
逆变器可控硅的主要作用之一是实现电能的变换。
在直流电源供电的情况下,逆变器可控硅可以将直流电能转换为交流电能。
这在许多领域中都有广泛的应用,例如工业生产中的电动机驱动、电动车辆的动力系统以及太阳能和风能发电系统中的能量转换。
逆变器可控硅的另一个重要作用是对电流进行调节。
通过控制逆变器可控硅的触发角度和电流波形,可以实现对电流的精确控制。
这对于一些需要精确控制的应用非常重要,例如交流电驱动的电机和电炉等。
逆变器可控硅可以根据需要调节电流的大小和频率,从而实现对电器设备的精确控制。
逆变器可控硅还具有可靠性高、寿命长的优点。
由于逆变器可控硅是一种半导体器件,不含机械活动部件,因此其可靠性相对较高。
与传统的机械开关相比,逆变器可控硅的寿命更长,能够承受更高的电压和电流。
这使得逆变器可控硅在工业生产和电力系统中得到了广泛使用。
逆变器可控硅还可以实现对电能的质量控制。
通过控制逆变器可控硅的触发角度和电流波形,可以减少电能的谐波含量,提高电能的功率因数。
这对于电力系统的稳定运行和电能的高质量供应非常重要。
逆变器可控硅能够根据需要调整电能的质量,确保电器设备正常运行,并减少对电网的干扰。
逆变器可控硅还可以实现电能的双向传输。
在一些特殊的应用中,逆变器可控硅可以实现电能的双向流动,即将交流电能转换为直流电能或将直流电能转换为交流电能。
这在电动车辆的充电系统以及电网与电池储能系统的连接中具有重要意义。
逆变器可控硅在电力电子转换系统中发挥着重要作用。
它能够实现电能的变换和控制,对电流进行精确调节,并具有可靠性高、寿命长的特点。
逆变器可控硅的应用范围广泛,涉及工业生产、电动车辆、太阳能和风能发电等领域。
可控硅移相触发和过零触发
可控硅(SCR)是一种半导体器件,具有双向导通特性,能够实现高功率的开关控制。
移相触发和过零触发是两种常见的控制SCR导通的方式。
移相触发是通过改变SCR的控制电压相位来控制其导通。
当
触发电源(控制信号)的相位与电源电压的相位相同或接近时,SCR将导通。
移相触发常用于交流电源控制电路中,通过调
整触发信号的相位来控制电流的开启和关闭时间,从而实现对电路的控制。
过零触发是在交流周期的电压为零附近的时刻触发SCR,通
过该方式可以减小触发时的电流冲击和电压压降,提高电路的稳定性和效率。
过零触发通常使用光耦隔离电路或零相位触发电路来检测交流电源的过零点,并在过零点附近给SCR提供
触发信号。
移相触发与过零触发都是控制SCR导通的方法,具体使用哪
种方式取决于实际应用的需求和电路设计的要求。
可控硅四象限1. 引言可控硅(SCR)是一种晶体管器件,可用于控制电流的通断。
SCR被广泛应用于各种电力电子系统中,例如直流电机驱动、电炉控制和功率变频器等。
在SCR的使用过程中,其特性可以根据操作状态被分为四个象限,即可控硅四象限。
本文将详细介绍可控硅四象限的概念、特征和应用。
2. 可控硅四象限的概念可控硅四象限是基于可控硅的工作特性和触发方式而划分的四个操作象限。
每个象限代表了不同的电压和电流工作范围,且具有不同的触发方式和应用场景。
通过合理选择和控制触发方式,可以使可控硅在不同工作条件下实现期望的电流通断。
3. 可控硅四象限的特征3.1 第一象限第一象限是指可控硅在线性区工作时,阴极与阳极之间的电压大于零,控制极与阴极之间的电流大于零。
在这个象限中,可控硅工作在导通状态,电流正向通过。
触发方式一般采用电流触发,控制电流的变化可以直接影响到可控硅的导通和关断。
3.2 第二象限第二象限是指可控硅在线性区工作时,阴极与阳极之间的电压小于零,控制极与阴极之间的电流小于零。
在这个象限中,可控硅工作在导通状态,电流反向通过。
与第一象限相比,控制电流的触发方式需要改变,可以采用触发脉冲和触发电流的组合来实现控制。
3.3 第三象限第三象限是指可控硅在线性区工作时,阴极与阳极之间的电压小于零,控制极与阴极之间的电流大于零。
在这个象限中,可控硅处于关断状态,不导电。
触发方式一般为电压触发,通过改变触发电压的方式来控制可控硅的通断。
3.4 第四象限第四象限是指可控硅在线性区工作时,阴极与阳极之间的电压大于零,控制极与阴极之间的电流小于零。
在这个象限中,可控硅处于关断状态,不导电。
与第三象限相比,触发方式需要改变,可以采用触发脉冲和触发电流的组合来控制。
4. 可控硅四象限的应用4.1 直流电机驱动直流电机驱动中常使用可控硅作为控制开关,以调整电机的转速和扭矩。
在不同负载条件下,可控硅的触发方式和应用象限可以按需选择,实现精确的电机控制。
可控硅调速原理可控硅(Silicon Controlled Rectifier,SCR)是一种半导体器件,具有单向导电性和控制性。
它可以实现对交流电的调速控制,广泛应用于各种电力和电气设备中。
可控硅调速原理是基于可控硅的导通角控制和触发脉冲控制,通过改变可控硅的导通角度和触发脉冲的宽度来实现对电机转速的调节。
本文将从可控硅调速的基本原理、控制方法和应用领域等方面进行介绍。
首先,可控硅调速的基本原理是利用可控硅器件的导通角控制来改变电路中的导通时间,从而实现对电机的调速控制。
当可控硅器件接通后,电路中的电压和电流将得到控制,从而改变电机的转速。
通过改变可控硅的导通角度,可以实现对电机的转速调节,从而实现对电气设备的调速控制。
其次,可控硅调速的控制方法主要有两种,一种是相角控制,另一种是触发脉冲控制。
相角控制是通过改变可控硅的导通角度来控制电路中的电压和电流,从而实现对电机的调速控制。
而触发脉冲控制是通过改变触发脉冲的宽度来控制可控硅器件的导通时间,从而实现对电机的转速调节。
这两种控制方法可以根据具体的应用需求来选择,以实现最佳的调速效果。
最后,可控硅调速在电力和电气设备中有着广泛的应用领域,如风力发电机组、水泵、风机、压缩机等。
通过可控硅调速技术,可以实现对这些设备的精准控制,提高设备的运行效率和节能效果。
同时,可控硅调速还可以实现对电网的无级调节,提高电网的稳定性和可靠性。
总之,可控硅调速原理是基于可控硅器件的导通角控制和触发脉冲控制,通过改变可控硅的导通角度和触发脉冲的宽度来实现对电机转速的调节。
它具有调速精度高、响应速度快、节能效果明显等特点,广泛应用于各种电力和电气设备中。
希望本文的介绍能够帮助大家更好地了解可控硅调速原理,为相关领域的工程技术人员提供参考和借鉴。
SCR可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
一、单向可控硅单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
二、双向可控硅双向可控硅具有两个方向轮流导通、关断的特性。
双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅,是由NPNPN五层半导体形成四个PN结构成、有三个电极的半导体器件。
由于主电极的构造是对称的(都从N层引出),所以它的电极不像单向可控硅那样分别叫阳极和阴极,而是把与控制极相近的叫做第一电极A1,另一个叫做第二电极A2。
双向可控硅的主要缺点是承受电压上升率的能力较低。
这是因为双向可控硅在一个方向导通结束时,硅片在各层中的载流子还没有回到截止状态的位置,必须采取相应的保护措施。
双向可控硅元件主要用于交流控制电路,如温度控制、灯光控制、防爆交流开关以及直流电机调速和换向等电路。
利用选择性催化还原(SCR)技术将烟气中的氮氧化物脱除的方法是当前世界上脱氮工艺的主流。
选择性催化还原法是利用氨(NH3)对NOx还原功能,在320~400℃的条件下,利用催化剂作用将NOx还原为对大气没有影响的N2和水。
“选择性”的意思是指氨有选择的进行还原反应,在这里只选择NOx还原。
催化剂是整个SCR系统的核心和关键,催化剂的设计和选择是由烟气条件、组分来确定的,影响其设计的三个相互作用的因素是NOx脱除率、NH3的逃逸率和催化剂体积。
scr工艺流程
《scr工艺流程》
scr工艺流程是指通过半导体器件scr(双向可控硅)进行控制
的一种电子设备制造工艺流程。
scr是一种特殊的晶闸管,具
有双向导电性和可控性,能够用于控制交流电路的导通和截断。
scr工艺流程主要用于制造交流电控制设备,如调光器、调速器、电动机控制器等。
scr工艺流程包括以下几个主要步骤:
1. 材料选择:选择合适的半导体材料作为scr的材料,通常为
硅材料。
2. 晶体生长:通过化学气相沉积、液相生长等方法,将硅材料生长成晶体。
3. 制备P-N结:将晶体切割成片,然后在片上制备P-N结,
形成scr的基本结构。
4. 接触制备:在scr片上制备电极接触,用于控制scr的导通
和截断。
5. 封装封装:将scr片封装成器件,以保护和便于使用。
scr工艺流程是制造scr器件的关键步骤,其制备过程需要严格控制各个参数,确保scr器件具有良好的性能和可靠性。
目前,
scr工艺流程已经得到广泛应用,成为了各种交流电控制设备的核心技术之一。
随着电子技术的不断发展,scr工艺流程也在不断完善和创新,为现代电子设备的制造提供了重要支持。
可控硅工作原理
可控硅(SCR)是一种半导体器件,广泛应用于电力控制和电子调节领域。
它
的工作原理基于PN结的导电特性和触发控制电压的作用,下面我们来详细了解一
下可控硅的工作原理。
首先,可控硅是一种四层三端口的半导体器件,其主要结构由P型半导体和N
型半导体交替组成。
当P型半导体的阳极端加正电压,N型半导体的阴极端接地时,PN结之间会形成一个正向偏置的导通通道,此时可控硅处于导通状态。
而当P型
半导体的阳极端加负电压,N型半导体的阴极端加正电压时,PN结之间会形成一
个反向偏置的截止通道,此时可控硅处于截止状态。
其次,可控硅的工作原理还与触发控制电压密切相关。
当外加在控制端的触发
电压大于一定的触发电压(也称为门极电压)时,可控硅将进入导通状态;反之,当触发电压小于门极电压时,可控硅将进入截止状态。
这种触发控制电压的作用使得可控硅可以实现对电流的控制和调节,从而实现对电力的精准调控。
此外,可控硅还具有一定的双向导电特性。
在导通状态下,可控硅可以承受正
向电压和正向电流;而在截止状态下,可控硅可以承受反向电压,但不能承受反向电流。
这种双向导电特性使得可控硅可以应用于交流电路中,实现对交流电的控制和调节。
总的来说,可控硅的工作原理是基于PN结的导电特性和触发控制电压的作用。
通过对P型半导体和N型半导体之间的电压和电流的控制,可控硅可以实现对电
力的精准调控,具有广泛的应用前景。
希望本文能够帮助大家更好地理解可控硅的工作原理,为相关领域的研究和应用提供一定的参考价值。
可控硅的阴极与阳极和触发极检测详细介绍可控硅(SCR)是一种半导体器件,也称为双向晶闸管。
它可用于控制交流电流的导通和截止,同时具有双向导电能力。
一个SCR由三个极,即阴极、阳极和触发极组成。
在正常的操作中,阴极为负极,阳极为正极,而触发极则用于控制SCR的导通和截止。
阴极是可控硅的负极,椭圆形或圆形的区域通常位于可控硅的上方。
阴极主要用于控制电流的流动,当控制电压施加在触发极上时,使阴极电压从负向正偏转,可以激活可控硅,使其导通。
当控制电压去除时,阴极回到负向偏置,可控硅截止。
阳极是可控硅的正极,在正常操作中,阳极持续接收正向电流。
当可控硅通过触发极激活时,正向电流通过可控硅从阳极流向阴极。
触发极是可控硅的第三极。
当触发极施加一个电压脉冲时,它控制可控硅的导通。
触发极的电压脉冲通常由外部电路提供。
触发极的电压脉冲的幅值和宽度可以根据需要进行调整,以控制可控硅的导通和截止。
为了检测和确定可控硅的阴极、阳极和触发极,可以使用以下方法:1.静态测试:通过使用万用表或数字电压表等工具,可以测量阴极、阳极和触发极之间的电压。
在正常操作中,阴极和阳极之间应该有一个正向电压,通常为几个伏特。
然而,在触发极未激活的情况下,阴极和阳极之间的电压应该是反向的。
这种测试可以用于检查可控硅是否正常。
2.动态测试:通过将触发极连接到外部电路中,可以进行动态测试,以触发可控硅的导通和截止。
在这种测试中,使用示波器监测触发极的电压脉冲,并观察可控硅是否按预期进行导通和截止。
这种测试可以帮助检测触发极是否正常工作。
3.替换测试:如果静态和动态测试均无法确定问题所在,可以尝试将可控硅替换为另一个已知正常的可控硅。
通过这种测试方法,可以确认是否存在故障的可控硅问题。
总之,可控硅的阴极、阳极和触发极是器件的核心部分。
通过静态测试、动态测试和替换测试,可以检测和确定这些极是否正常工作,从而确保可控硅器件的正常操作。
SCR可控硅
(2008-12-31 14:07:36)
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杂谈
电路很简单,只作参考,(SCR在交流控制中的应用,无触点,避免了交流电中产生的电火花)
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。
要关断可控硅阳极电位低于阴极电位或者阳极电流小于维持电流。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称“死硅”)更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路,概括起来有直流触发电路,交流触发电路,相位触发电路等等。
直流触发电路:如图G2是一个电视机常用的过压保护电路,当E+电压过高时A点电压也变高,当它高于稳压管DZ的稳压值时DZ道通,可控硅D受触发而道通将E+短路,使保险丝RJ熔断,从而起到过压保护的作用。
相位触发电路:相位触发电路实际上是交流触发电路的一种,如图G3,这个电路的方法是利用RC回路控制触发信号的相位。
当R值较少时,RC时间常数较少,触发信号的相移A1较少,因此负载获得较大的电功率;当R值较大时,RC时间常数较大,触发信号的相移A2较大,因此负载获得较少的电功率。
这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。
单向可控硅,就是当经过可控硅电流单向流动.所以当电流反向时候,可控硅就不通,肤浅的说也就讲其两边的电路断开了.所以它的用途之一就是用来稳流(你想,交变电电流不是方向要变吗,就只有一个方向的
可以过了).双向的嘛,就是怎么样都通,可以空来稳压.
单向可控硅一般用于彩电的过流、过压保护电路。
双向可控硅一般用于交流调节电路,如调光台灯及全自动洗衣机中的交流电源控制
双向晶闸管英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。
是目前比较理想的交流开关器件(过零触发)。
可关断晶闸管GTO(Gate Turn-Off Thyristor)亦称门控晶闸管。
其主要特点为,当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。
可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自
关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。
GTO的容量及使用寿
命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频纺比GTR低。
目前,GTO已达到
3000A、4500V的容量。
大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、
逆变电源等领域,显示出强大的生命力。
触摸式照明灯延迟开关电路如下图所示,电路由555时基电路、电源电路、晶闸管开关电路及触摸电路等几部分组成。
本开关触摸电路由晶体管VT放大电路完成,用它来取代触摸式照明灯延迟开关(1)中的二极管VT2,电路的其他部分均一样。
555时基电路A也接成单稳态工作模式,平时555处于稳定态,其3脚输出低电平,VTH截止,灯EL不亮。
当有人触摸电极片M时,经人体泄漏的50Hz工频信号由高阻电阻器R5注入晶体管VT的基极,经VT放大,信号的负半周足以使VT导通,555时基电路2脚即获得低电平触发信号,电路翻转进入暂态,3脚输出高电平,经R2加到VTH的控制极,使VTH开通,EL点亮发光。
约经t=.1R3C3,暂态结束,555时基电路翻回稳态,3脚恢复低电平,VTH因失去触发电流当交流电过零时即关断,照明灯EL熄灭。
元器件选择
VTH应采用触发电流较小的1A、400~600V小型塑封双向晶闸管,如MAC94A4、MAC97A6
型等。
VT选用9013型等硅NPN小功率晶体管,要求β≥150。
VD选用IN4001~IN4007型等硅整流二极管,VD2选用IN4148型硅开关二极管。
VS最好选用12V、1W稳压二极管,如UZP-12B、IN4742型等。
R1~R4均可用普通1/8W碳膜电阻器;R5为触摸时安全隔离电阻,最好采用1/4W金属膜高阻值电阻器,以确保使用者的安全。
C1用耐压400~600V的聚丙烯电容器,如CBB-400V、CBB-600V型等;C2、C3用耐压16V的铝电解电容器;C4为普通瓷介电容器。
M可用面积为15mm×15mm左右的镀锡铁皮,用环氧树脂胶将其粘贴在86系列开关盒的塑料盖板上,在背面引出导线接电阻R5。
EL为普通白织灯泡,功率以不超过100W为宜。