下载文档原格式
德国centrotherm中文称呼-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以描述德国centrotherm这家公司的背景和当前的国际影响力，并指出本文将探讨的核心问题——德国centrotherm在中国的中文称呼。
以下是概述部分的一个可能的内容：德国centrotherm是全球领先的技术解决方案提供商，专注于半导体和太阳能行业。
该公司成立于1977年，总部位于德国的布吕肯贝格市，在全球范围内拥有多个分支机构和研发中心。
德国centrotherm凭借其卓越的技术创新能力和可靠的产品质量，赢得了全球客户的信赖和好评。
其主要业务领域包括半导体设备、光伏设备和石化设备。
在半导体设备领域，德国centrotherm致力于为全球半导体制造商提供高质量的热处理和化学气相沉积设备，帮助客户提高芯片制造的效率和可持续性。
在光伏设备领域，德国centrotherm的技术和设备广泛应用于太阳能电池的生产过程，推动了可再生能源的发展。
此外，德国centrotherm还在石化设备领域拥有丰富的经验和专业知识，为客户提供高效可靠的设备和解决方案。
德国centrotherm凭借其卓越的技术实力和全球化战略布局，目前在全球市场上具有较高的影响力和市场份额。
公司始终致力于技术创新和研发投入，并与国际知名企业建立了广泛的合作关系，不断提升自身在行业中的地位。
在全球范围内，德国centrotherm的产品和解决方案已经广泛使用于众多知名企业和项目中。
然而，尽管在全球范围内德国centrotherm的知名度较高，但在中国市场，德国centrotherm的中文称呼一直存在着一定的争议和不确定性。
本文将深入探讨德国centrotherm在中国的中文称呼的问题，分析其可能存在的影响，并提出建议和展望。
通过对这一问题的研究，我们旨在增进对德国centrotherm在中国市场的理解，并为其未来在中国的发展提供有益的参考和建议。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以按照以下方式进行编写：文章结构：本篇文章将分为引言、正文和结论三个部分，共包含四个小节。
Centrotherm 公司的主要介绍■公司地址：CentrothermPhotovoltaics GmbH+Co.KGJohammes-Schmid-Str.889143 BlaubeurenGermany■公司电话：+49 7344 9188-803■公司传真：+49 7344 9188-388■公司邮箱：info-pv@centrotherm.de■公司网站：www.centrotherm.de产品流程：硅料硅片太阳电池组件发电系统Centrotherm 公司给以下世界主要电池生产厂家提供PECVD设备（日本除外）：交钥匙工程■与我们公司共同设计厂房和外围设施■电池生产线■太阳电池的设计■太阳电池生产技术的转让■人员的技术培训■设备的启动■生产工艺电池生产线的交钥匙工程主要包括以下几部分■硅片的检测设备■切割损伤层的HF腐蚀和制绒设备■POCL3发射集扩散设备■PSG清除设备■镀SiN抗反射膜设备，包括H+沉积设备■丝网印刷设备和浆料干燥设备■快速烧结设备■周边刻蚀设备■电池的测试和分选设备Centrotherm公司的服务范围■太阳电池生产线的交付和技术培训■太阳电池生产线最佳生产工艺说明书■整体工艺，包括每个工序之间的最佳连接■与用户共同商议基础设施方案■生产线的布置图■帮助用户启动设备和进一步的改进工作■安排用户与有关的研究所建立联系■交钥匙工程包括交付标准的丝网印刷电池生产线和转让研发技术市场信息：用户主要是根据成本/瓦的标准来选择绝大多数（90%以上）的太阳能发电系统。
工艺技术方面生产成本硅片66% 浆料9% 原材料7% 设备投资8% 外围设施投资4% 劳动力6%合格品率，效率和设备利用率合格品率的提高■硅片的检测■设备稳定■在线监控■合格的人员效率的提高■优化的电池生产工艺■优化的生产设备■硅片的检测■在线监控■合格的人员设备利用率的提高■硅片的检测■优化的设备接口■减少了中间的操作环节■在线监控■合格的人员太阳电池的生产工艺1．硅片的检测-2D 检测-3D 检测-电阻率-使用寿命2．湿化学腐蚀-切割损伤层的腐蚀-制绒（酸，冷却槽）-制绒（碱+IPA，加热槽）3．P-N 结的形成- 双面扩散- 单面扩散- 链式扩散4．去除正面和背面的短路- 等离子刻蚀- 湿腐蚀- 激光切割（在电池分类前）5．去除磷硅玻璃（氧化层）- 湿化学腐蚀6．镀抗反射涂层（氮化硅）- 利用PECVD工艺镀氮化硅膜- 抗反射涂层-- H+钝化- 利用LPCVD工艺镀氮化硅膜- 抗反射涂层7．正面接触式印刷8．正面接触式干燥9．背面接触式印刷10．背面接触式干燥11．印刷铝浆12．干燥铝浆13．烧结- 正面和背面接触式烧结- 烧结抗反射涂层- H+ 钝化14．利用激光切割技术消除正面-背面的短路15．太阳电池的分类- 根据效率进行分类- 根据填充因子进行分类- 根据外观进行分类太阳电池的生产流程（利用等离子刻蚀技术进行周边刻蚀）切割损伤层的腐蚀设备■槽式系统- 配备片盒- 能在单晶硅片上进行碱式制绒，在多晶硅片上进行酸式制绒硅片的检测和一摞硅片的分离设备硅片的检测和一摞硅片的分离设备■2D检测■3D 检测■电阻率的测试■使用寿命的测试■微小裂纹的探测■一摞硅片的自动分离■100%的检测■无人操作■碎片率低■硅片的分离量高且稳定切割损伤层的腐蚀设备■槽式系统-- 配备片盒--- 能在单晶硅片上进行碱式制绒，在多晶硅片上进行酸式制绒--- 能在一个系统中进行单晶和多晶硅片制绒■链式系统--- 不需要片盒--- 能在多晶硅片上进行酸式制绒槽式湿腐蚀用的片盒片盒的芯层是不锈钢材质，外表面是塑料材质。
扩散课工艺培训培训内容word2培训内容⏹扩散部设备介绍⏹氧化工艺介绍⏹扩散工艺介绍⏹合金工艺介绍⏹氧化层电荷介绍⏹LPCVD工艺介绍扩散部设备介绍卧式炉管立式炉管炉管工艺和应用(加)氧化工艺-1⏹氧化膜的作用⏹选择扩散和选择注入。
阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。
氧化工艺-2⏹氧化膜的作用⏹缓冲介质层二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损害氧化工艺-3⏹氧化膜的作用器件结构的一部分：如栅〔Gate〕氧化层，专门关键的项目，质量要求专门高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大阻碍氧化工艺-4氧化膜的作用⏹隔离介质：工艺中常用的场氧化确实是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。
氧化工艺-5⏹氧化方法⏹干氧氧化SI+O2 == SIO2结构致密，平均性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢，一样用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。
⏹水汽氧化2H2O+SI == SIO2+2H2生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较多缺陷。
对光刻胶的粘附性较差。
氧化工艺-6⏹氧化方法⏹湿氧氧化〔反应气体：O2 +H2O〕H2O+SI == SIO2+2H2 SI+O2 == SIO2生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；H2O的由H2和O2的反应得到；并通过H2和O2的流量比例来调剂氧化速率，但比例不可超过1.88以保安全；对杂质掩蔽能力以及平均性均能满足工艺要求；多使用在厚层氧化中。
⏹HCL 氧化〔氧化气体中掺入HCL〕加入HCL后，氧化速率有了提高，同时氧化层的质量也大有改善。
目前栅氧化差不多采纳O2+HCL方法。
氧化工艺-7⏹阻碍氧化速率的因素⏹硅片晶向氧化速率(110)>POLY>(111)>(100)⏹掺杂杂质浓度杂质增强氧化，氧化速率发生较大变化如N+退火氧化〔N+DRIVE1〕：衬底氧化厚度：750AN+掺杂区氧化厚度：1450A氧化工艺-8热氧化过程中的硅片表面位置的变化生长1um的SiO2，要消耗掉0.46um的Si。
李飞龙2010年7月LoadingboxTGA控制系统的基本设计理念BK9000三种PLCBX5100 (+B1-A4) (+B2-A4) (+B3-A4) (+B4-A4) (+B5-A4)BK5120:负责控制lift && sliderCMI ==canbus==BK5120（L-A2）==canbus==RDC2==canbus==OMRON SERDRIVE *2BK直接与CMI相连，接收CMI传来的命令，发送信号给RDC2和伺服驱动器，从而实现对lift slider 和gripper的控制。
同时采集他们的状态信息反馈给CMI。
一个RCD2控制gripperA和gripperB两个直流电机。
两个OMRON SD分别控制lift 和slider的伺服电机。
RDC2& &OMR ON CONTR OLLERRDC2 OMRON SDCMS BK9000loadingbox有关的system介绍TGATGA•温度控制系统•隔热冷却系统隔热冷却系统介绍：水冷隔热CMS bk90007个CMS BK9000采集的信号温度控制RDIO8收到REG97发送来的信号，经过自己的cpu处理后发送脉冲给SSR，SSR控制主电路的通断。
每个RDIO8同时发出5组信号给每个炉管的5个SSR。
经过T1，T2变压器后，主电路得到了这样的power分配:L,R（65V 90A,）LM M RM(60V 90A).由于从RDIO8发过来的impulse 不同，造成通电时间的不同，且5个SSR分别控制五个区段的电阻丝通断，从而实现了对炉内温度均匀性的良好控制。
Question：1.RDIO8是几个？2.金属片的作用TMM6 RDIO8（Digital remote I/O module）SSR电流互感器过流保护器ANY ？？这里涉及到CX1010这个重要CMS和5个BC5150PLC.在此之前我们先介绍一下bubber controller采集的数据的走向。
