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德国centrotherm中文称呼-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以描述德国centrotherm这家公司的背景和当前的国际影响力，并指出本文将探讨的核心问题——德国centrotherm在中国的中文称呼。
以下是概述部分的一个可能的内容：德国centrotherm是全球领先的技术解决方案提供商，专注于半导体和太阳能行业。
该公司成立于1977年，总部位于德国的布吕肯贝格市，在全球范围内拥有多个分支机构和研发中心。
德国centrotherm凭借其卓越的技术创新能力和可靠的产品质量，赢得了全球客户的信赖和好评。
其主要业务领域包括半导体设备、光伏设备和石化设备。
在半导体设备领域，德国centrotherm致力于为全球半导体制造商提供高质量的热处理和化学气相沉积设备，帮助客户提高芯片制造的效率和可持续性。
在光伏设备领域，德国centrotherm的技术和设备广泛应用于太阳能电池的生产过程，推动了可再生能源的发展。
此外，德国centrotherm还在石化设备领域拥有丰富的经验和专业知识，为客户提供高效可靠的设备和解决方案。
德国centrotherm凭借其卓越的技术实力和全球化战略布局，目前在全球市场上具有较高的影响力和市场份额。
公司始终致力于技术创新和研发投入，并与国际知名企业建立了广泛的合作关系，不断提升自身在行业中的地位。
在全球范围内，德国centrotherm的产品和解决方案已经广泛使用于众多知名企业和项目中。
然而，尽管在全球范围内德国centrotherm的知名度较高，但在中国市场，德国centrotherm的中文称呼一直存在着一定的争议和不确定性。
本文将深入探讨德国centrotherm在中国的中文称呼的问题，分析其可能存在的影响，并提出建议和展望。
通过对这一问题的研究，我们旨在增进对德国centrotherm在中国市场的理解，并为其未来在中国的发展提供有益的参考和建议。
1.2 文章结构文章结构部分的内容可以按照以下方式进行编写：文章结构：本篇文章将分为引言、正文和结论三个部分，共包含四个小节。
Centrotherm 公司的主要介绍■公司地址：CentrothermPhotovoltaics GmbH+Co.KGJohammes-Schmid-Str.889143 BlaubeurenGermany■公司电话：+49 7344 9188-803■公司传真：+49 7344 9188-388■公司邮箱：info-pv@centrotherm.de■公司网站：www.centrotherm.de产品流程：硅料硅片太阳电池组件发电系统Centrotherm 公司给以下世界主要电池生产厂家提供PECVD设备（日本除外）：交钥匙工程■与我们公司共同设计厂房和外围设施■电池生产线■太阳电池的设计■太阳电池生产技术的转让■人员的技术培训■设备的启动■生产工艺电池生产线的交钥匙工程主要包括以下几部分■硅片的检测设备■切割损伤层的HF腐蚀和制绒设备■POCL3发射集扩散设备■PSG清除设备■镀SiN抗反射膜设备，包括H+沉积设备■丝网印刷设备和浆料干燥设备■快速烧结设备■周边刻蚀设备■电池的测试和分选设备Centrotherm公司的服务范围■太阳电池生产线的交付和技术培训■太阳电池生产线最佳生产工艺说明书■整体工艺，包括每个工序之间的最佳连接■与用户共同商议基础设施方案■生产线的布置图■帮助用户启动设备和进一步的改进工作■安排用户与有关的研究所建立联系■交钥匙工程包括交付标准的丝网印刷电池生产线和转让研发技术市场信息：用户主要是根据成本/瓦的标准来选择绝大多数（90%以上）的太阳能发电系统。
工艺技术方面生产成本硅片66% 浆料9% 原材料7% 设备投资8% 外围设施投资4% 劳动力6%合格品率，效率和设备利用率合格品率的提高■硅片的检测■设备稳定■在线监控■合格的人员效率的提高■优化的电池生产工艺■优化的生产设备■硅片的检测■在线监控■合格的人员设备利用率的提高■硅片的检测■优化的设备接口■减少了中间的操作环节■在线监控■合格的人员太阳电池的生产工艺1．硅片的检测-2D 检测-3D 检测-电阻率-使用寿命2．湿化学腐蚀-切割损伤层的腐蚀-制绒（酸，冷却槽）-制绒（碱+IPA，加热槽）3．P-N 结的形成- 双面扩散- 单面扩散- 链式扩散4．去除正面和背面的短路- 等离子刻蚀- 湿腐蚀- 激光切割（在电池分类前）5．去除磷硅玻璃（氧化层）- 湿化学腐蚀6．镀抗反射涂层（氮化硅）- 利用PECVD工艺镀氮化硅膜- 抗反射涂层-- H+钝化- 利用LPCVD工艺镀氮化硅膜- 抗反射涂层7．正面接触式印刷8．正面接触式干燥9．背面接触式印刷10．背面接触式干燥11．印刷铝浆12．干燥铝浆13．烧结- 正面和背面接触式烧结- 烧结抗反射涂层- H+ 钝化14．利用激光切割技术消除正面-背面的短路15．太阳电池的分类- 根据效率进行分类- 根据填充因子进行分类- 根据外观进行分类太阳电池的生产流程（利用等离子刻蚀技术进行周边刻蚀）切割损伤层的腐蚀设备■槽式系统- 配备片盒- 能在单晶硅片上进行碱式制绒，在多晶硅片上进行酸式制绒硅片的检测和一摞硅片的分离设备硅片的检测和一摞硅片的分离设备■2D检测■3D 检测■电阻率的测试■使用寿命的测试■微小裂纹的探测■一摞硅片的自动分离■100%的检测■无人操作■碎片率低■硅片的分离量高且稳定切割损伤层的腐蚀设备■槽式系统-- 配备片盒--- 能在单晶硅片上进行碱式制绒，在多晶硅片上进行酸式制绒--- 能在一个系统中进行单晶和多晶硅片制绒■链式系统--- 不需要片盒--- 能在多晶硅片上进行酸式制绒槽式湿腐蚀用的片盒片盒的芯层是不锈钢材质，外表面是塑料材质。
扩散课工艺培训培训内容word2培训内容⏹扩散部设备介绍⏹氧化工艺介绍⏹扩散工艺介绍⏹合金工艺介绍⏹氧化层电荷介绍⏹LPCVD工艺介绍扩散部设备介绍卧式炉管立式炉管炉管工艺和应用(加)氧化工艺-1⏹氧化膜的作用⏹选择扩散和选择注入。
阻挡住不需扩散或注入的区域，使离子不能进入。
氧化工艺-2⏹氧化膜的作用⏹缓冲介质层二次氧化等，缓冲氮化硅应力或减少注入损害氧化工艺-3⏹氧化膜的作用器件结构的一部分：如栅〔Gate〕氧化层，专门关键的项目，质量要求专门高；电容极板之间的介质，对电容的大小有较大阻碍氧化工艺-4氧化膜的作用⏹隔离介质：工艺中常用的场氧化确实是生长较厚的二氧化硅膜，达到器件隔离的目的。
氧化工艺-5⏹氧化方法⏹干氧氧化SI+O2 == SIO2结构致密，平均性、重复性好，掩蔽能力强，对光刻胶的粘附性较好，但生长速率较慢，一样用于高质量的氧化，如栅氧化等；厚层氧化时用作起始和终止氧化；薄层缓冲氧化也使用此法。
⏹水汽氧化2H2O+SI == SIO2+2H2生长速率快，但结构疏松，掩蔽能力差，氧化层有较多缺陷。
对光刻胶的粘附性较差。
氧化工艺-6⏹氧化方法⏹湿氧氧化〔反应气体：O2 +H2O〕H2O+SI == SIO2+2H2 SI+O2 == SIO2生长速率介于干氧氧化和水汽氧化之间；H2O的由H2和O2的反应得到；并通过H2和O2的流量比例来调剂氧化速率，但比例不可超过1.88以保安全；对杂质掩蔽能力以及平均性均能满足工艺要求；多使用在厚层氧化中。
⏹HCL 氧化〔氧化气体中掺入HCL〕加入HCL后，氧化速率有了提高，同时氧化层的质量也大有改善。
目前栅氧化差不多采纳O2+HCL方法。
氧化工艺-7⏹阻碍氧化速率的因素⏹硅片晶向氧化速率(110)>POLY>(111)>(100)⏹掺杂杂质浓度杂质增强氧化，氧化速率发生较大变化如N+退火氧化〔N+DRIVE1〕：衬底氧化厚度：750AN+掺杂区氧化厚度：1450A氧化工艺-8热氧化过程中的硅片表面位置的变化生长1um的SiO2，要消耗掉0.46um的Si。
李飞龙2010年7月LoadingboxTGA控制系统的基本设计理念BK9000三种PLCBX5100 (+B1-A4) (+B2-A4) (+B3-A4) (+B4-A4) (+B5-A4)BK5120:负责控制lift && sliderCMI ==canbus==BK5120（L-A2）==canbus==RDC2==canbus==OMRON SERDRIVE *2BK直接与CMI相连，接收CMI传来的命令，发送信号给RDC2和伺服驱动器，从而实现对lift slider 和gripper的控制。
同时采集他们的状态信息反馈给CMI。
一个RCD2控制gripperA和gripperB两个直流电机。
两个OMRON SD分别控制lift 和slider的伺服电机。
RDC2& &OMR ON CONTR OLLERRDC2 OMRON SDCMS BK9000loadingbox有关的system介绍TGATGA•温度控制系统•隔热冷却系统隔热冷却系统介绍：水冷隔热CMS bk90007个CMS BK9000采集的信号温度控制RDIO8收到REG97发送来的信号，经过自己的cpu处理后发送脉冲给SSR，SSR控制主电路的通断。
每个RDIO8同时发出5组信号给每个炉管的5个SSR。
经过T1，T2变压器后，主电路得到了这样的power分配:L,R（65V 90A,）LM M RM(60V 90A).由于从RDIO8发过来的impulse 不同，造成通电时间的不同，且5个SSR分别控制五个区段的电阻丝通断，从而实现了对炉内温度均匀性的良好控制。
Question：1.RDIO8是几个？2.金属片的作用TMM6 RDIO8（Digital remote I/O module）SSR电流互感器过流保护器ANY ？？这里涉及到CX1010这个重要CMS和5个BC5150PLC.在此之前我们先介绍一下bubber controller采集的数据的走向。
内容
1．装片将来片装至石英舟上。
装片过程中,石英舟的斜度向左,将每两片正片插入同一插槽中方向从右向左。
并保证扩散面向外, 插片过程中严禁用手(包括戴手套)直接接触硅片绒面。
2. 上舟将以装好产品的石英舟放置于Slider上，如图所示：
3. 运行工艺
3.1点击Jobs,进入Jobs界面，确认tube状态并进入SETUP菜单
3.2选择BOAT LOT，可选择没有对号的Boat
3.3进入下个菜单如下．并进行如下选择,之后点击Next
3.4输入BOAT ID(石英舟架的编号)，并选择wafer尺寸
3.5勾选run（运行）的炉管
3.6选择进货时炉管状态
3.7选择recipe ,根据工艺要求选择相应的recipe，然后点击Finish
3.8确认界面．确认之前设置无误，点击OK。
3.9点击Jobs返回Jobs菜单,点击RUN就可开始自动进炉扩散
3.10当RECIPE（程序）结束后会跳出如下对话框，点OK 机台自动运行UNLOAD(硅片出炉，冷却后下片)程序。
4.常见报警及处理方法：
5.设备故障汇报机制
接到设备故障报告后，现在技术员立即到现场处理维修，半小时内无法解决，当班技术员即时通知到机台责任工程师，工程师两小时内无法解决问题，则立即通知相应的设备主管，四小时无法解决问题，通知设备经理。
Centrotherm扩散炉简介力诺光伏设备管理部潘学兴1Add your text in here系统网络构架简介2Add your text in here系统硬件介绍3Add your text in here典型单元器件介绍1Add your text in here系统网络构架简介1.Loading boxAdd your text in here系统硬件介绍23.Furnace2.TGA 4.Gas cabinet2.1Add your text in hereLoading box主要包括：动作单元：slider motor、paddle motor、lift motorhorizon motor、cooling fans驱动单元：slider motor trigger、paddle motor DC triggerlift motor trigger、horizon motor trigger (RDC2)控制单元：paddle motor controller、远程I/O 、CMI检测单元：光电传感器、接近开关、行程开关、编码器其它单元：刹车电阻、storage、交流接触器2.1Add your text in hereLoading box主要作用：1.CMI操作界面2.上料台3.下料台4.石英舟冷却暂存5.石英舟进出炉管Add your text in here TGA2.2主要包括：动作单元：气缸、电磁阀驱动单元：中间继电器其它单元：CDA 管道、CDA 压力表、Cooling box检测单元：光电传感器、行程开关主要作用：Add your text in hereTGA2.21.控制炉门的开启/关闭2.桨位置的监测3.尾气及热量的排出2.3Add your text in hereFurnace主要包括：动作单元：电热丝驱动单元：RDIO(PWM)、固态继电器控制单元：TMM6(spike)、远程I/O检测单元：热电偶、电流互感器、液位检测器其它单元：交流接触器、Cooling box、switch(地址分配器)开关电源、fuse、main power 、变压器2.3Add your text in hereFurnace主要作用：1.提供主电源、DC 24V2.提供工艺环境2.4Add your text in hereGas cabinet主要包括：动作单元：气动阀、电磁阀、手动阀、减压阀驱动单元：中间继电器控制单元：CESAR、CMS、TMM6(internal)、MFC 、bubbler检测单元：N2/O2/CDA流量计、N2/O2/CDA压力表其它单元：switch(地址分配器)、UPS2.3Add your text in hereFurnace主要作用：1.提供磷源、N2、CDA、O22.提供备用电源3.废气处理4.主程序控制、报警系统Add your text in here 典型单元器件介绍3主要包括：执行单元驱动单元控制单元其它单元检测单元3.1Add your text in here执行器件1.伺服电机：伺服主要靠脉冲来定位，基本上可以这样理解，伺服电机接收到1个脉冲，就会旋转1个脉冲对应的角度，从而实现位移。
CT扩散工艺培训一、工艺介绍：1.1扩散炉气流平面图图一为CT扩散炉简易平面图图二为通过扩散炉气体流动方向1.2扩散原理：1.2.1化学反应方程式：POCl 3在高温下（>600℃）分解生成五氯化磷（PCl 5）和五氧化二磷（P 2O 5），其反应式如下：5253O P 3PCl C6005POCl +−−−→−︒>；生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，其反应式如下：↓+→+4P 5S iO 5S i O 2P 252；PCl 5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。
因此通入过量O 2 ，使PCl 5进一步分解为我们所需要的物质，其反应式如下：↑+−−−−→−+2522510Cl O 2P 2O 过量5O 4PCl 。
1.2.2 磷扩散过程：首先在硅片表面形成一层磷硅玻璃，如下图所示：然后经过一系列的高温推进后，杂质再重新分布，形成一层薄的N 型硅，如下图所示：1.3 扩散工艺控制：温度影响扩散方块电阻的温度有Deposition温度；Drive-in 的温度；时间影响扩散方块电阻的时间有Deposition时间；Drive-in 的时间；浓度影响扩散方块电阻的浓度有小氮流量，影响方阻的均匀性有小氮流量和大氮流量；源温主要是指三氯氧磷的温度，三氯氧磷的饱和蒸汽压随源温的变化而变化，最终决定通往扩散炉的磷源流量；小氮流量小氮流量的决定了所携带磷源的大小，最终直接影响方块电阻的大小；扩散炉内的压力扩散炉内的气压会影响扩散均匀性；1.4 典型工艺1.5 不同方阻磷浓度曲线分布图：1.6 工艺结果表面有一层磷硅玻璃；磷掺杂形成发射极；方块电阻大小由馆内温度和气体浓度决定；二、作业步骤：2.1 正常生产：2.1.1 激活石英舟，验证舟的ID，类型，状态和承载位置，如下图所示：2.1.2 选择炉管，石英舟的位置，承载模式和舟的状态，如下图所示：2.1.3 检验工艺选择及信息概要，如下图所示：2.2 特定生产：2.2.1 激活舟并定义硅片承载模式，如下图所示：2.2.2 检验舟的ID，类型，承载位置及状态：2.2.3 工艺选择及信息概要：2.3 结束特定作业：2.3.1 勾选’set boat to inactive after unloading ‘2.3.2 点击卸片按钮2.4 删除作业信息：勾选’delete load information of this boat ‘2.5 重新开始项目解决好J&R操作错误后的步骤：2.5.1 确认J&R与CMI上的错误信息；2.5.2 删除失败的作业项目；2.5.3 手动把舟移动到存储架2-7上；2.5.4 重新加载作业信息，设置舟当前的位置；2.5.5 重新开始自动运行；2.5.6 如果有其它作业项目即将结束，CMI会先完成，然后再重新开始原来重新加载的项目；三、记录分析及工艺编辑：3.1 记录分析：3.1.1 打开Protgraf 软件，如下图标所示：3.1.2 用Protgraf分析，点击如下图标：3.1.3 选择要分析的管号和时间段：3.1.4 选择需要列表输出或者图形显示的项目：3.1.5 记录分析3.1.6 重要事件记录：3.1.7 列表显示：3.1.8 事件显示：3.1.9 图形显示：3.2 工艺编辑：3.2.1 工艺调整：3.2.1.1打开程序，点击桌面CCC-RM图标3.2.1.2第二步：选择左上角第二个菜单栏，输入密码，60653.2.1.3打开工艺控制菜单后，在右边菜单栏内选定，需要调整的工艺号：3.2.1.4选定后，点击右边菜单栏下的“check out ”键，将工艺导出：3.2.1.5点击中间菜单栏下的“”，待更改工艺即出现以下界面的左栏，点击向右箭头，将工艺导导至修改栏，点击“Edit”，开始工艺修改：3.2.1.6工艺更改好后，点击“save”保存：3.2.1.7点击向右箭头，放回：3.2.1.8回到工艺界面，选定工艺，点击中间栏下部的“check in”，将工艺放回至程序库：3.2.2 复制工艺：在生产过程中，有可能出现工艺出错，无法修改，甚至无法调出的情况，可以将其他炉管同一系列工艺进行复制，然后修改，再将新复制的工艺倒回程序库即可。
扩散⼯艺培训扩散⼯艺培训⼀、扩散⽬的。
在P型衬底上扩散N型杂质形成PN结。
达到合适的掺杂浓度ρ/⽅块电阻R□即获得适合太阳能电池PN结需要的结深和扩散层⽅块电阻。
R□的定义：⼀个均匀导体的⽴⽅体电阻,长L，宽W，厚d R= ρ L / d W =(ρ/d) (L/W)此薄层的电阻与（L / W）成正⽐，⽐例系数为（ρ /d）。
这个⽐例系数表⽰：叫做⽅块电阻，⽤R□R□= ρ / dR = R□（L / W）L= W时R= R□，这时R□表⽰⼀个正⽅形薄层的电阻，与正⽅形边长⼤⼩⽆关。
单位Ω/□，⽅块电阻也称为薄层电阻Rs在太阳电池扩散⼯艺中，扩散层薄层电阻是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要⼯艺指标之⼀。
制造⼀个PN结并不是把两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在⼀起就能形成的。
必须使⼀块完整的半导体晶体的⼀部分是P型区域，另⼀部分是N 型区域。
也就是晶体内部形成P型和N型半导体接触。
⽬前绝⼤部分的电池⽚的基本成分是硅，在拉棒铸锭时均匀的掺⼊了B(硼)，B原⼦最外层有三个电⼦，掺B的硅含有⼤量空⽳，所以太阳能电池基⽚中的多数载流⼦是空⽳，少数载流⼦是电⼦，是P型半导体.在扩散时扩⼊⼤量的P(磷)，P原⼦最外层有五个电⼦，掺⼊⼤量P的基⽚由P型半导体变为N型导电体，多数载流⼦为电⼦,少数载流⼦为空⽳。
在P型区域和N型区域的交接区域，多数载流⼦相互吸引，漂移中和，最终在交接区域形成⼀个空间电荷区，内建电场区。
在内建电场区电场⽅向是由N 区指向P区。
当⼊射光照射到电池⽚时，能量⼤于硅禁带宽度的光⼦穿过减反射膜进⼊硅中，在N 区、耗尽区、P区激发出光⽣电⼦空⽳对。
光⽣电⼦空⽳对在耗尽区中产⽣后，⽴即被内建电场分离，光⽣电⼦被进⼊N区，光⽣空⽳则被推进P区。
光⽣电⼦空⽳对在N区产⽣以后,光⽣空⽳便向PN结边界扩散，⼀旦到达PN结边界，便⽴即受到内建电场作⽤，被电场⼒牵引做漂移运动,越过耗尽区进⼊P区，光⽣电⼦(多⼦)则被留在N区。
