电池片各参数异常的原因
Isc 1234⇒⎧⎪⇒⎪⎪⎨⎪⇒⎪⎪⎩偏低的原因：
、绒面较差光反射率较大；、扩散方块电阻偏低磷掺杂过多；、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽 等现象电流不能被有效地收集；、烧结炉温度出现较大波动；
1. 容易理解。
2. 重掺杂会加大表面复合
3. 容易理解
4. 烧结不好引起欧姆接触不好，致使串联电阻增大
Voc 1pn 234⇒⎧⎪⇒⎪⎪⎧⎪⎨⎪⎨⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎩偏低的原因：
、绒面较差扩散结不均匀；、扩散方块电阻偏高无法形成有效的电势差；
铝浆型号用错；、丝网印刷第二道铝浆搅拌不均匀；印刷重量偏低；、烧结温度出现波动；
1. 方块电阻不均匀，结深高低不一致，烧结Ag 电极渗透中，有的地方接触不好，有的地方可能过烧
2. 即掺杂太少
3.
Rs 1234⇒⎧⎪⇒⎪⎨⇒⎪⎪⎩
偏高的原因：
、绒面较差电极接触不均匀；、扩散方块电阻偏高接触电阻增大；、丝网印刷第三道出现虚印、断线接触电阻增大；
、烧结炉温度出现较大波动； Rsh 1pn 2pn 3pn pn 45pn ⎧⎪⇒⎪⎪⇒⎪⎪⇒⎧⎪⎨⎨⇒⎩⎪⎪⇒⎧⎪⎨⎪⇒⎩⎪⇒⎪⎩偏低的原因：
、绒面较差扩散结不均匀；
、扩散方块电阻偏高结过浅；未完全刻蚀边缘漏电；、刻蚀过度刻蚀结被破坏；硅片表面被浆料污染（尤其是铝浆污染）结被破坏；、丝网印刷漏浆上下电极发生短路，产生漏电；、烧结温度过高结被破坏；
1．
2．扩散方块电阻偏高，即扩散掺杂浓度低，导致内建电场偏低，耗尽区电阻变小
3. 未完全刻蚀必然导致边缘漏电，容易理解；过度刻蚀导致并联电阻降低，是因为PN 结所占的横截面积变小，所以耗尽层总电阻变小。
4. 铝浆在N 区的扩散会破环PN 结，因为它是受主杂质。正面滴落的铝浆，有可能在烧结过程中扩散穿过PN 结，导致PN 结被破环发生短路。如果硅片边缘附有漏浆，可直接引起边缘漏电。
5. 烧结温度太高，可导致Ag 的扩散太大，以致穿过PN 结，直接导致短路
FF 1Rs Rs 2Rsh Rsh ⎧⎨⎩偏低的原因：
、偏高（参考偏高的产生原因）；、偏低（参考偏低的产生原因）；
