半导体激光器
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半导体激光工作原理
半导体激光工作原理
半导体激光器是利用电子从低能级跃迁到高能级时所产生的光，由于高能级的电子数比低能级的多得多，因此光在自由电子激光中辐射的能量是很大的。
半导体激光器主要由激光器、增益介质和泵浦光源组成。
半导体激光器的增益介质主要有三种：有源区、波导、吸收腔。
其中以有源区为主要部分，其形状和材料各不相同。
激光器有源区是由金属原子构成的半导体，它是激光系统中唯一能把光能转变成机械能和化学能的部分，也是影响激光特性的重要因素之一。
有源区还起着将泵浦光源发射出来的光（指激光器内部发射出来的光）与增益介质中传输过来的光（指增益介质发射出来的光）相互耦合、吸收和转换，再由有源区发射出来的光辐射出激光器内部。
由于有源区在整个半导体激光器中起着非常重要作用，因此在选择激光器有源区时必须考虑有源区和有源区内材料的成分、尺寸和形状，使它们相互匹配，这样才能达到最佳性能。
增益介质又叫受激辐射层或吸收层。
—— 1 —1 —。
半导体激光器 原理
半导体激光器原理
半导体激光器是一种基于半导体材料的激光发射装置。
它通过电流注入半导体材料中的活性层，使其产生载流子（电子和空穴）重组的过程中释放出光子。
以下是半导体激光器的基本原理：
1. P-N结构：半导体激光器通常采用P-N结构，其中P区域富含正电荷，N区域富含负电荷。
2. 电流注入：当电流从P区域注入到N区域时，电子和空穴
会在活性层中重组，形成激子（激发态）。
3. 激子衰减：激子会因为与晶格的相互作用而损失能量，进而衰减为基态激子。
4. 辐射复合：基态激子最终与活性层中的空穴重新结合，释放出光子。
这个过程称为辐射复合。
5. 光放大：光子通过多次反射在激光腔中来回传播，与活性层中的激子相互作用，不断放大。
6. 反射镜：激光腔两端分别放置高反射镜和透明窗口，高反射镜可以增加内部光子的反射使其在腔内传播，透明窗口允许激光通过。
7. 激光输出：当达到一定放大程度时，激光在透明窗口处逃逸，形成激光输出。
通过控制电流注入和激光腔的结构设计，可以调节半导体激光器的发射波长、功率等参数，以满足不同应用领域的要求。
半导体激光器 材料
半导体激光器材料
半导体激光器，也被称为激光二极管，是一种使用半导体材料作为工作物质的激光器。
由于物质结构上的差异，不同种类的半导体激光器产生激光的具体过程会有所不同。
在制作半导体激光器时，需要使用满足一定要求的半导体材料。
这些要求包括：
1. 直接带隙：只有具有直接带隙的材料，在电子-空穴复合产生光子时，才无需声子参加，从而有较高的发光效率。
2. 晶格匹配：作用层和限制层的晶格需要匹配，以确保激光器的性能。
3. 晶体完整性：要求晶体完整，位错密度、有害杂质浓度应尽量小。
常用的半导体激光器工作物质包括砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
此外，半导体材料是一类具有半导体性能的电子材料，其导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内。
按照化学组成、
结构和性能的不同，半导体材料可以分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体等。
总的来说，对于半导体激光器的应用和发展，其材料的选择和处理是非常重要的。
半导体激光器特点
半导体激光器特点
半导体激光器（Also known as semiconductor laser）是一种基于半导体材料工作的激光器。
它具有以下特点：
1. 小型化：半导体激光器的体积小，重量轻，可以方便地集成在各种设备中，如光纤通信、激光打印机、激光读写光驱等。
2. 高效率：半导体激光器的电-光转换效率高，能将输入的电能高效地转化为光能，相对于其他类型的激光器有更低的功耗和更高的功率输出。
3. 长寿命：半导体激光器具有较长的工作寿命，能够持续稳定地工作数千小时甚至更长时间。
4. 快速响应：半导体激光器的开关速度较快，可以在纳秒级别进行调制和调制解调，适用于高速光通信和光存储等领域。
5. 容易调谐：半导体激光器具有较宽的工作波长范围，通过改变电流、温度和施加外界的光学调制，可以实现对激光波长的调谐。
6. 相干性：半导体激光器的输出是相干光，光束质量高，光束模式稳定，光学特性优异。
7. 低成本：由于半导体激光器制造工艺成熟，成本较低，容易大规模生产，因此价格相对较低。
总的来说，半导体激光器的小型化、高效率、长寿命和容易调谐等特点，使其成为广泛应用于通信、医疗、材料加工、生物科学等领域的重要激光器。
半导体激光器发光原理及工作原理
半导体激光器发光原理及工作原理半导体激光器是一种利用半导体材料产生激光的器件，广泛应用于通信、医疗、材料加工等领域。
本文将介绍半导体激光器的发光原理和工作原理。
一、半导体激光器的发光原理1.1 激发态电子跃迁：半导体激光器的发光原理是利用半导体材料中的电子和空穴的复合辐射产生激光。
当电子和空穴在PN结区域复合时，会发生能级跃迁，释放出光子。
1.2 光放大过程：在半导体材料中，光子会被吸收并激发更多的电子跃迁，形成光放大过程。
这种过程会导致光子数目的指数增长，最终形成激光。
1.3 反射反馈：半导体激光器内部通常设置有反射镜，用于反射激光，使其在器件内部多次反射，增强激光的光程和功率，最终形成高亮度的激光输出。
二、半导体激光器的工作原理2.1 电流注入：半导体激光器的工作需要通过电流注入来激发电子和空穴的复合。
电流通过PN结区域，形成电子和空穴的复合辐射。
2.2 光放大：在电流注入的情况下，光子会被吸收并激发更多的电子跃迁，形成光放大过程。
这会导致激光的产生和输出。
2.3 温度控制：半导体激光器的工作过程中会产生热量，需要进行有效的温度控制，以确保器件的稳定性和寿命。
通常会采用温控器等设备进行温度管理。
三、半导体激光器的特点3.1 尺寸小：半导体激光器采用微型化设计，尺寸小巧，适合集成在各种设备中。
3.2 高效率：半导体激光器具有高效的能量转换率，能够将电能转换为光能，功耗低。
3.3 快速调制：半导体激光器响应速度快，能够实现快速调制和调节，适用于高速通信和数据传输领域。
四、半导体激光器的应用领域4.1 通信：半导体激光器广泛应用于光通信系统中，用于光纤通信和无线通信的光源。
4.2 医疗：半导体激光器在医疗领域中用于激光手术、激光治疗等，具有精准、无创的特点。
4.3 材料加工：半导体激光器可用于材料切割、打标、焊接等加工领域，具有高精度和高效率的优势。
五、半导体激光器的发展趋势5.1 高功率：未来半导体激光器将朝着高功率、高亮度的方向发展，以满足更多领域的需求。
半导体激光器特点
半导体激光器特点半导体激光器是一种利用半导体材料产生和放大光的器件。
它具有以下几个主要特点。
第一，半导体激光器的体积小。
相比于其他类型的激光器，半导体激光器的结构简单，体积小巧。
这使得半导体激光器可以方便地集成在各种设备中，如激光打印机、光纤通信系统和光存储器等。
第二，半导体激光器的效率高。
半导体材料的能带结构决定了激光器的发光过程可以在能带间直接进行，使得能量转换效率较高。
此外，半导体激光器还可以通过外部注入电流的方式工作，电-光转换效率高达30%以上。
第三，半导体激光器的功耗低。
由于其高效的电-光转换特性，半导体激光器相比其他类型的激光器具有更低的功耗。
这使得半导体激光器在便携式电子设备、光纤通信和激光雷达等领域得到广泛应用。
第四，半导体激光器的工作温度范围宽。
半导体材料的导电性能随温度的变化非常敏感，但半导体激光器可以在较宽的温度范围内稳定工作。
这使得半导体激光器适用于各种环境条件下的应用。
第五，半导体激光器的调制速度快。
半导体材料中的载流子响应速度较快，使得半导体激光器能够实现高速调制。
这使得半导体激光器在光通信和激光雷达等领域中得到广泛应用，可以实现高速数据传输和高精度测距。
第六，半导体激光器的波长范围广。
通过选择不同的半导体材料和器件结构，可以实现不同波长的激光输出。
目前，半导体激光器的波长范围从红外到紫外都有覆盖，可以满足不同应用的需求。
半导体激光器具有体积小、效率高、功耗低、工作温度范围宽、调制速度快和波长范围广等特点。
这些特点使得半导体激光器在各种领域得到广泛应用，推动了光电子技术的发展。
随着技术的不断进步，半导体激光器将继续发挥重要作用，为人们的生活和工作带来更多便利和创新。
半导体光纤激光器结构
半导体光纤激光器结构
半导体光纤激光器是一种将半导体激光器与光纤技术相结合的新型激光器。
它具有体积小、功率高、效率高、光束质量好等优点,在通信、工业加工、医疗和军事等领域有着广阔的应用前景。
1. 基本结构
半导体光纤激光器由半导体增益芯片、光纤增益介质和泵浦光源三部分组成。
其中,半导体增益芯片通常采用量子阱结构,可以实现高效率的光电转换;光纤增益介质通常采用掺有稀土离子(如Er3+、Yb3+等)的双包层光纤,用于提供增益;泵浦光源则负责为光纤增益介质提供泵浦能量。
2. 工作原理
半导体激光器产生的激光被耦合进入光纤增益介质,激发其中的稀土离子到高能态。
当稀土离子受到足够的泵浦能量时,就会发生受激辐射,产生与光纤共模相匹配的激光输出。
通过对半导体激光器、光纤结构和泵浦光源的优化设计,可以实现高功率、窄线宽、高光束质量的激光输出。
3. 关键技术
半导体光纤激光器的关键技术包括:高性能半导体增益芯片、高增益光纤材料、高效率光耦合技术、热管理技术等。
其中,光耦合技术对于实现高效率的激光输出至关重要,通常采用夹芯球面透镜或晶圆级封装等方式来提高耦合效率。
半导体光纤激光器凭借其独特的结构优势,在许多领域展现出广阔的应用前景,是未来激光技术的一个重要发展方向。
半导体激光器的原理
半导体激光器的原理
半导体激光器是一种基于半导体材料的激光发射器件，它利用半导体材料的特殊性质，通过有源区的电子与空穴复合放出能量，并通过反馈机制实现激光放大，最终产生高度定向、单色、高亮度的激光光束。
半导体激光器具有体积小、功耗低、效率高、寿命长等优点，广泛应用于通信、医疗、激光显示、光存储等领域。
1.载流子注入：半导体材料中，通过向有源区施加正向电流，将电子从N型区注入到P型区，同时也将空穴从P型区注入到N型区。
这样，在P-N结附近的区域形成了一个载流子密度梯度，使电子和空穴在这个区域中保持对流运动。
2.电流与光的转换：在载流子注入过程中，由于电子和空穴在有源区发生复合，使得已被注入的能量以光子的形式释放出来。
这个释放过程是一个自发辐射过程，即电子和空穴转变为更低能级的状态，并以光子的形式释放出能量。
3.光放大：通过在有源区搭建一个光学谐振腔，即在有源区两端分别加上高反射率和低反射率的镜片，可以实现光的反复放大。
光子在谐振腔内来回反射，与有源区的载流子发生相互作用，使得激光得以不断放大。
4.光反馈：为了增强激光放大效果，通常还需要在谐振腔之外加入一个光学元件，如光纤光栅或光栅耦合镜，用于反馈一部分放大的光。
这种反馈机制可以抑制非激光模式的增长，只放大所需的激光模式，从而增加光的一致性和亮度。
总结起来，半导体激光器的原理可以概括为：通过正向电流使电子和空穴注入有源区，在注入的过程中电子和空穴发生复合，释放能量以光子
的形式；通过谐振腔和光反馈机制，实现激光的放大和增强。
这样，半导体激光器就能产生高亮度、高单色性和高定向性的激光束，具有广泛的应用前景。
半导体激光器工作原理和基本结构
半导体激光器与固体激光器旳比较
半导体激光器和固体激光器都是以固体激光材料作为工作物质旳激光器 ； 半导体激光器是电鼓励，直接把电能转化为光能，转换效率高达50%以上。固体激光器是光
鼓励，激活粒子需要吸收光能，然后产生受激振荡；半导体泵浦转化效率一般在15%左右， 灯泵浦鼓励一般在4%左右。 半导体激光器旳主要特点是:体积小、重量轻；功率转换效率高；能够经过变化温度、掺杂量、 磁场、压力等实现调谐；其缺陷是激光旳发散角较大，单色性较差，输出功率亦较小。目前 新型旳半导体激光器已经能够到达较大旳输出功率，而为了得到更大旳输出功率，一般能够 将许多单个半导体激光器组合在一起形成半导体激光器列阵，即在同一片已做好旳P一N结旳 基片上，用光刻腐蚀措施提成好几种单个器件，或将许多单个激光器排列成一定形状，然后 将它们并联或串联起来。目前已经有100WQCW线阵和s000WQCW叠阵(波长780~815五m)旳 产品上市。 固体激光器可作大能量和高功率相干光源。红宝石脉冲固体激光器旳输出能量可达千焦耳级。 经调Q和多级放大旳钕玻璃激光系统旳最高脉冲功率达10瓦。钇铝石榴石连续激光器旳输出 功率达百瓦级，多级串接可达千瓦。固体激光器利用Q开关技术(电光调制)， 固体激光器能 够得到纳秒至百纳秒级旳短脉冲，采用锁模技术可得到皮秒至百皮秒量级旳超短脉冲。因为 工作物质旳光学不均匀性等原因，一般固体激光器旳输出为多模。若选用光学均匀性好旳工 作物质和采用精心设计谐振腔等技术措施，可得到光束发散角接近衍射极限旳基横模(TEM00) 激光，还可取得单纵模激光。
半导体激光器旳应用
• 在医疗和生命科学研究方面应用：
1. 激光手术治疗。半导体激光已经用于软组织切除， 组织接合、凝固和气化。一般外科、整形外科、皮肤 科、泌尿科、妇产科等； 2. 激光动力学治疗。将对肿瘤有亲合性旳光敏物质有 选择旳汇集于癌组织内，经过半导体激光照射使癌组 织产生活性氧，旨在使其坏死而对健康组织毫无损害； 3. 生命科学研究。使用半导体激光旳“光镊”，能够 捕获活细胞或染色体并移至任意位置，已经用于增进 细胞合成、细胞相互作用等研究。
半导体激光器原理
半导体激光器原理
半导体激光器是利用半导体材料的特性产生激光束的一种器件。
它的工作原理基于半导体材料中电子能级的跃迁。
在激光器中，通常使用的半导体材料是由两种不同掺杂类型的半导体材料构成的PN结。
当外加电压施加在PN结上时，电
子从N区域流向P区域，而空穴则从P区域流向N区域。
当
电子和空穴在PN结的交界处重新结合时，会释放出能量。
这
能量释放的过程就是激光产生的基础。
在半导体材料中，能带结构可以分为价带和导带。
当材料处于基态时，电子填充在价带中，但是通过提供适当的能量，电子可以跃迁到导带中。
这个过程被称为光激发或电子激发。
在半导体激光器中，通过施加电压，使准确能量的电子跃迁至导带。
这个过程被称为激子的形成。
当电子从激子态跃迁回到基态时，会释放出光子。
这些光子经过多次反射和放大（通过增强光程），形成了强大的激光束。
为了增强激光的一致性和方向性，半导体激光器通常使用谐振腔。
谐振腔由两个反射镜构成，使得光以特定波长的形式在激光器内部反射。
其中一个反射镜是高反射镜，具有非常高的反射率，而另一个镜子是半透射镜，只有一小部分光能透过。
通过调节激光器的驱动电流和温度等参数，可以控制激光的频率和输出功率。
半导体激光器可以广泛应用于通信、医疗、制造和科学研究等领域。
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半导体激光器摘要：由于三五族化合物工艺的发展与半导体激光器的多种优点，近几十年来，半导体激光器发展十分迅速，而且在各个领域发挥着越来越重要的作用。
本文将介绍半导体激光器的基本理论原理、相关发展历程、研究现状以及其广泛的应用。
1.引言自1962 年世界上第一台半导体激光器发明问世以来, 半导体激光器发生了巨大的变化, 极大地推动了其他科学技术的发展, 被认为是二十世纪人类最伟大的发明之一[1], 近十几年来, 半导体激光器的发展更为迅速, 已成为世界上发展最快的一门激光技术[2]。
激光器的结构从同质结发展成单异质结、双异质结、量子阱（单、多量子阱）等多种形式，制作方法从扩散法发展到液相外延(LPE)、气相外延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机化合物气相淀积(MOCVD)、化学束外延(CBE) 以及它们的各种结合型等多种工艺[3]。
由于半导体激光器的体积小、结构简单、输入能量低、寿命较长、易于调制及价格低廉等优点, 使得它目前在各个领域中应用非常广泛。
2.半导体激光器的基本理论原理半导体激光器又称激光二极管(LD)。
它的实现并不是只是一个研究工作者的或小组的功劳，事实上，半导体激光器的基本理论也是一大批科研人员共同智慧的结晶。
早在1953年，美国的冯·纽曼（John Von Neumann）在一篇未发表的手稿中第一个论述了在半导体中产生受激发射的可能性；认为可以通过向PN结中注入少数载流子来实现受激发射；计算了在两个布里渊区之间的跃迁速率。
巴丁在总结了这个理论后认为，通过各种方法扰动导带电子和价带空穴的平衡浓度，致使非平衡少数载流子复合而产生光子，其辐射复合的速率可以像放大器那样，以同样频率的电磁辐射作用来提高。
这应该说是激光器的最早概念。
苏联的巴索夫等对半导体激光器做出了杰出贡献，他在1958年提出了在半导体中实现粒子数反转的理论研究，并在1961年提出将载流子注入半导体PN结中实现“注入激光器”，并论证了在高度简并的PN结中实现粒子数反转的可能性，而且认为有源区周围高密度的多数载流子造成有源区边界两边的折射率有一差值，因而产生光波导效应。
1961年，伯纳德和杜拉福格利用准费米能级的概念推导出了半导体有源介质中实现粒子数反转的条件，这一条件为次年半导体激光器的研制成功提供了重要理论指导。
1960年，贝尔实验室的布莱和汤姆逊提出了用半导体的平行解理面作为产生光反馈的谐振腔，为激发光提供反馈。
回顾这些理论发展历程，可以总结半导体激光器的基本理论原理：在直接带隙半导体PN结中，用注入载流子的方法实现伯纳德—杜拉福格条件所控制的粒子数反转；由高度简并的电子和空位复合所产生的受激光辐射在光学谐振腔内震荡并得到放大，最后产生相干激光输出[4]。
3.半导体激光器发展历程在上述理论的影响下，以及1960年产生的红宝石激光器的刺激下，美国和苏联科学家加紧了对半导体激光器的研究。
1962年后期，美国四个实验室几乎同时宣布研制成功GaAs同质结半导体激光器，1963年，巴索夫也报导成功研制GaAs 半导体激光器。
这些同质结激光器，是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光器，而且只能在液氮温度下工作，因而没有实用价值，但是他们的基本理论却是半导体激光器的理论基础。
半导体激光器发展的第二阶段是异质结构半导体激光器，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs，GaAlAs 所组成的激光器。
单异质结注人型激光器(SHLD)，它是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP-N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度的激光器。
1970年，人们又发明了激光波长为9000Å 在室温下连续工作的双异质结GaAsGaAlAs激光器。
在半导体激光器件中，后来比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs二极管激光器。
由于半导体激光器的诸多优点，以及高锟博士提出可以用光纤来传递信息，而半导体激光器正好可以满足光纤通讯中的光源要求，从1970年后，半导体激光器得到了突飞猛进的发展，其速度之快，应用范围之广，发展潜力之大是目前任何其他激光器所无法比拟的。
从20世纪70年代末开始，半导体激光器明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器；另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器。
前者也是最早投入实用的半导体激光器，其波长在0.83~0.85um，这正好对应光纤损耗谱的第一个窗口，后来波长在1.3um的激光器被研制成功并投入实用光纤通讯系统，很快，波长为1.55um的半导体激光器也面世。
在信息传输方面，为了进一步降低激光器阈值和提供良好的单纵模输出以及长期稳定工作，相继出现了结构不同，性能优良的半导体激光器，如掩埋式条形异质结激光器、分布反馈激光器、分布布拉格反射激光器、面发射激光器、量子阱激光器等等。
对后者，在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器（连续输出功率在100W 以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光器）在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到600W。
另外，还有高功率无铝激光器、红外半导体激光器和量子级联激光器等等。
其中，可调谐半导体激光器是通过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改变激光的波长，可以很方便地对输出光束进行调制。
20世纪90年代末，面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展。
目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络。
4.半导体激光器研究现状为了满足21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要，现今半导体激光器的主要研究集中在高速宽带激光器、大功率激光器，短波长激光器，盆子线和量子点激光器、中红外激光器等方面。
对于高速宽带半导体激光器，主要是1.31um和1.55um波长半导体激光器, 用于高速数字光纤通信和微波模拟光信息传输、分配与处理。
潜在市场是未来的信息高速公路和军事装备。
高速宽带激光器，从80年代中期长波长光源商品化后便大量开发，主要通过改进管芯制作和封装技术。
目前高速BH半导体激光器和MQW+DFB半导体激光器都已达到商品化，近几年来，更普遍地将应变层量子阱技术用于高速宽带半导体激光器[5]。
有人预测，压应变InGaAs/InP MQW半导体激光器的本征3dB带宽可达到90GHz，而且应变量子阱可使半导体激光器的特征温度、阈值电流、输出功率等主要参数全面改善。
如西门子报道的0.98um压应变lnGaAs/ GaAs 半导体激光器，本征带宽达到63GHz，3dB带宽达到30GHz。
大功率半导体激光器仍将集中在800nm波段，其次是2um左右。
在800nm波段，光泵浦源又是重点[6]。
其研究重点：一是侧面发射1cm阵列条堆积组件。
其基本结构是先把若干1cm阵列条横向拼装成为光子组合块(LSA) ，然后将许多LSA 纵向堆积成堆(stack)，随即把几个stack集合成集合块(manifold)，最后把许多manifold组合成大阵列。
二是开发表面激射的二维阵列，这种结构从技术上讲本身就具备一次性形成单片式超大功率半导体激光器的潜力，其次是便于以后集合成超大功率半导体激光器组件。
目前正在开发的表面大功率半导体激光器阵列结构有DBR二次折射光栅、曲形谐振腔和45°角内腔微反射镜。
对于光信息存储而言，波长越短越有利于聚焦成小光斑，从而增加信息存储密度和容量；许多信息系统终端的感光体的感光度也与光源的波长成反比；在显示方面，绿色是基色之一，所以蓝-绿光已成为全色显示的关键。
在600nm以上半导体激光器商品化之后，蓝-绿光半导体激光器就成了短波长化的主要目标。
量子线激光器和量子点激光器的概念是1982年由东京大学尖端技术研究中心的荒川泰彦等人提出。
国外有大量公司、研究所和院校在进行该领域理论和工艺的研究。
为了实现室温下量子线或量子点激光器连续工作，线尺寸必须减少到20nm以下，而且尺寸误差必须十分小。
这对微细加工技术提出了严峻的挑战。
目前的试制技术大致分成两类：微细加工与晶体生长法。
前者可以是电子束、聚焦离子束、X射线光刻和掩模；后者有横向生长、倾斜衬底台阶气相生长、激光辅助原子束外延( ALE) 生长等。
目前量子线和量子点激光器仍处于基础研究阶段, 还有许多技术问题，但它必将成为下世纪新一代高性能半导体激光器。
大功率中红外（3~ 5um）半导体激光器是目前急需的半导体光源，它在红外对抗、红外照明、激光雷达、大气窗口自由空间通信、大气监视和化学光谱学等方面有广泛应用前景。
近几年来，中红外半导体激光器在工作温度和输出功率提高方面取得了明显进展，主要采用一般量子阱和新开发的量子阱结构。
1994年，林肯实验室报导了在3~4um波长和95K温度下获得1ms脉冲1W以上的峰值功率。
5.半导体激光器的应用由于半导体激光器体积小，结构简单，电光效率高，寿命长，易于调制和价格低等优点，使得它的应用范围相当广泛。
在光纤通讯中，半导体激光器是光纤通讯系统的唯一实用化的光源，而且光纤通讯已经成为当代通讯的主流。
到如今，它是当前光通信领域中发展最快、最为重要的光源。
在激光测距中，半导体激光测距仪重量轻、体积小、操作简单速度快而准确，其误差仅为其它光学测距仪的五分之一到数百分之一。
在精密仪器加工中，借助Q开关半导体激光器产生的高能量超短光脉冲，可以对集成电路进行切割、打孔等。
而在一般机械加工中，大功率半导体激光器也开始用于在软钎焊、材料表面相变硬化、材料表面熔覆、材料连接、钛合金表面处理、工程材料表面亲润特性改进、激光清洁、辅助机械加工等。
光集成的信息存储应用中，人们采用短激光波长读出光盘的内容，采用蓝、绿激光来提高光盘的存储密度。
在信息处理应用中，表面发射半导体激光器二维阵列是光并行处理系统的理想光源，且用于光计算机和神经网络中。
半导体激光器在军事上的应用主要为激光雷达、激光测距、激光引信、激光制导跟踪、激光瞄准和激光陀螺等[7][8]。
此外，半导体激光器还运用在环境检测和医疗中。
在环境检测中，通过分析光谱来分析环境气体，从而监测大气污染、汽车尾气等。
在医疗方面，半导体激光除了用于软组织切除，组织接合，凝固和汽化等外，还用于激光动力学治疗，将与肿瘤有亲和性的光敏物质有选择地聚集在癌组织内，通过半导体激光的照射，使癌组织坏死，而对健康组织毫无损害。
6.总结半导体激光器已发展半个世纪，而且取得了骄人的成绩。
由于其体积小，结构简单，电光效率高，寿命长等优点，被广泛的应用于通信、军事、机械加工等领域。
但是，半导体激光器中还有很多需要研究者解决的问题，比如光束质量，比如低阈值高功率等等。