电力电子器件考试题及答案复习过程

一、填空题。

1、电子技术包括（信息电子）技术和（电力电子）技术.2、电力电子器件可以分为（电真空器件）和（半导体器件）两类，目前广泛使用的是基于（半导体材料)的电力电子器件。

3、电力电子器件工作在（开关）状态.4、电力电子器件的损耗包括（通态损耗）、（断态损耗）和(开关损耗）。

5、按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可将电力电子器件分为（半控型器件)、（全控型器件）和（不可控器件）。

6、写出以下电力电子器件的中英文名臣:常见的半控型器件为（晶闸管Thyristor）,常见的不可控器件为（电力二极管Power Diode）,常见的全控型器件为（门极可关断晶闸管GTO）、（电力晶体管GTR）、（电力场效应晶体管Power MOSFET）和(绝缘栅双极晶体管IGBT）。

7、电力二极管的基本工作原理为（PN结的单项导电性)，常见的电力二极管主要有（普通二极管Genera; Purpose Diode)、(快恢复二极管Fast Recovery Diode—FRD）、(肖特基二极管SBD）。

8、晶闸管又被称作（可控硅整流器SCR），有(螺栓型）和（平板型）两种封装结构，引出（阳极A）、（阴极K）和(门极G）三个连接端。

9、写出下列晶闸管的派生器件的英文缩写：快速晶闸管(FST），双向晶闸管（TRIAC），逆导晶闸管（RCT），光控晶闸管（LTT）.10、GTO为（PNPN四层半导体）结构，外部引出阳极、阴极和门极，结构上类似晶闸管,当给门极施加正的脉冲电流时，GTO导通，若要使其关断，则需(在门极施加负的脉冲电流）.GTO的（电压）和（电流）容量较大,多用在（兆瓦级）以上的大功率场合。

11、GTR的三个极分别为(集电极)、（基极）和(发射极），通常采用至少由两个晶体管按（达林顿）接法组成的单元结构。

12、电力场效应晶体管在导通时只有一种极性的载流子参与导电，是（单极型)晶体管，包括(漏极D）、（源极S）和（栅极G），为（电压）驱动型器件.13、GTO和GTR是（双）极型(电流）驱动器件。

电力电子技术期末考试试题及答案第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

15.IGBT的开关速度__小于__电力MOSFET16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。

2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。

当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。

4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

2、电力变换通常可分为四大类，分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。

3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。

4、电力电子器件一般工作在开关状态，在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时你，功率损耗主要为开关损耗。

5、一个周期内，下列整流电路整流电压波形的脉动次数：单相半波可控电路脉动__1____次；单相全控桥式整流电路脉动__2____次；三相半波可控电路脉动____3__次；三相全控桥式整流电路脉动___6___次。

6、电压型三相逆变器，电路的基本工作方式是___180°__导电方式，任一瞬间，有___3_____个IGBT 同时导通；电流型三相逆变器，电路的基本工作方式是___120°__导电方式，任一瞬间，有____2____个IGBT同时导通。

7、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L＞ I H。

8、电力电子器件一般都工作在开关状态。

9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。

10、按照直流侧电源性质划分，逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。

11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。

12、当发射极电压等于____峰点电压__时，单结晶体管导通。

导通后，当发射极电压小于__谷点电压___时，单结晶体管关断。

13、晶闸管内部是四层半导体结构，它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。

14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。

15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式，外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。

16、IGBT是绝缘栅双极晶体管，是三端器件，三个电极分别是发射极、栅极、集电极。

电力电子考试复习题第一章1.所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。

电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支2.电力变换通常可分为四大类：即交流变直流（AC—DC），直流变交流（DC—AC），直流变直流（DC—DC）和交流变交流（AC—AC）。

3.通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术两个分支。

4.电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础，而变流技术则是电力电子技术的核心。

电力电子器件制造技术的理论基础是半导体物理，而变流技术的理论基础是电路理论。

5.晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。

第二章6.在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为主电路。

7.电力电子技术功率损耗有通态损耗和断态损耗。

开关损耗：开通损耗和关断损耗。

8.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为三类：半控型器件，全控型器件和不可控器件。

9.按照驱动电路在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件分为电流驱动形和电压驱动型两类。

10.电力电子期间还可以按照期间内部电子和空穴两中载流子参与导电的情况分为：单极型器件，双极型器件和复合型器件。

11.反向击穿按照机理不同有雪崩击穿，齐纳击穿和热击穿。

12.静态特性即晶闸管正常工作特性：1）当晶闸管承受反向压力时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。

2）当晶闸管承受正向压力时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。

3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。

4）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值一下。

13.光直接照射硅片，即光触发。

光触发的晶闸管称为光控晶闸管14.在正向阻断恢复时间内，如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而是不受门极电流控制而导通。

电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5。

电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8。

晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。

9。

对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。

11。

逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的.13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数.15。

IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。

16。

按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。