厂务系统:DC BANK系统简介共67页
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银行金库门禁管理系统的介绍../待修改内容文件夹4/...../ ../待修改内容文件夹4/...../更多资料请访问.(.....)银行金库门禁管理系统根据银行金库门禁管理的特点和要求,我公司专门开发了一套金库门禁管理系统。
前端识别方式有:指纹识别、虹膜识别等生物识别方式;ID或IC卡等感应卡识别方式一、系统概述及几项主要功能智能金库门禁管理系统由门禁控制主机、读卡器或指纹识别仪、电锁组成(联网时外加电脑和通讯转换器)。
前端识别仪器(包括指纹识别仪、感应读卡器等)把感应到的信息(指纹信息或卡号)发送到门禁控制主机,主机检查其合法性,然后决定是否进行开门动作,并通过通信转接器(RS485/RS232)与电脑进行通讯。
该系统适用于银行金库等重要场所。
在普通门禁管理系统的基础上增加了一些特殊功能如下:1、多人认证功能即2个用户或3个用户同时通过认证才能开门2、多人认证+ 值班保安确认开门功能即2个用户或3个用户同时通过认证后给出门铃提示音给值班保安,并且可以观看电脑中的相片比对,然后值班保安按按钮才能开门,如果没有多卡认证通过的提示音,值班保安是开不了门的。
3、持卡用户强制分组功能不同组的持卡人不能进行多卡认证,比如去人民银行金库办理业务的各商业银行,工行组的任2/3人组合可以开门,而工行组的1人和农行组的1人组合不能开门。
4、系统管理卡功能在系统管制的有效时段,必须要有管理卡开启关闭系统。
系统管理卡的作用是,在每天上班前门禁系统处于锁机状态,在上班的有效时段,需要持特权卡的领导刷卡后,门禁系统才能使用;特权卡每天上班时刷卡,开启系统,下班时刷卡关闭系统。
在锁机时,工作卡为无效卡,不能开门5、联动(或双门互锁)功能如果一个门没关,另一个门不能开门;系统要等这个门关闭后,才能打开另一个门。
6、开门权限包括4工作日时间表和16星期时间表,任意节假日设置7、主板电源与锁电源隔离设计,12V蓄电池接口,以保证停电时能工作8、可以接二个Wiegand 26读卡器,控制一个门的进出双向读卡9、门禁系统网络结构示意图:二、工程概述及设计方案本工程的具体情况是:金库入口有一道或二道门,要求联网控制。
1DC-BANK直流支撑系统在纺织和化纤生产中的应用(本产品主要应用于练纺车间和腈纶生产线,主要解决因电网晃电造成生产线变频器停机的问题,是针对电动机类负载的UPS 不间断电源系统)浙江清屋电气科技有限公司简介在练纺和腈纶生产中,遇到电网故障、雷击等产生的电网低压或者高压,会造成生产线中的变频器故障报警,并意外关机,我公司生产的DC-BANK 直流支撑系统可靠解决此类问题,避免因电网不稳定造成的变频器停机,挽回企业的损失和避免此类重大安全事故的发生。
1. 造成电网晃电,一般有下面4种情况。
(1)自然因素:雷电、大风、大雨、大雪。
(2)配电因素:双路电源切换,输变电设备故障、电气保护装置。
(3)电网负荷:设备超载,重型设备启动。
(4)人为因素:电网不合理使用,设备维护使用的不恰当。
当电网闪断时,用户端的工作电压瞬时跌落会导致设备低压运行。
对小型电动机的控制就会失速。
当用变频器驱动的电动机时,会因为电网波动范围超过变频器正常使用范围,导致变频器保护停机,所驱动的电动机停止运行。
假如电机在工艺过程中不允许瞬时转速变化,如练纺车间和腈纶生产线都会造成连续生产中的中断,造成重的经济损失和安全隐患。
2解决化纤纺织生产中电气设备抗晃电的几种办法抗晃电技术的核心就是保证在电网晃电的瞬间有充足的电能来保证变频器供电的稳定,从根源上杜绝和制止晃电基本上是无法实现的,解决这一问题目前主要的应对措施有:(1)采用DVR交流解决方案;DVR交流解决方案安装简单,直接在主回路交流母线上安装,但是DVR在线路中是串联模式,同时在母线上做交流解决会造成功率计算必须按照变压器输出的全功率计算,虽然能解决问题,但体积大,成本高,电量浪费严重。
而且风险较大,一旦出现故障,会造成工厂整条线路的瘫痪,如果采用支路解决,成本上升较大,极少数公司采用DVR模式解决。
(2)接交流在线UPS。
接交流UPS的优势主要在于安装简单,但因为UPS容量大、故障率高,转换效率低、保护级别高、投资成本高等原因,一旦故障同样会造成整条线路瘫痪,极少数工厂使用这种方式。
IC FAB 廠務系統簡介2. Electrical power supply condition :2-1. Voltage & Loading :480V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire(R,S,T,G)208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 4 wire(R,S,T,G)208V : 60Hz ±0.5Hz, 3 phase 5 wire(R,S,T,N,G)120V : 60Hz ±0.5Hz, 1 phase 3 wire(L,N,G)※If tool loading of 208V is greater than 400A, we suggest to use480V power source.※Process tool should follow IEEE standard 466 -electrical power voltage requirement.As attachment-1.2-2. Type :Normal Power : without supply when power outageEmergency Power : can sustain power failure more than 10 minutesDynamic UPS : continuously supply even thought power outage3. EMI:<10mG dc &<1mG ac, and maximum 0.2 mG variation over 5 minutes nearsensitive equipment.4. ESD:4-1. Raised floor and concrete floor = 10E6~5×10E8Ω/□4-2. Clean room wall = 10E6~5×10E8Ω/□4-3. Voltage : <100 V level4-4. Photo area : discharge time: +1000V to +100V under emitter<40 sec.5. Grounding : ≦1Ω6. Noise : ≦60 NC7. Illumination : 750 ~ 800 lux for C/R;but photo area 500 ~ 600 lux with yellow light10. Drain :10-1.『HF-S Drain』: the waste water contain fluorine ion, [F-] >200 mg/l10-2.『HF-W Drain』: the waste water contain fluorine ion, [F-] <200 mg/l10-3.『IPA Waste』: the waste liquid contain IPA and concentration [IPA]>80%10-4.『Solvent Waste』: the waste liquid contain solvent and concentration [Solvent] >80% 10-5.『DA(Waste Drain)』: DA is dedicated to followed condition.A. The waste water contain TOC and concentration [TOC]>2mg/lB. The waste water contain acid or alkali but not first acid rinse waterC. Conductivity>800μs/㎝but not first acid rinse water10-6.『FDA Drain』: is dedicated to first acid rinse water10-7.『DG(general drain)』: DG is dedicated to followed condition.A. The waste water doesn't contain fluorine ion.B. [TOC]<2mg/lC. Conductivity<800μs/㎝but not hot water10-8.『DAH Drain』: hot drain water with [TOC]<2mg/l and conductivity<800μs/㎝and without fluorine ion.10-9.『Oxide Slurry Drain』: is dedicated to CMP oxide waste water10-10.『Metal Slurry Drain』: is dedicated to CMP metal waste water10-11.『Cu-W Drain』: is dedicated to CMP copper waste water10-12.『Cu-S Drain』: is dedicated to electroplating waste for Cu process10-13.『H2SO4-S』: the waste liquid contain H2SO4 and concentration [H2SO4]>80%10-14.『H3PO4-S』: the waste liquid contain H3PO4 and concentration [H3PO4]>80%10-15. Other waste collection systems are dedicated to specialty chemical waste such as EKC, coater, T-12…etc.Typical Power Design Goals for Semiconductor Process Equipment Voltage: 120/208, 277/480 variations as defined by CEBMA curve (IEEE Standard 446)RCFSUB-FABExhaustMUAoutdoor airULPA ChamberEQ-2Clean RoomHc\潔淨室air 品質管理f2.PPT, @2002/01/08.Fab Air Quality ManagementSMIF FOUPEQ-1Local Chemical FilterRCFChemical Filtermicro-environment Chemical FilterMUA Chemical Filter23511. Wafer Operation Area.2. RCF CF 前.3. RCF CF 後.4. MUA CF 前.5. MUA CF 後.儀器與方法1. IMS. (HF,Cl2,NH4OH,VOC/ppb)2. TLD-1. (Cl2 / ppb)3. CCT/ERM. (Å/hr, Å/day)4. Cu/Silver Coupon. (Å/day, Å/week)5. Metal Wafer Queue Time.6. Others. (CD, Defect, Lens,…)1FFUChemical Filter11. Air Velocity.2. Temp./Humidity.333功能與應用1. 晶片保護. (Alarm, OCAP/MRB,…), [ERT]2. Chemical Filter 之Lifetime 管理. [治標]3. 污染洩漏源管理.(Pattern,Map,...) [治本]4. CR 微污染有效管理. (計劃實驗), [持續改善]5. MUA 空氣品質管理. [提昇品質]6. 人員衛生品質管理. [特殊應用]杜絕漏源人人有責4WwaferSMIF/FOUP: Standard Mechanical Inter-Face, Front Opening Unified Pod.Fab Layout (air quality monitor)15112552434323Hc\潔淨室air 品質管理5.ppt1. Wafer Operation Area.2. RCF/FFU CF 前.3. RCF/FFU CF 後.4. MUA CF 前.5. MUA CF 後.RCFSUB-FABExhaustMUAoutdoor airULPA ChamberEQ-2Clean RoomHc\潔淨室particl e 理f2.PPT, @2002/05/13.Fab Particle ManagementSMIF FOUPEQ-1231. Wafer Exposure Area.2. ULPA 後.3. Mfg Working Area4. MUA 後.儀器與方法1. Particle Counter. (.1um)2. Particle monitor. (.3um)3. Air Velocity Meter. (0.1-1m/sec.)4. Flow pattern monitor5. Smog Generator.6. De-bug Tool. (Item1,2 + CCTV)111. Air Velocity.2. Flow Pattern23功能與應用1. 晶片保護. (Alarm, OCAP/MRB,…), [ERT]2. Filter 之Lifetime 管理. [治標]3. Particle 來源管理.(Pattern,Map,...) [治本]4. CR 微塵有效管理. (計劃實驗), [持續改善]5. MUA Particle 品質管理. [提昇品質]微塵控管人人有責4Class 1@0.1um Class 0.1@0.1umClass 100T @0.3umClass 100, @0.3umWClass 10@0.1umWafer SMIF/FOUP: Standard Mechanical Inter-Face, Front Opening Unified Pod.Gerneral Fab Layout (particle monitor)15112523323Hc\潔淨室particl e 管理5.ppt1. Wafer Operation Area.2. Mfg Working Area.3. ULPA 前.4. ULPA 後.5. MUA 前.444。