肖特基二极管怎么测量

判断ASEMI肖特基二极管MBR60200PT的方法有很多，可以直接在外观看到表面的符号，但是在表面印字不够清楚的情况下，通过万用表来测量，可以判断它的正负极，本节我们介绍一种万用表二极管档位判断法。

在判断肖特基二极管MBR60200PT正负极之前，我们要先测一下万用表的导通（即短路），如下图所示，把万用表拨到二极管档，红表笔和黑表笔接触，灯亮，铃响，表示的是万用表可以正常使用，忽略万用表的示数显示，为什么要这样去测量呢，我们可以这样理解，很多情况下，我们在使用电子测量仪器时，都需要调零或者归零，而这种方试也是类似于这种情况。

接下来我们开始测量肖特基二极管，通过万用表的示数显示来判断它的正负极，首先如下图左侧所示，我们把红表笔接二极管的右侧引脚，黑表笔接二极管中间引脚，万用表显示的示数是一个0.273的示数，然后我们反接，如右图所示，黑表笔接右侧引脚，红表笔接中间引脚，万用的的示数显示为1，利用肖特基二极管单向导通的特性，我们可以作出判断，在左图当中，红表笔接的是肖特基二极管的正极，黑表笔接的是二极管的负极，右图当中情况刚好相反，
在万用表显示的这两个示数当中，0.273可以作为二极管压降的参考值，因为万用表只能粗略的测量示数，而第二个示数是1，我们可以根据不同的万用表示数来判断，在断路状态（即电阻无穷大），有的万用显示是“1”，有的没有示数，或者显示“0”
以上便是本节的全部内容了，看了之后，你是不是很容易就能判断一个肖特基二极管正负极了？当然，有的万用表没有二极管这个档位，这不是问题，我们可以用电阻档来测量，这是下一节我们需要讲解的。

肖特基（Schottky）二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。

这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。

在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。

另外它的恢复时间短。

它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

选用时要全面考虑。

三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。

1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。

电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。

2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。

发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。

3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。

贴片肖特基二极管测量方法全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：贴片肖特基二极管是一种特殊结构的二极管，它具有低正向电压降和高反向漏电流的特点，因此被广泛应用于高频电路、功率电路和微波射频设备中。

在实际应用中，对贴片肖特基二极管的测试和测量是非常重要的，可以确保设备的稳定性和性能。

下面我们来介绍一下贴片肖特基二极管的测量方法。

一、准备工作：1. 工具准备：数字万用表、示波器、稳压电源等。

2. 环境准备：室温恒温环境下进行测试。

3. 选择合适的贴片肖特基二极管进行测试，确保其规格符合测试要求。

二、正向电压降测试：1. 将贴片肖特基二极管连接至数字万用表，选择电阻档位，并测量其正向电阻值。

2. 将稳压电源接入正向极和负向极，逐渐增大电压值并观察电压-电流曲线。

3. 测量正向电压降值，一般应符合规格要求，若偏差较大需进行更换。

三、反向漏电流测试：1. 断开稳压电源，将数字万用表切换至电流档位，接入反向极和正向极。

2. 测量反向漏电流值，并比对规格要求，确保在合理范围内。

3. 若反向漏电流过大，可能会导致设备故障，需要及时更换。

四、示波器测试：1. 将贴片肖特基二极管连接至示波器，观察输入输出波形。

2. 测量波形的峰值、频率等参数，判断设备的性能稳定性。

3. 若波形存在明显畸变或波形峰值偏离要求，需进一步检查是否故障。

五、综合测试：1. 将所有测试结果进行汇总，判断设备是否符合规格要求。

2. 若存在不符合规格要求的情况，需要及时更换或调试设备。

3. 最终确认设备性能稳定性，确保其正常使用。

贴片肖特基二极管的测试和测量工作是确保设备稳定性和性能的重要步骤，只有经过严格测试的设备才能保证其在实际应用中的可靠性。

希望以上介绍的测量方法对您有所帮助。

【本文共XX字，如有需要可根据实际情况进行调整。

】第二篇示例：贴片肖特基二极管是一种常用于电子设备中的电子元件，常用于电源管理、信号处理、通信等领域。

贴片肖特基二极管具有快速开关速度、低压降、低反向漏电流等优点，因此在电子设备中被广泛应用。

肖特基二极管识别方法
1.正向电压低：肖特基二极管具有较低的正向电压降，通常为0.2-0.5V，可以在低电压下工作。

2.反向电容大：肖特基二极管的反向电容较大，需要特别注意在高频电路中的应用。

3.开关速度快：肖特基二极管具有快速的开关特性，可以用于高频应用中。

4.导通时压降小：肖特基二极管在导通时具有较小的压降，可以减小功耗。

5.抗压承受能力弱：肖特基二极管的抗压承受能力较弱，需要注意在高电压应用中的使用。

1.外观识别法：通过观察二极管的外观特征，通常肖特基二极管的封装较小，类似于普通的小功率二极管。

但是，具体的外观特征可能因不同厂家而有所差异，需要参考厂家提供的规格书进行确认。

2.参数查询法：通过查询二极管的规格书或者厂家提供的相关数据手册，查找二极管的具体型号。

在查询时，需要注意查找肖特基二极管的特殊参数，如正向电压降等。

3.示波器测量法：利用示波器测量二极管的正常工作波形。

通常肖特基二极管的导通电压较低，正常工作时波形应该呈现较小的压降，与普通二极管的波形有所区别。

4.二极管测试仪测量法：利用二极管测试仪对二极管进行测试，判断其导通电压和反向电流等参数。

肖特基二极管的导通电压一般较低，反向电流较小。

通过测量这些参数，可以初步判断二极管的类型。

总之，肖特基二极管可以通过外观、参数查询、示波器测量以及二极管测试仪等多种方法进行识别。

在实际应用中，仍需要结合具体的电路和实验条件，合理选择和使用肖特基二极管，以确保电路的正常工作。

二极管的测试方法（一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。

通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。

两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。

在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。

硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。

若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。

其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V （BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。

摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。

（二）稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。

各类二极管的检测方法各类二极管的检测方法介绍（一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。

通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。

两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。

在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。

硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。

正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。

若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。

若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。

3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。

其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V （BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。

也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。

如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。

（二）稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。

随着宽禁带半导体技术的日益普及，需要在高温和苛刻的电流循环条件下，对二极管操作进行各种耐久性测试，以评估其性能。

毫无疑问，功率电子器件作为基本元器件，将在未来几年中持续发展。

而新型碳化硅（SiC）半导体材料更是不负众望，它比传统硅材料导热性更佳、开关速度更高，而且可以使器件尺寸做到更小。

因此，碳化硅开关也成为设计人员的新宠。

碳化硅二极管主要为肖特基二极管。

第一款商用碳化硅肖特基二极管十多年前就已推出。

从那时起，它就开始进入电源系统。

二极管已经升级为碳化硅开关，如JFET、BJT和MOSFET。

目前市场上已经可以提供击穿电压为600-1700 V、且额定电流为1 A-60 A的碳化硅开关。

本文的重点是如何有效地检测Sic MOSFET。

图1MOSEFT-CMF20120D碳化硅二极管最初的二极管非常简单，但随着技术的发展，逐渐出现了升级的JFET、MOSFET和双极晶体管。

碳化硅肖特基二极管优势明显，它具有高开关性能、高效率和高功率密度等特性，而且系统成本较低。

这些二极管具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗浪涌电压能力和正温度系数。

新型二极管适合各种应用中的功率变换器，包括光伏太阳能逆变器、电动车（EV）充电器、电源和汽车应用。

与传统硅材料相比，新型二极管具有更低的漏电流和更高的掺杂浓度。

硅材料具有一个特性，就是随着温度的升高，其直接表征会发生很大变化。

而碳化硅是一种非常坚固且可靠的材料，不过碳化硅仍局限于小尺寸应用。

检测碳化硅二极管本文要检测的碳化硅二极管为罗姆半导体的SCS205KG型号，它是一种SiC肖特基势垒二极管（图2）。

其主要特性如下：•反向电压V r：1200 V;•连续正向电流I f：5 A（+ 150℃时）;•浪涌非重复正向电流：23 A（P W= 10ms正弦曲线，T j = + 25℃；•浪涌非重复正向电流：17 A（P W= 10ms正弦曲线，T j= + 150℃）；•浪涌非重复正向电流：80 A（P W= 10μs方波，T j= + 25℃）；•总功耗：88 W；•结温：+ 175℃；•TO-220AC封装。

肖特基二极管怎么测量_万用表检测肖特基二极管的好坏肖特基二极管简介肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P 型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为BA。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从AB的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。

用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，采用硅平面工艺制造的铝硅肖。