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8个达林顿管阵列芯片
达林顿管阵列芯片是一种集成了多个达林顿管的芯片，用于控制大电流驱动的装置。
以下是一些常见的8个达林顿管阵列芯片：
1. ULN2803：8位达林顿管阵列芯片，可用于驱动继电器、步进电机等设备。
2. ULN2003：8位达林顿管阵列芯片，常用于驱动小型电机、LED 显示屏等。
3. TPIC6B595：8位达林顿管阵列芯片，可用于驱动大功率负载，具有过载保护功能。
4. ULQ2803：8位达林顿管阵列芯片，适用于控制继电器、步进电机等高电流负载。
5. ULN2804：8位达林顿管阵列芯片，常用于驱动电流较大的负载。
6. SN754410：8位双向达林顿管阵列芯片，可用于驱动直流电机、步进电机等。
7. TIP120：8位达林顿管阵列芯片，适用于高电流应用，如驱动电机、灯光等。
8. L293D：8位双向达林顿管阵列芯片，常用于控制直流电机、步进电机等。
这些芯片都可以通过控制输入信号来控制相应的达林顿管输出，实现对大电流负载的驱动。
uln2803工作原理
ULN2803是一种8位继电器驱动器芯片。
它的工作原理如下：
1. 输入信号：ULN2803芯片有8个输入引脚，用于接收外部
输入信号。
当输入信号为高电平时，对应的输出引脚会被拉低。
当输入信号为低电平时，对应的输出引脚会被拉高。
2. 输出驱动能力：ULN2803芯片的每个输出引脚都能驱动高
达500mA的电流。
这使得它在控制各种继电器、电磁阀等高
功率负载时非常有效。
3. 电流限制：ULN2803芯片内部集成了输入端的稳定电流源，用于控制每个输出引脚的电流。
这样可以保证输出的电流在适当范围内，避免过大电流导致芯片损坏。
4. 抑制反馈：ULN2803芯片还内部具有抑制反馈电路，以防
止开关继电器等负载产生过多的电磁干扰。
总的来说，ULN2803芯片通过接收外部输入信号，控制对应
输出引脚的电平状态，从而实现对启动高功率负载（如继电器）的控制。
它具有较高的驱动能力和稳定性，被广泛用于自动化控制、电子设备等领域。
几款uln2803的应用电路及驱动电路uln2803应用电路一：AVR单片机AT90S8515共有4个并行8位口，A口、B口、C 口、D口。
由于AT90S8515需要用+5V直流电压供电，每个并行口引脚输出最大电压不超过5V，输出电流最大为20mA［3］，但35BYJ46型四相八拍电机需要12V直流电压供电，因此，从AT90S8515单片机C口输出的信号不足以控制步进电机，所以必须加上驱动电路（即ULN2803）。
步进电机控制系统中将AT90S8515C口的高四位PC4-PC7与驱动电路接口芯片ULN2803的A、B、C、D四个引脚相连，经ULN2803驱动放大后输出到35BYJ46型四相八拍步进电机励磁线圈4-1号引脚上，而励磁线圈的5号引脚与驱动电路输出+12V相连。
电路连接如图：uln2803应用电路二：进电机驱动器电路uln2803应用电路三：二相步进电机驱动器电路uln2803应用电路四：LED发光二极管驱动器电路uln2803应用电路五：下图是由8路达林顿反相驱动器ULN2803A（IC1）驱动8只出口继电器的电路连接图。
所使用的继电器是触点功率较大的24V规格，而相应的控制电压为0V／5V，来自下图下部的控制端口PCD—PC70为了实现电平转换，同时能够消除传感器、开关动作干扰的影响，所以使用了两块DIP封装的光电耦合器TLP521-4（IC2、IC3）。
由下图可见，ICI内部已经为每一路达林顿晶体管的集电极（即图3中右侧三极管的集电极，在下图中则是每路反相驱动器的输出端11～18脚）设置了一只二极管，而达林顿晶体管的集电极是开路输出的，只有在负载电源24V与集电极之间连接上负载元件继电器线圈时，达林顿所谓的电流输出才有了通路：只要把集成电路IC1的⑩脚与负载电源24V接通，内部的续流保护二极管自动与继电器线圈并联起来，实现了保护，所以，连接在集成电路外部的继电器线圈无需重复连接保护二极管。
ULN2802 ULN2803 ULN2804A 8个NPNxx晶体管，连接在阵列非常适合逻辑接口电平数字电路（例如TTL，CMOS或PMOSxx/ NMOS）和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印锤或其他类似的负载，广泛的使用范围：计算机，工业和消费应用。
所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。
该ULN2803
是专为符合标准TTL，而制造ULN2804适合6至15V 的高级别CMOS或PMOSxx。
该电路为反向输出型，即输入低电平电压，输出端才能导通工作。
图一图
1-8：输入端
11-18：输出端
9：地端
10：电源+
图二 ULN2803内部电路图（1/8单元）图二 ULN2804内部电路图（1/8单元）
MAXIMUM RATINGS (TA = 25℃ and rating apply to any one device in the
package, unless otherwise noted.)最大额定值
订购信息
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25℃, unless otherwise noted)电气特性:
测试图:
图1 图2
图3 图4
图5 图6
图7
图四封装图
应用电路图：
图五步进电机驱动器
图六二相步进电机驱动器
图七 LED发光二极管驱动器电路。
ULN2802 ULN2803 ULN2804A 8个NPN达林顿晶体管，连接在阵列非常适合逻辑接口电平数字电路（例如TTL，CMOS或PMOS上/ NMOS）和较高的电流/电压，如电灯，电磁阀，继电器，打印锤或其他类似的负载，广泛的使用范围：计算机，工业和消费应用。
所有设备功能由集电极输出和钳位二极管瞬态抑制。
该ULN2803是专为符合标准TTL，而制造ULN2804适合6至15V的高级别CMOS或PMOS上。
该电路为反向输出型，即输入低电平电压，输出端才能导通工作。
图一引脚图
1-8引脚：输入端
11-18引脚：输出端
9引脚：地端
10引脚：电源+
图二ULN2803内部电路图（1/8单元）图二ULN2804内部电路图（1/8单元）
MAXIMUM RATINGS (TA = 25℃and rating apply to any one device in the package, unless otherwise noted.)最大额定值
订购信息
测试图:
图1 图2
图3 图4
图5 图6
图7
图四封装图
应用电路图：
图五步进电机驱动器
图六二相步进电机驱动器
图七LED发光二极管驱动器电路。
uln2803驱动电流在电子设计中，ULN2803芯片广泛应用于工控、家用电器和汽车电子系统等领域。
通过使用ULN2803，可以简化驱动电路的设计，并且可以减少外部元件的数量。
这样不仅可以降低成本，还可以提高整个系统的可靠性。
要使用ULN2803芯片来驱动负载，需要考虑以下几个方面：1. 输入电平：ULN2803的输入端可以接受5V至15V的逻辑电平。
这样可以与大多数的微控制器或数字电路兼容。
2. 负载类型：ULN2803可以驱动各种类型的负载，例如继电器、步进电机、LED等。
对于感性负载，内部保护二极管可以提供反向电压保护。
3. 输出电流：ULN2803的每个Darlington对可以承受500 mA的电流，因此可以用来驱动中等功率的负载。
4. 静态电流：ULN2803的静态电流比较小，通常只有1 mA左右。
这可以减少功耗，特别是在驱动LED等长期开启的负载时。
在使用ULN2803芯片时，可以通过以下步骤来完成驱动电流的设计：1. 确定驱动的负载类型和参数：需要明确要驱动的负载是什么类型，需要多大的电流和电压。
比如如果是LED，需要知道LED的额定电流和额定电压。
2. 确定输入信号的电平：ULN2803的输入电平一般是5V至15V，需要根据驱动电路的控制信号来确定合适的输入电平。
3. 连接输入和输出：将控制信号接入ULN2803的输入端，将负载接入ULN2803的输出端。
同时，需要考虑负载的电流、电压和功率，确保ULN2803可以承受。
4. 添加电源：ULN2803需要外部供电，一般供电范围是5V至15V，根据具体的应用来确定合适的供电电压。
5. 调试和测试：连接好电路后，需要进行调试和测试，确认ULN2803可以正常驱动负载，并且保证稳定可靠。
ULN2803的驱动电流设计是一个相对简单的过程，但是需要根据具体的应用来进行具体的设计，确保电路的性能和稳定性。
通过合理的设计，ULN2803可以实现高效、可靠的负载驱动，为系统的整体性能提供良好的保障。
有关于ULN2803达林顿的输出的几点认识ULN2803是八路达林顿结构的芯片,具有最大500ma的输出能力，常用于驱动小型的电机、小型继电器、lED阵列和数码管等。
其中，1~8为TTL的电平输入，11~18是负载的输出，9是地，10是电源，注意10脚又叫CoM脚，即是负载的公共电源脚，电压不一定是5V，详见下面的电气参数：这也就说，ULN2803的输入必须的是TTL电平，建议为5V，如果想要输出的电压也为5V，只要芯片电源接5V就可以了，注意，Vmax是50V，Imax是单个引脚的最大输出能力，但是芯片最大的电流，手册没有提及。
尽量不要8路达林顿都是500ma.下面是达林顿的内部结构：关于但林顿的结构，可以把它看成是两个三极管的放大倍数相乘，可以等效成一个三极管，如下图4从达林顿的内部结构中我们知道，在第一个三极管的基机都有一个2.7K 的电阻（2804是10.5k）,这样子就能使得芯片接受不同电压的电平，2803的输入是TTL，2804是6~15 V的mos电压。
每一组的达林顿结构与com(电源)都有一个反接的续流二极管，这是因为ULN28***系列的芯片往往驱动感性负载的是，防止生成的感应电动是过高而烧坏芯片的而设计的，这和电机调速的续流是一样的。
ULN2803的10脚是比较特殊的，又叫Com脚，我一开始认为，应该和其他芯片一样，既能输出高也能输出低，看着网上的电路图是很简单的。
看似这一切都是很顺理成章，但是很多网上的资料没有提及ULN2803和ULN2003,不能输出高电平，而自己实际测试和仿真的时候并没有实现。
这个是为什么呢？具体电路还真不是很明白！下面引用百度知道的一个回答“应用时9脚接地，要是驱动感性负载，10脚接负载电源V+。
输入的电平信号为0，或5V。
输入0是，输出达林顿管截止。
输入为5V电平时，输出达林顿饱和。
输出负载加在电源V+和输出口上，当输入为高电平时，输出负载工作。
”所以得到一个结论，ULN2803是输不出来高电平，在输入端的给“1”，ULN的输出为0，往往可以在TTL的电平的引脚上加上拉电阻（实验证明有时候单片机的引脚的驱动能力不够）；在输入端的给“0”，ULN的输出为并不是1，而是高阻态。
Octal High Voltage,High Current Darlington
Transistor Arrays ULN2803APG/AFWG
DESCRIPTIONS：
The eight NPN Darlington connected transistors in this
family of arrays are ideally suited for interfacing between
low logic level digital circuitry (such as TTL, CMOS or
PMOS/NMOS) and the higher current/voltage
requirements of lamps, relays, printer hammers or other similar loads for a broad range of computer, industrial, and consumer applications. All devices feature
open–collector outputs and free wheeling clamp diodes for transient suppression
DIP18
SOP18
The ULN2803 is designed to be compatible with standard TTL families while the ULN2804 is optimized for 6 to 15 volt high level CMOS or PMOS.
PIN CONNECTION
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C and rating apply to any one device
in the package, unless otherwise noted.)
Characteristic Symbol Value Unit
Output voltage V O 50 V Input voltage
V I 30 V Collector current- continuous I C 500 mA Base current- continuous I B 25 mA Operating temperature Topr 0～70 °C Storage temperature Tstg -55～+150
°C Junction temperature T J
125
°C
* R θJ A =55°C/W
Do not exceed maximum current limit per driver.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(unless otherwise specified: T A =25°C)
Characteristics Symbol Test conditions Min Typ Max Unit
Vo=50V, T A =70°C 100
Output leakage current (Fig.1)
I C E X
Vo=50V, T A =25°C 50 µA
Ic=350mA,I B =500µA 1.1 1.6 Ic=200mA,I B =350µA 0.95 1.3 Collector-Emitter
saturation voltage (Fig.2) V CE(sat)Ic=100mA,I B =250µA 0.85 1.1
V Input current
- on condition (Fig.4) I I (o n )V I =3.85V
1.1 1.35 mA V C E =
2.0V,I C =200mA 1.70 2.4 V C E =2.0V,I C =250mA 1.75 2.7 Input voltage
- on condition (Fig.5) V I (o n )V C E =2.0V,I C =300mA 1.80 3.0 V Input current
- off condition (Fig.3) I I (o ff )I C =500µA, T A =70°C
50 100
µA
Input capacitance C I
15 25 pF
Turn-on delay time (50% E I to 50% E O ) t on 0.25 1.0 µs Turn-off delay time (50% E I to 50% E O ) t off 0.25 1.0 µs T A =25°C 50
Clamp diode leakage
current (V R =50V) (Fig.6) I R T A =70°C 100 µA
Clamp diode forward Voltage (Fig.7)
V F
I F =350mA
1.5
2.0 V
TEST CIRCUIT
TYPICAL CURVE
OUTLINE DRAWING。
