– 多子：掺杂（主）+热激发 – 少子：热激发（主）
PN结的形成
• 多子扩散运动形成耗尽层
– 空穴浓度： P区>N区；自由电子：P区<N区 – 多子由浓度高—>浓度低扩散，扩散到对方复合，交界区
仅剩正负离子形成耗尽层/阻挡层/空间电荷区/内电场EIN。
• 少子漂移运动
– 内电场的存在，阻止了多子的扩散，P区的少子——电子， N区少子——空穴， 内电场作用下向对方移动——漂移。
• 难点：
– １、载流子运动规律与器件外部特性的关系。 只须了解，不必深究
自由电子与空穴成对出现/复合
杂质半导体
• 杂质半导体：
– 在本征半导体中掺入微量杂质。 – 导电性能发生变化
• N型半导体 • P型半导体
N型半导体/电子型半导体
• 定义：硅晶体中掺入五价元素（磷、锑） • 自由电子（多子）：掺杂+热激发 • 空穴（少子）：热激发
P型半导体/空穴型半导体
• 定义：硅晶体中掺入三价元素（硼、铟） • 自由电子（少子）：热激发 • 空穴（多子）：掺杂+热激发 • 总结：
输出特性曲线
• 截止区：ＵBE＜UON iB≈0,iC≈0 • 放大区：ＵBE≥UON （硅： 0.5V；锗：
0.3V）IC=βIB • 饱和区：ＵBE＞UON IＢＳ＞IＣＳ／β
截 止 区
三极管主要参数
• 共发射极电流放大系数β • 集电极-发射极击穿电压UCEO • 集电极最大电流ICM • 最大功率PCM • 特征频率fT • 集电极-发射极饱和压降UCES
二极管分析
• 1、分析二极管的状态：是导通还是截止—— 二极管的两端电压：若是反偏则截止；若是 正偏还要看P的电压是否比N的电压高Uon （导通电压）是则导通，否则截止。若是理 想二级管，Uon=0V。 2、二极管导通则相当于一导线（理想状态） 或一个小电阻（非理想状态）；截止则相当 于断开的开关。
