photoMOS光耦继电器AQW214EH

光耦继电器的实用技巧光耦继电器是一种常用的电子器件，它通过光电转换的原理，将输入信号和输出信号进行电隔离，广泛应用于各种电路控制和保护的场合。

本文将介绍光耦继电器的实用技巧，帮助读者更好地了解和应用这一器件。

光耦继电器的使用要注意选择合适的型号和参数。

不同的应用场景需要不同的光耦继电器，如电流容量、继电器类型等。

在选择光耦继电器时，需要根据实际需求进行合理的选择，以确保其能够正常工作。

光耦继电器的输入端和输出端需要正确连接。

光耦继电器的输入端通常是一个发光二极管，而输出端则是一个光敏三极管或光敏二极管。

在使用中，应将输入端与控制信号相连，输出端与被控制的电路相连。

连接时需要注意极性，避免接反导致无法正常工作。

第三，光耦继电器的输入信号需要适当的电流和电压。

光耦继电器的输入端通常需要一定的工作电流和工作电压才能正常工作。

在设计电路时，需要根据光耦继电器的参数和工作要求，确定输入信号的电流和电压，以保证光耦继电器能够可靠工作。

第四，光耦继电器的输出负载要符合其电流容量。

不同型号的光耦继电器具有不同的电流容量，即能够承载的最大电流。

在使用时，需要根据被控制电路的电流要求，选择合适的光耦继电器，以确保其能够正常工作并不会超过其负载能力。

第五，光耦继电器的绝缘性能需要注意。

光耦继电器的一个重要特点就是电隔离，即输入端和输出端之间具有较高的绝缘电压。

在使用过程中，需要确保光耦继电器的绝缘性能符合要求，以保证电路的安全性和可靠性。

第六，光耦继电器的使用要注意抗干扰能力。

由于光耦继电器的输入端和输出端之间存在电隔离，因此其抗干扰能力较好。

但在实际使用中，仍然需要注意电路的布线和绝缘措施，以减少外界干扰对光耦继电器的影响。

光耦继电器的寿命和可靠性也是需要考虑的因素。

光耦继电器是一种电子器件，其使用寿命和可靠性与其他电子器件类似。

在使用中，需要注意保护光耦继电器，避免过大的电流冲击和过高的温度，以延长其使用寿命。

光耦继电器是一种常用的电子器件，其实用技巧包括选择合适的型号和参数、正确连接输入端和输出端、设置适当的输入信号电流和电压、符合输出负载要求、注意绝缘性能和抗干扰能力，并保护光耦继电器的寿命和可靠性。

PhotoMOS继电器(下)作者：当今，随着微电子化的显著发展，在重视安全性方面，对装置的可靠性要求逐渐提高，器件的可靠性是决定系统可靠性方面重要的一点。

PhotoMOS继电器用LED与光电元件进行输入输出传导，其寿命是半永久性的。

本刊上期介绍了PhotoMOS继电器的控制电路，本期将讨论P hotoMOS继电器的寿命和可靠性。

PhotoMOS继电器的寿命开闭寿命PhotoMOS继电器是由半导体元件构成的半导体继电器，与机械式继电器有所不同，若在通常额定条件内使用，不会因切换次数而影响寿命。

LED发光效率随使用时间的变化PhotoMOS继电器的输入部分使用的是GaAs的LED，会因长时间使用而造成LED的发光效率下降。

通常，LED的通电电流越大，发光效率会越低。

GaAs的LE D发光效率随使用时间而变化如图1所示。

原来的光电耦合器，因LED长时间使用而造成的发光效率降低，会对电气特性造成非常大的影响。

这是由于光电耦合器存在CTR(电流增幅率)，输入电流会使负载电流受到限制。

因此，使用时要特别注意因LED老化而造成的发光效率降低、得不到所需负载电流的情况。

另一方面，PhotoMOS继电器是通过光电元件使LED光先转换成电压，再驱动切换元件MOSFET。

因此，PhotoMOS继电器的动作依靠于光电元件的输出电压。

图2表示输入LED电流与光电元件输出电压的关系。

在实际使用中，输入电流为最小值即5mA以上时，光电元件的输出电压处于完全饱和区以内，另外，输出功率MOSFET的导通电压Vth约为3V，因此，即使LED发光效率降低，使用时光电元件输出电压也几乎不会发生变化，可充分驱动输出功率M OS。

根据以上情况，PhotoMOS继电器同光电耦合器一样，最大负载电流无变化，可作为非常稳定的切换元件长期使用。

实验结果如图3所示，即使按额定输入电流即10mA(HF型)或5mA(G U、RF型)进行10万小时的连续通电，动作LED电流的变化估计也只会停留在百分之几。

photoMOS光耦继电器AQW214EH
型号：AQW214EH
特点：实现了经济价格的低成本Photo MOS２ａ型！封装：DIP8
端子形状：Through Hole
包装方式：Tube packing
连续负载电流：0.1A
负载电压：400 V
导通电阻(平均)：26 ohm
输出端子间容量(平均)：45 pF
国外标准：UL, C-UL, BSI
触点结构：2a
耐电压：5000V AC
导通电阻(最大)：35 ohm
开路状态漏电流(最大)：1μA
最大允许LED电流：50mA
LED反向电压：5V
最大正向电流：1A
部允许损耗：75mW
动作LED电流(平均)：1.2mA
动作LED电流(最大)：3mA
复位LED电流(最小)：0.4mA
复位LED电流(平均)：1.1mA
LED压降(平均)：1.25V
LED压降(最大)：1.5V
动作时间(平均)：0.5ms
复位时间(平均)：0.08ms
全部允许损耗：850mW
使用环境温度：-40℃～+85℃
保存温度：-40℃～+100℃
输入/输出间端子容量(平均)：0.8pF
输入/输出间端子容量(最大)：1.5pF
输入/输出绝缘电阻(最小)：1000 M ohm 推荐动作条件(输入LED 电流)：5-10mA。

TYPICAL APPLICATIONS
• Modem • Telephone equipment • Security equipment • Sensing equipment
CAD Data CAD Data
mm inch
1
4
2
3
1. Reinforced insulation of 5,000 V More than 0.4 mm internal insulation distance between inputs and outputs. Con-forms to EN41003, EN60950 (reinforced insulation). 2. Controls low-level analog signals PhotoMOS relays feature extremely low closed-circuit offset voltage to enable control of low-level analog signals without distortion. 3. High sensitivity and low onresistance Can control max. 0.13 A load current with 5 mA input current. Low on-resistance of typ. 25 (AQY211EH). 4. Low-level off state leakage current of max. 1 A
50Leabharlann 2-(2). On resistance vs. ambient temperature characteristics
Measured portion: between terminals 3 and 4; LED current: 5 mA; Load voltage: Max. (DC); Continuous load current: Max. (DC)