电子作业答案

一、领会、理解下列名词、术语及思考题1.发电：发电是将水力、火力、风力、核能和沼气等非电能转换成电能的过程。

发电机组发出的电压一般为 6 ~ 10 KV。

2.输电：输电就是将电能输送到用电地区或直接输送到大型用电户。

输电网是由35KV及以上的输电线路与其相连接的变电所组成，它是电力系统的主要网络。

输电是联系发电厂和用户的中间环节。

输电过程中, 一般将发电机组发出的 6~10KV 电压经升压变压器变为 35~500KV 高压，通过输电线可远距离将电能传送到各用户，再利用降压变压器将35KV高压变为 6~10KV 高压。

3.配电：配电是由 10KV 级以下的配电线路和配电(降压)变压器所组成。

它的作用是将电能降为 380/220V 低压再分配到各个用户的用电设备。

4.高压：1KV及以上的电压称为高压。

有1, 3, 6, 10, 35, 110, 330, 550KV等。

5.低压：1KV及以下的电压称为低压。

有220，380V。

6.安全电压：36V以下的电压称为低压。

我国规定的安全电压等级有：12V、24V、36V等。

7.电击：是指电流通过人体，影响呼吸系统、心脏和神经系统，造成人体内部组织的破坏乃至死亡。

8.电伤：是指在电弧作用下或熔断丝熔断时，对人体外部的伤害，如烧伤、金属溅伤等。

9.本征半导体：完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。

10.本征激发: 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。

这一现象称为本征激发。

11.电子电流：自由电子作定向运动→电子电流12.空穴电流：价电子递补空穴→空穴电流12.载流子：自由电子和空穴统称为载流子。

13.N型半导体：掺入五价元素，掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。

14.P型半导体：掺入三价元素，掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。

《电路与电子技术基础》作业答案第1章电路分析的基本概念---作业题1-1题1-3题1-6第2章电路分析定理和基本方法---作业一、第3章时域电路分析---作业第4章正弦稳态电路分析---作业第5章互感与理想变压器---作业第6章半导体器件---作业1、6.5（a）D1导通，U AB= -0.7V(b) D2导通，U AB= -5.3V2、6.9 D Z1导通，U o=0.7V3、6.12 U BE>0，I B>0；U CE>04、6.13 电流放大作用，i C=βi B，i E= i B+i C=i B(β+1)=( i C/β)*( β+1)5、6.16 （1）在截止区（2）U ce= 3.5V 工作在放大区（3）U ce= -1.5V 工作在反偏状态，在饱和区第7章半导体三极管放大电路---作业书上习题：1、7.22、7.3 （1） R B =565 K Ω ，R C =3 K Ω（2） A u == -120 ，U o =0.3V3、7.4 Q 点:Ω≈≈≈k r m A I A μ I be CQ BQ 3.176.122Ω==-≈Ω≈-≈≈k R R A k R A V U c o usi uCEQ 5933.13082.6 空载时：471153.25-≈-≈≈Ω=usuCEQ L A A V U k R 时：Ω==Ω≈k R R k R c o i 53.1第8章集成运算放大电路---作业1、 书上习题8.3 u O = u O1-0.6= -(R f /R 1)u i -0.6 V2、 书上习题8.5 u O =-1VI L =-100μAI O =110μA3补充：)()(200112t u t t u u O i O +-=－4补充：o f f I R R R R I ∙∙++≈414o f f f I R R R R R R I V ∙∙∙++≈=41411电流串联负反馈电路5补充：电压串联负反馈电路6补充:o f f I R R R I ∙∙+≈55 电流并联负反馈电路第9章波形发生电路---作业1 改错：2、3、书上习题9.2习题图9.2（a）习题图9.2（b）第10章直流稳压电源---作业书上习题1、 10.8 （1）U o =ZD U ＝10V I o ＝10 mAI =14 mAZ D I =4 mA（2）I ＝ I o ＝16 mAU o =10VD 没反向工作， Z D I =0 mA2、 10.123、补充：A 5.4)1( 'O 12L 'O 12C =⋅+≈⋅≈I R R I I R R I。

第一章电路的基本概念和定律1．在下图中，已知I 1=3mA ，I 2=1mA 。

试确定电路元件3中的电流I 3和其两端电压U 3，并说明它是电源还是负载？校验整个电路的功率是否平衡。

解：231123-=-=-=I I I mA ；60303103=+⨯=U V ；=⨯=3301US P 90mW ； =⨯-=1802US P -80mW ；=-⨯=)2(603U P -120mW ；=⨯⨯⨯=⨯=-23321310)103(10101010I P k 90 mW ；=⨯⨯⨯=⨯=-23322320)101(10201020I P k 20 mW ；∑=0P 功率平衡。

2．在下图所示电路中，求各理想电流源的端电压、功率及各个电阻上所消耗的功率。

解：112123=-=-=I I I A ；20201311-=⨯-=-=I R U V ；40210202212-=⨯--=-=I R U U V ；20)20(1111=-⨯-=-=U I P A W ；80)40(2222-=-⨯==U I P A W ；202011211=⨯==R I P R W ； 401042222=⨯==R I P R W ；3．将下图化简成电压源模型。

解：（a ）（b ）4．在图所示电路中，试求R X 、I X 、U X 。

解：（a ）46110Ω＝⨯-=A V U X V ； 32121＝ΩX X U A I -=A ； 6/==X X X I U R Ω （b ） 102137375.05.1＝）（+⨯⨯-=X U V ； 3.035.05.1＝）（X X U I --=A ； 9.75.05.15.020=--⨯=XX U R Ω5．试计算电路中的各未知量。

解：（a ）8)21(16--=-R ；8=R ； （b ）88)31(-⨯+=U ；U ＝24V（c ） 88)2(16-⨯+=I ；I ＝1A ； （d ）88)1(16-⨯+=-I ；I ＝-2A 161)16(=⨯--=IS P W （消耗） 6．试求所示电路中A 点的电位和6V 电压源的功率。

《数字集成电路基础》作业答案第一次作业1、查询典型的TTL与CMOS系列标准电路各自的VIH、VIL、VOH和VOL，注明资料出处。

2、简述摩尔定律的内涵，如何引领国际半导体工艺的发展。

第二次作业1、说明CMOS电路的Latch Up效应；请画出示意图并简要说明其产生原因；并简述消除“Latch-up”效应的方法。

答：在单阱工艺的MOS器件中（P阱为例），由于NMOS管源与衬底组成PN结，而PMOS 管的源与衬底也构成一个PN结，两个PN结串联组成PNPN结构，即两个寄生三极管(NPN 和PNP)，一旦有因素使得寄生三极管有一个微弱导通，两者的正反馈使得电流积聚增加，产生自锁现象。

影响：产生自锁后，如果电源能提供足够大的电流，则由于电流过大，电路将被烧毁。

消除“Latch-up”效应的方法：版图设计时：为减小寄生电阻Rs和Rw，版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目，加粗电源线和地线，对接触进行合理规划布局，减小有害的电位梯度；工艺设计时：降低寄生三极管的电流放大倍数：以N阱CMOS为例，为降低两晶体管的放大倍数，有效提高抗自锁的能力，注意扩散浓度的控制。

为减小寄生PNP管的寄生电阻Rs，可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底，抑制自锁效应。

工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数；具体应用时：使用时尽量避免各种串扰的引入，注意输出电流不易过大。

2、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？答：器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时，当Vgs<Vth时MOS器件仍然有一个弱的反型层存在，漏源电流Id并非是无限小，而是与Vgs呈现指数关系，这种效应称作亚阈值效应。

影响：亚阈值导电会导致较大的功率损耗，在大型电路中，如内存中，其信息能量损耗可能使存储信息改变，使电路不能正常工作。

3、什么叫做亚阈值导电效应？并简单画出logI D-V GS特性曲线。

答：GS在分析MOSFET时，我们一直假设：当V GS下降到低于V TH时器件会突然关断。

单选题1。

关于三相桥式全控整流电路的实验操作，描述正确的是:• A 按照原理图接线,然后打开主电源，再检查晶闸管脉冲是否正常• B 不能用示波器观察触发脉冲• C 正常情况下，应有间隔均匀，相互间隔120°，幅度相同的双脉冲• D 可以用示波器观察来检查相序是否正确单选题2.交流调压电路控制方式中，谐波含量最少的是：• A 通断控制• B 相位控制• C 斩波控制• D 反馈控制单选题3.锯齿波同步移相触发电路实验中，3号点电压与5号点电压描述正确的是？• A 3号点电压与5号点电压波形相同• B 3号点电压上升使VT1导通时，5号点电压出现下降沿• C 出现下降沿后，5号点电压不会再次上升• D VT1导通时,3号点电压持续上升单选题4。

三相桥式全控整流电路电感性负载实验中，直流平均电压为零时触发角为多少度？• A 30°• B 60°• C 90°• D 120°单选题5。

关于单相桥式半控整流电路直流侧电压ud波形描述正确的是？• A ud会出现负值• B ud是否出现负值由触发角大小决定• C 电感性负载，触发脉冲丢失，则ud变为零• D 电感性负载，触发脉冲丢失,则ud半周期为正弦，半周期为零。

单选题6。

单相交流调压电路实验中，如何改变电阻电感性负载的阻抗角？• A 改变单相交流调压电路的触发角• B 改变输入电压源的频率• C 改变负载电阻的大小• D 改变输入电压的大小单选题7.用于观察管压降、负载电压等波形的实验设备是• A 三相芯式变压器• B 滑线变阻器• C 示波器• D 异步电机单选题8。

关于逆变角的说法，错误的是• A 逆变角与整流角之和为180°• B 电路工作在整流状态时，逆变角大于零，小于90°• C 电路工作在逆变状态时，逆变角大于零,小于90°• D 逆变角不能等于零单选题9。

三相桥式全控整流电路实验中，关于主电路三相电源的相序说法正确的是• A 三相电源相序可以随意确定• B 三相电源中，A相必须对应，B、C相可以随意确定• C 三相电源中，B相必须对应，A、C相可以随意确定• D 三相电源相序不可以随意确定单选题10.单相交流调压电路，在正常范围内，输出电压与触发角的关系为：• A 触发角越大，输出电压越高• B 触发角越小，输出电压越高• C 随着触发角增大，输出电压先增大后减小• D 随着触发角增大，输出电压先减小后增大单选题11。

国开电大电子电路实训作业参考答案以下是国开电大电子电路实训作业的参考答案。

1. 第一题答案：根据提供的电路图，使用基本的电路分析方法分析电流和电压。

如图所示：{电路图}通过应用欧姆定律，基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律，我们可以计算出电路中各个元件的电流和电压。

2. 第二题答案：根据题目要求，我们需要设计一个包含特定功能的电子电路。

我们可以使用以下元件来实现该功能：- 电阻- 电容- 二极管- 晶体管- 集成电路根据实验要求，我们可以选择合适的元件来构建该电子电路。

具体的电路设计和元件参数可以根据实验要求进行调整。

3. 第三题答案：根据提供的电路图，我们需要计算电路中的功率和能耗。

根据电路中元件的参数，我们可以使用以下公式计算功率和能耗：- 功率计算公式：功率（P）= 电压（V） ×电流（I）- 能耗计算公式：能耗（E）= 功率（P） ×时间（t）根据提供的电路图和参数，我们可以应用这些公式计算出电路中每个元件的功率和能耗。

4. 第四题答案：根据实验要求，我们需要分析并解释一个特定电路的工作原理。

根据提供的电路图和元件参数，我们可以通过以下步骤来解释电路的工作原理：1. 分析电路的输入和输出信号。

2. 根据电路中的元件和其参数，分析元件的工作方式。

3. 根据元件的工作方式，推导电路的工作原理。

4. 解释电路在各个输入信号条件下的工作方式和特点。

通过这些步骤，我们可以对该电路的工作原理进行分析和解释。

以上是国开电大电子电路实训作业的参考答案。

希望对你有所帮助。

第4章　正弦波振荡器4.1　分析下图P4.1所示电路，标明次级数圈的同名端，使之满足相位平衡条件，并求出振荡频率。

[解]　(a) 同名端标于二次侧线圈的下端600.87710Hz 0.877MHzf ===⨯=(b) 同名端标于二次侧线的圈下端600.77710Hz 0.777MHzf ==⨯=(c) 同名端标于二次侧线圈的下端600.47610Hz 0.476MHzf ==⨯=4.2　变压器耦合振荡电路如图P4.2所示，已知，、、LC 360pF C =280μH L =50Q =，晶体管的、，略去放大电路输入导纳的影响，试画出振荡20μH M =fe 0ϕ=5oe 210S G -=⨯器起振时开环小信号等效电路，计算振荡频率，并验证振荡器是否满足振幅起振条件。

[解]　作出振荡器起振时开环参数等效电路如图P4.2(s)所示。

Yhe b e12略去晶体管的寄生电容，振荡频率等于0Hz =0.5MHzf ==略去放大电路输入导纳的影响，谐振回路的等效电导为5661121042.7μS502π0.51028010e oe oe o G G G G S S Q L ρω--=+=+=⨯+=⨯⨯⨯⨯⨯由于三极管的静态工作点电流为EQ I 12100.712330.6mA 3.3k EQV I ⨯⎛⎫-⎪+⎝⎭==Ω所以，三极管的正向传输导纳等于/0.6/260.023Sfe m EQ T Y g I U mA mV ≈===因此，放大器的谐振电压增益为omuo eiU g A G U -==而反馈系数为f oU j M MF j L LU ωω-=≈=-这样可求得振荡电路环路增益值为60.023203842.710280m e g M T A F G L -====⨯???由于>1，故该振荡电路满足振幅起振条件。

T 4.3　试检查图P4.3所示振荡电路，指出图中错误，并加以改正。

[解]　(a) 图中有如下错误：发射极直流被短路，变压器同各端标的不正确，构成负反f L 馈。

作业1答案1. 平壁的厚度为δ，两表面温度分别为t 1和t 2，且t 1＞t 2。

平壁材料之导热系数与温度的关系呈线性，即()01t λλβ=+。

试求热流密度和壁内温度分布的表达式。

解：由傅立叶定律 ()01dt dt t dx dxϕλλβ=−=−+()01dx t dt ϕλβ∴=−+两边积分 ()21001t t dx t dt δϕλβ=−+⎰⎰()()22021212t t t t βϕδλ⎡⎤=−−+−⎢⎥⎣⎦()2012121W/m 2t t t t λϕβδ+⎛⎫⎡⎤∴=+− ⎪⎣⎦⎝⎭由 ()1001xtt dx t dt ϕλβ=−+⎰⎰得 2211022x t t t t ϕββλ⎛⎫⎛⎫=+−+ ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭解出[]1t β= ℃ 2. 考虑一个尺寸为10mm ×10mm ×0.7mm 的硅片，散热量为20W 。

电路印制在硅片的背面，硅片所有的热量传递给正面，经由正面散出。

如果硅的导热系数为125W/(m ·℃)，硅片背面与正面的温度差为多少？ 解：硅片的导热热阻 30.7100.056 [/W]1250.010.01t R A δλ−⨯===⨯⨯℃则硅片背面与正面的温差为：200.056 1.12 []t t R ∆=Φ⋅=⨯=℃3. 蒸汽管道的外直径为30mm ，准备包两层厚度均为15mm 的不同材料的热绝缘层。

第一种材料的导热系数λ1＝0.04W/(m ·℃)，第二种材料的导热系数λ2＝0.1W/(m ·℃)。

若温差一定，试问从减少热损失的观点看下列两种方案：⑴第一种材料在里层，第二种材料在外层；⑵第二种材料在里层，第一种材料在外层。

哪一种好？为什么？ 解：方案⑴的单位管长热损失：12312111ln ln 21160190ln ln 20.04300.1603.4l a b td d d d tt ϕπλλπ∆=⎛⎫+ ⎪⎝⎭∆=⎛⎫+⎪⎝⎭∆=方案⑵的单位管长热损失：22312111ln ln 21160190ln ln 20.1300.04602.72l b a td d d d tt ϕπλλπ∆=⎛⎫+ ⎪⎝⎭∆=⎛⎫+⎪⎝⎭∆=21 3.41.252.72l l ϕϕ== ∴方案⑴的热损失小，故方案⑴好。