电子技术第15章_基本放大电路习题

第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

<1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；< ）<2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；< ）<3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；< ）<4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；< ）<5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；< ）<6）因为放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；< ）<7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

< ）解：<1）×<2）√ <3）× <4）×<5）√ <6）×<7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解：<a）不能。

因为输入信号被V B B短路。

<b）可能。

<c）不能。

因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。

<d）不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

<e）不能。

因为输入信号被C2短路。

<f）不能。

因为输出信号被V C C短路，恒为零。

<g）可能。

<h）不合理。

因为G-S间电压将大于零。

<i）不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的 ＝100，＝100k Ω。

填空：要求先填文字表达式后填得数。

<1）当＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，若要基极电流I B Q＝20μA，则和R W之和R b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。

<2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V，则电压放大倍数＝≈。

电工类第五版《电子技术基础》全章节习题与及答案一．填空题：(共59题)1.PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位高。

2.硅二极管导通时的正向管压降约为0.7V 。

3.锗二极管导通时的正向管压降约为0.2V 。

4.半导体三极管放大的实质是小电流控制大电流。

5.工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件使用。

6.三极管的极限参数分别是I CM、P CM和U CEO。

7.在共射极放大电路中输出电压和输入电压的相位相反。

[此处图片未下载成功]8.小功率三极管的输入电阻经验公式= 30 09.放大电路产生非线性失真的根本原因静态工作点不合适。

10.在放大电路中负载电阻值越大其电压放大倍数越大。

11.反馈放大器是由基本放大电路和反馈电路组成。

12.电压负反馈的作用是稳定输出电压。

13.电流负反馈的作用是稳定输出电流。

14.反馈信号增加原输入信号的反馈叫正反馈。

15.反馈信号减弱原输入信号的反馈叫负反馈。

16.放大直流信号时放大器应采用的耦合方式为直接耦合。

17.为克服零漂常采用长尾式和具有恒流源的差动放大电路。

18.集成运放按电路特性分类可分为通用型和专用型。

19.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端电位差=0。

20.线性状态的理想集成运算放大器，两输入端的电流=0。

21.单门限电压比较器中的集成运放工作在开环状态。

22.单门限电压比较器中的集成运放属于线性应用。

23.将交流电变换成直流的过程叫整流。

24.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

25.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.26.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

27.检查硅整流堆正反向电阻时对于高压硅堆应用兆欧表。

28.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

29.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为 12 V。

第15章　基本放大电路15.1　复习笔记一、共发射极放大电路的组成1．电路结构图15-1是共发射极接法的基本交流放大电路。

图15-1 共发射极基本交流放大电路2．性能指标（1）输入电阻放大电路的输入端用一个等效电阻r i 表示，它称为放大电路的输入电阻，是信号源的负载，即（2）输出电阻放大电路的输出端也可用一电压源表示，它是负载电阻R L 的电源，其内阻r o 称为放大电路的输出电阻。

放大电路的输出电压与输入电压之比，称为放大电路的电压放大倍数。

即o U &iU &二、放大电路的静态分析1．用放大电路的直流通路确定静态值图15-2是图l5-1放大电路的直流通路。

画直流通路时，电容C 1和C 2可视为开路。

图15-2 图15-1交流放大电路的直流通路①由直流通路，可得出静态时的基极电流②由I B 可得出静态时的集电极电流③静态时的集-射极电压则为晶体管集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的伏安特性曲线即为输出特性曲线（图15-3）。

在图15-2所示的直流通路中，晶体管与集电极负载电阻R C串联后接于电源U CC。

可列出或图15-3 用图解法确定放大电路的静态工作点这是一个直线方程，其斜率为，在横轴上的截距为U CC，在纵轴上的截距为。

这一直线很容易在图15-3上作出，称为直流负载线。

负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点Q，称为放大电路的静态工作点，由它确定放大电路的电压和电流的静态值。

I B通常称它为偏置电流，简称偏流。

产生偏流的电路，称为偏置电路。

R B称为偏置电阻。

通常是改变R B的阻值来调整偏流I B的大小。

三、放大电路的动态分析1．微变等效电路法放大电路的微变等效电路，就是把非线性元件晶体管所组成的放大电路等散为一个线性电路，也就是把晶体管线性化，等效为一个线性元件。

（1）晶体管的微变等效电路图15-4（b）所示就是晶体管微变等效电路（a ）（b ）图15-4 晶体管及其微变等效电路其中①晶体管的输入电阻②晶体管的电流放大系数③晶体管的输出电阻（2）放大电路的微变等效电路由晶体管的微变等效电路和放大电路的交流通路可得出放大电路的微变等放电路。

第 14 章半导体器件一、选择题1、对半导体而言，其正确的说法是( )。

(1) P 型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。

(2) N 型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。

(3) P 型半导体和 N 型半导体本身都不带电。

2、在图 14-1 所示电路中，Uo 为 ( ) 。

(1) -12V (2) -9V (3) -3VR- 0V D Z11V 3kΩ-9VUo DZ2U o + + R- -图14-1 图14-2 图14-33、在图 14-2 所示电路中，二极管 D1、D2、D3 的工作状态为( ) 。

(1) D1、D2 截止， D3 导通 (2) D1 截至， D2、D3 导通 (3) D1、D2、D3 均导通4、在图 14-3 所示电路中，稳压二极管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 7V，其正向压降可忽略不计，则 Uo 为( ) 。

(1) 5V (2) 7V (3) 0V5、在放大电路中，若测得某晶体管的三个极的电位分别为 6V，1.2V 和 1V，则该管为( )。

(1) NPN 型硅管 (2) PNP 型锗管 (3) NPN 型锗管6、对某电路的一个 NPN 型的硅管进行测试，测得 UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在 ( ) 。

(1)放大区 (2)饱和区 (3) 截至区7、晶体管的控制方式为( ) 。

(1)输入电流控制输出电压 (2)输入电流控制输出电流 (3)输入电压控制输出电压二、判断题1、晶体管处于放大区，其 PN 结一定正偏。

( )2、三极管由二极管构成的，三极管具有放大作用，故二极管也具有放大作用。

( )3、二极管正向导通，反向截止，当反向电压等于反向击穿电压时，二极管失效了，故所有的二极管都不可能工作在反向击穿区。

( )三、填空题1、若本征半导体中掺入某 5 价杂质元素，可成为，其多数载流子为。

若在本征半导体中掺入某 3 价杂质元素，可成为，其少数载流子为。

放大电路与集成运算放大器学习要点1、掌握共射极放大电路的工作原理，理解静态工作点的概念，会估算静态工作点、电压放大倍数和输入、输出电阻2、了解射极输出器的电路组成及主要特点点和作用。

3、了解多级放大器信号耦合方式及特点。

4、会判断反馈的极性和类型。

5、了解理想集成运算放大器特点，会反相放大器和同相放大器等典型电路放大倍数的计算。

6、了解低频功率放大器的基本要求、类型及特点。

7、了解常用振荡器的作用及特点。

概念1、放大电路又称放大器，即能够不是真的将微小信号放大到所需数值的电路，基本特征是功率放大。

2、集成运放将多级放大电路完整的制作在半导体材料上，引出输入端、输出端、正负电源端及输出端，再加以封装，就制成一个集成运算放大器，简称集成运放。

8.1 基本放大电路是指由一个放大元件狗的放大电路，也称单管放大电路。

8.1.1 基本共射放大电路1、电路组成VT——三极管，工作在放大状态，起电流或电压放大作用。

+V CC——放大电路直流电源，给三极管提供偏置电压(发射结正向偏压，集电结反向偏压)，同时为输出号提供能量。

R b——基极偏置电阻，电源V CC通过R b向基极提供合适的偏置电流I B。

R C——集电极偏置电阻，将三极管集电极电流的变化量转化集电极电压的变化量。

C1、C2——分别是输入、输出耦合电容，起“通交隔直”作用。

2、静态（1）直流通路指将交流信号视为零，直流信号所流经的通路。

即利用电容的“通交隔直”作用，将电路中所有的电容器视为开路，绘制出的电路。

（2）静态工作点静态时三极管的直流电压U BE、U CE和对应的直流电流I B、I C，统称为静态工作点Q,，通常写为U BEQ、U CEQ、I BQ、I CQ。

估算公式如下：II BQ=VV CC−UU BEQ bb≈VV CC bbII CQ=ββII BQUU CEQ=VV CC−II CQ RR cc当电源电压确定后，R b对基本共射放大电路的工作点设置起重要作用，选择合适的R b，可以得到合适的I BQ,从而确定I CQ和U CEQ。

习题5.1试判断如题5.1图所示的各电路能否放大交流电压信号？为什么？题5.1图解：(a)能(b)不能(c)不能(d)能5.2已知如题5.2图所示电路中，三极管均为硅管，且β=50，试估算静态值IB、IC、UCE。

解：（a）IB=12−0.7=75（μA）100+(1+50)×1IC=βIB=3.75（mA）IE=(1+β)IB=3.825（mA）UCE=12−3.75×2−3.825×1=0.75(V)(b)UCC=(IB+IC)×RC+IBRB+UBEUCC−UBE12−0.7IB===16（μA）RB+(1+β)RC200+(1+50)×10IC=βIB=0.8(mA)UCE=12−(0.8+0.016)×10=3.84(V)5.3晶体管放大电路如题5.3图所示，已知UCC=15V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，RL=5kΩ，（1）求静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au、输β=50，rbe=1kΩ。

入电阻ri、输出电阻ro。

题5.2图题5.3图解：(1)IB=UCC−UBE15≈=30（μA）RB500IC=βIB=50×30=1.5(mA)(V)UCE=UCC−IC⋅RC=15−1.5×5=7.5第5章基本放大电路119(2)(3)Au=−βRC//RL=−125rbeRi=RB//rbe≈1(KΩ)RO=RC=5(KΩ)在题5.3图的电路中，已知IC=1.5mA，UCC=12V，β=37.5，rbe=1kΩ，输出端开路，5.4若要求Au=-150，求该电路的RB和RC值。

解：由于Au=−βRC//RLR=−βC=−150rberbeAu=150=β则RC=RCrbe150×1=4(KΩ)37.5U12=300 (KΩ)RB=CC=−6IB40×105.5试问在题5.5图所示的各电路中，三极管工作在什么状态？题5.5图解：(a)IB=ICS6=0.12 (mA)5012==12(mA)1120第5章基本放大电路IBS=ICβ=12=0.24(mA)50因0<IB<IBS,所以三极管处于放大状态。

《电子技术基础》课程学习指导书第14章半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（c ）。

(a) 与导体相同(b) 与绝缘体相同(c) 介乎导体和绝缘体之间14.2P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c ）。

(a) 带正电(b) 带负电(c) 不带电14.3 N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）。

(a) 带负电(b) 带正电(c) 不带电14.4 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（b ）。

(a) 变窄 (b) 变宽(c) 不变14.5 普通半导体二极管是由（a ）。

(a)一个PN结组成(b)两个PN结组成(c)三个PN结组成14.6 电路如图所示，直流电压U I=10 V，稳压管的稳定电压U Z=6 V，则限流电阻R上的压降U R 为（ c ）。

(a)10V (b)6V (c)4V(d)-4VRO14.7 电路如图所示，已知u I =3V ，则晶体管T 此时工作在( b )。

(a)放大状态 (b)截止状态 (c)饱和状态10V1k Ωβ=50二、填空题：14.8 半导体二极管的主要特点是具有单向导电性 。

14.9 理想二极管的正向电阻为 0 。

14.10 理想二极管的反向电阻为 无穷大 。

14.11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是 正向电压大于PN 结的死区电 。

14.12 N 型半导体中的多数载流子是自由电子。

14.13 P 型半导体中的多数载流子是 空穴 。

三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D 为理想元件，U S =5 V ，求电压u O 。

u OUo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，u i =3sin ωt V ，U =3V ，当ωt =0瞬间，求输出电压u O 。

u OUo=0v14.16 电路如图所示，输入信号u i=6sin ωt V 时，求二极管D 承受的最高反向电压。

5k Ωu OU 最高反向电压=3v14.17 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4 k ，电位u A=1V，u B=3V，计算电位u F 的值。

《电子技术基础》复习题三极管放大电路一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内1、工作在饱和状态的PNP型晶体管，其三个极的电位应为（）。

(a) V E >V B，V C >V B，V E >V C(b) V E >V B，V C< V B，V E >V C(c) V B >V E，V B< V C，V E >V C2、在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是()。

(a)正确的(b)不正确的(c)耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。

3、固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流I C将（）。

(a)增加(b)减少(c)基本不变4、分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容C E因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将()。

(a)增大(b)减小(c)不变5、对放大电路进行静态分析的主要任务是（）。

(a)确定电压放大倍数A u(b)确定静态工作点Q(c)确定输入电阻r i，输出电阻r o6、电路如图所示，设晶体管工作在放大状态，欲使静态电流I C减小，则应（〕。

(a) 保持U CC，R B一定，减小R C(b) 保持U CC，R C一定，增大R B(c)保持R B，R C一定，增大U CC7、放大电路如图所示，由于R B1，和R B2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是（）。

(a)适当增加R B2，减小R B1(b) 保持R B1不变，适当增加R B2(c) 适 当 增 加 R B1， 减 小R B2 (d) 保 持 R B2 不 变， 适 当 减 小 R B1+-o8、单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的( )。

/VCE/VCE /VCE图 2U CC图 1o (a (b ()c9、某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q 如图所示，欲使工作点移至 Q ' 需使( )。

《电子技术基础》练习题库第一章思考复习题1.填空题(1)半导体中有两种载流子,一种是_______.另一种是_____.(2)在N型半导体中,多数载流子是______.在P型半导体中.主要靠其多数载流子_____导电.(3)PN结单向导电性表现为:外加正向电压时_______;外加反向电压时______.。

(4)二极管的反向电流随外界的温度而________.反向电流越小,说明二极管的单向电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以电流越小,说明二极管的单向导电性________.一般硅二极管的反向电流比锗管_______很多,所以应用中一般多选用硅管.(5)稳压二极管稳压时,应工作在其伏安特性的_______区.(6)三级管是一种________控制器件;而场效应管则是一种______控制器件.(7)三级管工作在放大区的外部条件是:发射结-_______位置,集电结_________偏置.(8)三级管的输出特性分为三个区域,即_________区、___________区和_________区.(9)三级管在放大区的特点是:当基极电流固定时,其_______电流基本不变,体现了三极管的___________特性.(10) 用在电路中的整流二极管,主要考虑两个参数____________和_______________,选择时应适当留有余地.(11) 在放大区,对NPN型的三极管有电位关系:Uc___________Ub_______Ue;而对PNP型的管子,有电位关系:Uc______Ub__________ Ue.(12) 根据结构不同,场效应管分为两大类,__________和___________场效应管.(13) 为实现场子效应管栅源电压对漏极电流的控制作用,结型场效应管在工作时,栅源之间的PN结必须_______位置.N沟道结型场效应管的Ucs不能______0,P沟道结型场效应管的Ucs不能___________0.(14) 场效应管的参数__________反映了场效应管栅源电压对漏极电流的控制及放大作用.(15) 场效应管与三极管相比较,其特点是:输入电阻比较___________,热稳定性比较_________.2.选择题(1)本征半导体,自由电子工业和空穴的数目是________.①相等②自由电子比空穴的数目多③自由电子比空穴的数目少(2)P型半导体的空穴数目多于自由电子,则P型半导体呈现的电性为______.①负电②正电③电中性(3)稳压二极管稳压,利用的是稳夺二级管的______.①正向特性②反向特性③反向击穿特性(4)用万用表测量二极管的极性,将红、黑表行分别接二极管的两个电极,若测得的电阻值很小(几千欧以下),则黑表笔所接电极为二极管的_____.①正极②负极③不能确定(5)测得电路中一个NPN型三极管的3个电极电位分别为:Uc=6V,UB=3v,Ue=2.3v,则可判定该三极管工作在_______.①截止区②饱和区③放大区(6)三极管的电流放大系数β,随温度的升高会______.①减小②增大③不变3.判断题（1）二极管外加正向电压时呈现很大的电阻，而外加反向电压时呈现很小的电阻。

二、选择题：1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各极电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM8、温度升高时，三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质12、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定13、在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ C ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定14、在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ B ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定15、在电路中我们可以利用[ C ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

（对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。