模拟电子技术基础第四版第5章

第1章 直流电路

一、填 空 题

1.4.1 与之联接的外电路；

1.4.2 1n，)1(nb；

1.4.3 不变；

1.4.4 21W，负载；

1.4.5 1.65A，　；

1.4.6 1A3A，　；

1.4.7

3213212)(3)23(RRRRRRR；

1.4.8 1A；

1.4.9 4.0，A5.12；

1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源；

1.4.11 3A；

1.4.12 3A；

1.4.13 2；

1.4.14 15V，5.4；

1.4.15 V6SU。

二、单 项 选 择 题

1.4.16 C； 1.4.17 B； 1.4.18 D； 1.4.19 A；

1.4.20 A； 1.4.21 C； 1.4.22 B； 1.4.23 D。

第2章 一阶动态电路的暂态分析

一、填 空 题

2.4.1 短路，开路；

2.4.2 零输入响应；

2.4.3 短路，开路；

2.4.4 电容电压，电感电流；

2.4.5 越慢；

2.4.6 换路瞬间；

2.4.7 三角波； 2.4.8 s05.0，kΩ25；

2.4.9 CRRRR3232；

2.4.10 mA1,V2。

二、单 项 选 择 题

2.4.11 B； 2.4.12 D； 2.4.13 B；

2.4.14 D； 2.4.15 B； 2.4.16 C。

第3章 正弦稳态电路的分析

一、填 空 题

3.4.1 300.02sA10，　，　；

3.4.2 V)13.532sin(25)(ttu；

3.4.3 容性， A44；

3.4.4 10V，2V

3.4.5 相同；

3.4.6 V30，20V；

3.4.7 A44，W7744；

（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案

模拟电⼦技术基础习题答案

电⼦技术课程组2018.8.15

⽬录

第1章习题及答案 (1)

第2章习题及答案 (14)

第3章习题及答案 (36)

第4章习题及答案 (45)

第5章习题及答案 (55)

第6章习题及答案 (70)

第7章习题及答案 (86)

第8章习题及答案 (104)

第9章习题及答案 (117)

第10章习题及答案 (133)

模拟电⼦技术试卷1 (146)

模拟电⼦技术试卷2 (152)

模拟电⼦技术试卷3 (158)

第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤

B. 不变

C. 减⼩

（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）

图P1.2.1

解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）

图P1.2.2

解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1

解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

模拟电子技术基础

第四版

清华大学电子学教研组 编

童诗白 华成英 主编

自测题与习题解答

山东大学物理与微电子学院 2 目录

第1章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3

第2章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14

第3章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31

第4章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41

第5章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50

第6章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60

第7章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74

第8章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90

第9章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114

第10章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 3 第1章 常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ )

(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × )

(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × )

(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GSR大的特点。( √ )

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GSU 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × )

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将

A

。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏

(4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

教材 模拟电子技术基础（第四版） 清华大学

模拟电子技术课程作业

第1章 半导体器件

1将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变

2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用

3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN结的死区电压

(b)正向电压等于零

(c)必须加反向电压

4若将PN结短接，在外电路将( c )。

(a)产生一定量的恒定电流

(b)产生一冲击电流

(c)不产生电流

5电路如图所示，二极管D1、D2为理想元件，则在电路中( b )。

(a)D1起箝位作用，D2起隔离作用

(b)D1起隔离作用，D2起箝位作用

(c)D1、D2均起箝位作用

(d)D1、D2均起隔离作用

D1D2R0V2V12VuO

6二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而( a )。

(a)增大 (b)减小 (c)不变

7电路如图所示，二极管型号为2CP11，设电压表内阻为无穷大，电阻R=5k，则电压表V的读数约为( c )。

(a)0.7V (b)0V (c)10V DVR10V+-

8电路如图所示，二极管D为理想元件，输入信号ui为如图所示的三角波，则输出电压uO的最大值为( c )。

(a)5V (b)10V (c)7V

DuiRE2V5Vui5V0tuO+-+-+-

9电路如图所示，二极管为理想元件，ui=6sintV，U=3V，当t=2瞬间，输出电压

uO等于( b )。

(a)0V (b)6V

(c)3V

uiRUDuO+-+-+-

10电路如图所示，二极管D1，D2，D3均为理想元件，则输出电压uO＝( a )。