模电课后习题答案4,5,6,8习题

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. 第四章局部习题解答

4.1.3 某BJT的极限参数ICM=100mA,PCM=150mW,V〔BR〕CEO=30V,假设它的工作电压VCE=10V,则工作电流IC不得超过多大?假设工作电流IC=1mA,则工作电压的极限值应为多少?

解: BJT工作时,其电压和电流及功耗不能超过其极限值,否则将损坏。当工作电压VCE确定时,应根据PCM及ICM确定工作电流IC,即应满足ICVCE≤PCM及IC≤ICM。当VCE=10V时,

此值小于ICM=100mA,故此时工作电流不超过15mA即可。同理,当工作电流Ic确定时,应根据ICVCE≤PCM及VCE≤V〔BR〕CEO确定工作电压VCE的大小。当IC=1mA时,为同时满足上述两个条件,则工作电压的极限值应为30V。

4.3.3 假设将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路,并设VCC=12V,RC=1kΩ,在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50kΩ串联以代替电流源iB。求该电路中的IB、IC和VCE的值,设VBE=0.7V。

图题3.3.1

解: 由题3.3.1已求得β=200,故

IC=βIB=200×0.03mA=6mA VCE=VCC-ICRc=6V

4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线,试求:〔1〕电源电压VCC,静态电流IB、IC和管压降VCE的值;〔2〕电阻Rb、Re的值;〔3〕输出电压的最大不失真幅度;〔4〕要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最大幅值是多少?

解:〔1〕由图题3.3.6可知,直流负载线与横坐标轴的交点即VCC值的大小,故VCC=6V。由Q点的位置可知,IB=20μA,IC=1mA,VCE=3V。

〔2〕由基极回路得

由集-射极回路得

〔3〕求输出电压的最大不失真幅度

由交流负载线与输出特性的交点可知,在输入信号的正半周,输出电压vCE从3V到0.8V,变化范围为2.2V;在输入信号的负半周,输出电压vCE从3V到4.6V,变化范围为1.6V。综合起来考虑,输出电压的最大不失真幅度为1.6V。

〔4〕基极正弦电流的最大幅值是20μA.

4.3.9 单管放大电路如图题3.4.2所示,BJT的电流放大系数β=50。〔1〕估算Q点;〔2〕画出简化H参数小信号等效电路;〔3〕估算BJT的输入电阻rbe;〔4〕如输出端接入4kΩ的电阻负载,计算iovVVA/及sovsVVA/。

解:〔1〕估算Q点

〔2〕简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。 优选文档

. 〔3〕求rbe

〔4〕求vA

〔5〕求vsA

4.3.11 电路如图题3.4.4所示,BJT的β=100,VBE=-0.7V。〔1〕试估算该电路的Q点;〔2〕画出简化的H参数小信号等效电路;〔3〕求该电路的电压增益vA,输入电阻Ri、输出电阻Ro;〔4〕假设vo中的交流成分出现图题3.4.4b所示的失真现象,问是截止失真还是饱和失真?为排除此失真,应调整电路中的哪个元件?如何调整?

解:〔1〕估算Q点

〔2〕简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.4所示。

〔3〕求vA、Ri、Ro。

BJT的输入电阻

〔4〕因图题3.4.4a中的BJT是PNP管,故图题3.4.4b中出现的vo失真是截止失真;应调整Rb,使之减小,可排除此失真。

4.4.3 射极偏置电路和BJT的输出特性曲线如图题3.5.3所示,β=60。

〔1〕分别用估算公式和图解法求Q点;〔2〕求输入电阻rbe;〔3〕用小信号模型分析法求电压增益VA;〔4〕求输出电压最大不失真幅度;〔5〕假设电路其他参数不变,如果要使VCE=4V,问上偏流电阻为多大?

解:〔1〕估算法求Q点:

图解法求Q点:

由vCE=VCC-ic〔Rc+Re〕作直流负载线MN,由纵轴IC=1.65mA处作水平线与MN交于Q点,则VCE≈7.8V,IB≈28μA。

〔2〕

〔3〕

其中

〔4〕由交流负载线M′N′与输出特性曲线的交点可知,输出电压的最大不失真幅度Vom≈11.1V-7.8V=3.3V。

〔5〕当VCE=4V时

上偏流电阻

4.5.2 在图题3.6.2所示电路中,Rb=260kΩ,Re=RL=5.1kΩ,Rs=500Ω,VEE=12V,β=50,试求:〔1〕电路的Q点;〔2〕电压增益vA、输入电阻Ri及输出电阻Ro;〔3〕假设sV=200mv,求oV。 优选文档

.

解:〔1〕求Q点

VRIVVmAIIARRVIecEECEBCebEEB13.6)(15.123)1( 〔2〕求vA、Ri、R。

〔3〕mVVs200时

电路如图题3.6.4a所示。BJT的电流放大系数为β,输入电阻为rbe,略去了偏置电路。试求以下三种情况下的电压增益vA、输入电阻Ri和输出电阻Ro:①vs2=0,从集电极输出;②vs1=0,从集电极输出;③vs2=0,从发射极输出。并指出上述①、②两种情况的相位关系能否用图b来表示?符号“+〞表示同相输入端,即vc与ve同相。而符号“-〞表示反相输入端,即vc与vb反相。

解: ①

①、②两种情况的相位关系能用图b表示,马上vs1加于“-〞端,vs2加于“+〞端。

第五章局部习题解答

5.1.1 图题4.3.1所示为MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何沟道?如是增强型,说明它的开启电压VT=?如是耗尽型,说明它的夹断电压Vp=?〔图中iD的假定正向为流进漏极

解: 由图题4.3.1可见:

图a为N沟道耗尽型MOSFET,其VP=-3V;

图b为P沟道耗尽型MOSFET,其VP=2V;

图c为P沟道增强型MOSFET,其VT=-4V。 图题

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. 5.1.2 一个MOSFET的转移特性如图题4.3.3所示〔其中漏极电流iD的方向是它的实际方向〕。试问:

〔1〕该管是耗尽型还是增强型?

〔2〕是N沟道还是P沟道FET?

〔3〕从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP还是开启电压VT?其值等于多少?

解: 由图题4.3.3可见,它是P沟道增强型MOSFET,其VT=-4V。

5.3.5 四个FET的转移特性分别如图题4.3.4a、b、c、d所示,其中漏极电流iD的方向是它的实际方向。试问它们各是哪种类型的FET?

解: 由图题4.3.4可见:

图a为P沟道JFET;

图b为N沟道耗尽型MOSFET;

图c为P沟道耗尽型MOSFET;

图d为N沟道增强型MOSFET。

5.2.9 电路参数如图题4.4.4所示,FET工作点上的互导gm=1mS,设rd》Rd。(1)画出小信号等效电路;〔2〕求电压增益Àv;〔3〕求放大电路的输入电阻Ri。

解: 〔1〕画小信号等效电路

图题4.4.4

忽略rd,可画出图题4.4.4的小信号等效电路,如图解4.4.4所示。

〔2〕求ÀV

〔3〕求Ri

5.5.4 电路如图题4.5.4所示,设FET的互导为gm,rd很大;BJT的电流放大系数为β,输入电阻为rbe。试说明T1、T2各属什么组态,求电路的电压增益ÀV、输入电阻Ri及输出电阻Ro的表达式。

解: 〔1〕T1、T2的组态

T1为源极输出器,T2为共射极电路。

〔2〕求Àv

(3)求Ri和Ro

第八章局部习题解答

8.3.1 在图题5.2.1所示电路中,设BJT的β=100,VBE=0.7V,VCES=0.5V,ICEO=0,电容C对交流可视为短路。输入信号vi为正弦波。〔1〕计算电路可能到达的最大不失真输出功率Pom;〔2〕此时Rb应调节到什么数值?〔3〕此时电路的效率η=?试与工作在乙类的互补对称电路比拟。 优选文档

. 解: 〔1〕求Pom

〔2〕求Rb

考虑到

〔3〕求η

显然,比工作于乙类的互补对称电路的理想效率低很多。

8.3.3 在图题5.2.2所示电路中,设v1为正弦波,RL=8Ω,要求最大输出功率Pom=9W。试求在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下,求:〔1〕正、负电源VCC的最小值;〔2〕根据所求VCC最小值,计算相应的ICM、|V〔BR〕CEO|的最小值;〔3〕输出功率最大〔Pom=9W〕时,电源供应的功率PV;〔4〕每个管子同意的管耗PCM的最小值;〔5〕当输出功率最大〔Pom=9W〕时的输入电压有效值。

解: 〔1〕VCC的最小值

可求得

〔2〕ICM和|V〔BR〕CEO|的最小值

〔3〕求Pv

设IC〔AV〕为电流平均值,则

〔4〕PCM的最小值

〔5〕输入电压有效值

8.3.4 设电路如图题5.2.2所示,管子在输入信号v1作用下,在一周期内T1和T2轮流导电约180°,电源电压VCC=20V,负载RL=8Ω,试计算:

〔1〕在输入信号Vi=10V(有效值)时,电路的输出功率、管耗、直流电源供应的功率和效率;

〔2〕当输入信号vi的幅值为Vim=Vcc=20V时,电路的输出功率、管耗、直流电源供应的功率和效率。

解: 〔1〕Vi=10V时

输出功率

每管的管耗

WWVVVRPPomomCCLTT02.541414.3142081)4(12221

两管的管耗

PT=2PT1=10.04W

电源供应的功率

PV=Po+PT=12.25+10.04=22.29W

效率

(2)

8.4.3 一单电源互补对称电路如图题5.3.3所示,设T1、T2优选文档

. 的特性完全对称,vi为正弦波,VCC=12V,RL=8Ω,试答复以下问题:

(1)静态时,电容C2两端电压应是多少?调整哪个阻能满足这一要求?

(2)动态时,假设输出电压vo出现交越失真,应调整哪个电阻?如何调整?

(3)假设R1=R2=1.1kΩ,T1和T2的β=40,|VBE|=0.7V,PCM=400mW,假设D1、D2、R2中任意一个开路,将会产生什么后果?

解: 〔1〕静态时,C2两端电压应为

VVVccc6212,

调整R1或R3可满足这一要求。

〔2〕假设vo出现交越失真,可增大R2。

〔3〕假设D1、D2或R2中有一个开路,则由于T1、T2的静态功耗为

mWVkVVVRRVVVIPPCCBECCCEBTT15612122.27.021240223121 即 PT1=PT2>>PCM,所以会烧坏功放管。

8.5.2 2030集成功率放大器的一种应用电路如图题5.4.2所示,假定其输出级BJT的饱和压降VCES可以忽略不计,vi为正弦波电压。

〔1〕指出该电路是属于OTL还是OCL电路;

〔2〕求理想情况下最大输出功率Pom;

〔3〕求电路输出级的效率η。

解:〔1〕属于OCL电路

〔2〕最大输出功率

〔3〕效率

电源供应的功率PV和效率η分别为

第六章局部习题解答

6.1.1 电路如图题6.1.2所示,全部BJT的β均很大,VBE=0.7V,且T2、T3特性相同,电路参数如图。问: