β-FeOOH纳米线的制备及表征

浙江理工大学学报（自然科学版），第37卷，第6期，20：17年月

Journal of Zhejiang Sci-Tech University (Natural Sciences)

Vol.37，No. 6，Nov. 2017

DQI：10. 3969/j. issn. 1 673-3851. 201 7. 11. 011

聚二甲基硅氧烷裂解法碳化硅纳米线的制备及表征

丁丽娟，曾凡，姜敏，欧国松，孔文龙，陈建军(浙江理工大学材料与纺织学院，杭州3 10 018 )

摘要：以聚二甲基硅氧烷和金属硅粉为反应原料，在专用管式炉中成功实现了碳化硅纳米线的生长制备。利 用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱仪和透射电子显微镜对制备的产物进行性能表征，并对影 响碳化硅纳米线生长的因素进行探究讨论。研究结果显示：所获得的浅绿色纤维产物为闪锌矿结构单晶碳化硅纳 米线，纳米线直径约30 nm，长度可达几厘米。在此反应体系中，聚二甲基硅氧烷注射速率和高温保温时间对纳米线 的生长有着重要作用，在聚二甲基硅氧烷注射速率为0. 4〜0. 5 mL/min，高温保温时间为2. 0h的条件下，能成功实 现优质碳化硅纳米线的制备。关键词：碳化硅；纳米线；聚二甲基硅氧烷；闪锌矿结构中图分类号：TN304. 2 文献标志码：A 文章编号：1673-3851 (2017) 06-0817-06

0引言

碳化硅材料作为第三代宽带隙半导体材料，具

有抗氧化、耐高温、耐腐蚀、热导率高、电子饱和迁移

率高等一系列优异性能，在陶瓷材料、耐磨器件等方

面应用广泛。一维碳化硅纳米材料以其碳化硅固有

的优异性能及独特光学、电学性能，引起不同研究领

域专家们的广泛兴趣[1]。一维碳化硅纳米材料在构

造高强复合材料、纳米电子器件、光子器件、光敏传

感器件等领域具有广阔的应用前景[-4]。随着研究

的不断深人，研究者们已能成功制备出不同结构的

一维碳化硅纳米材料。目前，发展比较成熟的碳化

２００６年Ｉ　１月　Ｎｏｖ．２００６　汕头大学学报（自然科学版）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｓｈａｎｔｏｕ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（Ｎａｔｕｒａｌ　Ｓｃｉｅｎｃｅ１　第２１卷第４期　ＶｏＩ＿２ｌ　ＮＯ．４　

文章编号：１００１—４２Ｉ７（２００６）０４～００３６—０５　

ＳｉＯ　纳米线的热蒸发法制备及表征　

吴　萍，邹兴权，程文德　

（汕头大学理学院物理系　广东汕头５１５０６３）　

摘要：采用活性炭还原ＳｎＯ　粉末得到的金属锡作为催化剂，在硅片上生长出ＳｉＯ　（　在１～　２之间）纳米线．分析９００屯～１　１（）（）屯下生长出来的ＳｉＯ，纳米线发现，温度越高，纳米线越　密集，表面也更光滑；分析不同温度梯度下生长出来的纳米线表明，硅片上温度梯度越小，　生长的纳米线分布越均匀，直径也越均匀．并结合实验条件对Ｓｉ（）　纳米线的生长机理进行　初步探讨．　关键词：氧化硅纳米线；气一液一固生长模式；　中图分类号：＿ｒＮ　３０５．３；＿ｒＮ　３０４．　文献标识码：Ａ　

Ｏ　引　言　

近年来，准一维纳米材料由于其独特的物理、化学性质，以及在纳米电子学和光　

电子学器件中巨大潜在的应用前景，引起了人们对其合成和性能研究的极大兴趣．到　

目前为止，许多金属氧化物和半导体材料的纳米管、纳米线、纳米棒已经制备出来，　

如（：纳米管…，ｓｉ纳米线　，ＳｎＯ２纳米线　，Ｉｎ２Ｏ３纳米线　，ＳｉＯ２纳米线１８－＇￣１等．非　

晶ＳｉＯ　纳米线作为一种极有前途的荧光材料，在纳米光电子学等领域有重大潜在的应　

用价值，因而得到广泛的研究．已经有报道用激光融蚀法…”、热蒸发法０…等制备出了　

ＳｉＯ　纳米线，并对非晶Ｓｉ（）：纳米线的光致荧光（ＰＩＪ）谱做了大量研究…　Ｉ．本文报道利　

用活性炭作还原剂还原二氧化锡粉末，以ｓｎ作为催化剂在硅片上生长ＳｉＯ　纳米线的　

方法，并研究在不同制备温度以及不同温度梯度下，纳米线形貌和直径的变化，同时　

还对ＳｉＯ　纳米线的生长机理进行了初步探讨．　

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金属纳米线阵列制备与表征综合实验

作者：刘昊

来源：《科学与信息化》2020年第15期

摘 要 金属纳米线阵列可控制备是实现其在纳米器件中应用的基础。本文结合多孔阳极氧化铝模板和电沉积技术制备了多种金属纳米线阵列，采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪、X射线衍射仪对金属纳米线阵列的形貌、成分和物相进行表征。结果表明，该方法制备的金属纳米线阵列具有排列整齐、纯度高、尺寸均匀、长度可控等优点。

关键词 多孔阳极氧化铝;电沉积;金属;纳米线阵列

纳米结构材料是材料科学领域研究的热点。其中，纳米线、纳米棒等一维金属纳米材料在传感器、催化、能源等纳米器件中可发挥重要作用[1]，而实现一维金属纳米结构的可控制备是其应用的基础和前提。多孔阳极氧化铝（AAO）具有纳米级别、平行的圆柱形孔洞，可通过在金属铝表面发生阳极氧化反应得到[2]。AAO的孔径、孔距等结构参数可以通过调节制备工艺实现有效调控[3]。因此，AAO常被用作模板合成纳米线、纳米管等一维纳米结构材料[4]。

本实验结合AAO模板和电沉积技术制备了多种金属的纳米线阵列，并进行了详细的表征。该实验一方面可以增强学生的实验动手能力，另一方面还实现了与科学研究的前沿的结合，可用作材料、化学相关本科专业的综合实验。

1 实验材料与仪器

硫酸铜、硫酸铵、二亚乙基三胺（DETA）、氢氧化钠（均为分析纯，北京化学试剂有限公司）、AAO（Anodisc 13，Whatman）、镍片（厚0.5 mm，99%纯度，Goodfellow）、铜箔（厚0.5 mm，99%，Goodfellow）、滤纸（平均孔径20μm，等级40，Whatman）、电化学工作站（CHI 660C，上海辰华）、分析天平（AUW220，岛津仪器）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）板等。

2 实验流程 龙源期刊网

亿学与生物Ｚ程２０１７，ＶｏＩ．３４　Ｎｏ．０７　ＷＷＷ．ｈｘｙｓｗｇｃ．ｃｏｍ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ＆Ｂｉｏｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　

ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７２—５４２５．２０１７．０７．００７　刘裕茔，曹峰，胡超，等．银纳米线的溶剂热法制备及表征［Ｊ］．化学与生物工程，２０１７，３４（７）：３５—３７，４２．　

银纳米线的溶剂热法制备及表征　

刘裕垫。曹峰。胡超，秦天柱，赵博为，何桂美。王娟　

（湖北大学化学化工学院，湖北武汉４３００６２）　

摘　要：以硝酸银为银源、聚乙烯吡咯烷酮（Ｋ一３０）为模板剂和包覆剂、葡萄糖为还原剂、乙二醇为溶剂，采用溶剂热　法成功制备出银纳米线。采用Ｘ一射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、紫外可见吸收光谱（ＵＶ—Ｖｉｓ）、热重（ＴＧ）等　手段对银纳米线进行了表征。结果表明，在反应温度为１６０℃、反应时间为４　ｈ、聚乙烯吡略烷酮（Ｋ一３０）与硝酸银物质的　量比为５的务件下，制备出直径１００～ｌ５Ｏ　ｎｍ、长度１０～２０　ｍ的银纳米线。ＸＲＤ物相分析表明，产物为结晶度较高、具　有面心立方结构的纯银纳米线。　关键词：银纳米线；溶剂热法；聚乙烯吡咯烷酮　中图分类号：ＴＱ１３１．２２　文献标识码：Ａ　文章编号：１６７２－５４２５（２０１７）０７－００３５—０３　困　

Ｓｏｌｖｏｔｈｅｒｍａｌ　Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉＯｎ　ｏｆ　Ｓｉｌｖｅｒ　Ｎａｎｏｗｉｒｅｓ　

ＬＩＵ　Ｙｕ。ｋｕｎ，ＣＡＯ　Ｆｅｎｇ，ＨＵ　Ｃｈａｏ，ＱＩＮ　Ｔｉａｎ。ｚｈｕ，ＺＨＡＯ　Ｂｏ。ｗｅｉ，ＨＥ　Ｇｕｉ。ｍｅｉ，ＷＡＮＧ　Ｊｕａｎ　（Ｃｏｌｌｅｇｅ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ａｎｄ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ，Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈｕｂｅｉ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｗｕｈａｎ　４３００６２，Ｃｈｉｎａ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｕｓｉｎｇ　ｓｉｌｖｅｒ　ｎｉｔｒａｔｅ　ａｓ　ａ　ｓｉｌｖｅｒ　ｓｏｕｒｃｅ，ｐｏｌｙ—ｖｉｎｙｌｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ（Ｋ一３０）ａｓ　ａ　ｔｅｍｐｌａｔｅ　ａｎｄ　ａ　ｃｏｖｅｒｅｄ　ａ—