《东南大学电子技术基础2007-2012年考研真题及答案解析》

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

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一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。

A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。

A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。

A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。

A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。

一、单项选择题。

（共9小题，每题2分，共18分）1．在不同组态的场效应管放大电路中，具有输入电阻大，带负载能力强的组态为（ ）。

A. 共源组态B. 共漏组态C. 共栅组态2．差动放大电路由双端输出改为单端输出，共模抑制比减少的原因是（ ）。

CMR K A. vd A 不变，vc A 增大 B. vd A 减少，vc A 不变 C. vd A 减少，vc A 增大 D. vd A 增大，vc A 减少3．甲乙类互补对称功率放大电路与乙类互补对称功率放大电路相比，优点是( ) 。

A. 输出功率大B. 效率高C. 交越失真小 4．整流的目的是（ ）。

A. 将交流变为直流B. 将高频变为低频C. 将正弦波变为方波 5．正弦波振荡器的振荡频率由（ ）而定。

A ．基本放大器B ．反馈网络C ．选频网络6．为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（ ）。

A ．共射放大电路 B. 共集放大电路 C ．共基放大电路7．对于放大电路，所谓开环是指（ ）。

A ．无信号源B ．无反馈通路C ．无电源D ．无负载 8．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。

A ．输入电阻增大 B ．输出量增大 C ．净输入量增大 D ．净输入量减小 9．在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（ ）。

A ．1WB ．0.5WC ．0.2WD ．0.1W 二、填空题（每空2分，共16分）1．若将D 触发器换成T 触发器，则应取__________________。

2．由与非门构成的基本RS 触发器，其约束条件为________________。

3．构造一个模6同步计数器需要__________个状态，需要_________个触发器。

4．数字逻辑电路可分为_______________和________________两大类。

5．一个4位二进制减法计数器，若其起始值为1001，则经过12个时钟脉冲作用之 后，其值为______________。

上海海事大学命题及答题纸一、选择题（每题2分）1、NPN三极管电路的E、B、C电压分别为0.4V、1.1V、9V,该管子状态是。

A、损坏B、饱和C、放大D截止2、温度上升以下参数下降的是。

A、三极管的βB、三极管的eb结电压C、二极管的漏电流D、三极管的I ceo3、要求放大器输入电阻大、输出电压稳定，应引入反馈。

A、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈D、电流并联负反馈4、放大器输入正弦波后输出产生的失真不可能是。

A、饱和失真B、截止失真C、线性失真D、非线性失真5、下列功率放大器中的电源利用率最高。

A、BTLB、OCLC、OTLD、乙类功放6、逻辑函数表达式F=A+AC+A C B中有个最小项A、3B、4C、5D、67、三态门电路的所特有的态是。

A、1态B、0态C、高阻态D、暂态8、输出状态为000-111-110-101-……-000的时序电路是器。

A、左移寄存B、右移寄存C、加法记数D、减法记数9、输入8位二进制代码、可产生个确切编码。

A、128B、256C、512D、102410、A/D转换中精度最高的是型。

A、双积分B、直接比较C、逐次比较D、电阻倒T二、问答题（共15分，每题5分）1、说明双极型三极管和绝缘栅场效应管的主要2个区别。

2、画出OC门和三态门的电路符号，指出它们主要功能。

3、基本触发器、同步触发器和边沿触发器各有何不同。

三、计算分析题1、计算图示电路的静态工作点和动态参数(r b b’=300Ω)。

（15）I b=I c=V ce=β=100 r be=A v=R i=R o=2、求图示电路的所有电阻均为10k Ω，写出输入输出表达式iou u 。

（10）3、化简逻辑函数表达式（每题5分，共10分） ⑴F=D C B A D AC D C B D C A +++⊕)(⑵F=)())((DE C B A E D C B A ++++++●●●4、试分析一位数据大小比较器的真值表，写出各输出表达式，用与非门电路组成该电路。

电子技术基础试题(八)一、填空题(每题3分，共30分)1、PN结具有单向导电特性性能。

2、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而_增大_。

3、射极输出器放在中间级是兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。

4、只有当负载电阻R L和信号源的内阻r s 相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。

5、运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。

6、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放，乙类功放和甲乙类功放电路。

7、甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流I BQ，以减少交越失真。

8、带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和_调整元件_四个部分组成。

9、逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、_逻辑加和_逻辑非_。

10、主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。

二、选择题(每题3分，共30分)1．晶体管二极管的正极的电位是－10V，负极电位是－5V，则该晶体二极管处于：( C)。

A.零偏B.反偏C.正偏2．若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管：( A)。

A.集电极电流减小B.集电极与发射极电压V CE上升C.集电极电流增大3．某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数：( B )。

A.3A VB.A3VC.A V3/3D.A V4．正弦波振荡器中正反馈网络的作用是：( A)。

A.保证电路满足振幅平衡条件B.提高放大器的放大倍数，使输出信号足够大C.使某一频率的信号在放大器工作时满足相位平衡条件而产生自激振荡5．甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是：( C)。

A.有交越失真B.易产生自激C.效率低6．有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：( B)。

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一、单项选择题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。

A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特征是（）。

A. 放大特征B.恒温特征C.单导游电特征D.恒流特征3.在 N 型半导体中（）。

A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。

A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的沟通电流放大系数为（）。

A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。

A. 正导游通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。

A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多半载流子的浓度主要取决于（）。

A.温度B.混杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺点9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。

A. 饱和B.截止C.放大D.击穿10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。

A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。

A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。

目录Ⅰ历年真题试卷 (2)东南大学2010年招收硕士学位研究生入学考试试卷 (2)东南大学2011年招收硕士学位研究生入学考试试卷 (8)东南大学2012年招收硕士学位研究生入学考试试卷 (13)Ⅱ历年真题试卷答案解析 (19)东南大学2010年招收硕士学位研究生入学考试试卷答案解析 (19)东南大学2011年招收硕士学位研究生入学考试试卷答案解析 (33)东南大学2012年招收硕士学位研究生入学考试试卷答案解析 (45)Ⅰ历年真题试卷东南大学2010年招收硕士学位研究生入学考试试卷请考生注意：试题解答务请考生做在专用“答题纸”上！做在其他答题纸上或试卷上的解答将被视为无效答题，不予评分。

科目代码：954科目名称：电路（电路工程）一、填空题（每题6分，共60分）1.如图所示，已知)60100cos(2220)(1︒+=t t u (V)，L 1=L 2=0.4H ，M=0.1H ，当)()(21t u t u =时，求C=F 。

图12.图示稳态电路中，U=10V ，I=50A ，P=400W ，P 1=300W ，Q 2=100Var ，电路呈容性，试求I 1=A ，I 2=A 。

图23.图示电路中，a 图中的网络N 的伏安特性曲线如图b 所示，试给出网络N 的诺顿等值电路表达式。

图34.图示电路中，R1=1Ω，R3=3Ω，U S1=1V，I S2=2A，R2可变。

若要使R2改变时，各支路电流不变，试求U S3=V。

图45.图示电路中，L1=1H，L2=2H，M=0.5H，i S为周期函数其波形如图b所示，则电压表的读数为V。

图a图b图56.图示电路中，运放为理想运放，求u0=V。

图67.N 0为无源线性定常系统，已知当)(2t u S ε=V 时，响应)2(2t e i --=A ，t≥0；当)(3t u S ε=V 时，响应)23(2t e i --=A ，t≥0；试求u S 为图b 所示波形时的响应i =A 。

三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。

A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。

2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。

A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。

3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。

A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。

4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。

A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。

5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。

A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。

6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。

A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。

7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。

A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。

8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。

A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。

9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。

A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。

10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。

三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。

A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。

2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。

A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。

3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。

A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。