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CMOS反相器特点
CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。
通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。
这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管晶体管的供应商中的一个总是截止的。
处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻电阻的供应商相对较低。
CMOS反相器特点
(1)静态功耗极低。
在稳定时，CMOS反相器工作在工作区Ⅰ和工作区Ⅴ，总有一个MOS管处于截止状态，流过的电流为极小的漏电流。
(2)抗干扰能力较强。
由于其阈值电平近似为0.5VDD，输入信号变化时，过渡变化陡峭，所以低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等，且随电源电压升高，抗干扰能力增强。
(3)电源利用率高。
VOH=VDD，同时由于阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD有较宽的变化范围，一般为+3～+18V。
(4)输入阻抗高，带负载能力强。
1。
CMOS反相器的概述CMOS反相器是一种非常常用的逻辑门，可以进行数字信号的反相操作。
CMOS反相器由CMOS技术制造而成，具有低功耗、高可靠性和低噪声的特点。
在数字电路中，CMOS反相器被广泛应用于时序电路、计数器、存储器等模块。
CMOS反相器的基本结构包括一个N型MOS管和一个P型MOS管，N型管和P型管的栅极通过逻辑信号控制，当输入信号为高电平时，N型管导通，P型管截断；当输入信号为低电平时，N型管截断，P型管导通。
这样，输出信号就与输入信号相反，实现了信号的反相操作。
CMOS反相器的输入和输出特性非常重要。
在CMOS反相器中，输入和输出电平可以区分为三个状态：高电平、低电平和开路状态。
当输入电平为高电平时，即逻辑1时，N型管导通，输出电平为低电平，即逻辑0；当输入电平为低电平时，即逻辑0时，P型管导通，输出电平为高电平，即逻辑1；当输入电平为开路状态时，即逻辑Z，输出电平保持上一个状态。
CMOS反相器的优点在于其低功耗和高可靠性。
由于CMOS技术将N型和P型管结合在一起，只有当输入信号改变时才会有电流流动。
在不改变输入信号时，CMOS反相器几乎不消耗功耗。
此外，由于N型和P型管分别负责导通和截断，CMOS反相器对噪声和电压干扰的抵抗能力较强，能够提供稳定的输出信号。
另外，CMOS反相器还具有较高的噪声容限和抗串扰能力。
在数字电路中，信号的传输会产生一定的噪声和串扰，这会导致信号的失真和误差。
CMOS反相器在设计上减小了管子之间的互感和电路之间的耦合，使其能够在抗噪声和抗串扰方面有较好的性能。
这使得CMOS反相器能够适应较严苛的工作环境，提供可靠的信号处理能力。
尽管CMOS反相器具有许多优点，但它也存在一些问题。
首先，由于CMOS反相器采用两个互补型MOS管连接而成，因此在制造过程中需要精心控制各项参数，如电流、阈值电压等，这使得制造过程复杂，成本较高。
此外，CMOS反相器在频率较高的应用中，存在一定的延迟和功耗问题，因此在高速和高频率应用中需要进行相应的优化和补偿。
CMOS反相器由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。
由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。
下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。
为了电路能正常工作，要求电源电压V DD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即V DD＞(V TN＋|V TP|) 。
1.工作原理首先考虑两种极限情况：当v I处于逻辑0时，相应的电压近似为0V；而当v I处于逻辑1时，相应的电压近似为V DD。
假设在两种情况下N沟道管T N为工作管P沟道管T P为负载管。
但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。
下图分析了当v I=V DD时的工作情况。
在TN的输出特性i D—v DS（v GSN ＝V DD）(注意v DSN=v O)上，叠加一条负载线，它是负载管T P在v SGP=0V 时的输出特性i D－v SD。
由于v SGP＜V T（V TN=|V TP|=V T），负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。
两条曲线的交点即工作点。
显然，这时的输出电压v OL≈0V（典型值＜10mV ，而通过两管的电流接近于零。
这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）下图分析了另一种极限情况，此时对应于v I＝0V。
此时工作管T N在v GSN ＝0的情况下运用，其输出特性i D－v DS几乎与横轴重合，负载曲线是负载管T P在v sGP＝V DD时的输出特性i D－v DS。
由图可知，工作点决定了V O＝V OH≈V DD；通过两器件的电流接近零值。
可见上述两种极限情况下的功耗都很低。
由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+V DD，而功耗几乎为零。
2.传输特性下图为CMOS反相器的传输特性图。
图中V DD=10V，V TN=|V TP|=V T= 2V。
图1 CMOS反相器
（a）结构示意图（b）电路图
]
,[)(DD SS I P th GS V V V V ∈+
当V I =V IL =0时
当V I =V IH =V DD 时
⎪⎩⎪⎨⎧<=>=N
th GS GS GS P th GS DD GS V v v V V v )(21)(10)(为负且⎪⎩⎪⎨⎧>=<=N
th GS DD GS P
th GS GS V V v V v )(2)(10输出V=V OH ≈V DD
输出V=V OL ≈0
Vo
静态功耗低
噪声容限高
工作速度快
在CMOS 反相器中，无论电路处于何种状态，T N 、T P 中总有一管截止，所以其静态功耗极低，有微功耗电路之称。
CMOS 反相器的阈值电压U TH =V DD /2,即两管状态在v I =V DD /2处转换，因此其噪声容限接近50%。
CMOS 反相器工作时总有一管导通，且导通电阻较小，为低阻回路,所以带容性负载时，充放电速度很快，CMOS 反相器的t pd ≈10ns 。
