低频电子线路复习
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低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示,该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示,可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中,当电源V=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ,则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中,不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时,三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中,设二极管的正向压降可以忽略不计,反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化,这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中,不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;C 场效应管工作时多子、少子均参与导电;D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
低频电子线路知识总结第一章晶体二极管半导体本征半导体杂质半导体P型半导体:掺入三价元素,受主杂质N型半导体:掺入五价元素,施主杂质半导体的导电机理漂移:电场作用下的漂移电流扩散:分布浓度引起的扩散电流PN结PN结的伏安特性PN结的击穿特性PN结的电容特性二极管模型理想模型大信号模型小信号模型简化模型二极管电路的分析二极管是导通截止的判断二极管电路分析稳压二极管――二极管击穿特性的应用伏安特性击穿齐纳击穿雪崩击穿击穿与截止的判断稳压管电路的分析*二极管,稳压管电路波形分析方法。
第二章晶体三极管电流传输方程共基极:I C=αI E+ I CBO共发射极:I C=βI B+ I CEO共集电极:I E=(1+β)I B+ I CEOI C=βI BI E=(1+β)I B发射极到集电极电流的电流传输系数α=I c/I e基极到集电极电流的电流放大系数β= I c/I b发射极电流为0时的集电极漏电流I CBO基极电流为0时的集电极漏电流I CEO=((1+β))I CBO三极管的一般模型指数模型:直流模型及简化模型三极管的工作状态(模式)及判别三极管的伏安特性曲线输入特性曲线输出特性曲线四个工作区截止,放大,饱和,击穿三极管的小信号等效电路模型混合π型电路模型――小信号电路计算的基础r be=(1+β)r e=(1+β)I EQ/V Tg m=α/ r er ce=|V A|/I CQ三极管直流电路分析――直流工作点,三极管的工作区(模式,状态)图解法,近似计算法第三章场效应管原理不同分为:JFET,MOSFETMOSFET可分成EMOS 和DMOS每一类型均可分为N沟道和P沟道NEMOS,NDMOS,PEMOS,PDMOS,NJFET,PJFET的伏安特性与转移特性输出特性曲线四个工作区截止,饱和,非饱和,击穿MOS管的一般模型(I D=)JFET管的一般模型()小信号等效模型g m=场效应管直流电路分析――直流工作点,场效应管的工作区(模式,状态)图解法,近似计算法第四章基本放大器偏置电路与静态工作点――三极管(场效应管)电路的直流分析。
电子线路课程理论考试题(E 卷)参考教材: 《电子线路》 机械工业出版社 林理明一、 单项选择:(从下列四个答案中,选出一个正确的答案填入空格)40分1、低频电子线路最基本的功能是低频放大,它所对应的典型设备是 。
A 、 电视机B 、 收音机C 、 扩音机D 、 手机 答案:C (2)2、晶体二极管具有单向导电的特性,即加正向电压时,二极管 ,加反向电压时,二极管 。
A 、截止、导通 B 、放大、衰减 C 、衰减、放大 D 、导通、截止答案: D (5)3、硅二极管的开启电压约为 V ,锗二极管的开启电压约为 V ;二极管导通后,一般硅二极管的正向饱和压降约为 V ,锗二极管的正向饱和压降约为 V 。
A 、0.5、0.1、0.7、0.3 B 、0.1、0.7、0.3、0.5、 C 、0.5、0.1、0.3、0.7、 D 、0.5、0.7、0.3、0.1答案: A (8)4、某三极管工作在放大区,它的基极电流B I 为40uA 时,对应的集电极电流C I 由2mA ,它的 为 。
A 、40B 、50C 、60D 、100答案: B (5)5、在共发射极电压放大器中,输出电压应为 。
A 、C C o R i v = B 、C C o R i v -= C 、C C o R I v = D 、0=o v答案: B (8)6、电路的静态是指输入交流信号 时的电路状态。
A 、幅值不变 B 、频率不变 C 、幅值为零 D 、频率为零答案: C (2)7、如果不设置静态工作点,可能会出现 的现象 A 、信号失真 B 、信号出现失真放大 C 、信号无放大 D 、信号幅值为零答案: B (5)8、电压放大器的空载是指 。
A 、0=c R B 、0=L R C 、∞=L RD 、∞=c R答案: C (5)9、放大器与负载之间要做到阻抗匹配,应采用 耦合。
A 、阻容 B 、光电 C 、变压器 D 、直接答案: C (5)10、已知某两级放大器,各级电压放大倍数分别为1v A 、2v A ,则总的电压放大倍数是 。