电子科技大学[008]

电子科技大学三方协议盖章电子科技大学三方协议盖章甲方：电子科技大学地址：四川省成都市高新西区西区大道2006号法定代表人：何信满联系电话：************乙方：（公司/个人名称）：（地址）：（法定代表人/负责人）：（联系电话）：丙方：（公司/个人名称）：（地址）：（法定代表人/负责人）：（联系电话）：鉴于：1、甲方是一所在中华人民共和国境内享有独立法人资格的综合高校，有关经营权利和管理权利依法归属于电子科技大学；2、乙方促进国家信息技术与电子商务产业发展，经营相关业务已取得相关行政部门的审批和执照；3、丙方拥有一定人才储备，并有一定的行业影响力和资源；4、甲、乙、丙三方基于公平、透明和互惠互利的原则，达成以下协议：一、本协议的目的1、乙方和丙方在本协议范围内，授权并委任配合甲方开展相关业务，为发展中国信息技术与电子商务产业作贡献；2、乙方和丙方在甲方的指导和支持下，利用各方所拥有的资源和人力，为社会提供优质的服务，提升信息技术和电子商务产业的发展水平；3、本协议的目的是明确各方的权利和义务，共同维护信息技术和电子商务产业的发展，保证协议的履行。

二、协议范围1、甲方应支持乙方和丙方进行技术研发、技术转让、信息服务等一系列相关业务；2、乙方和丙方可以聘用甲方的学生、教师、研究人员参与各类项目，协助实现合作项目的顺利开展；3、乙方和丙方应根据协议要求向甲方报送项目进展报告和项目成果报告等相关信息。

三、合作方式1、甲方负责提供技术支持和创新创业团队支持；2、乙方和丙方负责提供相关项目和人才支持，按期完成相关业务；3、三方应保持沟通，共同建设信息技术和电子商务产业。

四、权利和义务1、甲方的权利和义务：（1）为合作项目提供技术支持和人才支持；（2）参与项目的研究、开发和推广；（3）组织专业成果鉴定和人才培训等。

2、乙方和丙方的权利和义务：（1）按期完成协议要求的各项业务；（2）保证合作项目的质量和效果；（3）保守商业秘密，不得将合作项目的技术或商业机密透露给第三方；（4）如发现可能影响合作项目的情况，应及时与甲方沟通并协商解决。

电子科技大学2014年推免生复试成绩
（更新时间：2013年10月14日17:00）
说明：
1、学校将根据学院上报陆续公布学院复试成绩及意见。

2、考生对复试成绩、学院意见如有异议请向学院研究生科提出，如仍有异议再向研招办提出。

3、拟上报考生经公示、教育部录检合格后才确定为正式录取，录检不合格即取消推免资格，正式录取以录取通知书为准。

4、拟录取推免生仍需按招生简章（直博生见博士招生简章，硕士生见硕士招生简章）要求进行网上报名和现场确认。

5、2014年5月发放调档函及录取通知书，具体事宜另行通知。

为准。

关于AI算力问题的思考胡剑浩;陈杰男【摘要】人工智能技术已经成为国家发展战略.目前人工智能技术对算力需求与集成电路所能提供支持的差距日益加大,人工智能信息处理平台需要在处理速度、复杂度和功耗等方面有数量级的改善,才能满足人工智能技术在军民领域的应用,因而需要寻求新颖的技术路线解决人工智能的算力问题.介绍了一种颠覆性的技术——概率计算方法,该技术采用了一种类脑的非精确的模糊计算模式.相关研究工作表明,在现有工艺条件下该技术能够满足人工智能系统对处理速度、复杂度和功耗的要求,可以支持未来人工智能系统应用的要求.【期刊名称】《移动通信》【年(卷),期】2019(043)008【总页数】7页(P1-7)【关键词】人工智能;计算能力;概率计算【作者】胡剑浩;陈杰男【作者单位】电子科技大学通信抗干扰国家级重点实验室,四川成都 611731;电子科技大学通信抗干扰国家级重点实验室,四川成都 611731【正文语种】中文【中图分类】TN929.51 引言人类世界的信息业务量正在呈爆发式的增长，传统的数字信号处理和统计方式已经难以满足未来的数据和信息处理的需求[1]。

在此背景下，出现了一批以机器学习算法为代表的处理算法和系统，来协助人类处理“大数据”时代下的海量信息与数据[2]。

同时，随着机器算法的不断发展优化，计算机处理能力的突飞猛进，机器学习算法的能力越来越强，完成的功能越来越强大。

最近有关机器学习最出名的案例就是Google的AlphaGo与人类进行的围棋人机大战，AlphaGo完胜了人类顶尖棋手，展现出了机器学习算法和系统的强大分析和处理能力[3-4]。

因此，将机器学习算法应用到目前的数字信号处理系统中，这将是未来重要的一个发展和研究方向[5-6]，有很高的实用价值和战略价值。

而基于机器学习的大数据处理算法和系统需要极高的计算复杂度，因此对后摩尔时代的计算处理器和芯片提出了巨大的挑战。

当前，随着集成电路工艺的发展，芯片的特征尺寸已经接近1 nm的界限[7]。

电子科技大学2011年考研复试分数线公布电子科技大学2011年考研复试分数线公布根据教育部有关文件精神，结合我校实际情况，经校研究生招生领导小组研究决定，我校按照不同考试方式和不同学科分别确定初试成绩基本要求。

各学院根据名额和考试成绩等情况确定本学院初试成绩基本要求（不低于学校基本要求），并以此确定入围复试考生名单。

我校将按照德、智、体全面衡量、择优录取、保证质量、宁缺毋滥的精神和公开、公正、公平的原则进行复试与录取工作。

我校复试工作办法（含调剂）、各学院初试成绩基本要求3月底前将陆续发布在电子科技大学研招网（），校外调剂信息将于4月初发布在全国研招网“全国硕士研究生招生调剂服务系统”，不接收电话、邮件、来人来函等其他方式调剂。

电子科技大学2011年硕士研究生入学考试初试成绩基本要求一、统考学科第一单元(政治理论)第二单元(外国语)第三单元(业务课一)第四单元(业务课二)总分02经济学50 50↑90↑90↑335↑03法学50 50↑90↑90↑335↑04教育学50 50↑180↑32505文学0502外国语言文学50 60↑85↑90↑330↑0503新闻传播学50 50↑90↑90↑350↑07理学50↑50↑80↑80↑300↑08工学0808电气工程 0809电子科学与技术 0810信息与通信工程 0811控制科学与工程50↑50↑80↑80↑310↑其他50↑50↑80↑80↑300↑11军事学50↑50↑80↑80↑30012管理学1201管理科学与工程 1202工商管理50 50↑90↑90↑350↑1204公共管理50 50↑90↑90↑330↑专业学位0552翻译硕士40 50 85 90 300 0553新闻与传播硕士50 50 90 90 330 0852工程硕士50↑45↑80↑80↑285↑1251工商管理硕士45↑90 1601252公共管理硕士40 90155↓1256工程管理硕士50 90 160 分析变化：（箭头表示与2010年该校分数线对比变化↑表示上升↓表示下降）二、单考学科第一单元 (政治理论)第二单元 (外国语)第三单元 (业务课一)第四单元 (业务课二)总分04教育学60↓55↑260↑310↓其他60↓55↑85↓75↓310三、强军计划学科第一单元 (政治理论) 第二单元 (外国语) 第三单元 (业务课一) 第四单元 (业务课二) 总分所有60 40 60 60↓260↓四、少数民族骨干计划按国家初试成绩基本要求执行。

2013年硕士入学考试初试成绩基本要求更新时间：2013/3/9 点击数：399642013年硕士入学考试学院初试成绩基本要求及复试说明更新时间：2013/3/27 点击数：635242012年硕士研究生入学考试初试成绩基本要求更新时间：2012/3/8 点击数：82585根据教育部有关文件精神，结合我校实际情况，经校研究生招生领导小组研究决定，我校按照不同考试方式和不同学科分别确定初试成绩基本要求。

各学院根据名额和报考情况等确定本学院初试成绩基本要求（不低于学校基本要求），并以此确定入围复试考生名单。

我校将按照德、智、体全面衡量、择优录取、保证质量、宁缺毋滥的精神和公开、公正、公平的原则进行复试与录取工作。

我校复试工作办法（含调剂）、各学院初试成绩基本要求3月初将陆续发布在电子科技大学研招网（），各项政策以教育部最终公布文件为准。

校外调剂信息将于4月初发布在全国研招网（）“全国硕士研究生招生调剂服务系统”，不接收电话、邮件、来人来函等其他方式调剂申请。

一、统考二、单考三、强军计划四、少数民族骨干计划按国家初试成绩基本要求执行。

电子科技大学研究生院二〇一二年三月七日2012年硕士研究生入学考试各学院初试成绩基本要求更新时间：2012/3/13 点击数：91657注：校外调剂信息以全国调剂网为准，校内院内调剂信息以/ssfs为准。

2011年硕士研究生入学考试初试成绩基本要求更新时间：2011/3/17 点击数：41502根据教育部有关文件精神，结合我校实际情况，经校研究生招生领导小组研究决定，我校按照不同考试方式和不同学科分别确定初试成绩基本要求。

各学院根据名额和考试成绩等情况确定本学院初试成绩基本要求（不低于学校基本要求），并以此确定入围复试考生名单。

我校将按照德、智、体全面衡量、择优录取、保证质量、宁缺毋滥的精神和公开、公正、公平的原则进行复试与录取工作。

我校复试工作办法（含调剂）、各学院初试成绩基本要求3月底前将陆续发布在电子科技大学研招网（），校外调剂信息将于4月初发布在全国研招网（）“全国硕士研究生招生调剂服务系统”，不接收电话、邮件、来人来函等其他方式调剂。

不同温度下GeTe相变材料的电性能研究张苗苗;曲胜;王艳艳;魏猛;张继华【摘要】Ge-Te系化合物因其具有非常高的电阻比、快响应速度和较高的相变温度而在高性能微波开关方面有重要的应用潜力.本文研究了在室温下磁控溅射法制备的GeTe薄膜电性能随温度的变化规律.研究表明,当薄膜温度从室温升高到170℃,薄膜保持非晶态,电阻率从24Ω·m逐渐下降到0.72Ω·m,空穴的迁移率保持在10-1 m2/(V·s)左右,交流阻抗谱表明GeTe更多的表现为电容特性并且能稳定的保持在高阻态.当温度升高到210℃后,薄膜晶化,载流子浓度和迁移率迅速增加,GeTe显示出电阻特性,其电阻率骤降到3.8×10-6Ω·m(电阻率变化达6个数量级).分析了GeTe薄膜在不同温度电性能发生变化的原因,相变前电阻率随温度缓慢下降主要归因于载流子浓度增加;而相变后迁移率的大幅上升是GeTe电阻率显著下降的主要原因.【期刊名称】《电子元件与材料》【年(卷),期】2018(037)008【总页数】5页(P21-25)【关键词】GeTe薄膜;相变材料;微波开关;电阻;载流子浓度;迁移率【作者】张苗苗;曲胜;王艳艳;魏猛;张继华【作者单位】电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 核心电子材料与器件协同创新中心, 四川成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 核心电子材料与器件协同创新中心, 四川成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 核心电子材料与器件协同创新中心, 四川成都610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 核心电子材料与器件协同创新中心, 四川成都 610054;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 核心电子材料与器件协同创新中心, 四川成都 610054【正文语种】中文【中图分类】TB213相变材料 (PCM),包括Ge-Te,Ge-Sb-Te,Sb-Se和In-Sb等硫系化合物,在电脉冲和激光束的激发下,具有在晶态 (低电阻率)和非晶态 (高电阻率)发生可逆转变的独特性质[1-3]。