模拟电子技术基础习题题库PPT课件

多子浓度高
多子浓度很 低，且很薄
面积大
晶体管有三个极、三个区、两个PN结。
华成英 hchya@
二、晶体管的放大原理
（发射结正偏） uBE U on 放大的条件 （集电结反偏） uCB 0，即 uCE uBE
少数载流 子的运动 因集电区面积大，在外电场作用下大 部分扩散到基区的电子漂移到集电区 因基区薄且多子浓度低，使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 基区空穴 的扩散
华成英 hchya@
§1.3
晶体三极管
一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响
五、主要参数
华成英 hchya@
一、晶体管的结构和符号
为什么有孔？
小功率管
中功率管
大功率管
华成英 hchya@
2、本征半导体的结构
共价键
由于热运动，具有足够能量 的价电子挣脱共价键的束缚 而成为自由电子 自由电子的产生使共价键中 留有一个空位置，称为空穴 自由电子与空穴相碰同时消失，称为复合。 动态平衡 一定温度下，自由电子与空穴对的浓度一定；温度升高， 热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对 的浓度加大。
指数曲线
若正向电压 UT，则i ISe u
u UT
若反向电压u UT，则i IS
2. 伏安特性受温度影响
反向特性为横轴的平行线
T（℃）↑→在电流不变情况下管压降u↓ →反向饱和电流IS↑，U(BR) ↓ 增大1倍/10℃
T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移
华成英 hchya@
华成英 hchya@

3. 通频带 4. 定量计算
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❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖二、设置静态工作点的必要性
为什么放大的对 象是动态信号，却 要晶体管在信号为 零时有合适的直流
动态信号 驮载在静 态之上
电流和极间电压？ 设置合适的静态工
与iC变化 方向相反
作点，首先要解决 失真问题，但Q点几 乎影响着所有的动 态参数！
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❖复习与考试
模拟电子技术基础
❖三、怎样复习
❖ 重点是基础知识：基本概念、电路、方法 ❖ 识别电路是正确分析电路的基础 ❖ 特别注意基础知识的综合应用，融会贯通。
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❖第1 章 常用半导体器件（复习）
模拟电子技术基础
问题
❖ 为什么要把半导体材料变成本征半导体？ 再掺杂？如何控制杂质半导体导电性能？
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❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
u放大的对象：变化量 u放大的本质：能量的控制 u放大的特征：功率放大 u放大的基本要求：不失真——放大的前提
1. 放大倍数：输出量与输入量之比
Au u
Au
Uo Ui
Aii
Ai
Io Ii
2. 输入电阻和输出电阻
A ui
U o Ii
A iu
Io U i
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❖第2章 基本放大电路（复习）
模拟电子技术基础
❖三、三种接法的比较：空载情况下
接法
Au Ai Ri Ro 频带
共射 大
β 中 大 窄
共集 小于1 1＋β
大 小 中
共基 大
α 小 大 宽
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第三章 多级放大电路（复习）
§3.1 多级放大电路的耦合方式 §3.2 多级放大电路的动态分析 §3.3 差分放大电路 §3.4 互补输出级

17. 当静态工作点设置偏高时，会引起___饱和___失真，单 级共射放大电路输出电压波形的____底部__半周产生削波， 需将基极上偏置电阻的值调____大____。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。

I I O(min)
ZM
R≤
U U I(min)
Z
I I O(max)
Z(min)
U I(max) U Z ≤ R≤
U U I(min)
Z
I I O(min)
ZM
I I O(max)
Z(min)
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模拟电子技术基础
1.4.2 变容二极管
1. PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD
模拟电子技术基础
1.4 特种二极管
1.4.1 硅稳压二极管
符号
+ uZ – iZ
iZ
伏安特性
UZ
UZ
A
IZ Q
B
特点
O
uZ a. 正向特性与普通管类似
b. 反向击穿特性很陡
IZ
稳压管通常工作于
反向电击穿状态
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模拟电子技术基础
1. 硅稳压管的主要电参数
iZ
(1) 稳定电压UZ
(2) 动态电阻
2 4 6 8 10 12 uD/V
C－U 特性曲线
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模拟电子技术基础
2. 变容二极管及其应用示例
C1 L
DC
R
+ UD –
+V
高+
频
放
u1
大
器–
谐振频率 f 1
2π LC
式中 C C 1C j
UO↓

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b. RL改变
RI
IO
+
IZ
+
UI
DZ
RL UO
_