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电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5。
电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8。
晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9。
对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的.13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数.15。
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _小于__Ubo 。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT 的开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电⼒电⼦技术期末考试题和答案电⼒电⼦技术试题第1章电⼒电⼦器件1.电⼒电⼦器件⼀般⼯作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电⼒电⼦器件功率损耗主要为__通态损耗__，⽽当器件开关频率较⾼时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电⼦和空⽳两种载流⼦参与导电的情况，电⼒电⼦器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截⽌_。
6.电⼒⼆极管的主要类型有_普通⼆极管_、_快恢复⼆极管_、_肖特基⼆极管_。
7. 肖特基⼆极管的开关损耗_⼩于_快恢复⼆极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本⼯作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截⽌__。
9.对同⼀晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值⼤⼩上有IL__⼤于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值⼤⼩上应为，UDSM_⼤于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_⼆极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同⼀管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断⽽设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截⽌区对应后者的_截⽌区_、前者的饱和区对应后者的__放⼤区__、前者的⾮饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电⼒MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升⾼⽽_略有下降__，开关速度__⼩于__ 电⼒MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电⼒电⼦器件控制端和公共端之间的性质，可将电⼒电⼦器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电路中晶闸管的波形系数：755.1/111==d f I I K 。
b ）平均值：m m d I t td I I 5434.0)(sin 14/2==⎰ππωωπ； 有效值：m m I t d t I I 6741.0)()sin (14/22==⎰ππωωπ；电路中晶闸管的波形系数：241.1/222==d f I I K 。
c ）平均值：4/)(212/03m m d I t d I I ==⎰πωπ； 有效值：2/)(212/023m m I t d I I ==⎰πωπ；电路中晶闸管的波形系数：2/333==d f I I K 。
（2）a ）由题意：A I AV T 100)(=，晶闸管额定时波形系数：57.10=f K ，因此，由10)(f d f AV T K I K I ⨯=⨯得，A K K I I f f AV T d 48.89/10)(=⨯=b ）由题意：A I AV T 100)(=，晶闸管额定时波形系数：57.10=f K ，因此，由20)(f d f AV T K I K I ⨯=⨯得，A K K I I f f AV T d 56.126/20)(=⨯=。
c ）由题意：A I AV T 100)(=，晶闸管额定时波形系数：57.10=f K ，因此，由30)(fd f AV T K I K I ⨯=⨯得，A K K I I f f AV T d 5.78/30)(=⨯=。
2．单相桥式全控整流电路，V U 1502=，Ω=5R ，L 极大，V E 80=，当20=α时，试求：（1）作出d u 、d i 和2i 的波形。
（2）求出整流输出平均电压d U 、电流d I ，变压器二次侧电流有效值2I 。
（3）考虑安全裕量（电压电流都取2倍裕量），确定晶闸管的额定电流和额定电压。
解：（1）d u 、d i 和2i 的波形如上图： ------（3分）（2）输出平均电压d U 、电流d I ，变压器二次电流有效值2I 分别为：U d ＝0.9 U 2 cos α＝0.9×150×cos20°＝126.9（V ）I d ＝(U d －E )/R ＝(126.9－80)/5＝9.4(A)I 2＝I ＝I d ＝9.4（A ） ------（3分）（3）晶闸管承受的最大反向电压为：1.414 U 2＝1.414×150 V ＝212.1（V ）考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：U N ＝2×212.1V ＝424.2（V ）。
电力电子期末考试试题卷# 电力电子期末考试试题卷## 一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是：A. 电力系统的经济运行B. 电力系统的稳定控制C. 电力设备的设计制造D. 电力变换与控制技术2. 以下哪个不是电力电子装置的基本功能？A. 整流B. 逆变C. 调速D. 发电3. PWM控制技术中的“PWM”代表：A. Pulse Width ModulationB. Power Wave ModulationC. Phase Wave ModulationD. Power Weight Modulation4. 电力电子装置中的开关器件不包括：A. 晶闸管B. IGBTC. MOSFETD. 变压器5. 以下哪个不是电力电子技术的应用领域？A. 电机驱动B. 电源管理C. 风力发电D. 通信技术6. 电力电子装置的效率通常受到哪些因素影响？A. 开关频率B. 开关损耗C. 导通损耗D. 所有以上因素7. 电力电子装置的电磁兼容性问题主要涉及：A. 电磁干扰的产生B. 电磁干扰的传播C. 电磁干扰的抑制D. 所有以上因素8. 以下哪个是电力电子装置的典型应用？A. 家用电器B. 电力传输C. 电力分配D. 电力储存9. 电力电子技术在可再生能源领域的应用不包括：A. 太阳能逆变器B. 风力发电系统C. 水力发电D. 核能发电10. 电力电子装置的热设计主要考虑：A. 散热方式B. 热阻C. 热容D. 所有以上因素## 二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用及其重要性。
2. 解释PWM控制技术在电力电子装置中的作用及其优势。
3. 描述电力电子装置中开关器件的工作原理及其选择标准。
## 三、计算题（每题25分，共50分）1. 假设有一个单相桥式整流电路，输入电压为220V（有效值），负载为纯电阻性，电阻值为100Ω。
请计算：- 整流后的直流电压（有效值）。
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流与擎住电流在数值大小上有大于。
10.晶闸管断态不重复电压与转折电压数值大小上应为，大于。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13的漏极伏安特性中的三个区域与共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的_饱和区。
14.电力的通态电阻具有正温度系数。
15 的开启电压（）随温度升高而_略有下降，开关速度小于电力 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。
18.在如下器件：电力二极管（ ）、晶闸管（）、门极可关断晶闸管（）、电力晶体管（）、电力场效应管（电力）、绝缘栅双极型晶体管（）中，属于不可控器件的是_电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管_，属于全控型器件的是_ 、 、电力 、 _；属于单极型电力电子器件的有_电力 _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、 、 _，属于复合型电力电子器件得有 _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力，属于电压驱动的是电力 、 _，属于电流驱动的是_晶闸管、 、 _。
电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在 __开关 __状态。
2. 在往常状况下，电力电子器件功率消耗主要为__通态消耗 __，而当器件开关频次较高时，功率消耗主要为__开关消耗 __。
3.电力电子器件构成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分构成，因为电路中存在电压和电流的过冲，常常需增添 _保护电路 __。
4. 按内部电子和空穴两种载流子参加导电的状况，电力电子器件可分为_单极型器件 _ 、 _双极型器件 _ 、_复合型器件 _三类。
5. 电力二极管的工作特征可归纳为_蒙受正向电压导通，蒙受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要种类有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关消耗 _小于_快恢复二极管的开关消耗。
8.晶闸管的基本工作特征可归纳为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，保持电流IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于 __IH 。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _（怎样连结）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的 __多元集成 __构造是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. MOSFET的漏极伏安特征中的三个地区与GTR共发射极接法时的输出特征中的三个地区有对应关系，此中前者的截止区对应后者的_截止区 _、前者的饱和区对应后者的__放大区 __、前者的非饱和区对应后者的_饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻拥有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE（ th ）随温度高升而 _略有降落 __，开关速度 __小于 __电力 MOSFET。
16. 依据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型 _和 _电流驱动型 _两类。
