存储器原理及进展

动态存储器工作原理
动态存储器（DRAM）是计算机系统中常用的一种主存储器类型，其工作原理如下：
存储单元结构：
DRAM由许多存储单元组成，每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。

电容器用于存储数据位，晶体管用于控制读取和写入操作。

电荷存储：
当电容器充电时，表示存储的是数据位1；电容器放电时，表示存储的是数据位0。

因此，电容器的充电状态表示了存储的数据。

数据读取：
当需要读取数据时，晶体管被打开，电荷从电容器流入读取线，通过放大和解码的过程，将电荷转换为电压信号，以供其他部件使用。

数据刷新：
由于电容器会逐渐失去电荷，需要定期刷新以保持数据的稳定性。

这是动态RAM（DRAM）与静态RAM（SRAM）的主要区别之一。

在刷新周期中，内存控制器会周期性地读取和重新写入所有存储单元，以更新其中的数据。

行选通和列选通：
DRAM中的存储单元被组织成行和列的结构。

在读取或写入特定单元时，首先需要选通相应的行和列。

行选通时，将特定行的数据放大并传递到输出线路上；列选通时，将输出线路上的数据发送给请求的设备。

预充电：
由于电容器的读取会导致电荷损失，需要在读取之前对其进行预充电操作，以确保准确读取数据。

总体而言，DRAM的工作原理是基于电容器的充放电来存储数据，通过晶体管控制数据的读取和写入操作，并通过周期性的刷新来维持数据的稳定性。

flash存储阵列结构及存储原理Flash存储阵列结构及存储原理一、引言随着信息技术的快速发展，存储设备变得越来越重要。

在各种存储设备中，Flash存储器由于其高速、低功耗、可靠性高等特点而备受青睐。

本文将介绍Flash存储阵列的结构和存储原理。

二、Flash存储阵列的结构Flash存储阵列是由多个Flash存储芯片组成的，它们通过控制器相互连接。

一个Flash存储芯片通常由多个存储单元组成，每个存储单元都可以存储一个比特的数据。

为了提高存储密度，每个存储单元通常还可以存储多个比特的数据。

Flash存储阵列通常采用多级存储结构，将多个存储单元组成一个块，多个块组成一个页，多个页组成一个主存储区。

每个存储单元都有一个唯一的地址，可以通过地址来访问和操作其中的数据。

三、Flash存储原理1. 存储过程Flash存储器使用非易失性存储技术，它可以在断电后保持存储的数据不丢失。

在写入数据时，Flash存储器需要先擦除一个块，然后再将数据写入。

擦除是一个相对较慢的过程，一般需要几毫秒甚至更长的时间。

因此，Flash存储器的写入速度相对较慢。

而读取数据时，Flash存储器可以直接访问存储单元，速度较快。

2. 坏块管理随着Flash存储芯片使用时间的增加，由于擦除和写入操作的限制，存储单元可能会出现坏块。

坏块是指由于某些原因，存储单元无法正常擦除或写入数据的情况。

为了保证数据的可靠性和存储效率，Flash存储阵列需要进行坏块管理。

坏块管理通常通过在控制器中维护一个坏块表来实现，将出现坏块的存储单元标记为不可用，从而避免对坏块进行读写操作。

3. 数据安全性由于Flash存储器的特殊性，当出现断电或异常情况时，存储单元中的数据可能会丢失或损坏。

为了保证数据的安全性，Flash存储阵列通常采用错误检测和纠正编码技术。

这些技术可以检测和纠正存储单元中的错误，从而提高数据的可靠性。

4. 读写算法Flash存储器采用的读写算法对于性能和寿命有着重要影响。

存储器的层次结构及组成原理一、引言存储器是计算机中非常重要的组成部分，它用于存储和读取数据。

随着计算机技术的发展，存储器也在不断地升级和改进。

存储器的层次结构是指不同类型的存储器按照速度、容量和成本等方面的差异被组织成一种层次结构。

本文将介绍存储器的层次结构及其组成原理。

二、存储器的层次结构1. 存储器分类根据存取速度不同，可将存储器分为主存（RAM）、高速缓存（Cache）、二级缓存、三级缓存等多级缓存以及辅助存储器（ROM、磁盘等）。

2. 层次结构主要分为三个层次：CPU内部高速缓冲寄存器（L1 Cache）、CPU外部高速缓冲寄存器（L2 Cache）和主内存（RAM）。

3. 层次结构优点层次结构能够充分利用各种类型的硬件设备，使得计算机系统能够更加高效地运行。

在执行指令时，CPU首先从最快的L1 Cache中查找数据，如果没有找到，则会查找L2 Cache，最后才会查找主内存。

这样的层次结构设计可以大大提高CPU访问数据的速度，减少CPU等待的时间。

三、存储器的组成原理1. 静态随机存取存储器（SRAM）SRAM是一种使用静电场来存储数据的存储器。

它由多个存储单元组成，每个单元由一个触发器和两个传输门组成。

SRAM的读写速度非常快，但是它比较昂贵，并且需要更多的电源。

2. 动态随机访问存储器（DRAM）DRAM是一种使用电容来存储数据的存储器。

它由多个存储单元组成，每个单元由一个电容和一个开关组成。

DRAM比SRAM更便宜，但是读写速度相对较慢。

3. 双倍数据率SDRAM（DDR SDRAM）DDR SDRAM是一种高速内存技术，可以在每个时钟周期传输两次数据。

这使得DDR SDRAM比普通SDRAM更快。

4. 图形双倍数据率SDRAM（GDDR SDRAM）GDDR SDRAM是一种专门为图形处理器设计的高速内存技术。

它具有更高的频率和带宽，适用于处理大量图像和视频数据。

5. 闪存闪存是一种非易失性存储器，可以在断电时保存数据。

薄膜存储器设计原理及应用薄膜存储器是一种使用薄膜作为储存介质的存储器，它具有体积小、速度快、功耗低等优点，适用于各种计算机和电子设备中。

本文将从薄膜存储器的设计原理以及应用方面进行介绍。

薄膜存储器的设计原理主要包括储存单元的结构设计、存储介质的选择和读写操作原理。

首先是储存单元的结构设计。

薄膜存储器通常采用二维阵列的方式组织储存单元，每个储存单元由一个薄膜电容器和一个晶体管组成。

薄膜电容器是储存信息的基本单元，其内部由两层金属电极和一个绝缘层构成。

晶体管则用于控制电容器的读写操作，通过控制晶体管的导通与否，可以实现对电容器的充放电。

其次是存储介质的选择。

常见的存储介质包括氧化铝薄膜、硅酸盐薄膜等。

这些材料具有高密度、长寿命、低功耗等特点，可以满足薄膜存储器对于存储介质的要求。

同时，存储介质的选择还需要考虑其与电容器的充放电性质的匹配，以确保薄膜存储器的稳定性和可靠性。

最后是读写操作原理。

对于薄膜存储器的读操作，首先需要将要读取的储存单元的地址选通，使其与读操作线路相连。

然后，通过控制电压的方式，判断电容器的电荷状态，并将其转化为相应的电信号。

对于薄膜存储器的写操作，也需要将要写入的储存单元的地址选通，并根据要写入的数据信息，控制晶体管的导通与否，对电容器进行充电或放电。

薄膜存储器具有广泛的应用领域。

首先是在计算机内存方面，薄膜存储器可以作为主存或者高速缓存来使用。

其快速的读写速度和低功耗特性，使得它成为了现代计算机系统中重要的存储组件。

其次是在电子产品中的应用。

例如，智能手机、平板电脑和移动设备等，在限制尺寸和功耗的条件下，需要高性能的存储器来满足用户对速度和体验的需求。

薄膜存储器具有较小的体积和低功耗的特点，能够满足这些产品对存储器的要求。

此外，薄膜存储器还广泛应用于嵌入式系统和物联网设备中。

这些设备通常在资源受限的环境下工作，因此需要小型化和低功耗的存储器。

薄膜存储器不仅可以满足这些需求，还具有较高的可靠性和稳定性，能够适应各种恶劣的工作环境。

单片机存储的原理及应用1. 介绍单片机（Microcontroller Unit，简称MCU）是一种集成了微处理器、内存、输入输出设备和时钟等功能于一体的集成电路芯片。

在单片机中，存储器是其核心组成部分之一，它用于存储程序代码、数据和临时结果。

本文将介绍单片机存储的原理及应用。

2. 单片机存储的原理在单片机中，存储器主要分为两种类型：程序存储器和数据存储器。

2.1 程序存储器程序存储器，也称为只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM），用于存储程序代码。

ROM中存储的程序代码是在制造过程中被固化在芯片中的，无法被修改。

常见的ROM类型包括：•ROM：只读存储器，程序代码在制造过程中被固化，无法修改。

•PROM：可编程只读存储器，程序代码在制造过程后，使用特殊设备进行编程，一次性写入。

•EPROM：可擦写可编程只读存储器，通过紫外线照射来擦除存储的数据，然后使用特殊设备进行编程。

•EEPROM：可擦写可编程电可修改只读存储器，擦写和编程可以通过电气方式进行。

2.2 数据存储器数据存储器用于存储程序中使用的变量、常量和临时结果等数据。

数据存储器通常包括随机存储器（Random-Access Memory，简称RAM）和非易失性存储器（Non-Volatile Memory，简称NVM）两种类型。

•RAM：随机存储器，数据可以随机读写，但是断电后会丢失。

RAM 分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种类型。

•NVM：非易失性存储器，数据断电后不会丢失。

NVM包括闪存（Flash）、磁盘等多种形式。

3. 单片机存储的应用单片机存储器在各个领域都有广泛的应用，下面列举了一些常见的应用场景：3.1 嵌入式系统单片机广泛应用于嵌入式系统中。

嵌入式系统通常需要处理实时任务，如控制器、仪表盘、自动化设备等。

单片机通过程序存储器存储系统的控制程序，通过数据存储器存储实时数据，实现系统的功能。

初：未知 当前：2016-7-3 主笔：Angel 联系方式：QQ ：1219818801 版本：1实 验 报 告课程名称： 计算机组成原理 实验项目： 存储器的原理及应用姓 名： 刘斌专 业： 计算机科学与技术 班 级： 计算机14-6班 学 号：1404010612计算机科学与技术学院实验教学中心2016 年 6 月 20日初：未知当前：2016-7-3 主笔：Angel 联系方式：QQ：1219818801 版本：1实验项目名称：存储器的原理及应用一、实验目的1．了解程序存储器EM 的工作原理及控制方法2．了解存储器读写方法。

二、实验内容利用 COP2000 实验仪上的 K16..K23 开关做为 DBUS 的数据，其它开关做为控制信号，实现程序存储器EM 的读写操作。

三、实验用设备仪器及材料计算机、伟福 COP2000系列计算机组成原理实验系统四、实验原理及接线内存中通常存放指令和数据，当内存存放指令时，将指令送指令总线；当内存存放数据时，将数据送数据总线。

如图所示，它主要由一片RAM 6116 组成，RAM6116是静态2048X8位的RAM，有11 条地址线，在COP2000 模型机中只使用8 条地址线A0-A7 ，而A8-A10接地。

存储器EM通过1片74HC245 与数据总线相连。

存储器EM的地址可由PC或MAR提供。

存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。

当ICOE 为0 时，这片74HC245 输出中断指令B8。

EM原理图初：未知当前：2016-7-3 主笔：Angel 联系方式：QQ：1219818801 版本：12存储器 uM 由三片 6116RAM 构成，共 24 位微指令。

存储器的地址由 uPC 提供, 片选及读信号恒为低, 写信号恒为高. 存储器uM 始终输出uPC 指定地址单元的数据。

连接线表五、实验操作步骤1， 1、控制 k4、k5开关，观察PC\MAR输出地址选择：1、K5、输出地址（PC红色灯亮）2、K5、输出地址（PC红色灯亮）2、K5、没有灯亮2、K5、、PC同时输出地址（MAR、PC红色灯同时亮）2、存储器EM 写、读实验（1）将地址 0写入MAR二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00HK3连接MAREN端，当低电平（0）时，MAR写允许按CLOCK键, 将地址 0 写入MAR（2）将数据11H写入地址00H二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11HK4连接MAROE，当低电平（0）时，MAR输出地址K2连接EEMEN，当低电平（0）时，存储器与数据总线连接K0连接EMWR，当低电平（0）时，存储器写允许按CLOCK键, 将地址11H写入EM（3）读地址00H 中的数据11HK4连接MAROE，，MAR输出地址K1连接EMRD，当低电平（0）时，存储器读允许学生做：将数据55H写入地址22H，并读出将数据45H写入地址33H，并读出3、将数据打入地址为00的IR 指令寄存器/uPC实验（1）将地址 0写入MAR二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00HK3连接MAREN端，当低电平（0）时，MAR写允许按CLOCK键, 将地址 0 写入MAR（2）将数据11H写入地址00H二进制开关K23-K16 用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11HK4连接MAROE，当低电平（0）时，MAR输出地址K2连接EEMEN，当低电平（0）时，存储器与数据总线连接K0连接EMWR，当低电平（0）时，存储器写允许按CLOCK键, 将地址11H写入EM（3）读地址00H 中的数据11HK4连接MAROE，，MAR输出地址K1连接EMRD，当低电平（0）时，存储器读允许(4)写地址00H数据11H入 IR及 uPC学生做：将数据22H、33H打入地址为01H、02H的IR 指令寄存器/uPC实验实验 1：微程序存储器 uM 读出置控制信号为：K0为1uM 输出uM[0]的数据按一次CLOCK脉冲键，CLOCK产生一个上升沿，数据uPC 被加一。

存储器的基本原理及分类存储器是计算机中非常重要的组成部分之一，其功能是用于存储和读取数据。

本文将介绍存储器的基本原理以及常见的分类。

一、基本原理存储器的基本原理是利用电子元件的导电特性实现数据的存储和读取。

具体来说，存储器通过在电子元件中存储和读取电荷来实现数据的储存和检索。

常见的存储器技术包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）。

1. 静态随机存取存储器（SRAM）静态随机存取存储器是一种使用触发器（flip-flop）来存储数据的存储器。

它的特点是不需要刷新操作，读写速度快，但容量较小且功耗较高。

SRAM常用于高速缓存等需要快速读写操作的应用场景。

2. 动态随机存取存储器（DRAM）动态随机存取存储器是一种使用电容来存储数据的存储器。

它的特点是容量大，但需要定期刷新以保持数据的有效性。

DRAM相对SRAM而言读写速度较慢，功耗较低，常用于主存储器等容量要求较高的应用场景。

二、分类根据存储器的功能和使用方式，可以将存储器分为主存储器和辅助存储器两大类。

1. 主存储器主存储器是计算机中与CPU直接交互的存储器，用于存储正在执行和待执行的程序以及相关数据。

主存储器通常使用DRAM实现，是计算机的核心部件之一。

根据存储器的访问方式，主存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种。

- 随机存取存储器（RAM）随机存取存储器是一种能够任意读写数据的存储器，其中包括SRAM和DRAM。

RAM具有高速读写的特点，在计算机系统中起到临时存储数据的作用。

- 只读存储器（ROM）只读存储器是一种只能读取数据而不能写入数据的存储器。

ROM 内部存储了永久性的程序和数据，不随断电而丢失，常用于存储计算机系统的固件、基本输入输出系统（BIOS）等。

2. 辅助存储器辅助存储器是计算机中用于长期存储数据和程序的设备，如硬盘、固态硬盘等。

与主存储器相比，辅助存储器容量大、价格相对低廉，但读写速度较慢。

内部存储器的构造及工作原理
嘿，朋友们！今天咱来聊聊这内部存储器呀，它就像是我们电脑、手机这些电子设备的“记忆宝库”呢！
你想啊，这内部存储器就好比是一个超级大的仓库，专门用来存放各种数据和信息。

它有好多不同的部分，就像仓库里有不同的区域来放不同的东西一样。

比如说吧，它有存放程序的地方，这些程序就像是仓库里的各种工具，随时准备被调用出来干活。

还有存放我们照片、视频、文档的地方，这就像是我们的宝贝收藏，整整齐齐地放在那里。

那它是怎么工作的呢？这可就神奇啦！当我们要使用某个程序或者查看某个文件的时候，就好像我们要从仓库里找出特定的工具或者宝贝一样，内部存储器会快速地找到它，然后把它送到我们面前，让我们能顺利地使用或者查看。

而且啊，这内部存储器的速度那是相当快呀！你想想，要是它慢吞吞的，我们等它找个东西等半天，那多烦人呀！它就像是一个特别厉害的快递员，不管我们要什么，它都能以最快的速度给我们送过来。

它的容量也很重要呢！要是容量太小，就像仓库太小放不下太多东西一样，那我们就得不停地清理，多麻烦呀！所以我们买电子设备的时候，可得注意这个内部存储器的容量够不够大。

还有哦，这内部存储器也得好好保护呢！就像我们要保护仓库不被破坏一样。

要是不小心让它出了问题，那我们的宝贝数据可就危险啦！所以平时我们可别乱折腾它，别让它太累啦。

你说这内部存储器是不是很神奇呀？它默默地为我们工作，让我们能愉快地使用各种电子设备。

我们真得好好感谢它呢！没有它，我们的手机、电脑啥的可就没法这么好用啦！所以呀，我们要珍惜它，好好爱护它，让它能一直为我们服务，给我们带来更多的便利和乐趣呀！怎么样，现在你对内部存储器是不是有了更清楚的认识呢？。

Flash存储器-读写原理及次数 FLASH存储器⼜称闪存，是⼀种长寿命的⾮易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被⽤来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输⼊输出程序）、PDA（个⼈数字助理）、数码相机中保存资料等。

本⽂将探讨FLASH存储器的读写原理及次数。

⼀、FLASH存储器的读写原理 FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。

但是第⼀层栅介质很薄，作为隧道氧化层。

写⼊⽅法与EEPROM相同，在第⼆级浮空栅加以正电压，使电⼦进⼊第⼀级浮空栅。

读出⽅法与EPROM相同。

擦除⽅法是在源极加正电压利⽤第⼀级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注⼊⾄浮空栅的负电荷吸引到源极。

由于利⽤源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在⼀起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，⽽是全⽚或分块擦除。

到后来，随着半导体技术的改进，FLASH存储器也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加⼊了浮动栅和选择栅，在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电⼦的浮动棚。

浮动栅包裹着⼀层硅氧化膜绝缘体。

它的上⾯是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。

数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电⼦。

有电⼦为0，⽆电⼦为1。

FLASH存储器就如同其名字⼀样，写⼊前删除数据进⾏初始化。

具体说就是从所有浮动栅中导出电⼦。

即将有所数据归“1”。

写⼊时只有数据为0时才进⾏写⼊，数据为1时则什么也不做。

写⼊0时，向栅电极和漏极施加⾼电压，增加在源极和漏极之间传导的电⼦能量。

这样⼀来，电⼦就会突破氧化膜绝缘体，进⼊浮动栅。

读取数据时，向栅电极施加⼀定的电压，电流⼤为1，电流⼩则定为0。

浮动栅没有电⼦的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于⼤量电⼦的移动，就会产⽣电流。

⽽在浮动栅有电⼦的状态（数据为0）下，沟道中传导的电⼦就会减少。

计算机存储器的工作原理及分类计算机存储器是计算机系统中非常重要的组成部分，它承担着存储和读取数据的任务。

在计算机存储器中，数据以二进制形式存储，通过不同类型的存储器进行管理和处理。

本文将深入探讨计算机存储器的工作原理及分类，帮助读者更好地理解这一关键部件。

### 一、工作原理计算机存储器的主要工作原理是通过存储器芯片来存储数据，并通过控制器来控制数据的读写操作。

存储器芯片通常采用半导体材料制成，根据存储方式的不同可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两种类型。

RAM是一种易失性存储器，数据在断电时会丢失，但其读写速度较快。

RAM存储数据的方式是通过电容器来存储电荷，当有电流通过时，电容器充电表示存储1，不通电表示存储0。

ROM是一种非易失性存储器，数据在断电时不会丢失，主要用于存储计算机启动时所需的固件程序等信息。

### 二、存储器分类根据存储器的工作原理和性能特点，可以将存储器分为主存储器和辅助存储器两大类。

1. 主存储器主存储器是计算机系统中最重要的存储器，也称为内存。

主存储器主要用于存储当前运行程序的数据和指令，是CPU能直接访问的存储器。

主存储器的存取速度快，但容量有限，因此常常需要配合辅助存储器使用。

主存储器按照读写速度和容量不同可分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）等类型。

2. 辅助存储器辅助存储器主要用于长期存储大量数据和程序，是主存储器的扩展。

辅助存储器的容量通常比主存储器大，但读写速度较慢。

常见的辅助存储器包括硬盘驱动器、固态硬盘、光盘和闪存等。

辅助存储器在计算机系统中扮演着重要的角色，可以提高计算机系统的数据处理和存储能力。

### 三、总结计算机存储器作为计算机系统中至关重要的组件，其工作原理和分类对计算机系统的性能和稳定性具有重要影响。

通过本文的介绍，读者可以更深入地了解计算机存储器的工作原理及分类，为进一步学习计算机硬件和系统架构打下坚实的基础。

ÿÿÿÿÿÿÿÿ 摘 要关键词介绍铁电存储器（ＦＲＡＭ）的一般要领和基本原理，详细分析其读写操作过程及时序。

将ＦＲＡＭ与其它存储器进行比较，分析在不同场合中各自的优缺点。

最后以ＦＭ１８０８为例说明并行ＦＲＡＭ与８０５１系列单片机的实际接口，着重分析与使用一般ＳＲＡＭ的不同之处。

铁电存储器 ＦＲＡＭ原理 ８０５１ 存储技术１背 景铁电存储技术早在１９２１年提出，直到１９９３年美国Ｒａｍｔｒｏｎ国际公司成功开发出第一个４Ｋｂ的铁电存储器ＦＲＡＭ产品，目前所有的ＦＲＡＭ产品均由Ｒａｍｔｒｏｎ公司制造或授权。

最近几年，ＦＲＡＭ又有新的发展，采用了０．３５μｍ工艺，推出了３Ｖ产品，开发出“单管单容”存储单元的ＦＲＡＭ，最大密度可达２５６Ｋｂ。

２ＦＲＡＭ原理ＦＲＡＭ利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，铁电晶体的结构如图１所示。

铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。

这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此ＦＲＡＭ保持数据不需要电压，也不需要像ＤＲＡＭ一样周期性刷新。

由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以ＦＲＡＭ存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ＲＯＭ存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。

ＦＲＡＭ的特点是速度快，能够像ＲＡＭ一样操作，读写功耗极低，不存在如Ｅ２ＰＲＯＭ的最大写入次数的问题；但受铁电晶体特性制约，ＦＲＡＭ仍有最大访问（读）次数的限制。

２．１ＦＲＡＭ存储单元结构ＦＲＡＭ的存储单元主要由电容和场效应管构成，但这个电容不是一般的电容，在它的两个电极板中间沉淀了一层晶态的铁电晶体薄膜。

前期的ＦＲＡＭ的每个存储单元使用２个场效应管和２个电容，称为“双管双容”（２Ｔ２Ｃ），每个存储单元包括数据位和各自的参考位，简化的２Ｔ２Ｃ存储单元结构如图２（ａ）所示。

存储器的发展史存储器是用来存储程序和数据的部件，有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。

按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）。

外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。

内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据就会丢失。

发展史分为七个阶段:1.存储器设备发展之汞延迟线1950年，世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDVAC由冯.诺依曼博士领导设计。

它的主要特点是采用二进制，使用汞延迟线作存储器，指令和程序可存入计算机中。

1951年3月，由ENIAC的主要设计者莫克利和埃克特设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。

它不仅能作科学计算，而且能作数据处理。

2.存储器设备发展之磁带UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器，首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性，并最先进行了自动编程的试验。

磁带是所有存储器设备发展中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之一。

它互换性好、易于保存，近年来，由于采用了具有高纠错能力的编码技术和即写即读的通道技术，大大提高了磁带存储的可靠性和读写速度。

根据读写磁带的工作原理可分为螺旋扫描技术、线性记录（数据流）技术、DLT技术以及比较先进的LTO技术。

磁带库是基于磁带的备份系统，它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能，但同时具有更先进的技术特点。

它的存储容量可达到数百PB，可以实现连续备份、自动搜索磁带，也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计，整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。

磁带库不仅数据存储量大得多，而且在备份效率和人工占用方面拥有无可比拟的优势。

在网络系统中，磁带库通过SAN（Storage Area Network，存储区域网络）系统可形成网络存储系统，为企业存储提供有力保障，很容易完成远程数据访问、数据存储备份或通过磁带镜像技术实现多磁带库备份，无疑是数据仓库、ERP等大型网络应用的良好存储设备。

存储器的层次结构及组成原理一、概述存储器是计算机系统中重要的组成部分，它用于存储和访问数据和指令。

存储器的层次结构是根据存储器的速度、容量和成本等因素将其分为多个层次，以实现高效的数据访问和管理。

二、存储器层次结构存储器的层次结构通常分为以下几个层次： ### 1. 寄存器(Register) 寄存器是存储在CPU内部的最快速的存储器。

它用于存放指令、数据和地址等临时信息，可以直接被CPU访问。

寄存器的容量较小，一般只有几百个字节。

2. 高速缓存(Cache)高速缓存位于CPU和主存之间，其目的是加快存储器的访问速度。

缓存通过存储近期被频繁访问的数据和指令，以提高CPU对存储器的命中率。

3. 主存储器(Main Memory)主存储器是计算机系统中最主要的存储器，也是存储器的最大层次。

主存储器被划分为许多地址连续的存储单元，每个存储单元可以存储一个字节或多个字节的数据。

主存储器由半导体或磁介质制成。

4. 辅助存储器(Auxiliary Memory)辅助存储器用于长期存储大量的数据和程序。

它的容量大于主存储器，但访问速度较慢。

常见的辅助存储器包括硬盘、光盘和闪存等。

三、存储器的组成原理存储器的组成原理多样，下面介绍几种常见的存储器类型： ### 1. 静态随机存储器(SRAM) 静态随机存储器是一种使用触发器来存储数据的存储器。

它的访问速度快，但成本较高。

SRAM的存储单元通过6个晶体管构成，每个存储单元可以存储一个比特的数据。

2. 动态随机存储器(DRAM)动态随机存储器是一种使用电容器来存储数据的存储器。

它的访问速度较慢，但成本较低。

DRAM的存储单元通过一个电容器和一个晶体管构成，每个存储单元可以存储一个比特的数据。

3. 只读存储器(ROM)只读存储器中的数据是永久性的，不可更改。

它通常用于存储固定的程序和数据。

常见的ROM类型包括可编程只读存储器(PROM)、可擦写只读存储器(E-PROM)和电可擦写只读存储器(EEPROM)等。

铁电存储器的原理及应用1. 引言铁电存储器是一种新型的非挥发性存储器，具有高速读写、低功耗、可擦写的优点，广泛应用于嵌入式系统、智能卡等领域。

本文将介绍铁电存储器的工作原理以及其在各个领域中的应用。

2. 铁电存储器的工作原理铁电存储器是基于铁电材料的储存电荷来实现信息存储的。

其工作原理可以概括为以下几个步骤：2.1 构造铁电存储单元铁电存储器由一系列铁电材料组成，其中最常用的铁电材料有PZT（铅锆钛酸盐）、BST（钡钛酸锶）等。

这些材料具有铁电效应，可以在电场作用下形成可逆的极化状态，从而存储电荷。

2.2 写操作写操作是将数据存储到铁电存储器中的过程。

写操作通常是通过施加电场来改变铁电材料的极化状态，使其存储特定的电荷。

铁电存储器的写操作非常快速，可以在纳秒级别完成。

2.3 读操作读操作是从铁电存储器中读取数据的过程。

读操作通过测量铁电材料的极化状态来获取存储的电荷信息。

由于铁电材料极化状态的可逆性，铁电存储器的读操作不会损失存储的数据。

2.4 擦除操作擦除操作是将铁电存储器中的数据清除的过程。

擦除操作通常是通过施加反向电场来翻转铁电材料的极化状态，使其恢复到初始状态。

3. 铁电存储器的应用铁电存储器具有许多优点，因此在许多领域得到了广泛的应用。

3.1 嵌入式系统在嵌入式系统中，铁电存储器通常用于存储程序代码和数据，以提供快速的读写访问。

由于铁电存储器的高速读写特性，嵌入式系统可以更快地执行指令和处理数据。

3.2 智能卡铁电存储器还可以用于制作智能卡，例如身份证、银行卡等。

智能卡需要存储大量的个人信息和交易记录，而铁电存储器可以提供足够的存储容量和快速的读写速度。

3.3 科学研究铁电存储器在科学研究领域也有广泛的应用。

科学研究人员可以利用铁电存储器存储实验数据、模拟计算结果等。

由于铁电存储器的可擦写性，科研人员可以反复重复实验，并在每次实验中修改存储的数据。

3.4 军事应用铁电存储器在军事应用中也起着重要的作用。

详解Flash存储器闪存工作原理及具体步骤什么是闪存?了解闪存最好的方式就是从它的出生它的组成均研究的透彻底底的。

闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。

栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。

采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。

与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。

NAND 型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电(写数据)或放电(擦除数据)。

而NOR 型闪存擦除数据仍是基于隧道效应(电流从浮置栅极到硅基层)，但在写入数据时则是采用热电子注入方式(电流从浮置栅极到源极)。

场效应管工作原理场效应晶体管(Field Effect Transistor 缩写(FET))简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET 仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(108～109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

闪存采用MOSFET 来存放数据MOSFET 结构如下图数据就存放在floaTIng gate(悬浮门)之中，一个门可以存放1bit 数据如图所示，门中电压有个阈值Vth如果检测到电压超过Vth，那么便认为这个bit 是0数据的写入和擦除，都通过controlgate 来完成。

至于具体的步骤。

涉及到半导体基础知识，如果需要了解，请参考模拟电路相关书籍。

这是一个比特，对于闪存来说，如图这是一个闪存颗粒的内部结构，每一行是其中一个page，一个page 由33792 个刚才那样的门组成。