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电力电子技术考核点总结--填空选择1 简要说明四类基本的电力电子变流电路表答：交流变直流，即整流电路交流变交流，即交流电力控制电路或变频变相电路直流变直流，即直流斩波电路直流变交流，即逆变电；2 美国学者W.Newell用倒二角形对电力电子技术进行形象的描述，认为电力电子学是由电力学，电子学，控制理论三个学科交义而形成的。
3 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，其电力变换常分为四大类：直流变直流、直流变交流、交流变交流、交流变直流。
4 根据二极管反向恢复时间的长短，可以将二极管分为普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管。
5 驱动电路需要提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离和磁隔离。
6 电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压，其中内因过电压包括换相过电压和关断过电压。
7 电力电子系统一般由控制电路，驱动电路，主电路组成8 电力电子器件的损耗主要包括开关损耗和通态损耗9 单相半波整流电路带阻性负载时，晶闸管触发角a移相范围是【0~π】，晶闸管导通角沒和触发角α之间的关系是α+β=π或互补10 三相半波整流电路带阻性负载时，晶闸管触发角a移相范围是0-150度，输出电压连续时触发角α移相范围是0-30度11 同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路主耍由脉冲的形成与放大，锯齿波的形成和脉冲移相，同步环节三个基本环节12 一般来说，电力电子变流电路中换流方式有器件换流、负载换流、电网换流和强迫换流。
13 直流斩波电路主要有三种控制方式：脉宽调制、脉频调制和混合调制。
14 正弦脉宽调制（SPWM)中，根据载波比N是否为固定值，可以分为同步调制和异步调制15 PWM控制方案优劣体现在输出波形谐波的多少、直流侧电压利用率; 一个周期内的开关次数。
16 PWM整流电路根据是否引入电流反馈可分为直接电流控制和间接电流控制17 根据电力电子电路中的功率器件开关过程中是否产生损耗，其开关方式可以分为软开关和硬开关。
单相半波可控整流电路 带电阻负载的工作情况 直流输出电压平均值⎰+=+==παααπωωπ2cos 145.0)cos 1(22)(sin 221222U U t td U U d 流过晶闸管的电流平均值IdT 和有效值IT 分别为 ddTI I παπ2-=ddT I t d II παπωππα2)(212-==⎰续流二极管的电流平均值IdDR 和有效值IDR 分别为 ddDR I I παπ2+=ddDR I t d I I παπωπαππ2)(2122+==⎰+其移相范围为180，其承受的最大正反向电压均为u2的峰值即22U单相半波可控整流电路的特点是简单，但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。
为使变压器铁芯不饱和，需增大铁芯截面积，增大了设备的容量。
单相桥式全控整流电路 带电阻负载的工作情况 全波整流在交流电源的正负半周都有整流输出电流流过负载，因此该电路为全波整流。
直流输出电压平均值2cos 19.02cos 122)(sin 21222d ααπωωππα+=+==⎰U U t td U U负载直流电流平均值2cos 19.02cos 122R 22d d ααπ+=+==R U R U U I I 2＝I d 晶闸管参数计算 ①承受最大正向电压：)2(212U② 承受最大反向电压：22U③ 触发角的移相范围：0=α时，2d 9.0U U =；o 180=α时，0d =U 。
因此移相范围为o 180。
④ 晶闸管电流平均值：2cos 145.0212d dVT α+==R U I I 。
〔5〕流过晶闸管的电流有效值为：IVT ＝Id ∕2〔6〕晶闸管的额定电压=(2~3)×最大反向电压 〔7〕晶闸管的额定电流=(1.5~2)×电流的有效值∕1.57单相桥式全控整流电路 带阻感负载直流输出电压平均值ααπωωπαπαcos 9.0cos 22)(sin 21222d U U t td U U ===⎰+触发角的移相范围0=α时，2d 9.0U U =；o 90=α时，0d =U 。
１．电力二极管的电流参数：正向平均电流)(AV F I （额定电流）指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值.但是在实际的变流电路中，流过器件的电流不可能正好是正弦半波电流，因此在设计电路，选取器件的时候,要按照实际电路中电流的有效值与正弦半波有效值相等的原则，再换算成平均值计算得出器件的额定电流。
具体的工频正弦半波电流在一个周期内的波形如图１所示I图１ 正弦半波电流波形图该波形在一个周期内的表达式为⎩⎨⎧≤≤≤≤=πππ200sin t t t I I m F 该波形的平均值为πππππππm m m av F I t I dt dt t I I =-=⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=⎰⎰0)cos (20sin 2120)( 该波形的有效值为222cos 12sin 2102022)(m m m eff F I dt t I tdt I I =-==⎰⎰ππππ 因此，该波形的平均值和有效值之间的关系为)()()(57.12av F av F eff F I I I ==π２．课堂练习图２中阴影部分为流过二极管的电流波形，计算电流的平均值d I 与电流有效值I 。
如果不考虑安全裕量，问A 100的电力二极管能送出平均电流d I 为多少，相应的电流最大值m I 为多少？Im图２ 电流波形图 解：该电流的平均值为402122/2/0m m d I dt dt I I =⎥⎦⎤⎢⎣⎡+=⎰⎰ππππ 该电流的有效值为2212/02m m I dt I I ==⎰ππ 由题可知，电力二极管的额定电流为A 100，因此流过它的电流有效值为A 157。
图２的电流流过电力二极管，要满足器件的电流额定要求，必须根据有效值相等原则，使该电流的有效值A I 157=由它与最大值之间的关系，可得A I I m 3142==从而得到该电流的平均值为A I I m d 5.784== 注:该练习说明如果电路的电流是图２所示的波形，那么只要电流最大值不超过３１４Ａ，电力二极管就能正常工作。
1 简要说明四类基本的电力电子变流电路表答：交流变直流，即整流电路交流变交流，即交流电力控制电路或变频变相电路直流变直流，即直流斩波电路直流变交流，即逆变电；2 美国学者W.Newell用倒二角形对电力电子技术进行形象的描述，认为电力电子学是由电力学，电子学，控制理论三个学科交义而形成的。
3 电力电子技术是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，其电力变换常分为四大类：直流变直流、直流变交流、交流变交流、交流变直流。
4 根据二极管反向恢复时间的长短，可以将二极管分为普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管。
5 驱动电路需要提供控制电路和主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离和磁隔离。
6 电力电子装置中可能发生的过电压分为外因过电压和内因过电压，其中内因过电压包括换相过电压和关断过电压。
7 电力电子系统一般由控制电路，驱动电路，主电路组成8 电力电子器件的损耗主要包括开关损耗和通态损耗9 单相半波整流电路带阻性负载时，晶闸管触发角a移相范围是【0~π】，晶闸管导通角沒和触发角α之间的关系是α+β=π或互补10 三相半波整流电路带阻性负载时，晶闸管触发角a移相范围是0-150度，输出电压连续时触发角α移相范围是0-30度11 同步信号为锯齿波的晶闸管触发电路主耍由脉冲的形成与放大，锯齿波的形成和脉冲移相，同步环节三个基本环节12 一般来说，电力电子变流电路中换流方式有器件换流、负载换流、电网换流和强迫换流。
13 直流斩波电路主要有三种控制方式：脉宽调制、脉频调制和混合调制。
14 正弦脉宽调制（SPWM)中，根据载波比N是否为固定值，可以分为同步调制和异步调制15 PWM控制方案优劣体现在输出波形谐波的多少、直流侧电压利用率; 一个周期内的开关次数。
16 PWM整流电路根据是否引入电流反馈可分为直接电流控制和间接电流控制17 根据电力电子电路中的功率器件开关过程中是否产生损耗，其开关方式可以分为软开关和硬开关。
天津冶金职业技术学院教案( 首页)天津冶金职业技术学院教案( 首页)图1.3.2 晶闸管的内部结构和等效电路）导通：阳极施加正向电压时→给门极G也加正向电压T I I图1.3.6 控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号b) 伏安特性1.4 可关断晶闸管可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)简称GTO。
天津冶金职业技术学院教师授课教案沟道沟道MOSFET耗尽型：增强型:耗尽型增强型之间就存在导电沟道；才存在导电沟道1. IGBT的结构图1.7.1 IGBT的结构、简化等效电路与电气符号IGBT的结构如图1.7.1(a)所示。
它是在VDMOS管结构的基础上再增加一个P+层，形成了一个大面积的P+N结1J，和其它结2J、3J一起构成了一个相当于由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR;简化等效电路如图1.7.1(b)所示。
电气符号如图1.7.1（c）所示GBT有三个电极:集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅极Ｇ。
2. IGBT的工作原理IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅电压GEU控制集电极电流的栅控自关断器件。
1.7.2 缘栅双极型晶体管的特性IGBT的伏安特性和转移特性图1.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性天津冶金职业技术学院教案( 首页)构，如图1.8.4(a)。
）三极：阳极A 、阴极、栅极G ，）原理：栅极开路，在阳极和阴极之间加正向电压，有电流流过SITH ；在栅极G 和阴极K 之间加负电压，G-K 之间PN 结反偏，在两个栅极图1.9.5 GTO 的基本驱动电路2）导通和关断过程：图1.9.5(b)导通时GTO 门极与阴极间流过负电流而被关断；由于GTO 的开通和关断均依赖于一个独立的电源，故其关断能力强且可控制，其触发脉冲可采用窄脉冲；3）图1.9.5(c)中，导通和关断用两个独立的电源，开关元件少，电路简单。
4）图1.9.5(d)，对于300A 以上的GTO ，用此驱动电路可以满足要求。
第一章概述可以认为，所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支。
通常所说的模拟电子技术和数字电子技术都属于信息电子技术。
具体地说，电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。
电能变换的形式共有四种：交流-直流变换、直流-直流变换、直流-交流变换、交流-交流变换。
电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。
变流技术则是电力电子技术的核心。
美国学者W. Newell认为电力电子学是由电力学、电子学和控制理论三个学科交叉而形成的。
一般认为，电力电子技术的诞生是以1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管为标志的。
把驱动、控制、保护电路和电力电子器件集成在一起，构成电力电子集成电路（PIC），这代表了电力电子技术发展的一个重要方向。
电力电子集成技术包括以PIC为代表的单片集成技术、混合集成技术以及系统集成技术。
随着全控型电力电子器件的不断进步，电力电子电路的工作频率也不断提高。
与此同时，软开关技术的应用在理论上可以使电力电子器件的开关损耗降为零，从而提高了电力电子装置的功率密度。
第二章电力电子器件2.1：电力电子器件概述1、电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
电力电子器件一般工作在开关状态2、电力电子器件的功率损耗：通态损耗、断态损耗、开关损耗（开通损耗、关断损耗）通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。
当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。
3、电力电子器件在实际应用中，一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。
4、电力电子器件的分类（1）按照能够被控制电路信号所控制的程度：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
半控型器件是指用控制信号可以控制其导通，但不能控制其关断的电力电子器件。
二极管sb260参数一、二极管SB260的基本参数1. 最大正向均值整流电流（IF(AV)）：200A最大正向均值整流电流是指二极管在正向工作状态下能够承受的最大平均电流。
对于二极管SB260来说，其最大正向均值整流电流为200A，表明该二极管具有较高的整流能力，适用于承受大电流负载的应用场合。
2. 最大正向瞬时峰值电流（IFSM）：1500A最大正向瞬时峰值电流是指二极管在瞬态工作状态下能够承受的最大峰值电流。
二极管SB260的最大正向瞬时峰值电流为1500A，说明该二极管在瞬态负载下具有良好的抗击穿能力和稳定性。
3. 正向工作最低电压（Vf）：0.90V正向工作最低电压是指二极管在正向导通状态下的最小导通电压。
二极管SB260的正向工作最低电压为0.90V，表明该二极管在正向导通时具有较低的压降，能够提供更高的效率和功率输出。
4. 反向峰值电压（VRM）：200V反向峰值电压是指二极管在反向封锁状态下能够承受的最大反向电压。
二极管SB260的反向峰值电压为200V，表明该二极管能够在较高的电压下正常工作，并具有较好的反向耐压性能。
5. 动态阻抗（rd）：5mΩ动态阻抗是指二极管在正向导通状态下的电阻值。
二极管SB260的动态阻抗为5mΩ，说明该二极管具有较低的导通电阻，能够提供更高的导通效率和功率输出。
6. 最大封装尺寸（Package）：TO-220AC二极管SB260采用TO-220AC封装，尺寸为10.0mm×15.0mm×4.0mm，适用于一般功率电子设备的安装和布局。
TO-220AC封装具有较好的散热性能和机械强度，能够满足各种环境的要求。
7. 工作温度范围（Tj）：-55℃~+175℃二极管SB260的工作温度范围为-55℃~+175℃，表明该二极管能够在较宽的温度范围内正常工作，具有较好的环境适应性和稳定性。
二、二极管SB260的性能特点1. 高效率二极管SB260具有较低的正向导通压降和动态阻抗，能够提供更高的效率和功率输出。
功率二极管特性及主要参数功率二极管的基本特性：1.静态特性功率二极管的静态特性主要是指其伏安特性，功率二极管的伏安特性曲线与普通小功率二极管基本一致，如图1所示。
当功率二极管承受的正向电压大到一定值(门槛电压Uth)，正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态。
与正向电流If对应的功率二极管两端的电压Uf，即为其正向电压降。
当功率二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流。
(1)正向特性当二极管加正向电压（P接电源的正端，N接电源的负端）时，伏安特性曲线分为正向死区和正向导通区两部分。
1)正向死区：图1所示OA段，称为正向死区。
当加在二极管两端正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），二极管呈现很大的电阻，这一部分区域称为正向特性的死区。
随着二极管两端电压不断增大，并超过某一电压时，流过二极管的电流迅速增加，所以称这个电压为门坎电压，有时也称死区电压。
在常温下，硅管的门坎电压约为0.5 -0.7V．锗管约为0 1 -0. 3V。
2)正向导通区：图1所示AB段为正向导通区。
当二极管正向电压大于门坎电压Vth时，电流随电压增加而迅速增大，二极管处于导通状态，电流与电压的关系基本上是一条指数曲线。
此时正向电流上升很快，而二极管的正向压降变化很小，基本保持不变。
(2)反向特性当二极管两端加反向电压时，伏安特性曲线分为反向截止区和反向击穿区两部分。
1)反向截止区：图1中OC段为反向截止区。
在反向截止区，给二极管加反向电压时，反向电流很小，呈现的电阻很大，二极管处于反向截止状态，这时流过二极管的反向电流几乎不随反向电压的变化而变化，该电流叫做反向饱和电流Is。
在正常情况下，小功率硅管的反向漏电流很小，只有纳安( nA)数量级，它的数值越小越好。
反向饱和电流受温度影响较大，温度升高时，反向饱和电流随之增加。
2)反向击穿区：当反向电压增加到一定大小时，反向电流急剧增加，这种现象称为二极管的反向击穿，如图1的CD段所示，这时的反向电压称为二极管的反向击穿电压，用V BR 表示。
二极管ss34参数二极管SS34是一种表面贴装（SMD）二极管，也被称为快速恢复二极管。
它的主要用途是在交流电路中，将交流电转化为直流电。
本文将会介绍二极管SS34的参数。
1. 电压和电流参数二极管SS34的最大反向工作电压为40伏特（V）和平均工作电流为3安培（A），峰值反向电压（PRV）为40V，临界电流为3A，即当电流大于3A时，二极管将无法正常工作。
SS34二极管的电压降为0.55V，这是由于其低正向电压丢弃能力。
2. 绝缘和热管理二极管SS34具有良好的绝缘性质，其阻值为100兆欧姆（MΩ）以上（在25°C, 100V 的电场下）。
这种高阻值确保了元件的稳定性和安全性。
二极管SS34还具有低热阻，其热性能优良，允许元件高温运行。
3. 反向恢复时间和功耗二极管SS34是一种快速恢复二极管，其反向恢复时间（TRR）为75纳秒（ns），这要归功于其快速恢复结构及技术。
SS34二极管的最小功耗为1.3瓦特（W）。
4. 封装和尺寸二极管SS34的封装方式为SMA（表面安装装置），其外观尺寸为4.06毫米（mm）x 2.29mm x 1.15mm。
这种小型封装，使得二极管SS34可以广泛地应用于各种电子设备中。
5. 应用领域二极管SS34的主要应用领域是直流电源、逆变和扫描电路。
它也可以用于高性能交流电源和升压转换器中。
SS34二极管具有大功率、高可靠性和高效率的特点，受到了广泛的欢迎。
二极管SS34是一种高性能的元件，具有快速响应、低电压降和低热阻等优势，被广泛应用于各种领域。
上述介绍的参数可以帮助人们更好地理解其性能和特点。
除了上述提到的参数，二极管SS34还有其他一些值得注意的性能。
二极管SS34的正向电压温度系数（VF / T）非常小，这意味着在不同的温度下，其正向电压降几乎不会发生变化。
这对于需要在极端温度环境下运行的应用程序非常重要。
SS34二极管还具有防静电能力。
在某些应用程序中，静电放电（ESD）可能会损坏二极管，但二极管SS34具有极高的ESD等级，能够承受不同程度的ESD打击。
hs1m二极管参数HS1M二极管是一种通用整流器二极管，其参数如下：1. 最大反向电压（Max Reverse Voltage）：1000V2. 最大直流工作电流（Max DC Forward Current）：1A3. 最大反向漏电流（Max Reverse Leakage Current）：25μA4. 正向压降（Forward Voltage Drop）：1.1V @ 1A5. 最大工作温度（Max Operating Temperature）：150℃6. 封装形式（Package）：DO-214ACHS1M二极管应用广泛，通常用于电源、无线电、通讯、家电等领域。
它的主要特点是耐压能力强，正向压降低，反向漏电流小，封装形式紧凑，易于安装。
除了以上技术参数，HS1M二极管的一些注意事项也需要注意：1. 在正向工作时，应防止过度驱动和过热2. 在安装前应仔细检查极性3. 应将二极管安装在散热器上，在高温环境下应增加散热措施4. 在使用过程中应避免机械损坏和静电损坏HS1M二极管是一种性能优良、应用范围广泛的通用整流器二极管，具有良好的耐压能力和较低的正向压降，其参数和注意事项需要用户在使用过程中严格遵守。
HS1M二极管是当前市场上较为常用的一种通用整流器二极管，广泛应用于电力、通信、计算机及其周边设备等领域。
它具有价格适中、性能稳定、可靠性高等特点，被广泛认可和应用。
本文将详细介绍HS1M二极管的性能特点、应用领域以及常见问题等相关内容，为用户提供参考。
1. 性能特点（1）耐压能力强：HS1M二极管的最大反向电压可达到1000V，使其在低压电源的应用中异常耐用。
（2）封装形式紧凑：HS1M二极管的封装形式为DO-214AC，体积较小，易于安装，在一些空间有限的场合显得尤为适用。
（3）正向压降低：HS1M二极管的正向压降仅为1.1V @ 1A，这意味着它能够在一定程度上降低功耗，提高整体效率。
电力二极管的工作原理、基本特性及主要参数电力（二极管）（Power （Diode））自20世纪50年代初期就获得应用，但其结构和原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多（电气）设备当中。
1（工作原理）电力二极管是以半导体PN结为基础的,实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
从外形上看，可以有螺栓型、平板型等多种封装。
电力二极管的外形、结构和电气图形符号a) 外形b) 基本结构c) 电气图形符号二极管的基本原理——PN结的单向导电性当PN结外加正向电压（正向偏置）时，在外电路上则形成自P 区流入而从N区流出的（电流），称为正向电流IF，这就是PN结的正向导通状态。
当PN结外加反向电压时（反向偏置）时，反向偏置的PN结表现为高阻态，几乎没有电流流过，被称为反向截止状态。
PN结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这就叫反向击穿。
按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式。
反向击穿发生时，采取了措施将反向电流限制在一定范围内，PN结仍可恢复原来的状态。
否则PN结因过热而烧毁，这就是热击穿。
齐纳击穿和雪崩击穿区别在于：齐纳击穿可恢复，齐纳二极管（稳压二极管）击穿后可以自愈，是一种正常的工作状态，齐纳二极管就工作在齐纳击穿区。
雪崩击穿不可恢复，是一种非正常的工作状态，一旦二极管工作在雪崩击穿区，该二极管即已损坏报废，表现为短路，失去（半导体）特性。
当齐纳二极管的反向击穿电流超过其允许的最大击穿电流数倍时，齐纳二极管也会发生雪崩击穿，现象是二极管短路报废。
PN结的（电容）效应PN结的电容称为结电容Cj，又称为微分电容。
按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD。
势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容作用越明显。
在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主。
扩散电容仅在正向偏置时起作用。
llc副边二极管电流有效值概述及解释说明1. 引言1.1 概述在现代电力系统中，LLC 变换器作为一种重要的变换器拓扑结构，被广泛应用于高效能和高频率的电力转换。
而其中一个关键参数就是llc 副边二极管电流有效值。
本文将对llc 副边二极管电流有效值进行全面深入的概述和解释说明。
1.2 文章结构本文包括以下几个部分：引言、llc副边二极管电流有效值的定义和意义、影响llc副边二极管电流有效值的因素及相互关系、提高llc副边二极管电流有效值的方法和技术措施以及结论。
通过这样一种明确而有条理地结构安排，读者能够更好地理解文章内容并获得相关知识。
1.3 目的本文旨在深入探讨llc 副边二极管电流有效值，阐明其定义和意义，并分析影响其数值大小的因素及其相互关系。
同时，我们将介绍一些提高llc 副边二极管电流有效值的方法和技术措施，最终总结出相关研究和应用的方向。
通过阅读本文，读者将对llc 副边二极管电流有效值有更加全面的了解，并为相关领域的研究和应用提供一定的参考依据。
2. llc副边二极管电流有效值的定义和意义：2.1 llc副边二极管电流有效值的概念解释：llc副边二极管电流有效值是指在llc谐振变换器中，副边二极管的电流震荡过程中存在的一个平均电流数值。
它代表了副边二极管承受的平均负载电流大小。
该有效值可以简单地理解为稳定工作条件下，等效于副边二极管产生相同瞬时功耗的直流电流。
2.2 llc副边二极管电流有效值的计算方法和公式：计算llc副边二极管电流有效值需要考虑输入功率、载波频率和输出负载特性等因素。
其计算公式可以根据具体情况而有所不同，一般而言可以使用以下近似公式进行计算：I_D(avg) = √(V_DCR^2 + V_sw^2 * R_D / 12)其中，I_D(avg)表示llc副边二极管电流有效值；V_DCR表示副边二极管直流压降；V_sw表示开关频率下两侧谐振网络上的峰-峰（peak-to-peak）交变压力；R_D表示副边二极管的等效电阻。
１．电力二极管的电流参数：正向平均电流)(AV F I （额定电流）
指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
但是在实际的变流电路中，流过器件的电流不可能正好是正弦半波电流，因此在设计电路，选取器件的时候，要按照实际电路中电流的有效值与正弦半波有效值相等的原则，再换算成平均值计算得出器件的额定电流。
具体的工频正弦半波电流在一个周期内的波形如图１所示
I
图１ 正弦半波电流波形图
该波形在一个周期内的表达式为
⎩⎨⎧≤≤≤≤=πππ20
0sin t t t I I m F 该波形的平均值为
πππππππm m m av F I t I dt dt t I I =-=⎥⎦⎤⎢
⎣⎡+=⎰⎰0)cos (20sin 2120)( 该波形的有效值为
222cos 12sin 2102022
)(m m m eff F I dt t I tdt I I =-==⎰⎰ππ
ππ 因此，该波形的平均值和有效值之间的关系为
)()()(57.12av F av F eff F I I I ==
π
２．课堂练习
图２中阴影部分为流过二极管的电流波形，计算电流的平均值d I 与电流有效值I 。
如果不考虑安全裕量，问A 100的电力二极管能送出平均电流d I 为多少，相应的电流最大值m I 为多少？
Im
图２ 电流波形图
解：该电流的平均值为
402122/2/0m m d I dt dt I I =⎥⎦⎤⎢
⎣⎡+=⎰⎰ππππ 该电流的有效值为
2
21
2
/02m m I dt I I ==⎰ππ 由题可知，电力二极管的额定电流为A 100，因此流过它的电流有效值为A 157。
图２的电流流过电力二极管，要满足器件的电流额定要求，必须根据有效值相等原则，使该电流的有效值
A I 157=
由它与最大值之间的关系，可得
A I I m 3142==
从而得到该电流的平均值为
A I I m d 5.784==。
