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晶圆针测制程晶圆针测（Chip Probing；CP）之目的在于针对芯片作电性功能上的测试（Test），使IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片，以避免对不良品增加制造成本。
半导体制程中，针测制程只要换上不同的测试配件，便可与测试制程共享相同的测试机台（Tester）。
所以一般测试厂为提高测试机台的使用率，除了提供最终测试的服务亦接受芯片测试的订单。
以下将此针测制程作一描述。
上图为晶圆针测之流程图，其流程包括下面几道作业：（1）晶圆针测并作产品分类（Sorting）晶圆针测的主要目的是测试晶圆中每一颗晶粒的电气特性，线路的连接，检查其是否为不良品，若为不良品，则点上一点红墨水，作为识别之用。
除此之外，另一个目的是测试产品的良率，依良率的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。
良品率高时表示晶圆制造过程一切正常，若良品率过低，表示在晶圆制造的过程中，有某些步骤出现问题，必须尽快通知工程师检查。
（2）雷射修补（Laser Repairing）雷射修补的目的是修补那些尚可被修复的不良品（有设计备份电路在其中者），提高产品的良品率。
当晶圆针测完成后，拥有备份电路的产品会与其在晶圆针测时所产生的测试结果数据一同送往雷射修补机中，这些数据包括不良品的位置，线路的配置等。
雷射修补机的控制计算机可依这些数据，尝试将晶圆中的不良品修复。
（3）加温烘烤（Baking）加温烘烤是针测流程中的最后一项作业，加温烘烤的目的有二：（一）将点在晶粒上的红墨水烤干。
（二）清理晶圆表面。
经过加温烘烤的产品，只要有需求便可以出货。
半导体测试制程测试制程乃是于IC构装后测试构装完成的产品之电性功能以保证出厂IC功能上的完整性，并对已测试的产品依其电性功能作分类（即分Bin），作为IC不同等级产品的评价依据；最后并对产品作外观检验（Inspect）作业。
电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作，用于测试之机台将根据产品不同之测试项目而加载不同之测试程序；而外观检验之项目繁多，且视不同之构装型态而有所不同，包含了引脚之各项性质、印字（mark）之清晰度及胶体（mold）是否损伤等项目。
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晶圆测试全流程详解In the semiconductor industry, wafer testing, also known as wafer probing or crystal wafer testing, is a critical step in the production process. 在半导体行业，晶圆测试，也称为晶圆探针测试或晶圆测试，是生产过程中至关重要的一步。
Wafer testing is the process of testing the integrated circuits (ICs) on a semiconductor wafer to ensure they function correctly before they are diced and packaged into individual ICs. 晶圆测试是在晶圆上测试集成电路（IC）以确保它们在被切割成单个IC 并封装之前能够正确运行的过程。
This thorough testing is essential to identify any defects or faults in the ICs before they are assembled into electronic devices. 这种彻底的测试是为了在将IC组装成电子设备之前识别出IC中的任何缺陷或故障是至关重要的。
A wafer testing process typically involves several key steps, including wafer loading, prober testing, electrical testing, and sorting. 晶圆测试过程通常包括几个关键步骤，包括晶圆装载、探针测试、电子测试和分选。
The process begins with loading the semiconductor wafers onto a prober, which is a machine designed to make physical contact with the integrated circuits on the wafer. 这个过程始于将半导体晶圆装载到一台探测机上，探测机是一种专门设计用来与晶圆上的集成电路进行物理接触的机器。
简述晶圆测试流程
晶圆测试流程主要包括以下步骤：
1. 准备阶段：配置并校准测试设备，制作或安装适合的测试卡（探针卡），编写或导入测试程序。
2. 探针接触：将待测晶圆放置在探针台上，通过探针卡上的微细探针与晶圆上的每个芯片焊盘精确接触，建立电气连接。
3. 功能及参数测试：执行直流（DC）参数测试，如阈值电压、漏电流等；以及交流（AC）特性测试，如增益、频率响应等，以验证芯片功能是否正常。
4. 缺陷检测：进行电性缺陷扫描和故障分析，定位潜在问题区域。
5. 数据记录与统计：收集测试数据，生成晶圆地图，标识出良品与不良品的位置，并统计整体良率。
6. 后续处理：依据测试结果对合格芯片进行后续封装加工，不合格芯片则根据情况予以标记或废弃。
晶圆检测的流程-回复晶圆检测是半导体制造过程中非常重要的一环，它用来确保晶圆质量以及生产的芯片品质。
本文将详细介绍晶圆检测的流程。
晶圆检测的过程可以分为以下几个主要步骤。
第一步：准备工作在晶圆检测之前，需要进行一系列的准备工作。
首先，需要将待检测的晶圆从存储库中取出，并进行表面清洁，以去除可能存在的污垢和杂质。
其次，需要将晶圆放置在绝尘台上，并由一名合格的维修技术人员检查其物理状况，确保晶圆没有损坏或裂纹。
第二步：光学表面检查晶圆检测的第一个关键步骤是光学表面检查。
在这个步骤中，使用光学显微镜或自动光学检测设备对晶圆的表面进行详细的检查。
这有助于检测晶圆上可能存在的缺陷，例如划痕、裂纹或污染。
第三步：几何尺寸检查接下来是几何尺寸检查。
在这个步骤中，使用光学计量设备对晶圆的直径、平整度和平行度等几何参数进行测量。
这有助于验证晶圆是否符合制定的尺寸要求。
如果晶圆的尺寸超出了允许范围，可能会对后续工艺步骤产生负面影响，因此需要对其进行及时调整或淘汰。
第四步：薄膜厚度测量在一些特殊的应用中，晶圆上会涂覆一层薄膜，用于改变晶圆的电学、热学或光学特性。
在晶圆检测的流程中，通常需要对这些薄膜的厚度进行测量。
这可以通过利用薄膜厚度测量仪器，如激光干涉仪或原子力显微镜来完成。
第五步：电学特性测试晶圆检测的另一个重要步骤是电学特性测试。
在这个步骤中，对晶圆上的电路进行测试，以确保其符合设计要求。
这包括测试电阻、电容、电压和电流等参数。
通常，会使用特定的测试设备，如冷/热测量系统或半导体参数分析仪来完成这些测试。
第六步：热特性测试一些应用中需要对晶圆的热特性进行测试。
在这个步骤中，会将晶圆暴露在特定的温度环境中，并使用热电偶或红外热成像仪等设备来测量晶圆的温度分布情况。
这可以帮助工程师了解晶圆在不同温度条件下的性能和稳定性。
第七步：功能测试最后一个步骤是功能测试。
在这个步骤中，会对晶圆上的芯片进行全面的功能和性能测试，以确保其满足设计规格和质量要求。
晶圆测试Wafer probe 在半导体制程上，主要可分成IC 设计、晶圆制程（Wafer Fabrication ，简称Wafer Fab ）、晶圆测试（Wafer Probe ），及晶圆封装（Packaging ）。
晶圆测试是对芯片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针（probe ），与晶粒上的接点（pad ）接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当芯片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被洮汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。
晶圆测试是对芯片上的每个晶粒进行针测，在检测头装上以金线制成细如毛发之探针（probe ），与晶粒上的接点（pad ）接触，测试其电气特性，不合格的晶粒会被标上记号，而后当芯片依晶粒为单位切割成独立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被洮汰，不再进行下一个制程，以免徒增制造成本。
晶圆边缘和背面缺陷检测系统Nanophotonics 公司新推出的结合边缘和背面的缺陷检测系统，该系统可供制造过程中的边缘和背面缺陷的检测，随着晶圆制造向12寸及以上发展，晶圆制造商对边缘和背面缺陷检测有了更多更新的要求， Nanophotonics 公司针对此情况，进一步创新，研发出具有更高的产能，更小的设备尺寸及更高兼容性的边缘和背面的缺陷检测系统，为晶圆制造商提供了完美的解决方案。
宏观缺陷检测模块2008-05-04 点击:39 Axi 940是全表面Explorer Inspection Cluster 设备的一部分，主要用于对晶圆前表面的宏观缺陷检测。
其智能软件可以自动完成很多操作员才能完成的任务，因而降低了配方准备的时间。
Axi 还可以在簇群其他部分仍处于运行状态时进行离线的配方准备。
拉曼扫描SWIFT 和DuoScan 是支持对大面积样品进行快速绘图的拉曼扫描技术。
SWIFT 可保证每个像素点的扫描时间只有7毫秒。
可在6分钟内获得五万个光谱图像。
A.晶圆封装测试工序一、IC检测1. 缺陷检查Defect Inspection2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy)用来检测出晶圆上是否有瑕疵，主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。
此外，对已印有电路图案的图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。
一般来说，图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。
再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线，并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除，以辨识并发现瑕疵。
3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。
二、IC封装1. 构装（Packaging）IC构装依使用材料可分为陶瓷（ceramic）及塑胶（plastic）两种，而目前商业应用上则以塑胶构装为主。
以塑胶构装中打线接合为例，其步骤依序为晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊线（wire bond）、封胶（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、电镀（plating）及检验（inspection）等。
(1) 晶片切割（die saw）晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒（die）切割分离。
举例来说：以0.2微米制程技术生产，每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。
欲进行晶片切割，首先必须进行晶圆黏片，而后再送至晶片切割机上进行切割。
切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上，而框架的支撑避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。
(2) 黏晶（die mount / die bond）黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶（epoxy）粘着固定。
黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣（magazine）内，以送至下一制程进行焊线。
(3) 焊线（wire bond）IC构装制程（Packaging）则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路（Integrated Circuit；简称IC），此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
半导体测试工艺流程《半导体测试工艺流程》半导体测试工艺流程是半导体制造过程中非常关键的一环，它可以确保半导体产品的质量和性能达到设计要求。
在半导体测试工艺流程中，生产厂家会对芯片进行各种测试，以确认其功能、性能和可靠性。
以下是一个典型的半导体测试工艺流程：1.芯片测试前的准备工作在进行芯片测试之前，需要进行准备工作，包括校准测试设备、准备测试程序和确定测试方法。
这些准备工作对于确保测试结果的准确性至关重要。
2.功能测试功能测试是最基本的测试环节，用于验证芯片的基本功能是否符合设计要求。
通过输入不同的信号，测试芯片的各种功能模块，以确保其正常工作。
如果芯片功能测试有问题，可能需要进行故障分析和修复。
3.性能测试性能测试是为了确保芯片在各种工作条件下都能够稳定地工作。
通过在不同的温度、电压和频率下对芯片进行测试，可以评估其性能表现。
同时，性能测试也可以用来优化芯片的设计和工艺。
4.可靠性测试可靠性测试是为了验证芯片长时间工作的可靠性。
通过在不同环境条件下进行长时间的测试，可以评估芯片的寿命、可靠性和稳定性。
在可靠性测试中，可能会进行高温、高湿、高压等各种胁迫测试。
5.数据分析和产品认证在所有的测试工作完成后，需要对测试结果进行分析和评估。
通过比对测试结果和设计要求，确定芯片是否符合要求。
同时，还需要进行产品认证，确保产品质量和性能达到市场需求。
总的来说，半导体测试工艺流程是一个非常复杂和关键的环节，它直接影响着半导体产品的质量和性能。
通过严格的测试工艺流程，可以确保生产出高质量、高可靠性的半导体产品，满足不同行业的需求。
