延,其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子 束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微 晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类 型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。三
、半导体材料发展现状相对于半导体设备市场,半导体 材料市场长期处于配角的位置,但随着芯片出货量增长, 材料市场将保持持续增长,并开始摆脱浮华的设备市场 所带来的阴影。按销售收入计算,半导体材
、Sn的稳定态是金属,半导体是不稳定的形态。B、C、 Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被 利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素 已得到利用。Ge、Si
仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。(半导体 材料)2、无机化合物半导体:分二元系、三元系、四元 系等。 二元系包括:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪 锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:
Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固 溶体半导体,例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb
-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改 善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大 作用。(半导体材料元素结构图)半导体材料三元系包 括:族:这是由一
由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成, 典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用 方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元 素Zn、
Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些重要 的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ 族:Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化 合