二极管的分类
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二极管的分类及参数
二极管的分类及参数二极管是最基本的半导体器件之一，广泛应用于电子设备中。
它具有单向导电性质，即只允许电流在一个方向上流动。
二极管可以通过对其工作电压、额定电流、频率等参数的不同分类和定义。
下面将详细介绍二极管的分类及参数。
1.按材料分类：(1)硅二极管：由硅(Si)材料制成，常用于中高功率电子设备中。
(2)锗二极管：由锗(Ge)材料制成，常用于低功率电子设备中。
(3)碳化硅二极管：由碳化硅(SiC)材料制成，具有较高的工作温度和电压能力，适用于高温、高频和高功率应用。
2.按结构分类：(1)点接触二极管：也称为瞬变二极管，使用金属-半导体结构制作。
(2)悬浮底座二极管：也称为漂移二极管，使用浮动喷射结构制作。
(3)整流器二极管：也称为整流二极管，使用P-N结构制作。
3.按工作模式分类：(1)正向偏置二极管：当正向电压施加到二极管上时，电流可以流过二极管。
(2)反向偏置二极管：当反向电压施加到二极管上时，电流几乎不能流过二极管。
4.参数定义：(1) 最大工作电压(Umax)：指二极管能够承受的最大正向或反向电压值。
(2) 最大额定电流(Inom)：指二极管能够承受的最大正向电流值。
(3) 最大功率(Pmax)：指二极管能够承受的最大功率值，计算公式为Pmax = Umax * Inom。
(4) 额定频率(fnom)：指二极管能够承受的最大工作频率。
频率越高，二极管的响应速度越快。
(5)正向导通压降(Vd)：指正向电流流过二极管时的电压降。
不同类型的二极管具有不同的正向导通压降。
二极管的分类和参数可以根据具体应用的需求进行选择。
一般而言，硅二极管具有较高的工作电压能力和较低的正向导通压降，适用于中高功率电子设备。
锗二极管具有较低的工作电压能力和较高的正向导通压降，适用于低功率电子设备。
碳化硅二极管具有较高的工作温度和电压能力，适用于高温、高频和高功率应用。
总结：二极管作为最基本的半导体器件之一，在电子设备中有着广泛的应用。
二极管的分类大全
二极管的分类大全一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。
因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。
但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。
因为构造简单,所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。
多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小,适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结。
因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。
最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名。
初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此,又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
二极管分类
l 红外发光二极管：和发光二极管类似，只不过它发出是我们肉眼不能直接看到的红外光，在电子产品中常用作红外光源，还经常用于光通讯等领域。
l 稳压二极管：属于硅管，在反向击穿区具有极陡的击穿曲线，在很大的电流变化范围内，只有极小的电压变化。一般用于电路中的基准电压。
IN5236 7.5
IN5237 8.2
IN5238 8.7
IN5239 9.1
IN5240 10
IN5241 11
IN5242 12
IN5243 13
IN5244 14
IN5245 15
IN5246 16
IN5247 17
IN5248 18
IN5249 19
1．检波二极管的选用 检波二极管一般可选用点接触型锗二极管，例如2AP系列等。选用时，应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管。
2．整流二极管的选用 整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。
选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。
l 肖特基二极管：它的反响恢复时间极短可达几个纳秒，压降可达0.4V，主要在开关稳压电源和逆变器中作续流二极管用，主要型号有IN5817~IN5825等。
l 快恢复二极管：它的正向压降较低，反应时间较快（0.2～0.75μs），比肖特基二极管耐压高得多，在逆变电源中作整流元件。主要型号有IN4933~IN4937。
IN5997 7.5
IN5998 8.2
IN5999 9.1
IN6000 10
IN6001 11
IN6002 12
IN6003 13
二极管的分类与特性参数
二极管的分类与特性参数一、二极管的分类1.按材料分类：（1）硅二极管：硅二极管是最常见的二极管，具有较高的工作温度和较低的导通电压。
（2）锗二极管：锗二极管具有较低的导通电压，适用于低功耗和低电压应用。
2.按结构分类：（1）环绕式二极管：环绕式二极管是最简单的结构，由P型和N型两种半导体材料组成。
（2）肖特基二极管：肖特基二极管是一种PN结构的二极管，特点是导通电压低，反向漏电流小。
（3）合金二极管：合金二极管是一种PN结构的二极管，具有高转导特性和高工作频率。
3.按工作电压分类：（1）低压二极管：低压二极管的导通电压一般在0.2V以下。
（2）中压二极管：中压二极管的导通电压一般在0.2V~0.6V之间。
（3）高压二极管：高压二极管的导通电压一般在0.6V以上。
二、二极管的特性参数1.最大可逆电压（VRM）：指二极管可承受的最大反向电压，超过该电压会导致二极管击穿损坏。
2.最大正向电流（IFM）：指二极管可承受的最大正向电流，超过该电流会使二极管过热损坏。
3.最大反向电流（IRM）：指二极管在反向电压下的最大反向漏电流，超过该电流会导致负载电路的误操作。
4.导通电压降（VF）：指二极管在正向工作时的导通电压，也称为正向压降。
5.反向漏电流（IR）：指二极管在反向电压下的漏电流，也称为反向电流或反向饱和电流。
6.反向恢复时间（tRR）：指二极管从正向导通转为反向截止的时间，也称为反向恢复速度。
时间越短，二极管的高频特性越好。
7.热稳定工作电流（Iz）：指二极管在指定温度下的稳态工作电流，也称为额定工作电流。
8.温度系数：指二极管的电压、电流等参数随温度变化的大小，也称为温度稳定性。
9.前导电压降（VF1）：指二极管开始正向导通时的电压降。
10.储电容（Cj）：指二极管内部的储电容量，是二极管的一个重要参数，与二极管的高频特性有关。
三、总结二极管是电子电路中使用最广泛的器件之一，根据不同的分类标准，二极管可以分为硅二极管、锗二极管、环绕式二极管、肖特基二极管和合金二极管等。
二极管的分类表
二极管的分类表一、引言二极管是一种最基本的半导体器件，广泛应用于电子电路中。
它具有单向导电性，能够将电流只沿一个方向通过。
根据不同的特性和应用场景，二极管可以分为多种不同类型。
本文将对常见的二极管进行分类和介绍，以便读者更好地理解和应用这些器件。
二、分类表以下是常见的二极管分类表：类型特点应用领域硅二极管常用材料为硅，正向压降约为0.7V，逆向击穿电压较高整流电路、开关电路、信号检测等锗二极管常用材料为锗，正向压降约为0.3V，逆向击穿电压较低高频放大器、射频接收机等快恢复二极管正向恢复时间较短开关电源、变换器等超快恢复二极管正向恢复时间更短高频开关电源、高速开关等肖特基二极管正向压降较低，反向击穿电压较高，具有快速开关特性高频开关电路、混频器、功率放大器等整流二极管具有良好的整流性能，逆向电流小于1μA，正向压降约为0.7V整流电路、电源供应等发光二极管具有发光功能，根据材料不同可发出不同颜色的光指示灯、数码管、显示屏等光敏二极管受光照射会产生电流，用于光控开关、光强测量等光控开关、自动亮度调节、环境光传感器等双向导通二极管可以同时导通正向和反向电流相位控制器、交流开关等隔离二极管具有隔离功能，可以隔离输入和输出信号隔离输入输出信号的接口电路三、各类二极管详细介绍1. 硅二极管硅二极管是最常见的一种二极管，它的正向压降约为0.7V，逆向击穿电压较高。
硅二极管具有良好的整流性能，在整流电路、开关电路和信号检测等方面应用广泛。
2. 锗二极管锗二极管是早期使用较多的一种二极管，它的正向压降约为0.3V，逆向击穿电压较低。
锗二极管在高频放大器、射频接收机等领域有着重要应用。
3. 快恢复二极管快恢复二极管是一种具有快速开关特性的二极管，其正向恢复时间较短。
它广泛应用于开关电源、变换器等需要快速切换的场合。
4. 超快恢复二极管超快恢复二极管是在快恢复二极管基础上进一步优化而成，其正向恢复时间更短。
它主要用于高频开关电源、高速开关等领域，能够提供更高的工作效率和响应速度。
二极管分类和符号表示
二极管分类和符号表示
二极管有多种分类方式，根据其使用的半导体材料、结构、用途等可以分成不同的类型。
以下是一些常见的分类和相应的符号表示：
1. 按所用的半导体材料：
锗二极管（Ge管），用符号Ge表示。
硅二极管（Si管），用符号Si表示。
2. 按管芯结构：
点接触型二极管，用符号D表示。
面接触型二极管，用符号S表示。
平面型二极管，用符号F表示。
3. 根据不同用途：
检波二极管，用符号D表示。
整流二极管，用符号DZ或D表示（D是整流的英文缩写）。
稳压二极管，用符号DZ或D表示。
开关二极管，用符号D表示。
隔离二极管，用符号D表示。
肖特基二极管（Schottky Diode），用符号DB或D表示。
发光二极管（LED），用符号LED或D表示。
硅功率开关二极管，用符号K或SK表示。
旋转二极管，用符号D表示。
4. 其他特殊类型：
瞬态电压抑制器（TVS），是一种固态二极管，专门用于ESD保护。
符号表示法没有统一规定，常见的是用一个类似于雪花符号的图案来表示。
光敏二极管，将光信号变成电信号，用符号GD表示。
双色发光二极管，功能同发光二极管，用符号LED或D 表示。
二极管的分类
国标半导体器件命名规定
1.2 半导体器件命名方法 2、美国半导体器件命名方法
美国电子工业协会半导体器件命名规定
美国型号的二极管1N4001A：“1”表示该器件只有一个PN 结，为二极管；“1”前面没有符号，表示这种型号的器件是 非军用品；第三部分数字“N”为注册标志，表明已在美国电 子工业协会注册；第四部分“4001”为登记序号；第五部分 “A”表示档次。
1.2 半导体器件命名方法 3、欧洲半导体器件命名方法 欧洲产器件型号由四部分组成，每一部分符号的含义如下
二极管BYV28为例：第一部分字母“B”表示制造材料为硅， 第二部分字母“Y”表示器件为整流二极管，第三部分用一个 字母加两位数字V28表示器件登记号。
1.2 半导体器件命名方法 4、日本半导体器件命名方法 日本半导体器件型号由五部分组成，规定如下
模拟电子技术
1.1常用二极管分类
1）整流二极管：用于电子控制、无线电通信或其他 电气设备电源部分整流用的二极管一般都为硅管。
1.1常用二极管分类
2）检波二极管：常用的检波二极管为锗管，检波 二极管也可用于小电流整流。
1.1常用二极管分类
3）稳压二极管 ：常用稳压管为硅二极管，用于稳 压。
1.2 二极管封装
1、贴片封装：出于整机小型化和电子设备生产自 动化的需要 。
1.2 二极管封装
2、二极管组件 ：出于整机小型化和电子设备生产 自动化的需要 。
整流桥
四只二极管组成的排管
1.2 半导体器件命名方法
1、半导体器件命名的国家标准
以硅整流二极管2CZ56B为例来说明
1.2 半导体器件命名方法
1、半导体器件命名的国家标准
1S1585：“1”表示该器件为二极管，第二部分“S”子技术
1.2 半导体器件命名方法 2、美国半导体器件命名方法
美国电子工业协会半导体器件命名规定
美国型号的二极管1N4001A：“1”表示该器件只有一个PN 结，为二极管；“1”前面没有符号，表示这种型号的器件是 非军用品；第三部分数字“N”为注册标志，表明已在美国电 子工业协会注册；第四部分“4001”为登记序号；第五部分 “A”表示档次。
1.2 半导体器件命名方法 3、欧洲半导体器件命名方法 欧洲产器件型号由四部分组成，每一部分符号的含义如下
二极管BYV28为例：第一部分字母“B”表示制造材料为硅， 第二部分字母“Y”表示器件为整流二极管，第三部分用一个 字母加两位数字V28表示器件登记号。
1.2 半导体器件命名方法 4、日本半导体器件命名方法 日本半导体器件型号由五部分组成，规定如下
模拟电子技术
1.1常用二极管分类
1）整流二极管：用于电子控制、无线电通信或其他 电气设备电源部分整流用的二极管一般都为硅管。
1.1常用二极管分类
2）检波二极管：常用的检波二极管为锗管，检波 二极管也可用于小电流整流。
1.1常用二极管分类
3）稳压二极管 ：常用稳压管为硅二极管，用于稳 压。
1.2 二极管封装
1、贴片封装：出于整机小型化和电子设备生产自 动化的需要 。
1.2 二极管封装
2、二极管组件 ：出于整机小型化和电子设备生产 自动化的需要 。
整流桥
四只二极管组成的排管
1.2 半导体器件命名方法
1、半导体器件命名的国家标准
以硅整流二极管2CZ56B为例来说明
1.2 半导体器件命名方法
1、半导体器件命名的国家标准
1S1585：“1”表示该器件为二极管，第二部分“S”子技术
二极管的常见类型
二极管的常见类型
二极管是一种由半导体材料制成的电子元件，具有单向导电性。
二极管可以根据其功能用途进行分类，常见的类型包括：
1.整流二极管：用于将交流电转换为直流电。
它具有
较大的正向电压降，通常为0.6-0.7伏。
2.稳压二极管：具有稳定电压作用。
它在反向击穿状
态下工作，具有一定的稳定电压值。
3.光敏二极管：在光照下产生电流。
它主要用于光电
探测、光电控制、光电转换等领域。
4.发光二极管：在电流通过时发光。
它主要用于显
示、照明、指示等领域。
5.检波二极管：用于从信号中提取直流成分。
它具有
较大的反向电阻，可以有效地防止直流成分的损
失。
6.变容二极管：其电容值随其正向电压或反向电压的
变化而变化。
它主要用于调谐、滤波、振荡等领
域。
7.双向触发二极管：在正负两侧都具有导电性。
它主
要用于电路的保护、控制等领域。
除了上述常见的类型外，还有其他一些二极管类型，例如：
1.肖特基二极管：具有较小的正向电压降和较快的反
向恢复时间。
2.隧道二极管：具有较大的正向电压降和较小的反向
电阻。
3.雪崩二极管：在反向击穿状态下具有较大的反向电
流。
4.齐纳二极管：在反向击穿状态下具有较小的反向电
流变化。
二极管是一种重要的电子元件，在许多电子电路中都有广泛应用。
二极管的分类及参数
二极管的分类及参数一．半导体二极管的分类半导体二极管按其用途可分为：普通二极管和特殊二极管。
普通二极管包括整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、快速二极管等；特殊二极管包括变容二极管、发光二极管、隧道二极管、触发二极管等。
二.半导体二极管的主要参数1．反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下，硅管的IR 为纳安（10-9A）级，锗管的IR为微安（10-6A）级。
2．额定整流电流IF指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7．最高工作频率fM由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM 值较高，在100MHz以上；整流二极管的fM较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
常见二极管分类及应用简介
各种二极管的用途及常用二极管分类介绍常用二极管１．整流二极管作用:利用PＮ结的单向导电性把交流电变成脉动直流电，整流二极管结构主要是平面接触型，其特点是允许通过的电流比较大，反向击穿电压比较高,但PN结电容比较大,一般广泛应用于处理频率不高的电路中。
例如整流电路、嵌位电路、保护电路等。
整流二极管在使用中主要考虑的问题是最大整流电流和最高反向工作电压应大于实际工作中的值，并要满足散热条件。
２.检波(也称解调）二极管作用:利用二极管单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号提取出来广泛应用于半导体收音机、录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。
检波二极管一般可选用点接触型锗二极管,例如2ＡＰ系列、1N34/A/、１Ｎ6０等。
选用时,应根据电路的具体要求来选择工作频率高、反向电流小、正向电流足够大的检波二极管，主要考虑工作频率。
虽然检波和整流的原理是一样的,而整流的目的只是为了得到直流电，而检波则是从被调制波中取出信号成分（包络线)。
检波电路和半波整流线路完全相同。
因检波是对高频波整流，二极管的结电容一定要小, 所以选用点接触二极管。
能用于高频检波的二极管大多能用于限幅、箝位、开关和调制电路。
3.变容二极管又称压控变容器,是根据电压变化而改变节电容的半导体,工作在反向偏压状态。
应用：高频调谐、通信电路中可做可变电容器使用。
有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管，适用于参放的参放变容二极管，以及固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管,用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
４.快速二极管快速二极管的工作原理与普通二极管是相同的,但由于普通二极管工作在开关状态下的反向恢复时间较长，约４~5mｓ,不能适应高频开关电路的要求。
快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等，其反向恢复时间可达10ｎs。
快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基二极管。
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半导体二极管的分类（一）按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗(Ge)二极管、硅二极管和砷化镓（GaAs）二极管、磷化镓（GaP）二极管等。
（二）按结构分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。
由于半导体表面被制作得平整，故而得名。
并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。
最初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。
对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。
7、合金扩散型二极管它是合金型的一种。
合金材料是容易被扩散的材料。
把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。
此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。
8、外延型二极管用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。
制造时需要非常高超的技术。
因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。
9、肖特基二极管基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间trr特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
（三）按用途和功能分类二极管按其用途和功能可分为普通二极管、精密二极管、整流二极管、快恢复二极管、检波二极管、开关二极管、阻尼二极管、续流二极管、稳压二极管、发光二极管、激光二极管、光敏二极管、变容二极管、双向击穿二极管、磁敏二极管、肖特基二极管、双向击穿二极管、温度效应二极管、隧道二极管、双向触发二极管、体效应二极管、恒流二极管等多种。
1、检波用二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。
锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。
类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。
也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。
2、整流用二极管就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。
以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。
面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。
分类如下：①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL 型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。
3、限幅用二极管大多数二极管能作为限幅使用。
也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。
为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。
也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
4、调制用二极管通常指的是环形调制专用的二极管。
就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。
即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。
5、混频用二极管使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。
6、放大用二极管用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。
因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。
7、开关用二极管有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。
小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。
开关二极管的特长是开关速度快。
而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。
2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关，正向压降小，速度快、效率高。
8、变容二极管用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。
***厂商方面也有其它许多叫法。
通过施加反向电压，使其PN结的静电容量发生变化。
因此，被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。
通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。
结电容随反向电压VR变化，取代可变电容，用作调谐回路、振荡电路、锁相环路，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路，多以硅材料制作。
9、频率倍增用二极管对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。
频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。
阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。
如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。
10、稳压二极管它是代替稳压电子二极管的产品。
被制作成为硅的扩散型或合金型。
是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。
作为控制电压和标准电压使用而制作的。
二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，按每隔10%，能划分成许多等级。
在功率方面，也有从200mW 至100W以上的产品。
工作在反向击穿状态，硅材料制作，动态电阻RZ很小，一般为2CW型；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。
11、PIN型二极管（PIN Diode）这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。
PIN中的I是"本征"意义的英文略语。
当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。
在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。
因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。
它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。
12、雪崩二极管 (Avalanche Diode)它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的工作原理是栾的：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。
它常被应用于微波领域的振荡电路中。
13、江崎二极管（Tunnel Diode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。
其基底材料是砷化镓和锗。
其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。
隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。
发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。
江崎二极管为双端子有源器件。
其主要参数有峰谷电流比（IP／PV），其中，下标"P"代表"峰"；而下标"V"代表"谷"。
江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。
14、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)它也是一种具有PN结的二极管。
其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成"自助电场"。
由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个"存贮时间"后才能降至最小值（反向饱和电流值）。
阶跃恢复二极管的"自助电场"缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量。
利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。
快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。
15、肖特基二极管（Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的"金属半导体结"的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。