半导体分立器件型号命名

三极管的命名规则

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管

第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错

材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型

硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z

整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-

雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器

件。

第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料

高频三极管

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:

第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合

管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器

件、--依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体

分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高

频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场

效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

- 1 - 常用电子元器件参考资料

第一节 部分电气图形符号

一．电阻器、电容器、电感器和变压器

图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明

电阻器一般符号 电感器、线圈、绕组或扼流图。注：符号中半圆数不得少于3个

可变电阻器或可调电阻器 带磁芯、铁芯的电感器

滑动触点电位器 带磁芯连续可调的电感器

极性电容 双绕组变压器

注：可增加绕组数目

可变电容器或可调电容器 绕组间有屏蔽的双绕组变压器

注：可增加绕组数目

双联同调可变电容器。

注：可增加同调联数 在一个绕组上有抽头的变压器

微调电容器

- 2 - 二．半导体管

图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明

二极管的符号 (1)

(2) JFET结型场效应管

(1)N沟道

(2)P沟道

发光二极管

光电二极管

PNP型晶体三极管

稳压二极管

NPN型晶体三极管

变容二极管

全波桥式整流器

三．其它电气图形符号

图形符号 名称与说明 图形符号 名称与说明

具有两个电极的压电晶体注：电极数目可增加

或

接机壳或底板

熔断器

导线的连接

指示灯及信号灯

导线的不连接

扬声器

动合(常开)触点开关

蜂鸣器

动断(常闭)触点开关

接大地

手动开关

- 3 - 第二节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

一．电阻器和电位器

1． 电阻器和电位器的型号命名方法

表1 电阻器型号命名方法

第一部分：主称 第二部分：材料 第三部分：特征分类

第四部分：序号

符号

意义 符号

意义 符号 意义

电阻器 电位器

R 电阻器 T 碳膜 1 普通 普通

对主称、材料相同，仅性能指标、尺寸大小有差别，但基本不影响互换使用的产品，给予同一序号；若性能指标、尺寸大小明显影响互换时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。 W 电位器 H 合成膜 2 普通 普通

美国军用半导体器件型号和标志

QML-19500简介

1．美国军用半导体器件型号和标志

在美国军用标准中，半导体器件包括二极管，三极管，光藕等分立器件。其军用产品

型号和标志，按美军标准MIL-PRF-19500N《半导体器件总规范》（2005年发布）1.3条规

定如下：

JANQQQ 或

JANQCW

A

XN

YYYYZZZ

前缀

RHA等级

器件类型识别号后缀

见1.1

见1.2

见1.3

见1.4

.见1.5

1.1 前缀

此前缀用于表示军用产品质量等级.对于已密封器件和未密封器件(即芯片)的质量等级及其

相应标志规定如下:

1.1.1密封器件的质量等级和标志

密封器件的质量等级如上述”QQQ”所示, 质量等级从低到高顺序如下:JAN, JANTX

JANTXV, JANJ 和JANS.

JANS是适用于空间用途的等级,我们常称之为宇航级;

JAN, JANTX, JANTXV, JANJ是高可靠军用等级,以前的标准中,曾这样描述:

JAN---------标准军用等级

JANTX-----特军级

JANTXV---超特军级

JANJ--------按标准规定,应在JANS生产线制造,质量等级比JANTXV高.

1.1.2未密封器件即芯片的质量等级和标志

未密封器件的质量等级如上述”QC”所述,质量等级从低到高顺序如下; JANHC

JANKC.

JANHC---适用于标准军事用途

JANKC---适用于空间(宇航)用途

上述”QCW”中的”W”表示此类产品—芯片,必须将适用的等级标志符,标志在包装盒的适当位

置上.

1.1.3 JAN和J标志

按MIL—PRF—19500N 3.10.6.1条规定,当器件打印标志的位置较小时,“JAN”标志可以简化

为“J”.这二个标志都是向联邦政府注册的,“JAN”的注册号为:504860;“J”的注册号

为:1586261.

因此,当器件管壳较小时,军用产品质量等级可以标志如下缩写前缀:

质量等级 质量等级缩写

下载文档可编辑 电子元器件型号命名规则

1，常用电阻器、电位器

第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 第六部分 第七部分 第八部分

用字母表示主称 用字母表示材料 用数字或者字母表示分类 用数字或者字母直接表示 用数字或者字母直接表示 用数字或者字母直接表示 用数字或者字母直接表示 用数字或者字母直接表示

符号 意义 符号 意义 符号 意义 额定功率 阻值 允许误差 精密等级 封装

R 电阻器 H 合成膜 1，2 普通

W 电位器 S 有机实芯 3 超音频

N 无机实芯 4 高阻

T 碳膜 5 高温

Y 氧化膜 7 精密

J 金属膜（箔） 8 电阻器-高压

I 玻璃釉膜 电位器-特殊

X 线绕 9 特殊

G 高功率

T 可调

W 微调

M 敏感

2，电容器

第一部分 （材料）第二部分 分类（第三部分） （用数字或者字母直接表示）第四（用数字或者字母直接表示）第五（用数字或者字母直接表示）第六下载文档可编辑 部分 部分 部分

符号 意义 符号 意义 符号 意义 容值 精密等级 封装

瓷介 云母 有机 电解

C 电容器 C 高频瓷 1 圆片 非密封 非密封 箔式

T 低频瓷 2 圆形 非密封 非密封 箔式

I 玻璃釉 3 叠形 密封 密封 烧结粉液体

O 玻璃膜 4 独石 密封 密封 烧结粉固体

Y 云母 5 穿心 穿心

V 云母纸 6 支柱等 无极性

Z 纸介 7

J 金属化纸 8 高压 高压 高压

D 铝电解 9 特殊 特殊

A 钽电解 G 高功率

N 铌电解 W 微调