SiO2
P-Si
GND
2020年7月28日4时50分
34
7.3 电荷耦合器件CCD
VG=1
势阱的性质
电极电压越高势阱越深;
金属 SiO2
势阱对于电子的表面势很低;
有光照时,结内激发大量的载流子,反向 漏电流显著增加(亮电流,与光照成正比).
I
+ uA -
E
2020年7月28日4时50分
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(3) 光电结型 (光敏二级管、光敏三极管)
原理
光敏三极管的集电结具有光敏特性;
b cP N P e
集电结相当于一个光敏二极管;
无光照时,集电结只有极小的反向饱和漏
第7章 光电式传感器
物理基础:光电效应
紫外光
可见光
红外光
10 nm 380 nm 780 nm
1000,000 nm
开始 结束
第7章 光电式传感器
定义:
被测量光学量光电器件电量
电流、电压,或电导率
组成:
光源+光路+光电器件
转换基础——光电效应
外光电效应(电子发射效应) 内光电效应
光电导效应 光生伏特效应
光敏电阻的性能曲线
光电特性
电源电压不变时,电流I与光通量φ的关系(非线性),可做测
光元件或光控开关.
伏安特性
频率特性
光通量不变时,电流I 与电压关系(线性)
硫化铅高频
在允许功率下,光敏电阻是良好线性器件. 硫化铊低频
光谱特性
光通量和压不变时,电流与入射光波长的关系. 器件对波的波长具有选择性. 可探测波长比其他光子探测器宽得多.
硅(红外)、硒(可见光)
结构:
由N型半导体(或金属)与P型半导体组成的PN结