昆明理工大学2017年硕士研究生招生入学考试试题(A卷)考试科目代码：864考试科目名称：材料科学基础考生答题须知1．所有题目（包括填空、选择、图表等类型题目）答题答案必须做在考点发给的答题纸上，做在本试题册上无效。
请考生务必在答题纸上写清题号。
2．评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。
3．答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔），用其它笔答题不给分。
4．答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。
一、名词解释（任选10个作答；每个3分，共30分）配位数；电负性；位错；肖特基点缺陷；共格界面；位移型相变；枝晶偏析；均态形核；加工硬化；类质同晶现象；滑移系；扩散通量；二、简答题（任选10题作答，每题6分，共60分）1.简述晶体的基本性质。
2.分析SiO2晶体及SiO2玻璃的结构有何异同。
3.试述固溶体的基本特征和分类。
4.从结合键特性分析并比较石墨和金刚石的结构及性能的异同。
5.写出下列缺陷反应方程式：置换式：NaF溶于YF3中；间隙式：YF3溶于CaF2中。
6.简述刃型位错结构特点，并分析为什么刃位错不能交滑移。
7.简要叙述小角度晶界能及大角度晶界能的来源。
8.简述晶界在范性形变中的作用。
9.简述液相烧结过程。
10.分析纯金属生长形态与温度梯度的关系。
11.简述马氏体相变的基本特征。
12.简述矿化剂在固相反应中的作用。
三、计算及综合分析题（任选3题作答，每题15分，共45分）1、有两种激活能分别为E1=83.7KJ/mol和E2=251KJ/mol的扩散反应。
分析在温度从25℃升高到600℃时对这两种扩散的影响，并对结果作出评述。
2、何谓烧结过程中的二次再结晶？其推动力是什么？为什么要抑制二次再结晶过程？工艺上常采取什么方法？昆明理工大学2017年硕士研究生招生入学考试试题3、若将一位错线的正向定义为原来的反向，此位错的柏氏矢量是否改变？位错的类型性质是否变化？一个位错环上各点位错类型是否相同？4、根据Fe-Fe3C相图：（1）分析共析钢、过共析钢及亚共晶铸铁的室温组织；（2）分析亚共析钢（含C量为0.4%）的凝固结晶过程，并计算室温下各组织的相对量；（3）随C含量的增加，合金组织及力学性能如何变化。
昆明理工大学2019年硕士研究生招生入学考试试题(A卷) 考试科目代码：864 考试科目名称：材料科学基础考生答题须知1．所有题目（包括填空、选择、图表等类型题目）答题答案必须做在考点发给的答题纸上，做在本试题册上无效。
请考生务必在答题纸上写清题号。
2．评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。
3．答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔），用其它笔答题不给分。
4．答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。
2.画出钙钛矿中Ca离子被Ba离子取代前后反映Ti4＋配位晶胞的（200）晶面结构示意图，并分析取代后的结构特征及对物理性能的影响。
3.已知一混合位错ABCD如图所示，画出该混合位错在图中所示的拉应力及切应力下各段位错如何运动。
四、计算及综合题（任选3题作答，每题12分，共36分）1.已知200℃时铝在铜中的扩散系数为2.5×10-20cm2/s，其扩散活化能为165528J/mol，假设扩散活化能不随温度发生变化，求500℃时扩散系数？并比较200℃和500℃时的扩散系数，分析温度对扩散系数的影响。
2. 根据下图，说明成核生长速率I及晶体生长速率U出现极大值的原因，并分析在什么条件下倾向于形成晶体、玻璃。
3. 根据Fe-Fe3C相图，解答下列问题：（1）分析C含量分别为0.2%、0.77%、1.2%时的室温组织；（2）假使要得到50%的珠光体，计算此时的合金成分，并写出凝固过程。
（3）分析随C含量的增加，渗碳体的量如何变化，合金力学性能如何变化。
4. 根据相图回答下列问题：（1）在图中标明各条界线的温降方向；（2）画出副三角形；（3）判断熔体2、3、4的最终析晶产物；（4）写出熔体1的冷却结晶过程。
昆明理工大学硕士研究生入学考试《材料科学基础》考试大纲适用专业：080501 材料物理与化学、080502 材料学、080503 材料加工工程、085204 材料工程第一部分考试形式和试卷结构一、试卷满分及考试时间试卷满分为150分，考试时间为180分钟。
二、答题方式答题方式为闭卷、笔试。
三、试卷内容结构1、晶体学基础、固体材料的结构约20分2、晶体的缺陷约30分3、相图、凝固与结晶约40分4、固体中的扩散、化学反应与烧结约20分5、晶体的范性形变、回复与再结晶约20分6、固态相变约20分四、试卷的题型结构概念题15-30％简答题30-45％计算、画图分析题30-45%综合分析题30-45％第二部分考察的知识及范围一、晶体学基础晶体学的基本概念；晶面指数和晶向指数的标定；常见晶体结构及其几何特征；晶体的堆垛方式。
二、固体材料的结构原子结构、结合键；晶体的电子结构；元素的晶体结构和性质；合金相结构及影响因素；固溶体；离子化合物；金属间化合物；间隙化合物。
三、晶体的范性形变单晶体范性变形的基本方式和特点；滑移系统和临界分切应力定律（Schmid定律）；滑移和孪生的比较；多晶体范性变形（塑性变形）的特点；冷加工对金属组织和性能的影响；晶体的断裂。
四、晶体的缺陷1、晶体缺陷的分类及概念。
2、点缺陷：基本类型；点缺陷的平衡浓度；过饱和点缺陷的形成。
3、线缺陷－位错：基本类型；刃型位错和螺型位错的特征；柏氏矢量；位错的运动；位错密度；位错的弹性能和线张力；作用于位错上的力；位错与位错间的交互作用；位错与点缺陷之间的交互作用；派－纳力；位错的增殖；位错的塞积；位错的交割；面心立方晶体中的位错；位错反应；位错理论的应用。
4、面缺陷－界面：界面类型和结构；小角度晶界类型及其结构；晶界特性。
五、相图相图的基本规律、分析方法与应用；分析各种类型的二元相图及其晶体的结晶过程和组织；掌握Fe-Fe3C相图。
六、固体中的扩散、化学反应与烧结扩散定义及分类；扩散定律及其应用；扩散的微观理论和机制；扩散系数和扩散激活能的计算；影响扩散的因素；反应扩散；固相化学反应、烧结基本理论。
昆明理工大学2012年硕士研究生招生入学考试试题(A 卷)考试科目代码：854 考试科目名称 ： 材料科学基础试题适用招生专业 ：080501材料物理与化学、080502材料学、080503材料加工工程、0805204 材料工程考生答题须知1． 所有题目（包括填空、选择、图表等类型题目）答题答案必须做在考点发给的答题纸上，做在本试题册上无效。
请考生务必在答题纸上写清题号。
2． 评卷时不评阅本试题册，答题如有做在本试题册上而影响成绩的，后果由考生自己负责。
3． 答题时一律使用蓝、黑色墨水笔或圆珠笔作答（画图可用铅笔），用其它笔答题不给分。
4． 答题时不准使用涂改液等具有明显标记的涂改用品。
一、名词解释（每题3分，共30分）1、晶面族2、 物相及相变3、均匀形核4、化合物5、非稳态扩散6、柏氏矢量7、孪生8、滑移系9、变质处理10、菲克第一定律二、作图、计算题（第1、2小题各10分，第3、4小题各5分，共30分）1、在立方晶胞中绘出(001)、(111)、(110)晶面及[111]、[221]晶向。
2、画出Fe-Fe 3C 相图，标明相图中各特征点的温度与成分，各相区物相组成，写出相图中三相平衡反应的表达式及反应类型。
3、已知碳在γ-Fe 中扩散时，D 0=2.0×10-5m 2/s ，Q =1.4×105J/mol 。
当温度在927℃时，求其扩散系数为多少？（已知摩尔气体常数R=8.314/mol·K ）4、已知某低碳钢kPa ，kPa·µm 1/2，若晶粒直径为50µm ，该低碳钢的屈服强640=σ7.393=K 度是多少？昆明理工大学2012年硕士研究生招生入学考试试题三、简答题（每题10分，共50分）1、简述各种结合键主要特征。
2、试从能带的角度说明导体、绝缘体和半导体之间的区别。
3、解释位错的基本概念，总结位错在材料中的作用。
4、试指出三种以上提高材料强度的方法及其原理。
