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绪论
一. 符号约定
• 大写字母、大写下标表示直流量。如：VCE、IC等。
• 小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。如： vCE、iB等。
• 小写字母、小写下标表示纯交流量。如： vce、ib等。
• 上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。如： 等。
二． 信号
〔1〕模型的转换
〔2〕分类
〔3〕频谱
二.放大电路
〔1〕模型 实用文档
. 〔2〕增益
如何确定电路的输出电阻ro ？
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. 三．频率响应以及带宽
第一章 半导体二极管
一.半导体的根底知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性
*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性
二. 半导体二极管
*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
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精心整理 学习帮手 一、填空题： （要求）
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如 和 等。
半导体中中存在两种载流子： 和 。纯净的半导体称为 ，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种： 型半导体——多数载流子是 ；
型半导体——多数载流子是 。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个 结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区： 区、 区和 区。为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在 区内。当三极管的静态工作点过分靠近 区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近 区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个 加上外壳，引出两个电极而制成的。它的主要特点是具有
性，在电路中可以起整流和检波等作用。半导体二极管工作在 区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成 。
4、场效应管利用栅源之间电压的 效应来控制漏极电流，是一种 控制器件。场效应管分为 型和 型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种： 耦合、 耦合和 耦合。
6、在本征半导体中加入 价元素可形成N型半导体，加入 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有 电流源、 电流源和 电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。正反馈使放大倍数 ；负反馈使放大倍数 ；但其他各项性能可以获得改善。直流负反馈的作用是 ，交流负反馈能够 。
《模拟电子技术》复习
一、选择题：
1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B
2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B
3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在
A 。
（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区
4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC=6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在
B 。
（A）放大区 （B）截止区 （C）饱和区
5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通 （B）反向截止 （C）反向击穿
6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大 （B）减小 （C）不变
7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）100
8. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。 （A）共射 （B）共集 （C）共基
判断题
第一章
半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。（对）
二极管
1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。（对）
2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。（错）
3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（错）
三极管
1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。（错）
2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）
3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。（错）
4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（错）
5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。（错）
6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（错）
场效应管
1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。（错）
第二章
1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对
2、基本放大电路 在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（对）
3、放大电路的三种组态
射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错）
三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。（对）
射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错）
射极输出器不具有电压放大作用。（对）
4、多级放大电路
直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。（错）
直流放大器只能放大直流信号。（错）
现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。（错）
多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。（错）。
多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。（错）
