【免费下载】半导体分立器件测试仪
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专利名称:转塔式半导体分立器件测试设备
专利类型:实用新型专利
发明人:刘克燕,郭树源,张锦雄,杨小珍,吴琼涛,闫伟强,洪杰文
申请号:CN202121651892.3
申请日:20210720
公开号:CN215613344U
公开日:
20220125
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型公开一种转塔式半导体分立器件测试设备,基座上有位于同一圆周轨迹等距离的多个测试站,基座上方有可旋转主塔,主塔下方有与测试站距离匹配的多个吸嘴,被测试器件输送轨道出口与测试站之间还有方向校正座,基座还有光纤固定支座,光纤固定支座上有光纤传感器的光纤对射光路,该光纤对射光路对准吸嘴上被测试器件的运行轨迹,吸嘴上的被测试器件通过光纤对射光路时阻挡光纤对射光路,光纤传感器电信号接入测试设备控制系统。
可以确保测试系统每一次计数都有产品输入,并使输入产品数量之和等于良品和不良品计数之和。
申请人:汕头华汕电子器件有限公司
地址:515041 广东省汕头市兴业路27号
国籍:CN
代理机构:汕头市高科专利代理有限公司
代理人:王少明
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pn t01103-1992 半导体器件.分立器件和集成电路的通用规格1. 引言1.1 概述半导体器件是现代电子科技中不可或缺的重要组成部分。
它们在各个领域中发挥着关键作用,包括通信、计算机、娱乐和能源等。
分立器件和集成电路作为半导体器件的两个主要类别,都具有各自独特的特点和应用。
因此,对于这些器件的规格和性能要求进行统一和规范化非常必要。
1.2 文章结构本文将系统地探讨分立器件和集成电路的通用规格,在每个部分中详细介绍其定义、分类、基本原理以及应用及发展趋势。
首先,我们将对半导体器件的概念进行阐述,并介绍其主要分类方式。
然后,我们将深入了解分立器件的特点与规格要求,包括整体特点介绍、电气性能规范以及封装形式和尺寸要求。
接下来,我们将探索集成电路的特点与规格要求,主要包括集成度和功能复杂性要求、表面弧顶压力测试方法和标准值范围规定以及温度特性测试和评估要求。
最后,我们将对整篇文章进行总结,并展望未来的发展趋势。
1.3 目的本文的主要目的是为了提供关于分立器件和集成电路通用规格的全面了解。
通过明确不同器件类型的特点和规范要求,可以帮助相关从业人员更好地选择和应用半导体器件,并提高其性能和可靠性。
此外,本文也旨在为行业内研究者指明未来发展的方向,促进半导体技术的创新与进步。
通过深入研究半导体器件规格标准化问题,有助于推动整个行业的发展,并满足不断增长的市场需求。
2. 半导体器件的概念2.1 定义和分类半导体器件是一种基于半导体材料制造的电子元件,它能够在特定条件下控制电流的流动。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导性能,这使得制造出的器件能够被广泛应用于各种电子设备中。
根据功能和结构的不同,半导体器件可以被分为两大类:分立器件和集成电路。
分立器件是指由单个或几个半导体元素组装而成、能够完成独立功能的器件。
常见的分立器件包括二极管、晶体管、场效应晶体管等。
这些器件通常具有较简单的结构,并且可以独立使用。
技术概述B1500A 半导体器件分析仪加快基本的电流-电压(IV )和电容-电压(CV )测量 以及业界领先的超快速 IV 器件表征脉冲 IV 测量(IV )和电容-电压(CV )表征到快速、精准的脉冲 IV 测试的全方位测量。
此外,B1500A 的 10 槽模块化体系结构使您可以添加或升级测量模块,适应不断变化的测量需求。
综合解决方案满足您的 所有器件表征需求B1500A 半导体器件分析仪将多种测量和分析功能整合到一台仪器中,可精确快速地进行器件表征。
它是目前唯一能够提供广泛的器件表征功能以及出色测量可靠性和可重复性的多功能参数分析仪。
它能够执行从基本的电流 - 电压Keysight EasyEXPERT group+ 软件是 B1500A 自带的 GUI 界面软件,可在 B1500A 的嵌入式 Windows 10 平台上运行,支持高效和可重复的器件表征。
B1500A 拥有几百种即时可用的测量(应用测试),为测试执行和分析提供了直观和功能强大的操作环境。
它可以帮助工程师对器件、材料、半导体、有源/无源元器件或几乎任何其他类型的电子器件进行精确和快速的电子表征和 测试。
关键特性优势精密电压和电流测量(0.5 µV 和 0.1 fA 分辨率)–低电压和小电流的精确表征。
用于多频率(1 kHz 至 5 MHz )电容测量(CV 、C-f 和 C-t )与电流/电压(IV )测量 切换的高精度和低成本解决方案。
–无需重新连接电缆即可在 CV 和 IV 测量之间进行切换– 保持出色的小电流测量分辨率(使用 SCUU 时最小为 1 fA ,使用 ASU 时最小为 0.1 fA )– 为被测器件提供完整的 CV 补偿输出超快速 IV 测量,100 ns 脉冲和 5 ns 采样率–捕获传统测试仪器无法精确测量的超快速瞬态现象超过 300 种应用测试即时可用–缩短从学习仪器使用、进行测量到熟练操作仪器所需的时间包含示波器视图的曲线追踪仪模式–交互式地开发测试,并即时查看器件特征–无需使用任何其他设备便可对电流和电压脉冲进行验证(MCSMU 提供示波器视图)功能强大的数据分析和稳定可靠的数据管理–自动分析测量数据,无需使用外部 PC– 自动存储测量数据和测试条件,日后快速调用此信息让所有人都变成器件表征专家EasyEXPERT group+ 使器件 表征变得像 1、2、3 计算一样简单B1500A 的 EasyEXPERT group+ 软件包括 300 多种可以即时使用的应用测试,您只需简单的 3 步便可进行测量。
半导体器件是一种能够控制和放大电流的电子器件,是现代电子技术的核心组成部分。
其中,分立器件、微波二极管和晶体管是半导体器件的重要代表。
本文将分别介绍这三种器件的特点、原理和应用。
一、分立器件1.概述分立器件是指独立存在、不与其他器件直接耦合的半导体器件,包括二极管、三极管、场效应晶体管等。
它们具有较高的工作频率和功率,广泛应用于通信、计算机、电源等领域。
2.二极管二极管是一种常见的分立器件,具有正向导通、反向截止的特性。
它主要用于整流、限流、稳压等电路中,是电子设备中不可或缺的元件。
3.三极管三极管是一种具有放大功能的分立器件,常用于放大、开关、调节信号等电路中。
它具有<状态|三种工作状态>:放大、饱和和截止,是电子技术中的重要组成部分。
二、微波二极管1.概述微波二极管是一种特殊的二极管,能够在较高频率下工作。
它具有快速开关速度、低损耗、稳定性好的特点,在微波通信、雷达、太赫兹技术等领域有广泛应用。
2.特点微波二极管具有低噪声、高增益、快速响应等特点,适用于高频信号的检测、调制和整形。
它是微波领域中不可或缺的器件之一。
3.原理微波二极管的工作原理主要涉及微波的电荷输运、电磁场的作用等,是电磁波和电子运动相互作用的产物。
三、晶体管1.概述晶体管是一种半导体器件,具有放大、开关、调节信号等功能。
它取代了真空管,是现代电子技术中的重要组成部分。
2.种类晶体管按结构可分为双极型和场效应型两大类,其中双极型晶体管常用于低频放大、中频放大等电路中,而场效应型晶体管主要用于高频放大、功率放大等领域。
3.应用晶体管广泛应用于电视、收音机、计算机、通信设备等各类电子产品中,在现代科技的发展中发挥着不可替代的作用。
结语半导体器件分立器件、微波二极管和晶体管是现代电子技术中的重要组成部分,它们在不同领域具有重要的应用价值。
随着科技的不断进步,半导体器件将会迎来更广阔的发展空间,为人类生活和工作带来更多的便利和创新。
半导体分立器件试验方法
1. 嘿,你知道吗,半导体分立器件试验方法里的电性能测试就像是给器件做一次全面体检!比如测试二极管的导通压降,那可是能直接反映它健康状况的关键指标呢!就好比我们人去检查身体,血压高低能说明很多问题呀。
2. 哇塞,半导体分立器件试验方法中的高温试验简直太神奇啦!想想看,把器件放到高温环境下,就像让它经历一场火热的考验,这不就类似运动员在高温下训练,能不能扛得住可太重要啦!像一些晶体管在高温下的表现,就能看出它到底是不是真的厉害。
3. 哎呀呀,可靠性试验可是半导体分立器件试验方法中不能忽视的一部分呀!它就像给器件买了一份长期的保障一样。
好比我们买保险,就是为了以防万一嘛!观察器件在各种恶劣条件下的耐受性,真的超级关键呢。
4. 嘿哟,半导体分立器件试验方法里的封装测试可不能小瞧啊!这就像是给器件穿上了一件合适的衣服。
就像我们出门要挑好看又合适的衣服一样,器件的封装不合适那可不行呀!看看封装是不是牢固,有没有保护好器件。
5. 哇哦,半导体分立器件试验方法中的静电放电测试可太重要啦!这简直就是给器件设下的一道特殊防线。
就好像我们要防止坏人入侵家里一样,要让器件有抵御静电的能力啊!不然很容易出问题呢。
6. 哈哈,半导体分立器件试验方法还有好多好多呢,每个都有着独特的意义和作用呀!就像我们生活中的各种技能和方法一样,都有其存在的价值。
所以说,一定要重视这些试验方法,它们才能让半导体分立器件变得更优秀呀!
我的观点结论:半导体分立器件试验方法丰富多彩且至关重要,每个环节都不容忽视,它们能保证半导体分立器件的性能和质量。
半导体行业对外测试设备介绍(精)SSM 2000 SRP介绍The spreading resistance technique is a method for measuring the electrical properties of semiconductormaterials with very high spatial resolution;it is based on measurements of the contactresistance of specially prepared pointcontacts on doped silicon samples. The SSM2000 NANOSRP® System is an automated spreadingresistance probe designed to characterize theelectrical properties of doped siliconmaterials. This system generates profiles ofresistivity, carrier density, and electricallyactive dopant density more quickly and more easily than its predecessor, the SSM 150. It is the most advanced SRP test machine in world.Silan characteristic1、Can afford the best accuracy result for custom.2、We have the unique ability to test the Ultrashallow layer. Examplewe can test implant resistivity profiler on surface. We canguarantee 6nm resolution for test Ultrashallow layer.3、Can measure the resistivity of patterned samples (dimension of pattern above80um) .扩展电阻率测试是用高分辨率测试半导体材料的电特性。
半导体分立器件作用嘿,朋友们!今天咱来聊聊半导体分立器件,这玩意儿可神奇啦!你想想看,半导体分立器件就像是电子世界里的小精灵,它们在各种电路中忙忙碌碌,发挥着至关重要的作用。
比如说二极管吧,它就像一个忠诚的卫士,只允许电流单向通过。
这就好比是一条单方向的通道,电流只能乖乖地沿着规定的方向走,要是想逆行,那可没门儿!它能把交流电变成直流电,你说神奇不神奇?没有它,我们的很多电子设备可就没法正常工作啦。
还有三极管呢,它就像是一个灵活的指挥官,可以放大信号或者控制电流的开关。
就好像是乐队的指挥一样,指挥着电流的节奏和强弱。
它能让微弱的信号变得强大,让电路更好地工作。
要是没有三极管,那些需要强大信号才能运行的设备不就抓瞎啦?再说说场效应管,它呀,特别敏感,就像一个敏感的小精灵。
对电压的变化反应特别迅速,能快速地控制电流的流动。
这就好像是一个反应超快的运动员,随时准备着冲刺。
在一些对速度要求很高的电路里,它可真是大显身手呢!半导体分立器件还像是建筑中的砖块,虽然单个看起来不那么起眼,但组合在一起就能构建出各种各样的电子大厦。
它们在手机里、电脑里、电视里,甚至在我们日常使用的各种小电器里默默工作着。
你说,要是没有这些半导体分立器件,我们的生活得变成啥样儿啊?那肯定会缺少很多乐趣和便利呀!我们的手机可能就没办法那么智能,电脑可能运行得慢吞吞的,电视画面可能也没那么清晰了。
所以啊,可别小看了这些小小的半导体分立器件,它们可是电子世界里的大功臣呢!它们让我们的生活变得丰富多彩,充满了科技的魅力。
我们真应该感谢这些小家伙们的默默付出,不是吗?它们虽然不说话,但却用行动为我们的生活带来了巨大的改变。
让我们一起为半导体分立器件点赞吧!它们真的太棒啦!。
gjb128 半导体分立器件试验方法
半导体分立器件试验方法是半导体行业中非常重要的一部分,其主要
目的是检查器件的性能是否符合设计要求。
进行半导体分立器件试验
的主要目的是确认器件所具备的电气性能,包括各种参数的测量,如
电压,电流,功率等基本参数。
在半导体分立器件试验中应该注意以
下几点:
1. 熟悉指标
在进行半导体分立器件试验之前,必须熟悉所需指标。
具体而言,需
要了解各种技术规范、标准、文献和企业内部文件,并针对性地选择
正确的试验方法。
2. 执行试验前的准备工作
在试验正式开始之前,应该先检查仪器是否可靠,并校准好各种测试
设备。
由于半导体分立器件试验通常涉及高压操作和高温操作,所以
在操作前需要执行各种保护措施,并确保所有操作员都在安全区域内。
3. 测试过程中的注意事项
在进行试验过程中,应随时关注设备的输出信号、回路电压、半导体器件的电流、功率等参数,并注意记录数据。
同时,还应检查电源电压、电流大小的情况,以确保试验结果的准确性。
4. 测试结束后的处理
在试验结束后,应及时总结试验结果,并对数据进行分析。
应注意观察器件是否符合相关标准规范,并确定是否要重新设计或优化器件。
在半导体分立器件试验结束后还应注意设备归位和清理,以确保下一次试验的正常进行。
总之,半导体分立器件试验是非常重要的,要求试验人员具有高超的技能和良好的操作经验。
在试验过程中,需要提前做好准备工作,随时注意测试参数并正确地记录数据,以确保试验结果的准确性。
由此可见,半导体分立器件试验对于半导体行业的发展至关重要。
SIMI2939半导体分立器件测试仪
一、产品特点:
测试品种覆盖面广、测试精度高、电参数测试全、速度快、有良好的重复性和一致性、工作稳定可靠,具有保护系统和被测器件的能力。
被测器件可通过图形显示,系统软件功能全、使用灵活方便、操作简单。
系统软件稳定可靠、硬件故障率低,在实际测试应用中各项技术指标均可达到器件手册技术指标及国标要求。
二、测试参数
1.二极管
VF、IR、BVR
2.稳压(齐纳)二极管
VF、IR、BV Z
3.晶体管 Transistor(NPN型/PNP型)
VBE、ICBO、
LCEO、IEBO、BVCEO、BVCBO、BVEBO、hFE、VCESAT、VBESA
T 、VBEON
4.可控硅整流器(晶闸管)
IGT、VGT、IH、IL 、VTM
5.场效应管
IGESF、IGSSF、
IGSSR、IGSS、VDSON、RDSON、VGSTH、IDSS、IDON 、gFS、BVDGO、BVGSS
6.光电耦合器
VF 、IR、CTR、ICEO、BVCEO、VCESAT
7.三端稳压器
VO、SV、ID、
IDV
三、测试参数范围
晶体管
测试参数测试范围
I CEO I CBO I EBO
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V CE(sat)
V BE(sat)
0.10V-30V
V BE(V BE(on))0.10V-30V
h FE1-99999 V(BR)EBO0.10V-30V
V(BR)CEO V(BR)CBO 0.10V-30V 30V-1499V
二极管
测试参数测试范围
I R
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V F0.10V-30V
V(BR)1V-30V
30V-1499V
稳压二极管
测试参数测试范围
I R
1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V F0.10V-30V
V Z0.10V-30V
三端稳压器
测试参数测试范围
V O0.10V-30V
S V0.10mV-1V
I D1uA-10mA
I DV1uA-10mA
MOSFET
测试参数测试范围
V GS(th)0.10V-30V
g fs0.1mS-1000S
R DS(on)10mΩ-100KΩ
V DS(on)0.10V-30V
I GSS 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
I DSS 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
I D(on)0-20A
V(BR)GSS0.1V-30V V(BR)DSS0.1V-1499V
光耦
测试参数测试范围V F0.10V-30V
I R 1nA-100nA 100nA-1uA 1uA-100uA 100uA-10mA
V CE(sat)0.10V-30V CTR0.1%-1000% I CEO与I R参数相同V(BR)ECO V(BR)CEO0.10V-30V
30V-1499V
可控硅
测试参数测试范围
I GT10uA-200mA V GT0.10V-30V I H10uA-1A
I L10uA-1A
V TM0.10V-30V
四、技术指标
1、源的指标
压流源(VA)
电压:
设定范围(V)精确度
±(0~10)±(12.2mV+0.25%set)
±(10~30)±(24.4mV+0.25%set)电流:
测量范围精确度
±(0-20)uA±(48.8nA+0.25% set)
±(20-200) uA±(488nA+0.25% set)
±(0.2-2) mA±(4.88uA+0.25% set)
±(2-20) mA±(48.8uA+0.25% set)
±(20~200) mA±(244uA+0.25%set)±(0.2~2)A(脉冲)±(2.44mA+0.25%set)
±(2-20)A(脉冲)±(24.4mA+0.25%set)
压流源(VB)
电压:
设定范围(V)精确度
±(0~10)±(12.2mV+0.25%set)
±(10~30)±(24.4mV+0.25%set)电流:
测量范围精确度
±(0-20)uA±(48.8nA+0.25% set)
±(20-200) uA±(488nA+0.25% set)
±(0.2-2) mA±(4.88uA+0.25% set)
±(2-20) mA±(48.8uA+0.25% set)
±(20~200) mA±(244uA+0.25%set)
高压源(HV)
设定范围(V)精确度
0~1500±(1.22V+1%set)
*1500V时最大输出为1mA。
2、电压表的指标
测漏电流
测量范围精确度
±(0~200)nA±(2.44nA+0.25% Rdg)
±(0.2-2)uA±(24.4nA+0.25% Rdg)
±(2-20)uA±(244nA+0.25% Rdg)
±(20~200) uA±(2.44uA+0.25% Rdg)
±(0.2~2)mA±(24.4uA+0.25% Rdg)
±(2-20)mA±(244uA+0.25% Rdg)
±(20~200) mA±(2.44mA+0.25% Rdg)±(0.2~2)A(脉冲)±(24.4mA+0.25% Rdg)
±(2-20)A(脉冲)±(244mA+0.25% Rdg)测试电压
设定范围(V)精确度
±(0~10)±(3mV+0.25% Rdg)
±(10~30)±(3mV+0.25% Rdg)测击穿电压
设定范围(V)精确度
(0~30)V/10mA±(36.6mV+0.25% Rdg)
(30~1500)V/1mA±(610.3mV+1% Rdg)放大倍数
设定范围(V)精确度
1~99991%
被侧器件图形。