通信电子电路于洪珍1

在低频情况下， I&b1 ，I&则b 。 0
高频时，I&b1 ，I&b 故 ，即o高频的 值低于低频值 。
0 f ，高频放大能力
计算 的等效电路
2. 晶体管的频率参数
(1) 截止频率 f（ 共射截止频率）：
下 降到0.707 时0的频率。
(2) 特征频率 fT 下降到1时的频率。
(3)截止频率 f（共基截止频率）：
复习晶体管低频等效电路
一、晶体管混合π 型等效电路
晶体管在高频工作时，常用混合 π型等效
电路来分析。该等效电路共有8个元件。
图2-23 晶体管混合 π型等效电路
1. Rb’e是发射结的结电阻。一般是几百欧。
rb'e
(1
0 )
26 Ie (mA)
2. Rb’c 是集电结电阻。约为10kΩ至10MΩ 。 3.rbb’ 是基极体电阻。高频晶体管在1550Ω之间。
4.rce 是集－射极电阻。它表示集电极电压对电流的影
响。它的数值一般在几十千欧以上，典型值为 3050kΩ。 5.电流源 gmUb’e 代表晶体管的电流放大作用，它与加 到发射结上的实际电压Ub’e 成正比，比例系数 gm 称为晶体管的互导。
6．Cb’e是发射结电容。它随工作点电流增大
而增大。它的数值范围为20pF0.01µF；
要保证一定的Q ，又要达到尽可能高的增益，
则有一个最佳匝比。
当变换到谐振电路的负载 R等L' 于变换到谐振电路的内 阻 时，rc'e可得到最大的增益。
RL' rc'e
阻抗匹配
最佳匝比： N2 RL
N1 2QL0L
N0
rce
N1 2QL0L
最大增益：
K 0 max
2ri
rce RL
式中： Q0 QL
则得到简化的混合 π型等效电路。
在实际应用中，可用简化的混合 型等
效电路。
rb'e
(1
o )
26 Ie (mA)
gm
0
rbe
Ie 26
图2-24 简化的混合 π型等效电路
从等效电路可以看出，输入电流
分成三部分 , 当c、e短路时， Cb'c与 Cb'e
并联，因 Cb'c Cb'e ，故 I&b3 I&b2 I&b1
可见 ξ 对1应于通频带的上下边界
仅与有关，所以不管Q 如何变化，均可用
同一条曲线表示----------通用特性曲线。
四、调谐放大器的最大增益、阻抗匹配条件
K0
ri
QL0
L(
N0 N1
)( N2 ) N1
K0 受多种因素影响，一般是采用通过调整匝比的方
法获得高的增益。
是不是 N 0， N1
NN愈21大愈好? 为什么？
K0
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
代入得 K--f 特性
K
K0
1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
K/K0--f 特性
K K0
1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
QL (
f f0
f0 ) f
广义失谐量
在谐振点附近
&QL
2f f0
f 0
=0
K 1
K0
12
ξ 1 α
1 0.707 11
图2-6 对谐振曲线的影响
二、工作原理
1. 电路组成
2. 电压放大倍数K
K U0 U0 U AB N 2 Ib Z AB Z AB N 2
U i U AB U i N 0 Ibri
ri N 0
因为：
Z AB
Z
AC
(
N0 N1
)2
所以： K Z AC ( N 0 )2 N 2
ri N1 N 0
1. K－f 特性
K
ri
Z
AC
(
N0 N1
)
( N2 ) N1
2. K/K0－f 特性
K K0
1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
3. 通用谐振曲线
Z AC
QL0 L
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
K ( N0 )( N2 )
QL0 L
ri N1 N1
1 QL2 (
f f0
f0 )2 f
，故在此情况下 Cb可'c 忽略不计。
Hale Waihona Puke BaiduI&c
gmU&b'e
o
U b'e rb'e
oI&b1
I&c I&b U&ce
0
o
I&b1 I&b
二、晶体管的高频放大能力及频率参数
1. 晶体管的高频放大能力
共发射极短路电流放大系数：
I&c
gmU&b'e
0
U b'e rb'e
I&c I&b U&ce
0
0
I&b1 I&b
Q0
谐振电路的效率
(dB) 20 lg Q0 QL
Q0
谐振电路的插入损耗
2.4 晶体管高频等效电路及频率参数
晶体管在低频工作时，常将晶体管的电流
放大系数（ ）看、成与频率无关的常数。
但晶体管在高频工作时，电流放大系数与 频率则有明显的关系，频率越高，电流放 大系数越小。这直接导致管子的放大能力 下降，限制了晶体管在高频范围的应用。
2.3 单调谐放大器
按调谐回路分----单调谐放大器 双调谐放大器 参差调谐放大器
按晶体管连接方法分----
共b、共e、共c 放大器 • 重点讲共发射极（共e ）单调谐放大器
图2-20 单调谐放大器
一、技术指标
1.放大能力 用谐振时的放大倍数 K0 表示。
2.选频性能 (1) 通过有用信号的能力 即具有一定的通频带。 放大器能有效放大的频率范围 (2) 抑制无用信号的能力 即有足够的选择性。 放大器对其他频率信号抑制能力的衡量。
7．Cb’c 是集电结电容。它随c、b间反向电压
的增大而减小，它的数值是10pF上下；
8． Cce 是集－射极电容。这个电容通常很小。 一般在210pF之间。
在实际应用中，考虑到高频时，Cb的'c 容抗较小，
和它并联的基－集电阻 rb可'c 忽略；此外，
集－射极电容 C可ce 以合并到集电极回路之中，
K
ri
Z
AC
(
N N
0 1
)
(N2 ) N1
图2-20 单调谐放大器
图2-21 调谐放大器集电极回路的等效电路
3. 谐振电压放大倍数K0
谐振时， Z AC R QL0L
谐振电压放大倍数
问题：
K0
ri
QL
0
L(
N0 N1
)(
N2 N1
)
以前讲的信号源内阻如何反映在单调谐电路中？
三、选频性能
随晶体管类型而异。
例如：fT 100MHz 0 100 0 0.99
则可推算出
f
fT
下 降到0.707 时0的频率。
(4）最高振荡频率 fmax 晶体管的共射极接法功率放大倍数Kp
下降到1时的频率 。
图2-28 和 随 频率变化的示意图
3. 三个频率参数之间关系
f 、f 、 fT 三个频率的关系
f fT f ,
fT 0 f 0 f
式中 是一个系数，通常在0.60.9之间，