军工产品模块检验规范编制/日期审核/日期批准/日期1.目的确保产品品质符合要求,提供军工产品模块检验的通用标准。
2.适用范围适用于创智成科技股份有限公司军工产品模块的检验。
3.定义3.1 灯光：正常检验条件下工作场所的灯光,300lx～700lx(标准500lx)；3.2 位置：产品放置检验者正前面的30-50cm 距离处,检验者于产品成90±45 度；3.3 正常视力：1.0 以上，无色盲、色弱等视觉缺陷。
3.4 人员要求：认真、细致、熟悉本检验标准。
3.5 检验和测试工具：防静电手环、手套、开箱刀、塞尺、游标卡尺、点规、10倍放大镜等。
3.6 检验数量及允收依据进行全检按照《国军标GJB 179A-96计数抽样检验程序》中的一般检查II类水平规定的数量进行判定允收。
3.7 判定标准3.7.1 可接受条件可接受条件是在未能达到完美的情况下，仍可保持生产装配过程的完整性的一种状态。
它优于最终产品的最低要求，能较好地考虑到生产过程中发生的变化情况。
3.7.2 不可接受条件不可接受条件体现的是一种不能充分确保装配外形、安装或功能在最终使用环境中的可靠性的状态。
对缺陷状态的处理可按照设计、服务及客户的要求执行。
处理方式包含返工、修理、报废及特采。
4.权责QE制订并修改此QII，其余制造，品管等相关部门按此标准检验并执行.产品外发时外发厂需依此标准执行。
5．程序内容5.1 模块表面5.1.1 检验方法目视，全检。
增加使用放大镜检验项目：压接件处使用放大镜检验(如下图红色方框内)；5.1.2 阻焊膜5.1.2.1 阻焊膜颜色可接受条件：阻焊膜呈显深绿或浅绿色，颜色均匀一致，无明显色差（顾客对阻焊膜颜色有特殊要求时按顾客要求验收）。
不可接受条件：阻焊膜颜色存在明显色差。
5.1.2.2 阻焊膜划伤可接受条件：划伤没有造成基材、铜箔显露；无感划伤不允许超过30mm且同一板面不能多于两处；不允许存在有感划伤。
标准名称编号标准化标准技术制图 图样画法 制图GB/T 17451-1998产品标准化大纲编制指南GJB/Z 114A-2005标准化评审GJB/Z 113-98新产品工艺标准化综合要求编写指南GJB/Z 106-98企业标准体系管理标准和工作标准体系GB/T 15498-2003企业标准体系 要求GB/T 15496-2003企业标准体系 评价与改进 GB/T 19273-2003军用标准文献分类法GJB/T 832-2005标准化工作导则 第一部分：标准的结构和编写规则GB/T 1.1-2000综合标准化工作导则 工业产品综合标准化一般要求GB/T 12366.2-90综合标准化工作导则原则与方法GB/T 12366.1-90标准化工作指南 第二部分：采用国际标准的规则GB/T 20000.2－2001标准编写规则 第三部分：信息分类编码GB/T 20001.3-2001标准编写规则 第四部分：化学分析方法GB/T 20001.4-2001标准体系表编写原则和要求GB/T 13016-91标准化和有关领域的通用术语 第一部分：通用术语GB/T 3935.1-1996消费品使用说明 总则GB 5296.1-1997电磁干扰和电磁兼容性术语GJB 72A-2002标准化工作指南第三部分：引用文件GB/T 20000.3-2003标准化工作指南第四部分：标准中涉及安全的内容GB/T 20000.4-2003环境检测分析方法标准制订技术导则HJ/T 168-2004GJB 0.1-2001军用标准文件编制工作导则 第一部分：军用标准和指导性技军用标准文件编制工作导则 第二部分：军用规范编写规定GJB 0.2－2001军用标准文件编制工作导则 第三部分：出版印刷规定GJB 0.3－2001说明书的编制 构成 内容和表示方法GB/T 19678-2005/IEC 62079:2001气体和超净标准、环保标准中国环境保护标准汇编 水质分析方法中国环境保护标准汇编 废气废水废渣分析方法中国环境保护标准汇编 大气质量分析方法气体中微量水分的测定 电解法GB 5832.1-86气体中微量水分的测定 露点法GB 5832.2-86气体中微量氧的测定 电化学法GB 6285-86氢气GB/T 3634-1995氮GB/T 3864-1996洁净厂房设计规范GB 50073-2001纯氢、高纯氢和超纯氢GB/T 7445-1995洁净室检测规范GB/T16292-1996电子级气体中颗粒和痕量杂质测定方法SJ2798~2807-87电子工业用气体GB/T 14600~14604-93电子工业用气体 氮GB/T 16944-1997大气污染物综合排放标准GB16297-1996微电子标准微电子器件试验方法和程序GJB 548B-2005半导体分立器件总规范GJB 33A-97半导体分立器件型号命名方法GB/T249-89半导体集成电路总规范GJB 597A－96混合集成电路通用规范GJB 2438A-2002半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理SJ/T 10741-2000半导体分立器件包装规范GJB 3164-98电子产品防静电放电控制手册GJB/Z 105-98防静电包装手册GJB/Z 86-97印制板总规范GB/T 16261-1996集成电路A/D和 D/A转换器测试方法的基本原理SJ50597/37-95半导体集成电路JSC145152型CMOS并行输入锁相环4频率合成器膜集成电路和混合集成电路外形尺寸GB/T 15138-94计量校准及管理标准测量不确定度的表示及评定GJB 3756-99检测和校准实验室能力的通用要求GB/T 15481-2000测量管理体系测量过程和测量设备的要求GB/T 19022-2003测量设备的质量保证要求计量确认体系GJB 2712-96测试实验室和校准实验室通用要求GJB 2725A－2001测量设备的质量保证要求第一部分测量设备的计量确认体系GB/T 19022.1-1994测量设备的质量保证第二部分：测量过程控制指南GB/T 19022.2-2000抽样标准计数抽样检验程序及表GJB 179A-96周期检验计数抽样程序及表GB/T 2829-2002GB/T 2828.1-2003计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限（AQL)检索的逐军用电子元件失效率抽样方案和程序GJB 2649-96产品质量监督计数抽样程序及抽样表GB/T 14162-93光电类标准半导体光电模块总规范SJ 20642-97固体激光器总规范SJ 20027-92空间用单晶硅太阳能电池总规范GJB 1431-92固体激光器总规范GB/T 15490-1995红外探测器总规范GJB 1206-91红外探测器参数测试方法GB/T13584－92红外探测器外形尺寸系列GB/T13583-92半导体激光二极管空白详细规范GB/T 15649-1995半导体激光二极管总规范GJB3519-99固体激光器通用规范GJB 5849-2006大功率半导体激光二极管阵列通用规范SJ 20957-2006固体激光器测试方法GJB 5441-2005固体激光二极管测试方法SJ 2749-87太阳电池光谱响应测试方法GB 11009-89航天用标准太阳电池GB 6492-86航天用太阳电池标定的一般规定GB 6496-86航天用太阳电池电性能测试方法GB 6494-86太阳敏感电池通用规范GJB 2932-97太阳能电池温度系数测试方法SJ/T 10459-93太阳电池组件参数测试方法GB/T 14009-92光伏器件 第1部分：光伏电流－电压特性的测量GB/T 6495.1-1996光伏器件 第2部分：标准太阳电池的要求GB/T 6495.2-1996GB/T 6495.3-1996光伏器件 第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐半导体光电组件总规范SJ 20786-2000 PIN、APD光电探测器总规范SJ 20644-97PIN、APD光电探测器通用规范GJB 5022-2003军用激光器辐射传输测试方法GJB 894A－99PIN、雪崩光电二极管测试方法SJ 2354.1-83激光产品的安全第1部分：设备分类、要求和用户指南GB 7247.1-2001纤维光学试验方法GJB 915A-97纤维光学转接器 第1部分：总规范GB/T 18308.1-2001GB/T 18310.4-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－4部分纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－2部分GB/T 18311.2-2001GB/T 18311.3-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－3部分GB/T 18311.6-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第3－6部分GB/T 18310.18-2001纤维光学互连器件和无源器件基本试验和测量程序第2－18部热敏电阻总规范GJB 601A-98光纤总规范GJB 1427A-99光纤光缆连接器 第1部分：总规范GB/T 12507.1-2000光纤光缆连接器 第2部分：F-SMA型光缆连接器分规范.0地面用晶体硅光伏组件设计鉴定和定型GB/T 9535-1998激光辐射功率测试方法GB/T 13863-92激光辐射功率稳定度测试方法GB/T 13864-92红外探测器试验方法GJB 1788-93超辐射发光二极管组件测试方法SJ 20785-2000红外发射二极管总规发GJB 3930-2000半导体光电器件GR1325J型长波长发光二极管组件详细规范SJ 20642/7-2000激光辐射发散角测试方法GB/T 13740-92激光辐射光束直径测试方法GB/T 13741-92晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法GB/T 6495.4-1996发光二极管固体显示器总规范GJB 2146-94固体激光器主要参数测试方法GB/T 15175-94军用激光测距仪通用规范SJ 20793－2000质量控制管理标准产品质量保证大纲要求GJB 1406A-2005产品质量标志和可追溯性要求GJB 726A-2004不合格控制指南SJ/T 10466.15-94军用电气和电子元器件的标志GJB 2118-94武器装备研制项目管理GJB 2993-97军工批次管理的质量控制要求GJB 1330-91合同中质量保证要求GJB 2102-94航天产品质量问题归零实施指南QJ 3183-2003军工产品的批次管理的质量控制要求GJB 1330-91关键件和重要件的质量控制GJB 909-2005产品质量评审GJB 907-90故障报告、分析和纠正措施系统GJB 841-90质量管理和质量保证军用标准GJB/Z 9000~9004-96电子行业质量管理和质量体系要素标准SJ/T 10466.1~10466.13-93质量管理和质量体系要素第4部分：质量改进指南GB/T 19004.1-1994航天产品设计文件管理制度QJ 1714.1~1714.8A-99QJ 1714.9A-99QJ 1714.10A~1714.12A-99电子元器件选用管理要求GJB 3404-98纠正措施指南SJ/T 10466.16-94产品包装、装卸、运输、贮存的质量管理要求GJB 1443-92质量经济性管理指南GB/Z 19024-2000电子元器件设计文件编制示例SJ/T 10718-1996质量成本管理指南GJB/Z4-88质量管理术语GJB 1405-92质量管理 技术状态管理指南GB/T 19017-1997质量管理体系要求GJB 9001A-2001质量管理体系标准GB/T 19000-2000GB/T 19001-2000GB/T 19004-2000质量改进指南SJ/T 10466.19-1995系统安全性通用大纲GJB 900-90技术状态管理GJB 3206-98设计文件管理制度 第1－3部分SJ/T 207.1-3-1999设计文件管理制度 第4部分：设计文件的编号SJ/T 207.4-1999设计文件管理制度 第5部分：设计文件的更改SJ/T 207.5-1999成套技术资料质量管理要求GJB 906-90设计评审GJB 1310A-2004设计质量控制指南SJ/T 10466.14-94外购器材的质量管理GJB 939-90人员培训和资格评定指南SJ/T 10466.21-1995包装储运图示标志GB 191-2000可靠性增长试验GJB 1407-92工艺设计评审指南SJ/T 10466.17-94厂际质量保证体系工作指南GJB/Z2-88不合格品管理GJB 571-88工艺评审GJB 1269A-2000工艺管理常用图形符号SJ/T 10462-93工序质量控制要求GJB 467-88工业产品保证文件GB/T 14436-93工艺文件标准汇编SJ/T 10375~10377-1993SJ/T 10531-1994SJ/T 10631-1995军工产品定型程序和要求GJB 1362-92军工产品质量管理要求与评定导则GJB/Z16-91接地、搭接和屏蔽设计的实施GJB 1210-91国防计量通用术语GJB 2715-96工艺文件完整性与工艺文件格式JB/T 9165.1~9165.4-1998武器装备研制项目管理GJB 2116-94装备维修性通用大纲GJB 368A-94特性分类GJB 190-86理化试验质量控制规范GJB 466-88器材供应单位质量保证能力评定GJB 1404-92装备可靠性维修性参数选择和指标确定要求总则GJB 1909－96金属镀覆和化学覆盖工艺质量控制要求GJB 480A-95焊接质量控制要求GJB 481-88故障树分析指南GJB/Z 768A-98故障模式、影响及危害性分析程序GJB 1391-92可靠性模型的建立和可靠性预计GJB 912-90装备综合保障通用要求GJB 3872-99装备质量与可靠性信息管理要求GJB 1686-93维修性试验与评定GJB 2072－94电子元器件统计过程控制体系GJB 3014-97电子元器件产品出厂平均质量水平评定方法GJB 2823-97电子工业用工艺装备分类编号SJ/T 10672-1995半导体分立器件结构相似性应用指南SJ 20756-1999电子元器件质量保证大纲GJB 546A-96中国国防科学技术报告编写规则GJB 567A-97大型试验质量管理要求GJB 1452A-2004维修性分配与预计手册GJB/Z 57－94电路容差分析指南GJB/Z 89-97熔模铸造工艺质量控制GJB 905-90技术文件使用与归档管理规定QJ 1089A~1092A-98产品质量信息管理指南SJ/T 10466.18-1995工艺文件格式的填写SJ/T 10375-93电子文件归档与管理规范GB/T 18894-2002质量手册编制指南GB/T 19023-1996多余物控制要求GJB 5296-2004军工产品售后技术服务GJB/Z 3-88装备可靠性工作通用要求GJB 450A-2004装备保障性分析GJB 1371-92电子设备可靠性预计手册GJB/Z 299B-98装备测试性大纲GJB 2547-95试验方法标准微电子器件试验方法标准－美国国防部标准（上、下）电子及电气元件试验方法GJB 360A-96半导体分立器件试验方法GJB 128A-97电子产品环境应力筛选方法GJB 1032-90无损检测质量控制规范 磁粉检验GJB 593.3-88元器件破坏性物理分析管理要求QJ 3179-2003电子产品制造与应用系统防静电检测通用规范SJ/T 10694-2006防静电工作区技术要求GJB 3007-97电子元器件制造防静电技术要求SJ/T 10630-1995半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验GJB 762.1-89半导体器件辐射加固试验方法γ总剂量辐照试验GJB 762.2-89半导体器件辐射加固试验方法γ瞬时辐照辐照试验GJB 762.3-89军用电子元器件破坏性物理分析方法GJB 4027-2000军用设备环境试验方法GJB 150.3-86半导体材料标准目录基础标准一、我国半导体材料标准1.基础标准锗晶体缺陷图谱GB/T 8756-1988掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程GB/T 13389-1992半导体材料术语GB/T 14264-1993半导体材料牌号表示方法GB/T 14844-1993晶片通用网络规范GB/T 16595-1996确定晶片坐标系规范GB/T 16596-1996硅材料原生缺陷图谱（原GBn 266-87）YS/T 209-1994 2.产品标准工业硅技术条件GB/T 2881-1991锗单晶GB/T 5238-1995高纯镓GB/T 101 18-1988高纯二氧化锗GB/T 1 1069-1989还原锗锭GB/T 1 1070-1989区熔锗锭GB/T 1 1071-1989锑化铟多晶、单晶及切割片GB/T 1 1072-1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1093-1989水平法砷化镓单晶及切割片GB/T 1 1094-1989硅单晶GB/T 12962-1996硅多晶GB/T 12963-1996硅单晶抛光片GB/T 12964-2003硅单晶切割片和研磨片GB/T 12965-1996硅外延片GB/T 14139-1993锗单晶片GB/T 15713-1995高纯四氯化锗YS/T 13-1991硅片包装YS/T 28-1992高纯砷YS/T 43-1992高纯铟（原GB 8003-87）YS/T 264-1994霍尔器件和甘氏器件用砷化镓液相外延片（原GB 1 Ys/T 290-1994锗富集物（原zB H 31003-87）YS/T 300-1994 3.方法标准非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1550-1997硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法GB/T 1551-1995硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法GB/T 1552-1995硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1553-1997硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T 1554-1995半导体单晶晶向测定方法GB/T 1555-1997硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1557-1989硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T 1558-1997硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法GB/T 4058-1995硅多晶气氛区熔磷检验方法GB/T 4059-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法GB/T 4060-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法GB/T 4061-1983半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法GB/T 4298-1984非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法GB/T 4326-1984锗单晶位错腐蚀坑密度测量方法GB/T 5252-1985半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流GB/T 6616-1995硅片电阻率测定扩展电阻探针法GB/T 6617-1995硅片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 6618-1995硅片弯曲度测试方法GB/T 6619-1995 硅片翘曲度非接触式测试方法GB/T 6620-1995硅抛光片表面平整度测试方法GB/T 6621-1995硅抛光片表面质量目测检验方法GB/T 6624-1995砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法GB/T 8757-1988砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法GB/T 8758-1988砷化镓单晶位错密度的测量方法GB/T 8760-1988砷化镓外延层载流子浓度电容一电压测量方法GB/T 11068-1989硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T 11073-1989电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T 13387-1992硅片参考面结晶学取向x射线测量方法GB/T 13388-1992硅片直径测量方法 光学投影法GB/T 14140.1-1993硅片直径测量方法 千分尺法GB/T 14140.2-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直GB/T 1414l-1993硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法GB/T 14142-1993 300-900&m硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T 14143-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法GB/T 14144-1993硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法GB/T 14145-1993硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法GB/T 14146-1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方GB/T 14847-1993工业硅化学分析方法 1，10一二氮杂菲分光光度法GB/T 14849.1-1993工业硅化学分析方法 铬天青-S分光光度法测定铝量GB/T 14849.2-1993工业硅化学分析方法 钙量的测定GB/T 14849.3-1993硅片抗弯强度测试方法GB/T 15615-1995硅抛光片和外延片表面质量光反射测试方法GB/T 17169-1997非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测GB/T 17170-1997砷化镓单晶AB微缺陷检验方法GB/T 18032-2000半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法GB/T 19199-2003异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法YS/T 14-1991硅外延层和扩散层厚度的测定 磨角染色法YS/T 15-1991硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法YS/T 23-1992外延钉缺陷的检验方法YS/T 24-1992硅抛光表面清洗方法YS/T 25-1992硅片边缘轮廓检验方法YS/T 26-1992晶片表面上微粒沾污测量和计数的方法YS/T 27-1992高纯砷化学分析方法 孔雀绿分光光度法测定锑量YS/T 34.1-1992高纯砷化学分析方法 化学光谱法测定钴、锌、银、YS/T 34.2-1992高纯砷化学分析方法 极谱法测定硒量YS/T 34.3-1992高纯砷化学分析方法 极谱法测定硫量YS/T 34.4-1992高纯二氧化锗化学分析方法 硫氰酸汞分光光度法测YS/T 37.1-1992高纯二氧化锗化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅YS/T 37.2－1992高纯二氧化锗化学分析方法 石墨炉原子吸收光谱法YS/T 37.3－1992高纯二氧化锗化学分析方法化学光谱法测定铁、镁、YS/T 37.4-1992高纯镓化学分析方法 钼蓝分光光度法测定硅量YS/T 38.1-1992高纯镓化学分析方法 化学光谱法测定锰、镁、铬和YS/T 38.2-1992高纯镓化学分析方法 化学光谱法测定铅、镍、锡和YS/T 38.3-1992高纯铟中铝、镉、铜、镁、铅、锌量的测定 （化学YS/T 230.1-1994高纯铟中铁量的测定 （化学光谱法）（原GB 2594YS/T 230.2-1994高纯铟中砷量的测定 （二乙氨基二硫代甲酸银（A YS/T 230.3-1994高纯铟中硅量的测定 （硅钼蓝吸光光度法）（原G YS/T 230.4-1994高纯铟中硫量的测定 （氢碘酸、次磷酸钠谱法）（YS/T 230.5-1994高纯铟中鉈量的测定 （罗丹明B吸光光度法）（原YS/T 230.6-1994高纯铟中锡量的测定 （苯芴铜－溴代十六烷基三甲YS/T 230.7-1994 SEMI 标 准硅单晶抛光片规范SEMI M1-0302直径2inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.1-89（重订本0299）直径3inch硅单晶抛光片规格SEMI M1.2-89（重订本0299）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.5-89（重订本0699）直径100mm硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.6-89（重订本0699）直径125mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.7-89（重订本0699）直径150mm硅单晶抛光片规格SEMI M1.8-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.9-0669直径200mm硅单晶抛光片规格(参考面)SEMI M1.10-0669直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度525μm）SEMI M1.11-90（重订本0299直径100mm无副参考面硅单晶抛光片规格 SEMI M1.12-90（重订本0299）直径150mm无副参考面硅单晶抛光片规格（厚度625μm）SEMI M1.13-0699直径350mm和400mm硅单晶抛光片指南SEMI M1.14-96直径300mm硅单晶抛光片规格(切口)SEMI M1.15-0302分立器件用硅外延片规范SEMI M2.0997蓝宝石单晶抛光衬底规范SEMI M3.12962inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.2－913inch蓝宝石衬底标准SEMI M3.4－91100mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.5－923inch回收蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88125mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.6－88150mm蓝宝石衬底标准SEMI M3.8－91蓝宝石衬底上硅单晶（SOS）外延片规范SEMI M4－1296太阳能光电池用硅片规范SEMI M6－1000硅单晶抛光试验片规范SEMI M8－0301砷化镓单晶抛光片规范SEMI M9－0999电子器件用直径50.8mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.1－96电子器件用直径76.2mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.2－96 光电子用直径2inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.3－89光电子用直径3inch砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.4－89电子器件用直径100mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.5－96直径125mm砷化镓单晶圆形抛光片标准SEMI M9.6－95直径150mm砷化镓单晶圆形抛光片（切口）规范SEMI M9.7－0200 鉴别砷化镓晶片上观察到的结构和特征的标准术语SEMI M10－1296集成电路用硅外延片规范SEMI M11－0301晶片正面系列字母数字标志规范SEMI M12－0998 硅片字母数字标志规范SEMI M13－0998半绝缘砷化镓单晶离子注入与激活工艺规范SEMI M14－89半绝缘砷化镓抛光片缺陷限度表SEMI M15－0298多晶硅规范SEMI M16－1296块状多晶硅标准SEMI M16.1－89晶片通用网格规范SEMI M17－0998硅片订货单格式SEMI M18－0302体砷化镓单晶衬底电学特性规范SEMI M19－91建立晶片坐标系的规范SEMI M20－0998地址分配到笛卡尔坐标系的矩形单元规范SEMI M21－0998介电绝缘（DI）晶片规范SEMI M22－1296磷化铟单晶抛光片规范SEMI M23－0302直径50mm磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.1－06003inch(76.2mm)磷化铟单晶圆形抛光片标准SEMI M23.2－1000矩形磷化铟单晶抛光片标准SEMI M23.3－0600电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.4－0999电子和光电子器件用100mm圆形磷化铟单晶抛光片规SEMI M23.5－1000优质单晶抛光片规范SEMI M24－1101根据聚苯乙烯乳胶球直径校准光点缺陷硅片检验系统SEMI M25－95运输晶片用的片盒和花篮再使用指南SEMI M26－96确定测试仪器的精度与公差比（P/T）的规程SEMI M27－96开发中的直径300mm硅单晶抛光片规范SEMI M28－0997（1000撤回）直径300mm晶片传递盒规范SEMI M29－1296用傅立叶变换红外吸收光谱测量砷化镓中代位碳原子SEMI M30－0997用于300mm晶片传送和发货的正面打开的发货片盒暂SEMI M31－0999统计规范指南SEMI M32－0998用全反射X射线荧光光谱（TXRF）测定硅片表面残留SEMI M33－0998制定SIMOX硅片技术规范指南SEMI M34－0299开发自动检查方法测量硅片表面特征规范的指南SEMI M35－0299低位错密度砷化镓晶片腐蚀坑密度（EPD）的测试方SEMI M36－0699低位错密度磷化铟晶片中腐蚀坑密度（EPD）的测试SEMI M37－0699硅抛光回收片规范SEMI M38－1101半绝缘砷化镓单晶材料的电阻率、霍尔系数盒霍尔迁SEMI M39－0999关于硅片平坦表面的表面粗糙度的测量指南SEMI M40－0200功率器件、集成电路用绝缘体上硅（SOI）晶片的规SEMI M41－1101化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000关于编制硅片纳米形貌报告的指南SEMI M43－0301硅中间隙氧的转换因子指南SEMI M44－0301 300mm晶片发货系统临时标准SEMI M45－0301用EVC剖面分布测量外延层结构中载流子浓度的测试SEMI M46－1101 CMOS LSI电路用绝缘体上硅（SOI）晶片规范SEMI M47－0302评价无图形硅衬底上薄膜的化学机械抛光工艺的指南SEMI M48－1101 用于130nm级工艺硅片几何尺寸测量设备的指南SEMI M49－1101 采用覆盖法确定表面扫描检查系统的捕获率和虚假计SEMI M50－1101 化合物半导体外延片规范SEMI M42－1000硅片背面条型代码标志规范SEMI T1－95带有二维矩阵代码符号的晶片标志规范SEMI T2－0298 晶片盒标签规范SEMI T3－0302 150mm和200mm晶片箱标志尺寸规范SEMI T4－0301 砷化镓圆形晶片字母数字刻码规范SEMI T5－96带二维矩阵代码符号的双面抛光晶片背面标志规范SEMI T7－030262079:200110466.13-93 714.12A-99165.4-1998（重订本0299）（重订本0299）（重订本0699）（重订本0699）（重订本0699）（重订本0299）90（重订本0299）撤回）。
中华人民共和国国家军用标准微电子器件试验方法和程序GJB548A-96Test methods and procedures for microelectronics 代替GJB548-881 范围1 1 主题内容本标准规定了微电子器件统一的试验方法控制和程序包括为确定对军用及空间应用的自然因素和条件的抗损坏能力而进行的基本环境试验物理和电试验设计封装和材料的限制标志的一般要求工作质量和人员培训程序以及为保证这些器件满足预定用途的质量与可靠性水平而必需采取的其他控制和限制1.2 适用范围本标准适用于微电子器件1.3 应用指南1.3.1 规定了在实验室中对某等级器件应施用的适当试验条件使其提供的试验结果等效于现场实际工作条件下的结果并且具有重复性但不能把本标准所规定的试验解释成它们严格地确切地代表了任何地理的或外层空间位置的实际工作因为只有在特定用途和位置下的真实的工作试验才是在相同条件下的实际的性能试验1.3.2 把军用微电子器件规范中出现的性质相近的试验方法规定在一个标准中这样就能使这些方法统一并可充分利用仪器工时和试验设备为了达到这一目的必须使每个通用试验方法具有广泛的适用性1.3.3 本标准所规定的微电子器件的环境试验物理试验及电试验方法在适当时也适用于已批准的军用规范所未包括的微电子器件1.3.4 为了保证按本标准筛选的相同等级的所有器件具有一致的质量和可靠性提供了相同水平的物理试验电试验和环境试验生产控制工作质量以及各种材料2 引用文件GB313188 锡铅焊料GB3431.1一82 半导体集成电路文字符号电参数文字符号GB917888 集成电路术语GB949188 锡焊用液态焊剂松香基GBT12842一91 膜集成电路和混合膜集成电路术语GJB360A96 电子及电气元件试验方法GJB597A96 半导体集成电路总规范GJB120891 微电路的认证要求GJB120991 微电路生产线认证用试验方法和程序GJB243895 混合集成电路总规范GJB271296 测量设备的质量保证要求一计量确认体系ASTM C17785 用护热板法测定稳态热通量和热传递特性的试验方法ASTM CS 18一91 用热流计法测定稳态热通量和热传递特性的试验方法ASTM D15094 固体电绝缘材料交流损耗特性及介电常数的试验方法ASTM D25793 绝缘材料直流电阻或电导的试验方法ASTM D338694 电绝缘材料的线性热膨胀系数的测试方法ASTM D357495 软质多孔材料一扁结合的及横制的氨基甲酸乙酯泡沫的试验方法3 定义3.1 术语本标准除采用GJB597A GB9178GBIT12842定义的术语外还采用如下定义的术语3.1.1 器件device单片多片膜和混合集成电路以及构成电路的诸元件3.1.2 额定值rating用于限定工作条件的任何电的热的机械或环境的量值在这样的工作条件下元器件机器设备电子装置等能良好地工作注额定值是一个通用的术语.还应见预定值极限值3.1.3 额定值极限值ratinglimiting value确定极限能力或极限条件的一种额定值超过它就有可能损坏器件注极限条件可以是最大的也可以是最小的分别称为最大额定值和最小额定值额定值是以绝对最大额定位体系为基础的为试验额定值方法1005A1008A1015A5004A和5005A所规定的值仅适用于短期加速应力贮存老炼及寿命试验.而不得作为设备设计的依据3.1.4 最坏情况条件worst case condition把偏压输入信号负载和环境的种种最不利的依器件的功能而定数值在规定的工作范围内同时加到被试器件上就构成了最坏情况条件不同参数的最坏情况可能是不一样的如果采用的全部测试条件并非都取最不利的数值则用术语部分最坏情况条件加以区别并应同时指明与最坏情况的偏离例如电源电压输入信号电平和环境温度的最小值及负载的最大值可能构成测量门输出电压的最坏情况条件在室温下加电条件取最不利的数值则构成部分最坏情况条件这时应注明在室温下以示区别3.1.5 加速试验条件accelerated test condition采用一个或几个应力水平其超过最大额定工作或贮存应力水平但不大于试验额定值3.1.6 静态参数static Parameter用来表示器件直流特性的电参数例如直流电压直流电流或直流电压比直流电流比或直流电压与直流电流之比3.1.7 动态参数dynamic parameter用来表示器件交流特性的电参数例如电压或电流的方均根值及其随时间变化的值或它们之间的比3.1.8 开关参数switchins parameter输出从一个电平转换到另一个电平或对阶跃输入的响应有关的参数3.1.9 功能试验functional test按顺序实现功能其值表的通过通不过试验或进行这种试验时器件作为外线路的一部分而工作并同时试验全线路的工作情况3.2 符号本标准采用的符号符合GB3431.l的规定4 一般要求4.1 试验方法的分类本标准所规定的试验包括环境试验机械试验电学试验以及试验程序4.2 数据报告应用任何试验方法或程序所得的数据应根据实际试验条件和结果写出报告任一试验方法或程序的结果应附有下列数据a.进行100检查或抽样检查的每一试验批的器件总数b.进行抽样检查的器件样品数c.每项试验中出现的失效数以及观察到的失效模式当一个检验批或交货批中包括几种器件型号时上述原则仍适用但应进一步按器件编号写出数据报告4.3 试验样品的处理试验样品的处理应按器件相应规范的规定4.4 取向4.4.1 取向和施力方向的标识对于那些包括与器件取向有关的观测或施加外力的试验方法器件的取向和施力方向应符合图1和图2的规定4.4.2 其他外壳结构取向当外壳结构不同于图1和图2所示时应在适用的采购文件中规定器件的取向4.4.3 不同横向尺寸的封装取向在从三个或更多的侧面引出径向引线的扁平封装中X方向应取两横向尺寸中较大尺寸的方向而Z方向取较小尺寸的方向4.5 试验条件4.5.1 校准要求在程序控制和试验中所使用的全部试验设备包括电试验设备环境控制设备和其他仪器应按GJB2712要求进行校准已校准的设备应以合适的方式进行控制使用和贮存以保证校准可靠试验设备的校准应按GJB2712要求予以识别和标记4.5.2 准确度规定的准确度极限值用于在规定标称试验条件下所获得的绝对值在确定测量值极限时应考虑测量误差包括由于偏离标称试验条件而引起的误差使器件参数的真值标称的试验条件下在规定的极限值之内若无其他规定以下电试验容差和注意事项均应适用于器件的测量a.电源电压和偏压准确度应保持在规定值的1之内b.输入调整电压准确度应保持在规定值的1或lmV之内取其大者c.输入脉冲特性重复率频率等准确度应保持在10之内应当这样选择标称值使其10的变化如果测试设备的变量小于10则选用实际值不影响规定值测量的准确度d.击穿试验时施加的电压准确度应保持在规定值的1之内e.对于数字器件而言应注意保证只有在其适当的高或低逻辑电平或其他规定电平时才施加最大输出负载电流f.阻性负载的容差为1g.容性负载的容差应为5或1pF取其大者h.感性负载的容差应为5或5H取其大者i.静态参数应测到1以内j.开关参数应测到5或1ns以内取其大者4.5.2.1 测试方法和线路如在特定的试验方法中无其他规定给出的测试方法和线路应作为基本测试方法它们并不是必须采用的唯一方法和线路但承制方应向使用方证明采用的其他方法和线路与本文件中给出的是等效的并且其测试结果在希望的测试准确度之内见4.5.24.5.3 非破坏性电试验的最大额定值所有非破坏性电试验的测试条件都不得超过最大额定值也不得超过最大瞬时电流和外加电压的极限值4.5.4 电测试频率若无其他规定电测试频率应是规定的工作频率如规定了某个频率范围除了在该频段的任一规定频率下进行的测试外还应在该频段的最高和最低频率下对主要功能参数进行测试无论是规定一个频率范围或是一个以上的工作频率对微电子器件进行电测试时都应记录测试频率以及在该频率下测得的参数4.5.5 多输入/输出端的器件测试对具有一个以上输入或输出端的器件当任何输入或输出参数被规定时应在器件的所有输入或输出端上测试规定参数4.5.6 复合器件的测试当被试微电子器件含有多个电路或功能时无论是独立地与外部器件引线相连接还是为了把引线减到最少而以某种方式内连都应采用适当的线路和程序以便能按适用的采购文件规定的适用试验方法对器件所含的所有电路或功能进行测试例如如果器件有一对逻辑门就不能只测试一个门的规定参数而是还应对复合器件的所有电路进行测试以保证在各个电路之间不出现严重干扰例如把信号加到双门器件的一个门上不应使另一个门的输出发生变化此项要求的目的是为了保证微电子器件内所有电路元件能按其结构和连接要求充分发挥作用对于具有复杂的信号通道且信号通道随输入信号的性质或随内部功能对输入信号的执行而变化的电路阵列应编制器件工作程序来满足此项要求从而保证所有电路元件均起作用并提供按规定试验方法观察或测量它们的性能水平的手段4.5.7 试验环境若无其他规定所有试验应在下列环境中进行电测量环境温度25其他试验环境温度25 10环境气压86106kPa4.5.8 在环境模拟箱内允许的温度变化当采用环境模拟箱时被试样品只能放在下述规定的工作区内a.工作区的温度变化控制环境模拟箱使工作区内的任一个参考点的温度变化保持在2或土4之内取其大者b.工作区内的空间变化环境模拟箱的结构应使其工作区的任一点的温度在给定时间内偏离参考点不超过3或3取其大值发热元件附近位置除外c.具有规定最低温度例如老炼寿命试验等的环境模拟箱当试验要求包括规定的最低试验温度时控制和环境模拟箱结构应使得工作区内任一点的温度偏离规定的最低温度不超过或%取其大者4.5.9 电测试期间测试温度的控制若无其他规定规定的测试温度一外壳温度Tc环境温度TA或结温Tj应采用本标准规定的适用程序加以控制它们是专门用于在一定温度下进行器件的电测试时控制所采用的试验箱操作工具等这时4.5.8中的规定不适用采用低占空系数脉冲试验或稳定功率温度条件来进行电测试4.5.9.1 TcTA或Tj高于25时测试期间的温度控制若无其他规定在测试过程中器件温度应稳定在规定的Tc或TA或Tj的土3之内应采用低占空系数脉冲或有规定时采用稳定功率条件见4.5.9.4来测量电参数4.5.9.2 Tc或TA或Tj低于25时测试期间的温度控制若无其他规定在测试过程中器件温度应稳定在规定的的Tc或TA或Tj的土3之内见注在整个测试期间器件温度不得超过所规定温度5应把此温度看作冷却开始温度应当采用低占空系数脉冲或有规定时采用稳定功率条件见4.5.9.4来测量电参数适用时详细规范应规定对冷却开始温度最敏感的那些测试参数或测试程序有规定时这些参数应在测试程序开始时测量并且应尽可能迅速或在规定的时间内完成注若适用的详细规范中无其他规定如果测试期间四件温度Tc或TA或Tj变化超过5规定的温度Tc或TA或Tj应小于等于一554.5.9.3 Tc或TA或Tj为25时测试期间的温度控制若无其他规定在测试过程中器件温度应稳定在25应采用低占空系数脉冲或有规定时采用稳定功率条件见4.5.9.4来测量电参数4.5.9.4 功率稳定温度条件当有规定时器件应在规定的稳态通电条件下在规定的测试温度入Tc或TA或Tj等于高于或低于25下至少稳定5min或某规定时间电参数测量应在温度/功率稳定后尽可能快地或在规定时间内完成或者当有规定时器件温度Tc或TA可稳定在保持规定稳定功率状态5min以上的情况下预计的典型结温的3之内且采用低占空系数脉冲技术下进行测试4.6 一般注意事项4.6.1 瞬态过应力器件不得承受超过额定的电压或电流瞬态条件4.6.2 引线连接次序将微电子器件与电源相连时必须十分小心对于MOS器件的引线连接次序是重要的其他微电子电路或器件应遵循适用采购文件中列举的注意事项4.6.3 低温焊和高温熔焊试验需要进行低温和高温熔焊时应注意避免损坏器件4.6.4 预防辐射在X射线中子或其他高能粒子的辐射场中贮存或测试微电子器件时应当采取预防措施4.6.5 微电子器件的操作a.器件接入电测试线路之前所有设备应接地b.在器件接入设备之前或为了进行测试必须取出器件之前应尽可能把它们一直放在金属屏蔽容器内c.适用时在测试期间器件应一直装在运输用包装盒或其他防护罩内5 详细要求本标准规定的试验方法编号如下环境试验10011999机械试验20012999静电放电敏感度的分类3015试验程序50015999数字集成电路电测试附录A模拟集成电路电测试附录B接口集成电路电测试附录C定制单片微电路试验程序附录D方法1001低气压(高空工作1 目的本试验是模拟飞机或其他飞行器在高空飞行中所遇到的低气压条件来进行的本项试验的目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力而这种失效是由于气压减小时空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的即使低气压不会使介质完全击穿但会增强电晕放电及其介质损耗和电离等有害影响此项模拟高空条件的试验还可以用来检验低气压下的其他效应其中包括绝缘材料介电常数的变化和稀落空气使发热元器件散热能力降低对元器件工作特性的影响2 设备低气压试验所需仪器设备包括一台真空泵一个合适的密封室必要时该密封室还应具备能观察样品的装置一只可用于测量密封室模拟高度的压力表和一只用于检测从直流到30MHz范围电流的微安表或示波器3 程序样品应按规定安放在密封室内并按规定把压力减小到下述规定的某个试验条件把样品保持在规定的压力下对它们进行规定的试验在试验期间及试验前的20min内试验温度应为25土10对器件施加规定的电压在从常压到规定的最低气压并恢复到常压的整个过程中监测器件是否出现故障器件如出现飞弧有害的电晕或其他任何影响器件工作的缺陷或退化都应视为失效试验条件压力kPa 高度mA 58 4572B 30 9144C 12 15240D 4.4 21336E 1.1 30480F 0.15 45720G 0.310-6 2000003.1 测量连接器件进行测量并且在整个抽气过程中施加规定的电压用微安表或示波器监视施加最大电压见4c的器件引出端从直流到30MHz范围内看其是否出现电晕放电电流在未放置试验器件的情况下施加适用的试验条件确定校准试验线路中的电流方法以保证试验数据真实反映被试器件的特性4 说明有关的采购文件应规定以下内容a.安装方法见3b.试验条件见3若无其他规定应采用条件Ec.降压期间的试验见3若无其他规定器件应承受在额定工作条件下的最大电压d.适用时进行降压后的测试见3若无其他规定应对器件规定的特性或参数进行全面的电测试e.适用时测量前的暴露时间见3方法1002浸液1 目的本试验用于确定微电子器件密封的有效性把需要检查的器件浸入温度差别很大的液体中使之受到热应力和机械应力这择就很容易检查出引出端结合处部分焊缝或压封的缺陷这些类型的缺陷是由于不良的结构在物理或环境试验过程中可能产生的机械损伤引起的浸液试验一般紧接在物理和环境试验之后进行因为浸液能使接口焊缝和外壳中未发现的隐患进一步恶化本试验在实验室的试验条件下进行而程序只拟作为测量浸液试验后密封的有效性选用淡水还是盐水作为试验用液体取决于被试器件的性质当试验后进行电参数测试以获得封口泄漏的证据时用盐水而不用淡水将更容易检测出水汽穿透封口的能力本试验为检测液体穿透封口提供了简单而又容易的检测方法要注意绝缘电阻的降低内部元件浸蚀和出现盐的晶粒等现象本试验不拟作为热冲击或浸蚀试验尽管它也可以揭示这些方面的不足本试验是破坏性试验故不宜作为100试验或筛选2 设备浸液试验所用的设备是两只温控恒温槽它们能保持所选的热水浴和冷水浴条件的规定温度使用合适的温度计测量槽温3 程序本试验连续进行数次浸液循环每次循环是先浸在温度为65的热淡水自来水槽中然后浸在冷水槽中循环次数每次浸演时间冷水槽的性质和温度都在下表列出的相应的试验条件中规定样品应尽可能迅速地从一个槽转移到另一槽中在任何情况下转移时间不超过15s当完成最后一次循环后应在淡水或蒸馏水中把样品迅速而彻底地清洗并擦干或吹干所有表面使其干净和干燥并在4h后48h内对器件进行电测量和外部目检当采购文件有规定时还应按方法2013打开器件检查内部元件有无浸蚀现象和盐的晶粒当本试验作为一个试验组或试验分组的一部分来进行时在本项试验结束时不必专门进行试验后的测量或检查而可以在该组或分组结束时再进行4 说明有关的采购文件应规定以下内容a.试验条件见3若无其他规定应采用条件Cb.若与本文3中规定不同应规定最后一次循环后的测量时间c.最后一次循环后的测量见3若无其他规定测量应包括引线间的电阻引线与外壳间的电阻所有器件特性或全部电参数的测试最终评价应包括对器件标志清晰度封装和引线是否变色或腐蚀等外观自检d.适用时打开器件并进行内部检查见3方法1003 绝缘电阻1 目的本试验的目的是测量元器件的绝缘部分对外加直流电压所呈现的电阻施加的外加电压会使绝缘部分表面或其内部产生漏电流绝缘电阻的测量不等效于介质耐压试验或电击穿试验干净而又干燥的绝缘体具有很高的绝缘电阻但如果存在有机械缺陷就会在介质耐压试验中失效由于绝缘部分是由不同的绝缘材料组成的具有不同的固有绝缘电阻因此测得的绝缘电阻数值不宜作为洁净度或有无变质现象的依据1.1 影响试验的因素影响绝缘电阻测量的因素有温度湿度残余电荷充电电流或仪器和测量线路的时间常数测试电压预调以及连续施加电压的时间加电时间对于最后一个因素某些元件如电容器和电缆的电流特性通常从瞬时最大值以某一变化速率下降到一个稳态的较小值其下降速率取决于试验电压温度绝缘材料电容量和外电路的电阻因此当连续施加测试电压时在一段时间所测的绝缘电阻会不断增加由于这种现象可能要经过数分钟才趋于最大绝缘电阻读数但规范通常要求在规定的时间后读出数值如果绝缘电阻相当接近稳态值而电流一时间曲线又已知或者在测量值上加上适当的修正因子就可以大大地缩短测试时间而且仍可得到良好的测试结果对于某些元器件可以在几秒钟内获得仪器稳定读数试验前后应在相同的条件下测量绝缘电阻2 设备绝缘电阻的测量设备应与被测元件的特性相适应如兆欧电桥兆欧表绝缘电阻测量装置或其他适当设备3 程序当需要特殊准备或条件时如特殊的试验夹具重接接地绝缘低气压湿度或水浸等就应对之作出规定按规定在相互绝缘点间或在绝缘点与地之间测量绝缘电阻当加电时间是一个因素时若无其他规定在连续施加测试电压到规定的时间见4之后立即进行绝缘电阻的测量但是如果仪表读数表明绝缘电阻达到了规定极限已处于稳定状态或还继续增加就可在规定的测试时间之前结束测试如果要进行多次测量就应采用与初次测量相同的极性依次测量绝缘电阻若无其他规定加到样品上的直流电压应按下述测试条件的规定并在外加电压的两种极性上测试绝缘电阻试验条件测试电压A 10v10B 25Vt 10C50v10D100V10E500v10F1000v10当工厂进行质量一致性试验时可以使用任何等于或高于适用的试验条件所允许的最低电压若无其他规定绝缘电阻值的测量误差不得超过10应采用适当的保护措施来防止由于不需要的通道中的泄漏造成读数误差4 说明有关的采购文件应规定以下内容a.适用时规定测试条件或其他测试电压见3b.如有要求则规定特定的准备或条件见3c.测量点见3若无其他规定应在器件引线全部引线互相电连接在一起或连接到一个公共点与器件外壳之间测量绝缘电阻测量的电阻值不得小于15Md.如果加电时间很关键应具体规定加电时间见1.1e.在规定测试电压下用最大漏电流表征的绝缘电阻若无其他规定任何相邻而不相连接的引线间的最大漏电流在100V直流电压下不得超过100nA方法1004A耐湿1 目的本试验的目的是用加速方式评定元器件及其所用材料在高湿和炎热典型的热带环境条件下抗衰变作用的能力大多数炎热条件下退化现象是直接或间接地由于有缺陷的绝缘材料吸附水蒸汽和水膜以及由于金属和绝缘材料表面变湿而引起的这种现象会产生多种类型的衰变其中包括金属的腐蚀材料成分的变化及电特性变坏本试验与稳态潮湿试验不同它采用温度循环来提高试验效果其目的在于提供一个凝露和干燥的过程使腐蚀过程加速并使得进人密封外壳内的水汽产生呼吸作用在高温下潮气的影响将更加明显也能增强试验效果试验包括低温子循环它的作用是加速显示在其他情况下不易看清的衰变迹象因为凝结水汽引起的应力会使裂缝加宽这样通过测量电特性包括击穿电压和绝缘电阻或进行密封试验就可以揭示该衰变现象规定在绝缘体上施加极性电压从而研究电解的可能性因为电解会助长可能发生的介质击穿如果需要的话为了确定载流元件特别是细导线和接点的抗电化学腐蚀的能力本试验还可以对某些元件施加一定的电负荷本试验获得的结果是可重复产生的并已通过现场失效的调查得到证实业已证明本试验能可靠地指出哪些元件不能在热带条件下使用2 设备。
