超大规模集成电子学 微结构科学. 第3册(杨沁清)思维导图
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物理高二第一学期(试用版)-第九章 D 简单逻辑电路 课件 _3
“非”逻辑关系
非门
输入 输出
A
Y
0
1
1
0
A1 Y
思考：如图是应用非门构成的简易火警报警器示意电路。 R是可变电阻（用于电路调试，经调试后，保持阻值不 变），Rt是一个热敏电阻（当热敏电阻温度较低时，它 的阻值非常大，即Rt远大于R；当热敏电阻温度较高时， 它的阻值就会变得很小，从而远小于电阻R的阻值）， L是电铃，G是非门。请说明工作原理。
u
好像处在一种“是”和“非”的判断之中，因此叫做逻辑电路。 U
0 1 0 0 0 1 1 10 0 1 0 00 1 0 0 1 0 0
t
三、门 电 路
基本的门电路
与门 或门 非门
四、简单逻辑电路
规定闭合为“1”，断开
演示实验：探究灯泡的亮、灭与开关断和合的关系。“0”，灯亮“1”，灯灭
“0”
开关S1 断 断 合
开关S2 断 合 断
灯泡L 灭 灭 灭
开关S1 开关S2
0
0
0
1
1
0
灯泡L 0 0 0
合
合
亮
1
1
1
控制条件
控制结果
真值表：罗列各种控制条件和控制结果的表格。
（一）“与”门 “同时”的意思
“与”门的真值 表
输入A与输入B均是高电压时，输出Z才是高 电压的逻辑电路叫做“与”门。
A B
&
Z
输入 AB 00 01
D 简单逻辑电路
信息技术发展
迅猛 第一台计算机（电子管）
第一台晶体管计算机
第一个集成电路
超大规模集成电路
数字化的生活
为什么称之为数字化呢？让我们先来看一下这样两类电信号。
微电子
• 掺杂工艺：扩散、离子注入
（本页内容需理解）
扩散（掌握）
• 扩散是在较高的温度下，杂质原子能够克服阻力进
入半导体，并在其中缓慢运动。扩散总是使杂质从 浓度高的地方向浓度低的地方运动。
• 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置：
Ⅲ、Ⅴ族元素
• 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙(应避免) ：
Na、K、Fe、Cu、Au 等元素
当施主数量大于受主时，半导体是n型的；反之，半 导体是p型的。
（本页内容需掌握）
（知道）
电导率（conductivity）电阻率（resistivity）
半导体的电导率（电阻率）与载流子浓度 (concentration )（掺杂浓度）和迁移率(mobility )有 关。
迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场
BiMOS技术便是把双极器件和CMOS 器件同时 集成在同一芯片上，取长补短，集中了双极晶体管
和CMOS器件的优点。在BiMOS技术中，利用CMOS 器件制作高集成度、低功耗的部分，而利用双极器件 制作输入和输出部分或者高速部分。
第四章
集成电路工艺
• 前工序 （掌握）集成电路中三大工艺技术：
图形转换：光刻与刻蚀 掺杂：扩散与离子注入、退火 制膜：氧化、CVD、PVD
场效应管 FET (field-effect-transistor)（掌握） 电压控制器件 “单极”晶体管：导电过程涉及一种载流子
绝缘栅型场效应晶体管 （Insulated Gate FET，IGFET） 又称：金属一绝缘体一半导体场效应晶体管 （Metal Insulator Semiconductor FET，MISFET） 又称：金属一氧化物一半导体场效应晶体管 （Metal Oxide Semiconductor FET，MOSFET）
（本页内容需理解）
扩散（掌握）
• 扩散是在较高的温度下，杂质原子能够克服阻力进
入半导体，并在其中缓慢运动。扩散总是使杂质从 浓度高的地方向浓度低的地方运动。
• 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位置：
Ⅲ、Ⅴ族元素
• 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙(应避免) ：
Na、K、Fe、Cu、Au 等元素
当施主数量大于受主时，半导体是n型的；反之，半 导体是p型的。
（本页内容需掌握）
（知道）
电导率（conductivity）电阻率（resistivity）
半导体的电导率（电阻率）与载流子浓度 (concentration )（掺杂浓度）和迁移率(mobility )有 关。
迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场
BiMOS技术便是把双极器件和CMOS 器件同时 集成在同一芯片上，取长补短，集中了双极晶体管
和CMOS器件的优点。在BiMOS技术中，利用CMOS 器件制作高集成度、低功耗的部分，而利用双极器件 制作输入和输出部分或者高速部分。
第四章
集成电路工艺
• 前工序 （掌握）集成电路中三大工艺技术：
图形转换：光刻与刻蚀 掺杂：扩散与离子注入、退火 制膜：氧化、CVD、PVD
场效应管 FET (field-effect-transistor)（掌握） 电压控制器件 “单极”晶体管：导电过程涉及一种载流子
绝缘栅型场效应晶体管 （Insulated Gate FET，IGFET） 又称：金属一绝缘体一半导体场效应晶体管 （Metal Insulator Semiconductor FET，MISFET） 又称：金属一氧化物一半导体场效应晶体管 （Metal Oxide Semiconductor FET，MOSFET）
半导体材料教程
《半导体集成电路》课程教学教案山东大学信息科学与工程学院电子科学与技术教研室(微电)张新课程总体介绍：1．教材：选用上海科技出版社出版的，由电子工业部教材办公室组织编写的高等学校教材《半导体集成电路》一书。
该教材参考教学学时为120学时。
2．目前实际教学学时数：课内66+实验6，共计72学时。
3．教学内容：(按72学时删减)第一篇双极型逻辑集成电路 26学时第一章集成电路的寄生效应（含序论） 7学时第二章 TTL集成电路 12学时第三章 TTL中大规模集成电路 3学时第四章 TTL电路版图设计 4学时第二篇 MOS 逻辑集成电路 26学时有关MOS管+前言 3学时第六章 nMOS 逻辑集成 9学时第七章 CMOS集成电路 8学时第八章动态,准静态MOS电路简介 2学时第九章 MOS集成电路版图设计 4学时第三篇模拟集成电路 20学时第十一章模拟集成电路中的特殊元件 8学时第十二章模拟集成电路中的基本单元 9学时第十三章集成运算放大器简介 3学时课程教案:序言 1学时内容:1 集成电路1.1 集成电路定义1.2 集成电路特点1.3 集成电路分类2半导体集成电路2.1 半导体集成电路分类2.2 有关半导体集成电路的集成度2.3 半导体集成电路的优缺点3课程内容介绍及参考书课程重点：介绍了何谓集成电路，集成电路是如何分类的（即可分为膜集成电路.半导体集成电路和混合集成电路），集成电路有何特点；介绍了何谓半导体集成电路，半导体集成电路的分类（即按照电路中晶体管的导电载流子状况分类，可分为双极型集成电路和单极型集成电路两种；按照电路工作性质分类，可分为数字集成电路和模拟集成电路两种），半导体集成电路的重要概念-集成度，以及半导体集成电路的优点（即体积小重量轻；技术指标先进可靠性高以及便于大批量生产和成本低等）。
最后给出了课程总体内容介绍，并给出了有关参考书。
课程难点：有关半导体集成电路的定义，不同方法的分类；有关半导体集成电路集成度的两种定义方法，以及半导体集成电路的最突出的优点。
中国科学院大学 段成华 VLSI 超大规模集成电路 期末复习笔记(1到10章)
MOS 管 耗尽区电荷以及宽度
阈值电压的定义，饱和区线性区等阶段的电流
阈值电压：强反型发生时
饱和区： 与 Vgs-Vt 平方成正比
线性区：
ID
n
(VGS
VT
)VDS
VDS 2
2
Vds 较小时忽略平方项，就是线性关系
沟调效应
增加 Vds 会使漏结的耗尽区变大，缩小了有效沟道长度。 影响为：Vds 会增大 ID
Vdd Vdd 0 'Supply' VgspVdd gatep dc='Supply' Vgsngaten Gnd dc='Supply'
.dc Vgsp0 'Supply' 'Supply/20' .dc Vgsn0 'Supply' 'Supply/20'
.print dc I1(mp) .print dc I1(mn)
* Set TSMC 0.18um library
*.model pch PMOS level=49 version = 3.1 *.model nch NMOS level=49 version = 3.1
.options list node post measout * Option List: Prints a list of netlist elements, node connections, and values for components, voltage and current sources, parameters, and more. * Option Node: Prints a node cross-reference table. * Option Post: Saves simulation results for viewing by an interactive waveform viewer. * Option Measout: Outputs .MEASURE statement values and sweep parameters into an ASCII file.
《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》随笔
《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》读书笔记目录一、内容概览 (1)二、关于本书的背景知识介绍 (2)三、内容概览 (3)3.1 主要章节概述 (4)3.2 重点概念解析 (6)四、详细读书笔记 (7)五、本书中的关键观点和论点分析 (8)5.1 关于超大规模集成电路物理设计的关键观点 (10)5.2 书中论点的深度分析 (11)六、比较与评价 (13)6.1 本书与其他相关书籍的比较 (14)6.2 本书的优点与不足评价 (15)七、实践应用与案例分析 (16)7.1 书中理论在实际设计中的应用 (18)7.2 案例分析 (19)八、总结与心得体会 (21)8.1 本书的主要收获和启示 (22)8.2 个人对超大规模集成电路物理设计的未来展望 (23)一、内容概览《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》是一本深入探讨超大规模集成电路（VLSI）物理设计过程的著作。
本书从图分割的基本原理出发，详细阐述了集成电路设计的各个阶段，包括布局、布线、时序分析和验证等。
在图分割部分，本书介绍了如何将复杂的集成电路设计问题简化为更易于处理的子问题。
通过图论和计算机辅助设计（CAD）技术，作者提出了一系列高效的图分割算法，从而为后续的物理设计过程奠定了坚实的基础。
在布局阶段，本书重点讨论了如何根据电路结构和约束条件选择合适的布局算法。
作者详细分析了不同布局策略的优缺点，并提出了针对复杂电路的优化方法。
布线是集成电路设计中的关键步骤之一，本书介绍了多种布线算法，包括基于启发式的布线方法、基于物理约束的布线方法和基于人工智能技术的布线方法等。
作者还探讨了布线过程中的优化问题和挑战。
时序分析是确保集成电路正常工作的关键环节，本书详细阐述了时序分析的基本原理和方法，包括静态时序分析、动态时序分析和时序收敛等。
作者通过理论分析和实例验证，介绍了如何有效地进行时序分析和优化，以确保设计的集成电路具有良好的时序性能。
人教版高中物理选择性必修第3册 第4章 3 原子的核式结构模型
预习导学 | 新知领悟
多维课堂 | 素养初培
课堂小练 | 素养达成
课后|提升训练
物理 选择性必修 第三册 配人教版
第四章 原子结构和波粒二象性
学法与考法
考法：①对电子的发现过程综合电场和磁场的性质进行考查；②对α粒子 散射实验现象的理解及现象分析的考查；③对卢瑟福的原子模型的理解 及现象分析的考查；④对α粒子散射现象结合电场力和能量的考查
预习导学 | 新知领悟
多维课堂 | 素养初培
课堂小练 | 素养达成
课后|提升训练
物理 选择性必修 第三册 配人教版
第四章 原子结构和波粒二象性
微思考 电子的发现，说明了什么？
【答案】电子的发现，说明原子可以再分．
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课堂小练 | 素养达成
课后|提升训练
物理 选择性必修 第三册 配人教版
如图所示的阴极射线管，探究电子的发现，回答下列问题：
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多维课堂 | 素养初培
课堂小练 | 素养达成
课后|提升训练
物理 选择性必修 第三册 配人教版
第四章 原子结构和波粒二象性
问题 (1)产生阴极射线的玻璃管为什么是真空的？ (2)汤姆孙怎样通过实验确定阴极射线是带负电的粒子？ (3)运用电磁场测定电子荷质比有哪些方法？
预习导学 | 新知领悟
多维课堂 | 素养初培
课堂小练 | 素养达成
课后|提升训练
物理 选择性必修 第三册 配人教版
第四章 原子结构和波粒二象性
电子的发现
1．阴极射线：科学家在研究__稀__薄__气__体___放电时发现，当玻璃管内 的气体足够稀薄时，阴极发出一种射线，这种射线能使玻璃管壁发出荧 光，这种射线称为__阴__极__射__线___．
初中物理：所有章节思维导图！全面系统，考前必看！
初中物理：所有章节思维导图！全面系统，考前必看！我是一只初中物理老师。
每天会发一篇：（1）我2009年12月至今的教学经验，所写的考试提分方法；（2）优秀家长将落后孩子培养进步的真实经历，经验总结；（3）学霸孩子自己的学习心得。
我是柴森，我在西城，我爱大北京！柴森：此文来自网络，非原创。
思维导图，知识点一目了然。
建议使用iPad观看，或查看原图在手机上放大阅读。
初中阶段所学的物理知识，可以分成五个部分：声、光、电、力、热。
声学部分：1章1、声现象光学部分：2章1、光现象2、透镜及其应用电学部分：7章1、电流和电路2、电压和电阻3、欧姆定律（电流与电压、电阻的关系）说明：所谓纯电阻电路就是将电能转化为内能的电路。
比如电阻、电灯。
而非纯电阻电路还会把电能转化为其他形式的能。
比如电风扇、电动机会把电能转化成大部分的机械能和一小部分的内能（电器发热）此时，电流和电压、电阻的关系就不适用欧姆定律。
4、电能与电功率5、电热与安全用电6、电与磁的关系7、信息的传递力学部分：7章1、质量和密度2、运动和力的关系说明：物理学中所谓运动状态是指物体运动速度，包含速度大小和速度方向。
只要有一个改变了，就算运动状态改变。
比如做匀速圆周运动（速度大小不变，而方向时刻改变）的物体，即他的运动状态是改变的，因此可以判断它受到的力肯定不是平衡力。
3、常见的力：重力、弹力、摩擦力4、简单机械：杠杆和滑轮说明：平衡的杠杆既满足合力为0，也满足杠杆平衡条件。
5、压强6、浮力浮力产生的原因：流体对物体的各个方向压力的合力7、功功率机械能热学部分：3章1、物态变化2、热和能3、能源与可持续发展tips：1、各位同学可以选择自己即将考试的内容查看哦。
比如中考复习的同学可以参考最新的中考说明把相关知识点结合此思维导图看。
2、看的过程中要尝试回忆公式和定律，如果想不起来，就要查看书和笔记，争取记住。
3、祝大家中考、期末取得好成绩！—————————————————我是一个网课小老师，我相信：只要懂题型方法，每个孩子都能大幅提高。
模拟电子基础-清华大学-全套完整版演示教学
2. 实践性
➢ 常用电子仪器的使用方法 ➢ 电子电路的测试方法 ➢ 故障的判断与排除方法 ➢ EDA软件的应用方法
华成英 hchya@
五、如何学习这门课程
1. 掌握基本概念、基本电路和基本分析方法
➢ 基本概念：概念是不变的，应用是灵活的， “万 变不离其宗”。 ➢ 基本电路：构成的原则是不变的，具体电路是多种 多样的。 ➢ 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法，因而有不同的分析方法。 2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步 的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提倡 快乐学习！
华成英 hchya@
七、考查方法
1. 会看：读图，定性分析 考查分析问题的能力
2. 会算：定量计算 3. 会选：电路形式、器件、参数
考查解决问题的能力－－设计能力 4. 会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA
考查解决问题的能力－－实践能力
综合应用所学知识的能力
清华大学 华成英 hchya@
华成英 hchya@
第一章 半导体二极管和三极管
华成英 hchya@
第一章 半导体二极管和三极管
§1.1 半导体基础知识 §1.2 半导体二极管 §1.3 晶体三极管
华成英 hchya@
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分 析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知 识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专 业中的应用打下基础。 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，
清华大学MEMS课程讲义
压阻系数：单位应力引起的相对电阻率变化量
14/46
微电子学研究所 Institute of Microelectronics
简介
敏感机理
压力传感器
加速度传感器
微陀螺
其他传感器
压阻效应
单晶硅的电阻率相对变化量
0 0 ⎤ ⎡ T1 ⎤ ⎡ d1 ⎤ ⎡ Δρ1 ⎤ ⎡π 11 π 12 π 12 0 ⎢d ⎥ ⎢ Δρ ⎥ ⎢π ⎢ ⎥ 0 0 ⎥ ⎢ 2⎥ ⎢ 2 ⎥ ⎢ 12 π 22 π 12 0 ⎥ ⎢T2 ⎥ ⎢ d3 ⎥ 1 ⎢ Δρ3 ⎥ ⎢π 12 π 12 π 11 0 0 0 ⎥ ⎢T3 ⎥ ⎢ ⎥= ⎢ ⎥=⎢ ⎥⎢ ⎥ d ρ 0 0 0 π 0 0 Δ ρ 4 4 44 0 ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢T4 ⎥ ⎢d ⎥ ⎢ Δρ ⎥ ⎢ 0 0 0 0 π 44 0 ⎥ ⎢T5 ⎥ ⎢ 5⎥ ⎢ 5⎥ ⎢ ⎥⎢ ⎥ d ρ 0 0 0 0 0 π Δ ⎢ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥ 44 ⎥ ⎦⎢ ⎣ 6⎦ ⎣ 6⎦ ⎣ ⎣T6 ⎥ ⎦
简介
敏感机理
压力传感器
加速度传感器
微陀螺
其他传感器
传感器的分类
根据敏感器件
电容传感器 谐振传感器 压阻传感器 压电传感器 隧道传感器 机械（力学） 热 电 磁 辐射 化学传感器
7/46
微电子学研究所 Institute of Microelectronics
根据输入量
其他传感器
压阻效应
平面应力的压阻变化
T3 = T4 = T5 = 0
′ − ρ0 ΔR ρ11 ′ T1′ + π 12 ′ T2′ + π 16 ′ T6′ = π l Tl + π tTt + π sTs = = π 11 R0 ρ0
三体1思维导图
三体1思维导图物理学家物理学教授武斗中去世父亲学单向接触双向接触严格审查不含太阳系坐标信息减少被定位可能定稿内容为文明和平学生沙瑞山父亲叶哲泰母亲绍琳妹妹叶文雪丈夫杨卫宁监听敌人太空活动设备受太阳斑耀和黑子活动影响叶有论文预测，可能协助解决基础研究可转化为实用技术基础科学研究分渐进型和突变型要重视突变型寻找外星文明是突变型之一国外在探索外星文明与外星文明接触对世界的影响超级大国先与外星文明接触的危险和后果我国也应发出自己的声音搜索监听信息发送自解译系统发送信息内容人类不可能依靠自身力量改造请主降临世界对人类监督改造后由伊文思发展为毁灭全人类截留篡改主发的信息发送大量未经审核信息丁仪叶文洁《太阳辐射层可能存在能量界面和反射特性》使卫星内部达到千度高温设备维护及检修监听部内参一内参二内参三（红岸系统）电波要穿透对流层再反射放大出去故电波功率要超过“阈值”偷偷利用红岸向太阳发送了信号破坏地线、锯断悬索，杀死雷、杨制造环境事件令人厌恶科学和现代工业申玉菲后来靠拢纲领建立第二红岸基地申玉菲提供了降临派背叛的证据诛杀飞出三体星系4光年外恒星降临派拯救派派希望科学家乱破坏科学设施杀害科学家陆军少将联络员日籍华裔物理学家丈夫魏成与汪淼在技术研讨会结识名单最后一名自杀者杨冬男友杨冬母亲叶文洁父亲的学生宇宙每隔10cm 必然会有个洞每天11点有食物降临倒计时消失进入漫长严寒石头冻成粉末世界单纯只有空灵理论理论崩溃，没有支撑活下去介绍汪找学生沙瑞山沙瑞山介绍杨母的一生杀虫剂信建设兵团上方因叶专长救其到基地工作探测外太空信息摧毁太空卫星等目标起初后来杨卫东宁告诉了真实的红岸太阳是电波放大器生下杨冬叶收到“不要回答、不要回答，否则被定位，将遭到入侵”叶回答“地球已无力解决自身问题，需要外来介入”政委雷志成通过小程序监控同时知道外星回应雷想独占发现外星人成果，威胁叶叶想拯救人类活着的未忏悔直接导致父亲死亡的已死亡领导潘寒制造抗生素灾难拯救派降临派投降派被会议认为降临派主要扑灭的技术可以摆脱地球引力，大规模进入太空，建立防御体系将行星撕成两个小的成为“月亮”文明毁灭等待下一次文明重生三体文明的出路速度1/10光速目的地著名学者、著名作家、电力公司高层、大媒体记者、在读博士、最大软件公司副总裁、潘寒想出进化算法利用大型计算机计算与孙结婚一起研究三体申要求继续研究否则枪击潘要借助“主”惩罚人类申三颗太阳行星围绕着其中一颗转，则恒纪元另一颗或两颗太阳飞近时将行星从原太阳处夺走行星只被一颗太阳夺走，稳定运行有鬼就是没有鬼，而是有人捣鬼常伟思美军上校英军上校史强申玉菲杨冬政委雷志成总工杨卫东宁汪淼靶上生活着二维智能生物神枪手每隔10cm 在靶上打个洞二维智能科学家发现神枪手随意行为被认为宇宙铁律每天11点给火鸡喂食火鸡中科学家发现宇宙铁律某天11点食物没有降临，农场主把火鸡都杀了申要求停下纳米项目申建议汪玩三体游戏申要求找到观测宇宙辐射的地方两颗恒星出现时，进入恒纪元三颗飞星人体变轻干皮卷到恒纪元时由少数仍存活者放入水中复活人只能在墙壁极后墙内生存出现文明讲述杨冬介绍宇宙背景辐射因信获罪雷达岭基地任务叶文洁的职责叶的发现叶与杨卫宁组成家庭收到三体回信见到文革迫害父亲的人坚定引入外星文明叶文洁消灭人类暴政世界属于三体300多人科学家、政治家、文学家环境分支生物医疗分支各国政府开始对三体组织大搜捕潘寒杀死申玉菲汪淼纳米技术大史率军包围叛军击破微型核弹和科学顾问介绍进化算法科学顾问介绍“飞星不动”“三日临空”秘书长三体舰队远征游戏提示参加网络提供的地点聚会只七人三体人脱水功能三体人表面有全反射镜面，可组成人列计算机三个太阳真实存在“三体”游戏创建目的为聚集同志残暴的“阿次特克”文明被“西方入侵者”毁灭认为“入侵者”是强盗和凶手与秦始皇、牛顿、冯诺依曼交流创造人体队列计算机算出了两年太阳运行轨迹计算错误，出现三日连珠，184号文明毁灭三日临空，融化岩石，毁灭文明数学奥林匹克冠军，博士毕业进庙潜修想出“空”为三体模型引起申玉菲注意被人威胁停止研究三体魏怀疑潘寒魏将三体研究成果交给汪淼与伽利略交流恒纪元乱纪元回到恒纪元三日临空，融化岩石，毁灭文明墨子的宇宙理论，万年历了解到《三体》故意伪装虚假，但有事实纵深宇宙闪烁摩尔斯电码电码倒计时大史分析战斗中心科学边界红岸基地高能加速器汪淼受命加入科学边界组织射手农场主找申玉菲纪元由恒纪元和乱纪元组成乱纪元恒纪元杨冬母亲文革亲眼目睹母亲与同学斗死父亲大兴安岭红岸基地生下小孩，回到母校最高统帅口号聚会人员会议内容被俘虏汪淼进入三体192号文明参会人员汪通知大史潘寒参会潘寒告诉与会者三体世界真是存在电力高层和IT 人士被逐出“游戏”汪淼进入三体184号文明游戏管理员联系汪淼聚会魏成自述大史发现申被枪杀汪淼进入三体183号文明汪淼进入游戏139号文明与沙瑞山通过射电天线发现人物受命假说发现相机被加上倒计时三体游戏叶文洁地球叛军三体游戏5聚会三体游戏4三体问题三体游戏2、3汪淼三体。