第五章MOS电路版图设计
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第五章 CMOS 反相器 第一节 对逻辑门的基本要求(1)鲁棒性(用静态或稳态行为来表示)静态特性常常用电压传输特性(VTC)来表示(即输出与输入的关系), 传输特性上具有一些重要的特征点。
逻辑门的功能会因制造过程的差异而偏离设计的期望值。
V(y) 电压传输特性(直流工作特性)VOH fV(y)=V(x)VM开关阈值VOL VOL VOHVOH = f(VOL) VOL = f(VOH) VM = f(VM)V(x)额定电平2004-9-29 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第5章第1页(2)噪声容限:芯片内外的噪声会使电路的响应偏离设计的期望值 (电感、电容耦合,电源与地线的噪声)。
一个门对于噪声的敏感程度由噪声容限表示。
可靠性―数字集成电路中的噪声v(t) i(t)V DD电感耦合电容耦合电源线与地线噪声噪声来源: (1)串扰 (2)电源与地线噪声 (3)干扰 (4)失调 应当区分: (1)固定噪声源 (2)比例噪声源 浮空节点比由低阻抗电压源驱动的节点更易受干扰 设计时总的噪声容限分配给所预见的噪声源2004-9-29 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第5章第2页噪声容限(Noise Margin)V“1” V OH V IHout OH 斜率 = -1V不确定区 斜率 = -1ILV “0” VVOLOL V IL V IH V in2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第3页噪声容限定义"1"噪声容限(Noise Margin) 容许噪声的限度V IH高电平 噪声容限VOHNM H未定义区 低电平 噪声容限V OL "0" NM L V IL抗噪声能力(Noise Immunity) 抑止噪声的能力门输出门输入2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第4页理想逻辑门V outg=∞Ri = ∞ Ro = 0 Fanout = ∞ NMH = NML = VDD/2V in2004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第5页早期的逻辑门5.0 4.0 3.0 2.0 VM 1.0 NM H NM L0.01.02.03.0 V in (V)4.05.02004-9-29清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德第5章第6页(3) “再生”特性:逻辑门的“再生”特性使被干扰的信号能恢复到名义 的逻辑电平。
MOS管功率放大器电路图与原理图文及其解析放大器电路的分类本文介绍MOS管功率放大器电路图,先来看看放大器电路的分类,按功率放大器电路中晶体管导通时间的不同可分:甲类功率放大器电路、乙类功率放大器电路和丙类功率放大器电路。
甲类功率放大器电路,在信号全范围内均导通,非线性失真小,但输出功率和效率低,因此低频功率放大器电路中主要用乙类或甲乙类功率放大电路。
功率放大器是根据信号的导通角分为A、B、AB、C和D类,我国亦称为甲、乙、甲乙、丙和丁类。
功率放大器电路的特殊问题(1)放大器电路的功率功率放大器电路的任务是推动负载,因此功率放大电路的重要指标是输出功率,而不是电压放大倍数。
(2)放大器电路的非线形失真功率放大器电路工作在大信号的情况时,非线性失真时必须考虑的问题。
因此,功率放大电路不能用小信号的等效电路进行分析,而只能用图解法进行分析。
(3)放大器电路的效率效率定义为:输出信号功率与直流电源供给频率之比。
放大电路的实质就是能量转换电路,因此它就存在着转换效率。
常用MOS管功率放大器电路图MOS管功率放大器电路图是由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成。
(一)MOS管功率放大器电路图-系统设计电路实现简单,功耗低,性价比很高。
该电路,图1所示是其组成框图。
电路稳压电源模块为系统提供能量;带阻滤波电路要实现50Hz频率点输出功率衰减;电压放大模块采用两级放大来将小信号放大,以便为功率放大提供足够电压;功率放大模块主要提高负载能力;AD转换模块便于单片机信号采集;显示模块则实时显示功率和整机效率。
(二)MOS管功率放大器电路图-硬件电路设计1、带阻滤波电路的设计采用OP07组成的二阶带阻滤波器的阻带范围为40~60 Hz,其电路如图2所示。
带阻滤波器的性能参数有中心频率ω0或f0,带宽BW和品质因数Q。
Q值越高,阻带越窄,陷波效果越好。
2、放大电路的设计电压放大电路可选用两个INA128芯片来对微弱信号进行放大。
mos开关电路原理图
MOS开关电路原理图。
MOS开关电路是一种常见的电子电路,它利用金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)来实现开关功能。
MOS开关电路具有高速、低功耗、低驱动电压等特点,因此在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
本文将介绍MOS开关电路的原理图及其工作原理。
MOS开关电路的原理图如下图所示:
[插入MOS开关电路原理图]
在MOS开关电路中,MOSFET起着关键作用。
MOSFET是一种三端装置,由栅极、漏极和源极组成。
当栅极施加一定电压时,会形成电场,使得漏极和源极之间的电阻发生变化,从而实现开关功能。
在原理图中,通常会标注MOSFET的型号、引脚编号等信息,以便于工程师进行设计和调试。
MOS开关电路的工作原理如下:
当MOSFET的栅极施加正电压时,电场会使得漏极和源极之间形成导通通道,从而使得电路闭合,电流得以通过;而当栅极施加负电压时,电场消失,导通通道关闭,电路断开,电流无法通过。
因此,通过控制栅极的电压,可以实现MOS开关电路的开关功能。
MOS开关电路广泛应用于数字电路中,例如逻辑门、触发器、寄存器等电路中都会使用MOS开关电路。
此外,在模拟电路中,MOS 开关电路也可用于信号调制、开关控制等应用中。
总结,MOS开关电路是一种基础且重要的电子电路,它利用MOSFET实现开关功能,具有高速、低功耗等优点,在数字电路和模拟电路中得到广泛应用。
通过本文的介绍,相信读者对MOS开关电路的原理图和工作原理有了更深入的了解,希望能够对工程师的设计和应用提供帮助。