复旦大学模电课后题答案

习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。

3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。

12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。

13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。

A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。

A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号，可以表示任意数值；数字信号是离散变化的信号，只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域；数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流，并给出它们的单位。

电压（V）是电势差，单位为伏特（V）；电流（I）是电荷通过导体的速率，单位为安培（A）。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等；常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律，电流等于电压与电阻之间的比值，即I=V/R，其中I为电流，V为电压，R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度，单位为欧姆（Ω）。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加，即R= R1 + R2 + … + Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加，再取倒数，即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn，其中R为总电阻，R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中，多个电阻串联，电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力，单位为法拉（F）。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么？给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加，再取倒数，即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn，其中C为总电容，C1、C2、…、Cn为各个电容值。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

BabbaCbcbaBcb1．PN结加正向电压时，空间电荷区将（ B ）。

a.变宽b.变窄c. 基本不变2．在本征半导体中加入（A）元素可行成Ｎ型半导体。

a.五价b.四价c.三价3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。

a.前者反偏、后者正偏；b.前者正偏、后者反偏；c.前者正偏、后者正偏；4．直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（ B ）。

a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5．当信号频率等于放大电路的或时，放大增益下降（A）．ａ．３dB b．4dB c.．5dB6．交流负反馈是指（C）a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7．稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（ B ）。

a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8．为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ C ）负反馈。

a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9．欲将正弦波电压移相，应选用（ B ）电路。

a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10．欲将方波电压转换为三角波电压，应选用（A）电路。

a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11．为了获得输入电压中的低频信号，应选用（ B ）滤波电路。

a. 高通b. 低通c. 带通12．一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路，它主要由（ C ）组成。

a：负反馈b：放大电路和反馈网络c：放大电路、反馈网络和选频网13．功率放大电路的转换效率是指（ B ）。

ａ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比ｂ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比ｃ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。

习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。

答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。

利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。

若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。

利用这个特性，可制造出各种半导体器件。

1.2 简述PN结是如何形成的。

答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。

这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。

PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。

内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。

因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。

当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。

由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。

1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。

第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。

（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。

A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。

A.3dBB.4dBC.5dB （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，与相位关系是 o U &iU &。

A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，与的相位关系是 oU &i U &。

A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。

已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，＝100Ω, β'bb r 0＝80。

试求解： （1）中频电压放大倍数； smu A & （2）；'πC （3）f H 和f L ；（4）画出波特图。

图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算： ∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ −≈−⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈−=≈+=≈−=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u &ββ（2）估算：'πCpF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈−≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm≈u A & 频率特性曲线如解图T5.2所示。

模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。

判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。

(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。

解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。

习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。

答：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体一般呈晶体结构，其原子核对价电子的束缚较弱，当半导体受到外界光和热的刺激时，它便释放价电子，从而使导电能力发生变化。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时，它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

又如一种硫化镉薄膜，在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的百分之一。

利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。

若在纯净的半导体中加入微量的杂质，则半导体的导电能力会有更显著的增加，例如在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一，这是半导体最显著的导电特征。

利用这个特性，可制造出各种半导体器件。

1.2 简述PN结是如何形成的。

答：当P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面两侧多数载流子浓度的差别，N区的多数载流子电子向P区扩散，P区的多数载流子空穴也要向N区扩散，于是电子与空穴复合，在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区，N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。

这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区，称为PN结。

PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。

内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散，另一方面又会促进少数载流子的漂移，即N区的少数载流子空穴向P区移动，P区的少数载流子电子向N区移动。

因此，在交界面两侧存在两种对立的运动，漂移运动欲使PN结变窄，扩散运动运动欲使PN结变宽。

当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等，两种运动达到动态平衡时，PN结宽度不再变化，即PN结维持一定的宽度。

由于内电场的存在，使载流子几乎不能在PN结内部停留，所以，PN 结也称为耗尽层。

1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域？二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质？二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质？答：二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。

V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得：U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA，U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。

图略。

六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。

2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V，所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE，45.4小I B七、T1 :恒流区；T2：夹断区；T3:可变电阻区。

习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。

1.4 u i和U o的波形如图所示。

1.5 u o的波形如图所示。

1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。

1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。

1.9(1 )当U I = 10V时，若U O=U Z = 6V，则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

P 1=-U 1×3= -（-5）×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ；P 3=U 3×（-1）=-3×（-1）=3W ；P 4=-U 4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。

元件2、4是电源，元件1、3是负载。

1.4 在题1.4图中，已知 I S =2A ，U S =4V 。

解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。

解：此题由KVL 求解。

对回路Ⅰ，有： U 1-10-6=0，U 1=16V 对回路Ⅱ，有：U 1+U 2+3=0，U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ，有：U 2+U 3+10=0，U 3=-U 2-10=19-10=9V验算：对大回路，取顺时针绕行方向，有：-3+U 3-6=-3+9-6=0 ，KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。

题1.4图+U 3--3V++6V -题1.6图20Ω1a题1.8图(a)(b)解：重画电路如（b ）所示，设a 点电位为V a ，则201a V I =，5502+=a V I ，10503-=a V I 由KCL 得： I 1+I 2+I 3=0 即0105055020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7100-=1.10 求题1.10图所示电路端口的伏安关系。

《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度；温度。

2.减小；增大。

3.单向导电；最大整流电流I F；最大反向工作电压U RM。

4.0.5；；；。

5. 15V；；；；6V；。

6.大；整流。

二、1.①；⑤；②；④。

2. ②；①。

3.①。

4.③。

5.③。

6.③。

三、1、2、5、6对； 3、4错。

思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈；则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。

再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。

1.3.2(a)U D=-3V，VD截止，U AB=-12V。

(b) U D1=10V，U D2=25V，VD2优先导通，VD1截止，U AB=-15V。

1.3.3 当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=；当u i≤时VD2导通，VD1截止，u o=；当≤u i≤时VD1、VD2均截止，u o=u i。

故u o为上削顶下削底，且幅值为±的波形(图略)。

1.3.4 在等效电路中，两二极管可由图(c)来表示。

当< u i<时，VD1、VD2均截止，u o=u i。

当u i≥时VD1导通，VD2截止，u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th，其最大值为U om≈。

同理，当u i≤时，U om≈。

图略。

1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V，U B=8V，U BC=5V。

因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。

截止。

1.4.1 当u i>8V时，稳压管起稳压作用，u o=8V；<u i<8V时，u o=u i；u i<时，u o=。

图略。

1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z，稳压管起稳压作用，U O=U Z=12V，I L=U O/R L=6mA，I R=(U I-U O)/R=12mA，I Z=I R-I O=6mA。

第4章习题解答1. 在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，已知场效应管的参数12n n OX W K C Lμ=和V TH ，电源电压V DD 以及电阻R 的值，试求参考电流I ref 的表达式。

解：图4-9(a)电路如下：VI O221()2D n OX GS TH WI C V V L μ=-DD GS D V V I R-=ref D I I =解以上方程即可求得I ref ，注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。

2. 若在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中，要求I O ＝1mA 。

已知场效应管T 1的沟道宽长比是T 2的5倍，两管的V TH ＝0.75V ，电源电压V DD ＝5V ，T 1的212/n K mA V =。

试求电阻R 的值。

解：211()DD GSD n GS TH V V I k V V R-=-=222()1D n GS TH I k V V mA =-=125D D I I = 解以上方程即可求得R 的值，注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。

3. 试证明图4-14(b)电路中，电流源的输出电阻为44(1)O ce R r β≈+。

证明：在图4-14(b)电路中，为求电路的输出电阻，可以将电路进行交流等效然后用电路分析的方法求。

解，但这样求解比较烦琐，可以通过分析电路的结构用简化的分析方法求解。

VI refO分析电路的结构得知，T 2管的集电极与发射极间的输出电阻为2ce r ，这样求解电路的输出电阻可以近似为T 4发射极接电阻的共发射极放大器的输出电阻的求解，这样图4-14(b)电路的简化交流等效电路如下：R则：'442'431'2'4'42'431'2'431'2(){//[//(//)]}{//[//(//)]}//(//)o o m b e ce o ce b e e e b e b e b e o ce b e e e b e b e e e b e v i g v r i r r R r r r r v i r r R r r r r R r r r =-+++=-++++ 在 2'431'2//(//)ce b e e e b e r r R r r r ++ 且忽略2'431'2{//[//(//)]}o ce b e e e b e i r r R r r r ++情况下，可求得：44(1)oo ce ov r r i β=≈+ 4. 若已知下图中R 1＝600Ω，R 2＝200Ω，I ref ＝0.5mA ，试求I O的值，并讨论由此结果可以得出I O 与I ref 之间有什么近似关系？在什么条件下此近似关系成立？I O2解：这是比例电流镜。

第1章习题答案1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。

（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

（×）（3）线性电路一定是模拟电路。

（√）（4）模拟电路一定是线性电路。

（×）（5）放大器一定是线性电路。

（√）（6）线性电路一定是放大器。

（×）（7）放大器是有源的线性网络。

（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。

（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。

（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。

（×）2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。

（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。

（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。

（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。

（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。

（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。

（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。

（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。

（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带f BW是250KHZ。

3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。

第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。

试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。

1、两个管子都正接。

（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。

模电习题参考答案一、填空：1.空穴、自由电子、空穴、自由电子2. 8V 、硅、NPN3.电流、正向、反向4.电压、电流、串联、并联6. 1u u A F ⋅⋅=、2(0,1,2)a f n n ϕϕπ+==7.电压、输入电阻8.线性、非线性 二、选择题：B C C B B C C A D D三、分析题：1.波形图如下图所示。

2.R2：电压串联负反馈、R5电压并联负反馈、R3和R6电流并联负反馈3. 参考答案：（1）Uo=28V ，电路正常工作，负载没有加上，或者负载开路。

（2）Uo=24V ，电路正常工作，负载正常工作。

（3）Uo=18V ，Uo=0.9U 2，电路非正常工作，可能是滤波电容断路损坏或者虚焊。

（4）Uo=9V ，Uo=0.45U 2，电路非正常工作，可能是整流电路的一条回路出现开路损坏或虚焊，且滤波电容虚焊或断路。

4.满足射同基反，可以起振，振荡频率四.计算题1.解：（1） V B = RB 2RB 1+RB 2V CC =4V I EQ = VB−U BEQRE 1+RE 2=1mAI CQ ≈I EQ =1mA I BQ = I CQ /β=20 uAU CEQ =V CC -I CQ R C -I EQ (R E1+R E2)=5.7Vr be =r bb ′+(1+β)26I EQ =1526Ω (2)微变等效电路为：（3）1)1(//E be L C u R r R R A ββ++-=≈ -6.4 ])1(//[//121E be B B i R r R R R β++==8.67 K Ω ==c o R R 3 K Ω2．解：A 1为一个同相比例放大器：V 01=(1+R 3/R 1)V 1=3 V 1根据虚短和虚断概念，V 2N =V 2P =V 2所以有：(V 01 –V 2N )/ R 4=(V 2N -V 0 )/R 5解得：V 0 =2V 2 -3V 13.解：(1)最大输出电压幅度（峰值）为:CES cc omm U V U -==13 V有效值为：2omm om U U ==9.19 V (2) 最大输出功率： L CES cc om R U V P 2)(21-==10.5625 W %5.784==πη。

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率； 2P =－16W 吸收功率； 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-＝I (b)6V -＝U (c) Ω1＝R 1.4 A 1.0=I1.5 Ω1210＝R h 6KW ⋅＝W 1.6 F 2C μ= J 1046-⨯＝W1.7 (a) A 5=I (b) 6V ＝U (c) 2A ＝I1.8 (a) 10V ＝U 50W ＝P (b) 50V ＝U 50W 2＝P (c) V 3-＝U 5W 1-＝P (d) V 2＝U 10W ＝P1.9 (a) A I 2= (b) 10V ＝U (c) 2A ＝I 1.10 (a) 18.75V ＝U (b) 3A ＝I (c) 0.9A ＝I 1.11 (a) 2V ＝U (b) 2.5A ＝I1.12 (a) 2V 11＝U 72W -＝P (发出功率) (b) 0.5A 2＝I 5W 1＝P (吸收功率) 1.13 (a) 4V ＝U (b) 2A -＝I ；2A 1＝I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V ＝U (c) 1A ＝I1.15 (a) A I 0= 2V -＝U (b)A I 20-= V 10-＝U (c) 1A 1＝I 2A 2＝I 1.16 (a) 2V ＝ab U (b) 7V ＝ab U (c) 2V ＝ab U1.17 (a) 0V 1＝a V 8V ＝b V 6V 1＝c V 0V 1＝d V 6V ＝e V(b) 4V ＝a V 0V ＝b V 0V ＝c V 9V ＝d V V 11-＝e V 1.18 断开：2V -＝A V ； 闭合： 3.6V ＝A V 1.19 0.4A ＝I 10V ＝ab U 0V ＝ac U1.20 (a) 27V ＝U A I 3-= (b) 60W ＝P (c) 74W min ＝P第二章2.1 (a) Ω2.5 (b) Ω1.6 (c) Ω2.67 (d) Ω5 2.2 Ω5k ＝R 2.3 Ω81.25＝R2.4 (1)400V 2＝u (2) 4V 36=V (3)滑线变阻器、电流表均将被烧毁(电流过大)2.5 3V ＝U 2.6 A 2-=I2.7 (a) A 4=I (b) A 6.1=I 2.8 (a) A 9.0=I (b) A 4=I2.9 (a) 2V =V (b) 20V 1=V 6V 2=V2.10 (a) 7V =u A i 3= (b) 42V =u A i 1.1-= 2.11 60V =u2.12 4V ＝a u ； 2.5V ＝b u ；2V ＝c u2.13 14V -＝U ；A 3-=I2.14 (a) A I 8.1= 121.6W -＝P (b) A I 1= 12W -＝P 2.15 52W 2＝P ；78W 3＝P 2.163.75A 2.17 4V ＝oc U ；Ω1＝i R2.18 Ω4＝R2.19 (a) A I 3= (b) mA I 33.1= (c) mA I 5.1=2.20 Ω10＝R ； 35.1W ＝P 2.21 A I 5.2=；Ω20＝i R 2.22 (a)Ω6＝i R (b)Ω7.5＝i R2.23 (a) A I 6.4-= 9.2W -＝P (b) A I 5.22-= 12.5W 10-＝P2.24 (a) 8V ＝U A I 1= (b)28V ＝U A I 5.0= 2.25 7.2V ＝U ； A I 4.1= 2.26 A I 4=2.27 1V 0＝U 、A I 01.00=；Ω=100R ；Ω50＝d R 2.28 A i 88.3= 2.29 3V ＝u ；A i 21=2.30 A )1cos 01.0(+t 2.31 Ω1＝ab R 2.32 Ω8＝ab R 2.33 b2.34 5V 1-＝U ； 3V 2-＝U ；5V 3＝U 2.35 10V ＝ab U第三章3.1 (a)6V )0(＝+u A 2.0)0(=+i (b) 20V )0(＝+u A i m 10)0(=+(c) 8V )0(-+＝u A 2)0(=+i 3.2 (a)A 05.0)0(=+L i 0V )0(＝+C u1000A/S d d 0L -＝－t iV/S 105d d 40C ⨯＝－tu(b)A i L 5)0(=+ 17V )0(＝+C u4.5A/S d d 0L ＝－tiV/S 0d d 0C＝－tu3.3 ① 45V )0()0(＝+-=C C u u A i C 0)0(=- A i m 45.0)0(C =+② mA i i L L 15)0()0(==+- 0V )0(＝-L u 45V )0(＝+L u ③ 换路时L i 、C u 不会跃变；C i 、L u 会跃变 3.4 19.5V ；6V3.5 V e 20-2⨯=u mA e 10-2⨯=i 3.6 (a) ms t 1= (b) s 2.4μ=t3.7 (a) V e 4)(-2t ⨯＝t u ；mA e t i t 204.0)(-⨯=(b) V e3)(-111t⨯＝t u ；mA e t i t 11167.0)(-⨯-=(c) V e 3)(-6t⨯＝t u ；A et i t)1(5.0)(6--⨯=3.8 (a) )V e 1(9)(4103.3C t t u ⨯--=； (b) )V e 1(12)(-0.1t -⨯＝t u C 3.9 )mA e 75.05.0()(208tt i -+-=3.10 A et i tL 101)(--=；V e 20)(-10t ⨯＝t u L ；V e 1020)(-10t ⨯+＝t u 3.11 A et i t)1(10)(500--=3.12 V e 761)(-t-＝t u C 3.13 )V e8.12.2()(5105tt u ⨯-+=3.14 V e 821)(-5t+＝t u C 3.15 A et i tL 45005.02.0)(-⨯+-=3.16 A e t i t -⨯+=3.05.0)(3.17 (a) ）－（）（＝3)2()1()(t t t t t f εεεε----+(b) )1()1()(--+t t t t t f εε）（＝ (c) )2()42()1()22()(--+-+-+t t t t t t f εεε）（＝ (d) ]3)1()[3()]1(1)[1()(）－（）（＝t t t t t t t f εεεε--+-+--++ 3.18 V )1(565.0)(48.0t C e t t u --⨯）（＝ε3.19 ① V )1(2)(9o t e t t u --⨯）（＝ε ②V )1(210)()2(9o ---⨯-t e t t u ）（＝ε 3.20 A )5.01()(）（＝t e t i t ε--3.21 V )e 80e 100(5-4C t t u --= A )e 8e 10(5-4:L t t i --= 3.22 临界阻尼情况；过阻尼情况3.23 V ]100e )10001(100[1000C ++-=-t t u ；A e 1001000tt i -＝3.24 A/S 5.23.25 V 810)(5t C e t u --＝ 3.26 V 2)(5.1te t u -⨯＝第四章4.2 mA )12031400(cos 20︒+=t i 4.3 U V 33m U ＝； mA I 152＝4.4 A 63101︒∠=∙I A )63(cos 210)(1︒+=t t i ωA 117102︒∠=∙I A )117(c o s 210)(2︒+=t t i ωA 117103︒-∠=∙I A )117(c o s 210)(3︒-=t t i ω A 63104︒-∠=∙I A )63(cos 210)(4︒-=t t i ω4.5 V )37(cos 50︒+=t u ω4.6 A 7=I ；A5.3'=I4.7 Ω2.76k ＝R4.8 Ω4＝R ；0.24H ＝L 4.9 V 113=U ；A 38.0=I 4.10 Ω5＝R ；0.1F ＝C4.11 读数为A 5；()Ω-=j1612Z ；()j0.0403.0+=Y S4.12 (a)阻容串联：Ω5＝R ；0.058F ＝C (b)阻感串联Ω=3R ，H 3.29=L4.13 Ω10＝R ；172.2mH ＝L 4.14 A )1171000(cos 48.0)(︒+=t t i ab4.15 A )7.291000(cos 75.1)(1︒+=t t i ；A )3.561000(cos 92.3)(2︒+=t t i 4.16 A 728.15︒-∠=∙I4.17 A 41.1=I ；Ω14.1＝R ；Ω=1.14C X ； Ω=07.7L X 4.18 视在功率A)V (447⋅=S 有功功率W)(400=P 无功功率var)(200=Q功率因数89.0cos =ϕ4.19 Ω+=)7j 22(Z W)(8.2=P 89.0cos =ϕ 4.20 ()Ω-=j2010L Z ； 0.005W max =P 4.21 j)V 3(10A +=V ；W 300=S ；ar Q v 300=4.22 ① Hz f 5o 103.2⨯＝；433=Q ②A5.1o ＝I ；6495V ==C L U U4.23 Ω14.1＝R ；H 67.0=L ；F 0.17μ=C ；20=Q 4.24 V 18=U4.25 断开时：V 3111=U ；V 2202=U 闭合时：V 01=U ；V 2202=U 4.26 A 1.4＝I4.27 (a) V cos 1t u = V c o s 25.02t u -= (b) V sin 21t u =，V sin 5.02t u =(c) )V 0.252(21-t te eu +-=- )V 25.05.0(22t t e e u ---=4.28 H 0628.0=M4.29 V )143cos(2215oc ︒-=t u 4.30 62.0=K ︒∠=∙7652.1I 4.32 mH 86.52=M4.33 星形：相电流与线电流相等：A 1.5322A ︒-∠=∙I ，A 1.17322B ︒-∠=∙IA 9.6622C ︒∠=∙I ； W 8688=P三角形：相电流：A 1.5338B'A'︒-∠=∙I ，A 1.17338C'B'︒-∠=∙I ，A 9.6638A'C'︒∠=∙I 线电流：A 1.5366A ︒-∠=∙I ，A 1.17366B ︒-∠=∙I ，A 9.6666C ︒∠=∙IW 26064=P4.34 ︒-∠=∙1.3744A I ，A 1.15722B ︒-∠=∙I ，A 9.8222C ︒∠=∙I ，W 23232=P 4.35 不可； A 022A ︒∠=∙I ，A 3022B ︒-∠=∙I ， A 3022B ︒∠=∙I ，︒∠=∙01.60N I 4.36 A :0A 1A :5.77A 2A :10A 3A :5.77A 4.37 TtU U ∆⋅=m T t U U ∆⋅=m av4.38 123V =U A 11=I 273.5W =P4.39 V 3.131，A 93.1， A 86.1 4.40 V )45(cos 55)(2︒-+=t t u ω4.41 V )455.1cos(2)1.532cos(25.0)(R ︒-+︒-+=t t t u ，W 75.3375.0S1=+=P 4.42 0.8mA 1， V 4.67， .82W 0 4.43 A 12C =I 4.44 ︒∠=∙9.3625oc U 4.45 ]Re[2A A *∙∙I U 4.46 V 17 4.47 5W ＝P 4.48 A 02︒∠=∙I第五章5.5 (a)⎩⎨⎧-=->=-≤3V V 3V 3o o u u u u u ii i (b) ⎩⎨⎧=>=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3(c)⎩⎨⎧=>=≤3V V 3 V 3o o u u u u u i i i (d) ⎩⎨⎧=≥=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3 (e) ⎩⎨⎧=-≥-=-≤i i i u u u u u o oV 33VV 35.9 “与”门5.14 利用二极管5.15 ① V 6o ＝U ；A 6L m I ＝；A 24Z m I ＝② V 4.2o ＝U ；A 48L m I ＝；A 0Z m I ＝ ③ 增大R 的阻值5.16 4.65V4.65V 4.65V V 65.44.65V V 65.4o o o -=≥-=≤≤-=-≤u u u u u u u i i i i第六章6.3 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 6.4 ① C E B ② 40 ③ PNP 6.5 15；100；306.6 增大；下降；左移；上升；增大 6.7 截止；饱和；饱和 6.9 D 6.10 Ω1k o ＝R6.11 ① (a)截止失真 (b)饱和失真6.12 ①9V CC ＝V ；Ω1k E ＝R ；12V CEQ ＝U ；Ω2k L ＝R ②截止失真；4V opp ＝U 6.13 ①2mA CQ ＝I ； 5.4V CEQ -＝U ②0V CQ ＝U ；截止 ③7.3V CQ ＝U ；饱和④Ω455k B1＝R ⑤45.1u -＝A6.15 1mA EQ ＝I ；9.5V CEQ ＝U ；83u ＝A ；Ω29i ＝R ；Ω1k .2o ＝R 6.16 44u -＝A ；减小；增大 6.17 饱和失真；增大B1R 或减小B2R6.19 ①Ω19.2k 2＝R ②mV sin 580o t u ω-＝ ③Ω8.3k i ＝R ；Ω44o ＝R6.20 ①1T 共射；2T 共射；3T 共集 ②2mA C1Q ＝I ；3mA C2Q ＝I ；4mA C3Q ＝I ；Ω31k B1＝R ③568u ＝A ④Ω1.2k i ＝R ；Ω48o ＝R6.21 ①W 125.10max o =P ② 2.5W CM ＝P ；38V (BR)CEO ＝U ； 1.125A CM ＝I 6.22 ①W 9max o =P ② 1.8W CM ＝P ③V U CEO BR 24)(>6.23 ①18V min CC ＝V ② 1.125A CM ＝I ；36V (BR)CEO ＝U ③12.89W V ＝P④2W CM ＝P ⑤12.7V ＝U 6.24 ①5V C ＝U ；调整1R 或3R ②调整2R ，使其增大 ③烧毁三极管 6.25 ① 3.5W o ＝P ②W 5V ＝P ③0.75W T2T1=P P ＝ 6.26 分别处于击穿区、饱和区、非饱和区6.28 ①1mA DQ ＝I ②Ω2k S1＝R ③Ω6k max S2＝R④)310(2u S R k kA +-＝ C ⑤2i 334S G R R R +＝；Ω10k o ＝R6.29 ①V 2GSQ -＝U ②0.22mA D Q ＝I ；V 8.9DSQ ＝U ③0.44mS m ＝g 6.30 beC L u 1)//(r g R R g A m m +-=β；G R R ＝i ；C R R =o6.31 Ebe L C m E D m R r R R R g R r R g A )1()//(1)])1(//([2be2u βββ++⋅+++=； 321i //G G G R R R R +＝；L C R R R //o =6.34 ①mA I Q C 11＝；V 10CE1Q ＝U ②10u -＝A ③Ω23k i ＝R ；Ω6k o ＝R 6.35 ①mA I I Q C Q C 5.021=＝、V7.921=Q CE Q CE U U ＝；mA I Q C 13=、V8.10CE3Q ＝UmA I Q C 5.04=、V 7.0CE4Q ＝U6.36 ①V 9.2O Q ＝U ②])1([2)//(111C2L u E be B R r R R R A ββ+++=第七章7.1 (a)电流并联负反馈 (b)电流串联负反馈 (c)电压串联负反馈 (d)电压并联负反馈 7.2 ①上负下正 ②电压串联负反馈7.4 (a)电压并联负反馈 (b)电压并联负反馈、正反馈 (c)电压并联负反馈 (d)电流串联负反馈 (e) 正反馈 (f)电流并联负反馈 7.5 (a) 13u R R A -= (b) 32u R R A -= 7.6 (a) 电压并联负反馈；BR R A Fud -= (b) 正反馈7.7 电压串联负反馈 )(121u E D ER R R R R F ++=7.8 电压串联负反馈 )1)()(1(6598917uf R R R R R R R A +++= 7.9 ①mA I C 12= ②mA I C 2.33= ③减小 C2R④应改为电压串联负反馈，f R 接至2b 、3b 接1c ⑤变动前10uf -＝A ；变动后11uf ＝A 7.10 2500；0.0967.11 31099.9-⨯；91；-9%7.12 ① 电压负反馈，F R 接在 3T 射级和 1T 射级之间 ② 电流负反馈，F R 接在 3T 集电极和 1T 基极之间7.13 ①V 71=Q C U ；V 7.01-=Q E U ②V 576.61=C u ；V 424.72=C u③ 3b 与1c 相连 ④Ω9k F ＝R7.14 ①V 522==C C U U ②1c 接运放反相端，2c 接运放同相端；③10uf ＝A ④1c 接运放同相端，2c 接运放反相端，F R 接1 b ；9uf -＝A 7.15 电压串联负反馈，254421o )()(R R R R R R u u i ++=第八章8.1 (a) V 45.0o =u (b) V 15.0o -=u (c) V 9.0o =u (d) V 15.0o =u 8.2 ① i u R R u 12o1-= ；i u R R R R Ru )(63612o +-= 8.3 ① i u R R R R R u )(63612o +-= 8.4 2500u -＝A 8.6 50084o +-=i u u 8.7 ① 44332211o i F i F i F i F u R Ru R R u R R u R R u ----=② )41212(4321o i i i i u u u u u +++-= (V 0V 15o ≤≤-u ) 8.8反相比例运算；40u -＝A ；V 6.58.9① f offoffi i i o ref R R V d R V u ])21([301o -=∑=+ ② 组成偏置电路，使电路由单极性输出变为双极性输出8.10 ① dt R t u R t u C t u i i ))()((12211o +⎰）＝－（ 8.11 ① 每个节点由3个支路构成，每个支路的电阻为2R② )2(321o ∑-=⋅=n i i i nf ref d RR V u③ V 10V 0O ≤≤U8.12 dtt du t u i )()(o1-＝；)(2)(o t u t u i ＝ 8.13 ① (a)反相比例运算器 (b)乘法器② (a) 23)(1124o R R S i S I R u I R u -＝ (b) )(21o i i S u u RI u ⋅-＝ 8.14 ① 带通 ② 高通 ③ 带阻 ④ 低通8.15 一阶有源高通滤波器； 二阶无源低通滤波器；二阶无源带阻滤波器； 二阶有源带通滤波器8.16 ① 30.8o ＝A ；200Hz o ＝f ；5＝Q ② 50o ＝A ；20Hz o ＝f ；5＝Q 8.17 ① 过零比较器 ② 单门限比较器 ③ 迟滞比较器 8.18 ①1A 、4A 为虚地； 2A 、3A 为虚短②1A 为反相加法器；2A 为电压跟随器；3A 为减法器；4A 为积分器；5A 为过零比较器 ③321o152.0i i i u u u u ---＝；4o2i u u ＝；)(2o1o2o3u u u -＝；t u U u C 2)0(3o o4--＝ ④ V 2.1o4＝u ；V 15o5-＝u8.19 ①1A 为积分器；2A 为迟滞比较器 ②ms 20 ③ms 808.20 实际是个窗口比较器；当时，或B A U u U u <>i i 输出为低电平；否则输出为高电平。