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第八章习题参考答案

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第八章习题参考答案图8.58 题1图1.解答：对图（a ）,根据运放虚短、虚断的特点可以得到U o1 -22-020k Q 进一步可以求得对图（C ）,根据运放的虚短、虚断特性容易求得2.电路如图8.59所示，集成运放输出电压的最大幅值为 求出下列各种情况下的输出电压。

（1） R 2短路；（2） R g 短路；（3） R 4短路；（4） R 4断路。

oF --- a ----------- ---------•——O— -亠—Uo1+——Uo2+(b) "l0k QU o1 =6V对图（b ），根据运放虚短、虚断的特点可以得到2V -0 _ 10k Q - U o2 -2V 20k Q进一步可以求得 U o2 =6VU o3 =2V±14V， U i 为2V 的直流信号，分别 (a)20k CU o3(c)2V1.设图8.58中A 均为理想运算放大器，试求各电路的输出电压。

10k C2Ok 010k C 20k Q当稳压管 VZ 的稳定电压值U z >10V 时,U P =U k ，输出电压表达式为U oI R i 厂(2)U z =1.5V <10V ，故输出电压表达式为8.60所示电路，设A 为理想集成运算放大器。

写出U 。

的表达式；若R f =3k C ，R i =1.5k C ，R 2=1k C ，稳压管VZ 的稳定电压值 U z =1.5V ，求U 。

的值。

(1)图中的集成运算放大器组成了同相比例运算电路，其输出电压表达式为R i 厂2.解答: (1) R 2|U M =0时可以得到｛U o 慣=0U i ，求得 U o = —4V一 RR 3=0时可以得到j UM[U oR 2U i 一 V R i=U MR 4 =0时R 2支路无电流，放大电路相当于开环应用, U o =-14VR 4 =处时可以得到3.如图 (1)(2)3.解答: U o当稳压管 VZ 的稳定电压值U z <10V 时, U p =U z ，输出电压表达式为U oJ z8.60 题3图图(3)当滑动端在最下端时，有 R W =1Ok 0，R W =0代入(町式可得(R f [ U o = 1 UI R1丿将 R f =3k C , R =1.5k f3, U z =1.5V 代入上式得尸 3k O 、UV+T ^r 5v "5v4.如图8.61所示电路中，A 为理想运算放大器，已知R i =R W =10kO ，R 2=20kC ，U i =1V ，输出电压的最大值为 ±12V，试分别求出当电位器 R W 的滑动端移到最上端、中间位置和最小端时的输出电压 U 。

的值。

4.解答：设滑动电阻的滑动端的电压为 U W ，由运放的虚短和虚断特性可知故流经电位器滑动端上部 R :的电流为R 1可得输出电压为U 。

= -26 =-2VU 。

= 7.55=7.52再设流经电位器滑动端下部 R W 的电流为PPI wU i可一 PPI WU w R WU w■RTrrW」「(1R 1R W 丿(1)当滑动端在最上端时，有RW =0，R W = 10k O 代入(町式可得(2 )当滑动端在中间位置时，有R W =R ： =5k 0，代入E)式可得U oUo =i w +R W I实际上，当电位器的滑动端在最下端时，运算放大器R 2由于运放为理想运放，即开环电压增益A u，因此输出电压为U o =Au(U +-U _)=oc但是根据题意，输出电压的最大值为 ±12V，因此在情况（3）中，当输入为正时，输出电压为12V ，输入为负时，输出为 -12V 。

5. 求证：如图8.62所示，有两个运算放大器组成的电路的输入电阻相当于一个电容，电容 值为C i =C i h +理。

I R i 丿即可得等效电容为Ci"Cl V MA 的负输入端的输入电压为U-=R 2 +R U i5.解答：运放两输入端虚短，所以第一级运放的输出与输入相同。

设输入电流为 i c ，由于第二级运放输入端虚地，则有如下关系式成立。

C d （u i —u o i c =C i ------------------dt 0-u 。

R 2U i R i可求得输入、输出关系为U oR 2 代入电流关系式i c =C idu -u dt/d u i =C i 丄dt+ R 2uR iI R 「丿 dtU o6.已知某电路的输出可以用表达式U o=3U3+4U2-7U i来表示，试用理想运算放大器来实现该电路的功能。

6.解答：根据已知的运算关系，可以知道当采用单个集成运放构成电路时,于同相输入端，而U i作用于反相输入端，如图8-1所示。

R i // R f =R2 // R3 // R4，得 R4 =90k fJ。

7.理想运放如图8.63所示，求:（1）（2）（3）U o U3、U2作用选取因为因为因为R f =1OOk f3，当 R i//R fU o=R河訐切U3 R f / R3 =3，R f / R2 =4，R f/R =7，故 R3 =33k fJ ；故 R2 =25k0故 R i =14k C若 U i=lmV， U2=1mV， U o= ？若U i=l.5mV，U2=1mV，U o= ？求该差动电路的共模抑制比。

根据o =R2 // R3 // R4，则有117.解答：(1 )分析电路，容易求出90U o = --------------- U 210+90因为U , =U 2为共模情况，所以有U 。

=9.45>a.5mV-9.5>MmV =4.675mV(3)由(2)可得U o =9.45(U c +U d /2)—9.5(U c —5/2 )=-0.O5U c +18.956/2所以所求共模抑制比为U 4A 1 =U -A 1U 0A 3TR1T U 亠 T R2T U i1，得到(2)输出电压为A C =-0.05■ 1+95=9.45mV-9.5mV =-0.05mVI 10丿 10CMRR 签=189.58.电路如图8.64所示, 8.解答: 因为运放是理想的，所以有由通路 U i2T R2T U 祗 T R,—? GND*2 -U-A2七3=U .A 3，得到R i=U o= U i2U"1R 1 +R 2U i2由通路试分别求出输出电压与输入电压的关系设运放为理想器件, 图8.64 题8图由通路U OA 2 T R 2 T u 厶T Ri T u OA 3，得到根据上式可得由通路GND T Ri T U 上2 T R 2T U OA 2,得到根据上式可得将上面计算的结果代入，得到输出电压为9. 电路如图8.65（ a ）所示。

电容器上的初始电压为 （1） 这是一个什么电路？（2） 画出在图题8.65 （b ）给定的输入电压作用下的输出波形。

根据上式可得U O A3 -U^IR 1=U A -U iiU O A3R , +R 2=R 2-^：Ui1U O A 2 -U i2—U oA3U -U R 2Ui2 -U oA3R iO-U o U o-uoA 2R 2 —U oR-U + R 2oA 2R iR i +R 2 y i2亠U R i +R 2i10V ，R=10k O ，C=0.1 阡，试求:9.解答：（1）这是一个积分运算电路。

（2）由虚短的概念可得波形如题9答案图所示。

U 。

U i/V2-2(b)图8.65 题9图又有U o =—U c 根据初始条件可以求出U iRpC1 1=-C Ji C dt N Ju i dtUc(0)=0U o1 t一 RC・0U i dt题9答案图10. 如图8.66所示电路。

试求：（1） 写出U o1、U o2与U i 之间的关系。

（2） u o 与u o1> u o2之间的关系。

10. 解答：（1）对于A i ，由反相比例运算电路有增益表达式为所以A i 的输出U oi 为R 2U o1 =A uf X u i =——UiR 1而A 2电路为微分电路，其输出电压满足u o2 一R 1C 业dtU o2 -U o1U o -U o2R — R整理有U o =2U o2 -U o1代入（1）的结论有U o YR 1C 叽 +吃U idt R 1简述该电路的特点。

当RL = RL 时，求差模电压增益 A ud = U o /U i 。

R 3 R 5（2）根据“虚短”概念,A 3同、反相端的电压相等，从而有11.在图8.67所示的电路中，设 A i 、A 2和A 3均为理想运放，回答以下问题: （1）U o调节哪个元件可改变放大器的共模抑制比，为什么?11. 解答：(1)该电路为仪用(测量)放大器电路，其特点为高输入阻抗，高共模抑制比, 高增益。

(2)由理想运放的“虚短”和“虚断”概念有当A 3的参数对称，即 \=字时，由于输入共模信号后 U oi=U o2，使得输出电压U o=0，R 3 R 5 从而共模放大倍数为零，共模抑制比可以为无穷大。

而当参数不对称时，共模放大倍数不为 零，从而大大降低了共模抑制比。

(4)首先在输入端加入差模信号，测得输出电压，代入公式求得差模放大倍数+U o(4) 简述测量该电路共模抑制比的实验步骤。

U N 1 —U N 2 =Ui =R i R+2R 2（UoTo2）则有U oi -U o2/=1 +V.输出电压为 R 4U R 3o1+Ri 〕__R 6__R 3 丿 R 5 + R eU o2 R 4R 3 + R 4-~Uo1〒RR eR 3R 5 +R 6 Uo2当R4虽时R3R5R 3 +R 4R 3R 6 R 5畑=R 4 —R 3则有输出电压为U o牛（U o1—U o2 讐 \ R 3R 3 I R 丿R 4差模电压放大倍数为 A ud=U ^=-R i （i +些 R A R i丿U i (3)调整艮〜R 6中的一个或多个，使R 4 R 3 工只6，即可改变放大器的共模抑制比。

RR 3A od ，再在输入端加入共模信号，测得输出电压，代入公式求得共模放大倍数12. 设图8.68电路中三极管的参数相同，各输入信号均大于零。

① 试说明各集成运放组成何种基本运算电路。

② 列出电路的输出电压与其输入电压之间关系的表达式。

8.68 题12图②图中，由于A i 是对数电路，则13.试求出图8.89所示电路的运算关系。

13. 解答：由图8.69所示电路，设运放 A 2的输出为U o2，可列出以下方程组K CMR —A od A ocA oc ,则可得U IR iR 4 CZFu o12.解答：①图中，A i 组成对数电路,A 2组成反相输入比例电路， A 3组成指数电路。

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有机化学第8,9,10章部分习题参考答案第八章部分习题参考答案1、命名下列化合物(1)3-甲基戊烯-3-醇3-氯-1，2-环氧丁烷3-甲基-3-甲氧基戊烷 (4)3-甲基-4-硝基苯酚(5)2-甲氧基苯酚2，4-二羟基苯甲醇 -3,4-二甲基-3-己烯-2-醇3-甲基-2,4戊二醇 2-甲基-1,4环己二酮2、写出下列化合物的结构式(1)OH(2)OH(3)CH2OHCH2OH(4)H3CCH3COHC2H5HOCH2CCH2OHO (5)C2H5(6)C2H5OCH2CHCH2O(7)OHBrCH2OCH2(8)CH2CHClOHC H2(9)Br(10)CHO2NNO2H3CCH3NO2OCl(11)O3、完成下列反应：(1)CH3H5C2CBrC2H5CH3H5C2CCHCH3(2)OH+C2H5I(3)OCH3COCH2(4)ClH3CCCHC2H5H3CCCH2C2H5CH3CH3(5)CH2OHCH2OH(6)CHCHCH3(7)H3CCH3CHOCHH3CCH3(8)CH3I+(CH3)2CHOH (9)CH2BrCH2MgBrCH2CH2OMgBrCH2(10)CH2CH2OHCH2O CH3CH2CCH3 (11)ONaCH3CH3IOCH3COOHOHCOOH+CH3I(12)BrCH2(13)OH(CH3)3CONa(CH3)3COCH2CH2CH34、下列各醇与卢卡斯试剂反应速率最快和最慢的分别是哪个?(1)最慢：正丁醇；最快：烯丙醇(2) 最慢：2一苯基乙醇；最快：1-苯基乙醇9、比较下列各化合物的酸性，按它们的酸性高至低排列成序。

2,4，6－三硝基苯酚>2,4－二硝基苯酚>对硝基苯酚>对甲基苯酚>苯酚>水>乙醇 10、A:11、CH2OC2H5B:CH2OHC:C2H5IA:12、OHOCH3B:OHC:CH3I13、H3CH3CCHCH2OHH3CCHCH2BrH3CCHCH2DH3CCHCH3EBrH3CH3CCH CH3OHAH3CBH3CCH3C第九章部分习题参考答案1．命名下列化合物：(1)2,3-二甲基丁醛3-甲基-1-苯基-2-丁酮4-羟基-3-甲氧基苯甲醛 (4)2-甲基环己酮(5)1-苯基-1-丙酮(6) 4-甲基-3-戊烯醛 (7)苯乙酮缩胺脲(8)乙醛缩乙二醇2．写出下列化合物的构造式：OCHCHCHOH3CCHCCH3CH2CH3OCClCH3OCOHHNOOOHHCCHCH2CH2CH2CHH3CH3CCNNHOC5．完成下列反应式：OHOHCH3CH2CH2CHCHCH2OHCH2CH3CH3CH2CH2CHCHCHOCH2CH3 NOHMnO2或Cr2O3 /吡啶CH3CH2CH2CHCCHOCH2CH3CH3CH2CH2CHCCH3CH2CH3CH3CH2CH2 CH2CHCH3CH2CH3HCOO- +OHH3CCCNCH2OHCHOH3CCHOHCH2CHOOH3CCCHOHC2H5CCH3CHOOCH3H3COCH3OMgBrOCH3CC2H5CHOCH3 OMgBrC6H5OHOH3CCCH3CHOCH2CCH3CH OHCH2CCH3CH3CH3CH3MgBrCCH3OMgBrCH3CH3COHCH37．按与HCN反应活性大小排列：(3)>(2)>(1)>(8)>(7)>(4)>(5)>(6) 8．O(A)CH3COCCH2CH2CHO或CH3CCH3CCH2CH2CCH3CH3CH3(B)9．CH3CCH2CH2COOHOH(A)CH3CH2CH2CHCHCH3OCH3CH3(B)CH3CH2CH2CHCCH3CH3(C)10CH3OC(D)CH3COOHOHOCH2CCH3．CH2CCH3CH2CHCH3CH2CH2CH3(A)(B)OCH3OCH3(C)OH(D)OH第十章部分习题参考答案1、命名下列化合物：(1) 3-苯基丁酸(β-苯基丁酸) (2)邻溴环己烷甲酸(2-溴环己烷甲酸) (3) 3-苯基丙烯酸(4)对氨基苯甲酸(5) 3-甲基-3-羟基戊二酸(6)2-乙酰基-3-苯基丙酸 (7) 邻羟基苯甲酸乙酯 (8)对乙氧基苯甲酰氯(9) 乙酸丙酸酐 (10)N,N-二甲基-2-甲基丙酰胺2．写出下列化合物的结构：5-甲基-1-萘甲酸水杨酸COOHCOOHα,γ-二氯-β-甲基戊酸顺-4-羟基环己烷羧酸ClH3CCH3ClCOOHOHCOOHCH3OH对苯二甲酰氯 N-甲基苯甲酰胺OCClOCNHCH3COCl(7)α-甲基丙烯酸甲酯；(8)三乙酸甘油酯CH2OOCCHCH2CCH3COOCH3333CHCOOCHCH2COOCH3．比较下列各组化合物的酸性：三氯乙酸>氯乙酸>乙酸>丙酸对氯苯甲酸>苯甲酸>对甲基苯甲酸>苯酚草酸>胡萝卜酸>蚁酸>安息香酸>醋酸>酪酸>石碳酸COOHOHCOOHCOOHCOOH>>OH>OH6．完成下列反应式，并写出各化合物的结构： (1) CH2CH2BrCH2CH2MgBr(A)CH2CH2COOH(B)(C)(2)OO(A)CH3COOH(E)(B)CH3CClOHCCH3CH2(C)CCH3(D)CH2MgBr( 3)OCH3COOHCH3COClCH3CH2CH2COOOCCH3(4)Cl2 / P(5)OCH2CCH3CHCH2COOCH2O2NCHCOClC2H5OCH2CCH3CHCH2CCH2COOCH2CCH3CHCH2COHOCH2CH2OCH3OCH3C lO(6)CH2COOHCH2COOHOHCH2CH3OHCH2CH2CH2CH2CCH2CH2O(7) CH3CH2CH2C (8)COOHOOCOCH3CH3(9)COONaOH(10)OCOHCOCH3OOCNH2COCH3ONaClO + NaOH9.CH3CH2CHCH2CH2OOCHCOOHSOCl2CH3CH2CHCH2CH2OOCHCOCl催化加氢(A)C2H5OHCH3CH2CHCH2CH2OOCHCOOC2H5CH3CH2CHCH2CH2CH3CH2CH2COOHCH2高温KMnO4CH3CH2CHCH2CH2OHCH2OHCH3CH2CHCOOHCOOHH2SO4(浓)(B)10.(A)CH3CHCOONHCH34(B)CH3CHCONH4CH3(C)CH3CHCOOHCH3O (D)CH3CHCH2OHCH3(E)CH3CHCH2CH3(F)CH3CCH3O11.OCH3COCHCH2(A)(B)CH2CHCOCH312.OHACH2CH2COOHBCHCHCOOH22COD第八章部分习题参考答案1、命名下列化合物(1)3-甲基戊烯-3-醇3-氯-1，2-环氧丁烷3-甲基-3-甲氧基戊烷 (4)3-甲基-4-硝基苯酚(5)2-甲氧基苯酚2，4-二羟基苯甲醇 -3,4-二甲基-3-己烯-2-醇3-甲基-2,4戊二醇 2-甲基-1,4环己二酮2、写出下列化合物的结构式(1)OH(2)OH(3)CH2OHCH2OH(4)H3CCH3COHC2H5HOCH2CCH2OHO (5)C2H5(6)C2H5OCH2CHCH2O(7)OHBrCH2OCH2(8)CH2CHClOHCH2(9)Br(10)CHO2NNO2H3CCH3NO2OCl(11)O3、完成下列反应：(1)CH3H5C2CBrC2H5CH3H5C2CCHCH3(2)OH+C2H5I(3)OCH3COCH2(4)ClH3CCCHC2H5H3CCCH2C2H5CH3CH3(5)CH2OHCH2OH(6)CHCHCH3(7)H3CCH3CHOCHH3CCH3(8)CH3I+(CH3)2CHOH (9)CH2BrCH2MgBrCH2CH2OMgBrCH2(10)CH2CH2OHCH2O CH3CH2CCH3 (11)ONaCH3CH3IOCH3COOHOHCOOH+CH3I(12)BrCH2(13)OH(CH3)3CONa(CH3)3COCH2CH2CH34、下列各醇与卢卡斯试剂反应速率最快和最慢的分别是哪个?(1)最慢：正丁醇；最快：烯丙醇(2) 最慢：2一苯基乙醇；最快：1-苯基乙醇9、比较下列各化合物的酸性，按它们的酸性高至低排列成序。

第8章习题与参考答案

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第八章习题本章习题及参考答案一、名词解释菲利普斯曲线需求拉上通货膨胀成本推进通货膨胀通货膨胀失业二、判断√ ×√ √ ×√√1、非平衡的通货膨胀是指每种商品价格上升的比例并不完全相同。

（）2、由于不同部门劳动生产率增长快慢不同导致的通货膨胀被称为需求拉动型通货膨胀。

( )3、成本推动型的通货膨胀是工资推动通货膨胀。

( )4、平衡和预期不到的通货膨胀，会影响人们的收入分配以及产量和就业。

( )5、菲利普斯曲线反映了通货膨胀率与通货膨胀压力之间的反向关系。

( )6、以衰退来降低通货膨胀率会引起失业率上升。

( )7、通货膨胀是指一般物价水平的显著上涨。

( )三、选择题1、成本推动通货膨胀是由于（）A 货币发行量超过流通中的黄金量B 货币发行量超过流通中的价值量C 货币发行量太多引起物价水平普遍持续上升D 以上都不是2、在通货膨胀中利益受损的人是（）A 债权人B 债务人C 养老金收入者D 雇工3、成本推动通货膨胀包括（）A 工资推动通货膨胀B 需求膨胀推动通货膨胀C 货币过度发行通货膨胀D 部门间生产率增长差别导致通货膨胀4、预期不到的通货膨胀会给下列那些人带来好处（）A养老金收入者B 领固定工资者 C 持有现款的人 D 身负重债的人5、造成通货膨胀的原因包括（）A 需求拉动B 成本推动C 经济结构因素的变动D 上述都对6、引起结构性通货膨胀的主要原因在于（）A 各部门工资相继上升B 货币需求过大C 部门间生产率提高快慢不同D 国际市场上的不稳定7、导致需求拉上通货膨胀的因素有（）A 投资需求增加B 货币供给减少C 政府支出减少D 政府收入增加8、根据价格调整方程，要降低通货膨胀率可以（）A 人为制造衰退B 减少货币发行量C 降低实际GNPD 以上都对9、下列哪一个不是根据通货膨胀的起因分类的（）A 平衡的和非平衡的通货膨胀B 需求拉上通货膨胀C 成本推进通货膨胀D 结构性通货膨胀四简答1、通货膨胀是如何分类的？2、治理通货膨胀有那些方法？3、简析结构性通货膨胀及其原因。

单片机 第八章 习题参考答案

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第八章习题参考答案一、填空题1、MCS-51外扩ROM、RAM或I/O时，它的地址总线是 P0、P2 口。

2、12根地址线可寻址 4 KB存储单元。

3、微机与外设间传送数据有程序传送、中断传送和 DMA传送三种传送方式。

4、 74LS138是具有3个输入的译码器芯片，其输出作为片选信号时，最多可以选中 8 块芯片。

5、74LS273通常用来作简单输出接口扩展；而74LS244则常用来作简单输入接口扩展。

6、并行扩展存储器，产生片选信号的方式有线选法和译码法两种。

7、在存储器扩展中，无论是线选法还是译码法，最终都是为了扩展芯片的片选端提供信号。

8、起止范围为0000H-3FFFH的存储器的容量是 16 KB。

9、11根地址线可选 2KB 个存储单元，16KB存储单元需要 14 根地址线。

10、32KB RAM存储器的首地址若为2000H，则末地址为 9FFF H。

11、假定一个存储器有4096个存储单元，其首地址为0，则末地址为 0FFFH 。

12、除地线公用外，6根地址线可选 64 个地址，11根地址线可选 2048 个地址。

13、单片机扩展的内容有程序存储器扩展、数据存储器扩展及 I/O口的扩展等。

二、选择题1、当8031外扩程序存储器8KB时，需使用EPROM2716（ C ）A、 2片B、 3片C、 4片D、 5片2、某种存储器芯片是8KB*4/片，那么它的地址线根数是（ C ）A、 11根B、 12根C、 13根D、 14根3、 74LS138芯片是（ B ）A、驱动器B、译码器C、锁存器 D、编码器4、 MCS-51外扩ROM、RAM和I/O口时，它的数据总线是（ A ）A、 P0B、 P1C、 P2D、P35、6264芯片是（ B ）A、 E2PROMB、 RAMC、 Flash ROMD、EPROM6、一个EPROM的地址有A0----A11引脚，它的容量为（ B ）。

A、2KBB、4KBC、11KBD、12KB7、单片机要扩展一片EPROM2764需占用（ C ）条P2口线。

《半导体物理》习题答案第八章

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第8章 半导体表面与MIS 结构2.对于电阻率为8cm Ω⋅的n 型硅，求当表面势0.24s V V =-时耗尽层的宽度。

解：当8cm ρ=Ω⋅时：由图4-15查得1435.810D N cm -=⨯∵22D d s rs qN x V εε=-，∴1022()rs s d D V x qN εε=-代入数据：11141352219145211.68.85100.24 4.9210()()7.3101.610 5.8109.2710d x cm -----⨯⨯⨯⨯⨯==⨯⨯⨯⨯⨯3.对由电阻率为5cm Ω⋅的n 型硅和厚度为100nm 的二氧化硅膜组成的MOS 电容，计算其室温（27℃）下的平带电容0/FB C C 。

解：当5cm ρ=Ω⋅时，由图4-15查得143910D N cm -=⨯；室温下0.026eV kT =，0 3.84r ε=（SiO 2的相对介电系数） 代入数据，得：1141/20002197722110.693.84(11.68.85100.026)11()11.6 1.61010010310FBr rs rs A C C kT q N d εεεε---===⨯⨯⨯+⋅+⨯⨯⨯⨯⨯此结果与图8-11中浓度为1⨯1015/cm 3的曲线在d 0=100nm 的值非常接近。

4. 导出理想MIS 结构的开启电压随温度变化的表示式。

解：按定义，开启电压U T 定义为半导体表面临界强反型时加在MOS 结构上的电压，而MOS结构上的电压由绝缘层上的压降U o 和半导体表面空间电荷区中的压降U S （表面势）两部分构成，即oST S Q U U C =-+ 式中，Q S 表示在半导体表面的单位面积空间电荷区中强反型时的电荷总数，C o 单位面积绝缘层的电容，U S 为表面在强反型时的压降。

U S 和Q S 都是温度的函数。

以p 型半导体为例，强反型时空间电荷区中的电荷虽由电离受主和反型电子两部分组成，且电子密度与受主杂质浓度N A 相当，但反型层极薄，反型电子总数远低于电离受主总数，因而在Q S 中只考虑电离受主。