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4-模拟电子技术第四章双极结型三极管及放大电路基础1

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模拟电子技术第四章第一节双极型三极管BJT共18页

模拟电子技术第四章第一节双极型三极管BJT共18页
10
b. 三极管的三种组态
强调如何判断呢？
BJT的三种组态
(a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
引出：强调三极管是一个双端口网络具 有输入端和输出端对应着两条特性曲线 c: 输入特性曲线
来描述。
iB=f(vBE) vCE=const.
iC=f(vCE) iB=const.
15
6、教学效果
（1）通过前面讲述，学生能从感性上和理性上认识三极管； （2）通过这节课的学习，能在仿真软件熟练绘出实际电路， 并查看仿真结果； （3）学生知道实际生活中三极管的应用。
16
•
谢谢！
3
2、教学目标
（1）了解三极管的结构、工作原理； （2）熟练掌握三极管的输入输出特性曲线； （3）熟练掌握三极管三种接法的判断； （4）了解三极管的应用.
重点和难点
4
3、教学方法
采用课堂讨论法、多媒体课件及动画相结合、实 验仿真的教学方法，让学生认识三极管及其用途。
通过复习以前的知识引入新内容的介绍，从感 性认识到理性认识，到实际中应用。循序渐进，逐 渐深入的方法。
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。 (a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号
9
Байду номын сангаас
（3）理性上认识三极管
a：内部载流子的传输过程 （以NPN为例） IE=IB+ IC
放大状态下BJT中载流子的传输过程
iB=f(vBE) vCE=const.

电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

电子电工学——模拟电子技术 第四章 双极结型三极管及发达电路基础

4.1 双极结型三极管BJT
(Bipolar Junction Transistor)
又称半导体三极管、晶 体管，或简称为三极管。
分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN型、PNP型 按频率分：高频管、低频管 按功率分：小功率、大功率
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
c
e V VCE
VCC
V
VBE
也是一组特性曲线
实验电路
1.共射极电路的特性曲线
输入特性 :iB=f(vBE)|vCE=const
(1)VCE=0V时，发射结和集电结均正偏，输入特性相当于两个PN结并联
(2)VCE=1V时，发射结正偏，集电结反偏，收集电子能力增强，发射极发
射到基区的电子大部分被集电极收集，从而使得同样的VBE时iB减小。
ICEO (1 )ICBO 值愈大，则该管的 ICEO 也愈大。
３．极限参数
(1) 集电极最大允许电流 ICM
过流区
当IC过大时，三极管的值要 iC
减小。在IC=ICM时，值下降 ICM
到额定值的三分之二。
PCM = iCvCE
(2) 集电极最大允许耗散功率 PCM
将 iC 与 vCE 乘 积 等 于 规 定 的 PCM 值各点连接起来，可得 一条双曲线。
利用IE的变化去控制IC，而表征三极管电流控制作用的参 数就是电流放大系数 。
共射极组态连接方式
IE UBE
+ Uo
-
49 IC 0.98(mA)
IB
20( A)
共射极接法应用我们得到的结论：
１、从三极管的输入电流控制输出电流这一点看来，这两 种电路的基本区别是共射极电路以基极电流作为输入控制 电流。 ２、共基极电路是以发射极电流作为输入控制电流。

第四章 双极结型三极管及放大电路基础

第四章 双极结型三极管及放大电路基础

+VCC RB C1 T RC C2
单电源供电电路
(3-44)
放大电路的性能指标
电压放大倍数



iB
共射极放大电路
vO 0.98V AV 49 vI 20mV
(3-15)
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区
C
IC
E
IE
NPN型三极管
PNP型三极管
(3-4)
集电区： 面积较大
C N P N E
集电极 基区：较薄， 掺杂浓度低
B
基极
发射区：掺 杂浓度较高
发射极
(3-5)
C N P N
集电极
集电结
B
基极
发射结
E
发射极
(3-6)
4.1.2 电流分配与放大原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下， 通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四 端网络表示，如图：
vi
Au
vo
(3-36)
基本放大电路的组成
共射放大器 三极管放 大电路有 三种形式 共基放大器 共集放大器
以共射放 大器为例 讲解工作 原理
(3-37)
共射放大电路的基本组成
RC C1
放大元件iC= iB， 工作在放大区，要 +VCC 保证集电结反偏， 发射结正偏。
B
RB EB IB
ICBO
ICE N P IBE N
EC
E

双极结型三极管及放大电路基础

双极结型三极管及放大电路基础

集电区收集电子的
能力很弱，iC主要由 vCE决定：vCE↑→ic↑
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
现以iB=40uA一条加以说明：
（3）当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如：
vCE≥1V vCB≥0.7V 运动到集电结的电子基本上都可以被集电区
收集，此后vCE 再 增加，电流也没有 iC /mA 明显得增加，特性
曲线进入与vCE轴 基本平行的区域。
同理，可作出iB= 其他值的曲线。
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
输出特性曲线可以划分为三个区域：
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内 vCE的数值较小，一般vCE≤vBE。此时Je正偏，Jc 正偏或反偏电压很小。
iC /mA
=80μA =60μA =40μA
IB+ICBO=IBN IB=IBN-ICBO ≈IBN
c IC
ICBO
IB
RbbIBE
N
ICN
Jc P Je
N
VBB
e IE
Rc VCC
例：共发射极接法
利用BJT组成的放大电路，其中一个电极 作为信号输入端，一个电极作为输出端，另一 个电极作为输入、输出回路的共同端。根据共 同端的不同，BJT可以有三种连接方式（称三 种组态）：
=20μA
vCE /V
输出特性曲线可以划分为三个区域：
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小，一般vCE<0.7V（硅管）。此时Je正偏，Jc正偏或反偏电 压很小。
截止区——iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的
下方。此时Je反偏，Jc反偏。

模拟电子技术第四章双极结型三极管及放大电路基础

模拟电子技术第四章双极结型三极管及放大电路基础

称为基极电流放大系数。同样，它也只与管子 的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
由于，
，因而一般 >> 1 。三极管的
集电极电流对基极电流具有很好的放大作用
4. 三极管的三种基本连接电路 (a) 共基极接法； (b) 共发射极接法；
(c) 共集电极接法。
输出
输出
输入
输出 输入
输入
基极作为 公共电极
（是NPN管还是PNP管，是硅管还锗管）， 并区分e、b、c三个电极。
(a)
(b)
(c)
2V 2.7V 6V 2.2V 5.3V 6V 4V 1.2V 1.4V
(a)
NPN
eb
C
2V 2.7V 6V
硅
(b)
PNP
e Cb 2.2V 5.3V 6V
硅
(c)
PNP
b Ce 4V 1.2V 1.4V
锗
解：(1)依|VBE|=0.7V(或|VBE|= 0.2V)确定硅还是锗。
uo
iE
–
uo uo0= 0 uBEu=BEU=BUE+BEui uCEuC=EU=CUE+CEuo
无 有uC输E =入U信CC号－(uiiC=≠R0C)时:
iC
uCE
uo
ui
uBE
iB
O
t
O
t
UBE
IB
？ IC
UCE
O
tO
tO
tO
t
结论：
(2) 加上输入信号电压后，各电极电流和电压的大 小均发生了变化，都在直流量的基础上叠加了 一个交流量，但方向始终不变。 直流分量 交流分量
改变iB ，得到一组曲线簇

《模拟电子技术》大学课件第四章(双极型三极管及放大电路基础).ppt

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❖ 综合考虑电路的静态分析结果与动态 分析结果，即得电路的实际工作情况
25
放大电路为什么要建立合适的的静态工作点？
1. 静态工作点Q合适
2. 静态工作点 Q 偏高 可能导致饱和失真 3. 静态工作点 Q 偏低 可能导致截止失真
26
5. 直流通路和交流通路
耦合电容：隔直流， 可看做为开路。
信号源：不加考虑 去掉所在支路。
C
N
B
B
P
B
N
E
E
NPN型三极管
C
C
P
B
N
P
E
E
PNP型三极管
由于PN结之间的相互影响，使BJT表现出不
同于单个PN结的特性而具有电流放大作用。
5
结构特点
集电区： 面积较大
B 基极
C 集电极
N P N
E 发射极
基区：较薄， 掺杂浓度最低
发射区：掺杂 浓度最高
6
BJT放大的 内部条件
管芯结构剖面示意图
O
C
D
B
iB = 0
E uCE/V
Q 尽量设在线段 AB 的中点。则 AQ = QB，CD = DE
40
(三)用图解法分析电路参数对静态工作点的影响
1. 改变 Rb，保持
VCC ，Rc ， 不变；
iC
Q3 Q1
IB
Q2
O
uCE
Rb 增大， Q 点下移； Rb 减小， Q 点上移；
2. 改变 VCC，保持 Rb，
根据直流通路可知：
共射极放大电路
29
2. 用图解法确定静态工作点 采用该方法分析静态工作点，必须已知三极管的输出特性曲线。

第四章BJT及放大电路基础教材


思考题
1、可否用两个二极管背靠背地相联以构成一个BJT？ 2、BJT符号中的箭头方向代表什么？
3、能否将BJT的e、c两电极交换使用？
4、要使BJT具有放大作用，Je和Jc的偏置电压应如何连接？
5、如何判断BJT 的三种组态？
6、有哪几个参数确定BJT的安全工作区
7、三极管组成电路如左图所示，试分析 （1）当Vi=0V时 （2）当Vi=3V时 电路中三极管的工作状态。 解：（1）当Vi=0V时 ∵Vbe=0V,Ib≈0 ∴三极管处于截止状态, Vo=Vcc=12V （2）当Vi=3V时 三极管Je结处于正偏， Jc结处于反偏状态
20
0.4 0.8
PNP型锗管 vBE(V) vBE 0.2 V
死区电压： 硅管0.5V， 锗管0.1V。
2. 输出特性
iC(mA )
4
iC f (vCE ) i
B 常数
输出特性曲线通常分三个工作区：
(1) 放大区
100A
3
2
1
0
在放大区有 iC= iB ， 也称为线性区，具有恒 80A 流特性。 60A 放大区 在放大区，发射结处 40A 于正向偏置、集电结处 20A 于反向偏置，晶体管工 iB=0 3 6 9 12 v (V) 作于放大状态。 CE
2、极间反向饱和电流 (1) 集电极基极间 反向饱和电流ICBO
-
ICBO
uA
b
+
c e
VCC Ie =0
4.1.4
主要参数
b c e
ICEO
uA +
2、极间反向饱和电流
(2) 集电极发射极间
反向饱和电流ICEO 即输出特性曲 线IB=0那条曲线所 对应的Y坐标的数 值。 ICEO也称为集 电极发射极间穿透 电流。

第四章双极结型三极管及放大电路基础


+C2 ++
uBE = UBE
u+B–E
T
uCE –
uo
iE
–
uCE = UCE uo = 0
无输入信号(ui = 0)时:
iC
uCE
uBE
iB
UBE
IB
IC
UCE
O
tO
tO
tO
t
RB C1
+ + ui –
+UCC
RC iB iC
+C2 ++
u+B–E
T
uCE –
uo
iE
–
uBE = UBE+ ui uCE = UCE+ uo
4、 半导体三极管的参数
半导体三极管的参数分为三大类:
直流参数 交流参数 极限参数
(1)直流参数
①直流电流放大系数
◈ 共发射极直流电流放大系数
◈ 共基极直流电流放大系数
1
1
②极间反向电流
温度的函数
◈ 集电极基极间反向饱和电流ICBO
图4.11反向饱和电流ICBO 图4.12 集--射反向饱和电流ICEO ◈ 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO
合电容加在三极管的 发射结于是有下列过 程：
三极管放大作用
变化的 ic通过 Rc转变为
变化的输出
v C v i i β i i R v C v i 1 be b c (
b ) c c c 2 o
v v 当
o
时，信号得到放大！
i
共射放大电路的电压放大作用
RB C1
+ + ui –

ACH4-双极结型三极管及放大电路1

2
4.1 半导体BJT
4.1.1 BJT的结构简介 4.1.2 BJT的电流分配与放大作用 4.1.3 BJT的特性曲线 4.1.4 BJT的主要参数
3
4.1.1 BJT的结构简介
1. BJT的分类及外形
频率：高频管，低频管 功率：小功率管，中功率管，大功率管 材料：锗管，硅管 结构：NPN型， PNP型
放大状态下BJT中载流子的传输过程
15
4.1.2 BJT的电流分配与放大作用
2. BJT的电流分配关系
远大于1
α 1 I C = α I E + I CBO ⇒ IC = IB + I CBO 1−α 1−α I E = I C + I B
α 令β = 1−α α 1 = 1+ = 1+ β 则 1−α 1−α 令 1 + β I CBO = I CEO
14
4.1.2 BJT的电流分配与放大作用
2. BJT的电流分配关系
正 偏 反 偏 接近于1
共基极 直流电流 放大系数
ICN只是IE的一部分， 小于1但 用一系数α表示：
I CN α = IE
I C = I CN + I CBO = α I E + I CBO
当I CBO 很小时， IC ≈ α I E
21
4
4.1.1 BJT的结构简介
1. BJT的分类及外形
(a) 小功率管
(b) 小功率管
(c) 大功率管
(d) 中功率管
5
4.1.1 BJT的结构简介
2. BJT的两种结构类型
集电区的面积 比发射区大 发射区掺杂 比集电区多
基区很薄
发射结正偏的方向

电子技术基础之模拟部分-双极结型三极管及其放大电路(1)

V(BR)CBO—发射极开路时, C与B之间允许的最大反向电压。 V(BR)CEO—基极开路时, C与E之间允许的最大反向电压。
V(BR)CBO
V(BR)EBO
V(BR)CEO
24
5. 温度对BJT参数及特性的影响

温度对BJT参数的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍, ICEO也会增大。 (2) 温度对 的影响 温度每升高1℃， 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。

温度对BJT特性曲线的影响
(1)对输入特性的影响 （与二极管类似） (2)对输出特性的影响 (曲线上移, 间距增大)
25
BJT的型号
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号
用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管


1
1
20
BJT主要参数
已知输出特性曲线能否求出的值？ 例：
21
BJT主要参数
极间反向电流 a. 集电极-基极反向饱和电流 ICBO
发射极开路，c、b间的反向饱和电流
+
ICBO
c
+
b e
ICEO
b. 集电极-发射极反向饱和电流 ICEO
基极开路, c、e间加反向电压时的集电 极到发射极的电流, 又称为穿透电流.
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4.1.4 BJT的主要参数 的主要参数
1. 电流放大系数 (2) 共发射极交流电流放大系数β β =∆IC/∆IBvCE=const ∆ ∆
4.1.4 BJT的主要参数 的主要参数
1. 电流放大系数
α (3) 共基极直流电流放大系数 α =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE （
(4) 共基极交流电流放大系数 共基极交流电流放大系数α
8V 12V 3.3V 3.7V 2V 3.7V 3V 3V 3V VBE＝0.7V VC>VB>VE VCE=0.3V<VBE
VBE＝－1V ＝－1V
VBE＝0.7V
放大 判断依据： 判断依据： NPN管 NPN管：
放大状态： 放大状态：VC≥VB>VE，且VBE>Vth 截止状态：VBE<Vth 截止状态：
射结正偏，集电结正偏或反偏电压 射结正偏， 很小。
截止区： 截止区：iB=0，iC＝ iCEO≈0，三极管 ， ， 如同工作于断开状态，此时， 如同工作于断开状态，此时， vBE小 于死区电压。
放大区： 放大区： vBE >Vth，vCE反电压大于 ， 饱和压降， 此时，发射结正偏，集 饱和压降， 此时，发射结正偏， 电结反偏。
b c
uA 即输出特性曲 + 线IB=0那条曲线所 那条曲线所 对应的Y坐标的数 对应的 坐标的数 值。 ICEO也称为集 电极发射极间穿透 电流。 电流。
ICEO
uA +
VCC e Ie =0
ICEO
VCC
4.1.4 BJT的主要参数 的主要参数
3. 极限参数 (1) 集电极最大允许电流 CM 集电极最大允许电流I
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态， 时 ，集电结已进入反偏状态， 开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下iB减小，特性曲线右移。 开始收集电子，基区复合减少，同样的 减小，特性曲线右移。
由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以 、 确定过损耗区、过电流区和击穿区。 确定过损耗区、过电流区和击穿区。
输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
例1：测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示，分析他们的 测得放大电路中三只晶体管的直流电位如图示， 类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 类型、管脚和所用的材料（硅或锗）。 判断依据： 判断依据： 1.在放大区，NPN管 1.在放大区，NPN管：VC≥VB>VE 在放大区 PNP管 PNP管： VC≤VB<VE
1.三极管内载流子的传输过程 三极管内载流子的传输过程
三极管内有两种载流子参与导电， （II ） IEP小） 三极管内有两种载流子参与导电，故称此种三极管 1.发射区向基区注入电子 发射区向基区注入电子（ 1.发射区向基区注入电子 2.电子在基区中的扩散与复合 电子在基区中的扩散与复合（ CN） 另外,基区集电区本身存在的少子， 2.电子在基区中的扩散与复合 （ BN 、 另外,基区集电区本身存在的少子 3.集电区收集扩散过来的电子 集电区收集扩散过来的电子（ 3.集电区收集扩散过来的电子 EN ， 为双极型三极管，记为BJT ，由此形成电流ICBO 为双极型三极管，记为BJT (Bipolar Junction Transistor) 在集电结上存在漂移运动， 在集电结上存在漂移运动
BJT的 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
输入特性曲线 特性曲线是指各电 特性曲线是指各电 极之间的电压与电 流之间的关系曲线 流之间的关系曲线 输出特性曲线
BJT的 4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
以共射极放大电路为例） 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） iB=f(vBE) vCE=const. .
4. 放大作用
共基极放大电路
mA， 若 ∆vI = 20mV 使 ∆iE = -1 mA， 当 α = 0.98 时， mA， V， 则 ∆iC = α ∆iE = -0.98 mA，∆vO = -∆iC• RL = 0.98 V， 电压放大倍数
∆vO 0.98V Av = = = 49 ∆vI 20mV
α 设 β = 1−α
且令
IC = αI E + ICBO α 1 整理得： I IB + I CBO 整理得：C = 1−α 1−α
又：把 IE=IB+ IC 代入 ICEO= (1+β ) ICBO （穿透电流） 穿透电流）
则 I C = β I B + I CEO
当 I C >> I CEO 时， I C ≈ β I B
PNP管的电路符号 管的电路符号
4.1.2 放大状态下 放大状态下BJT的工作原理 的工作原理
正常放大时外加偏 置电压的要求
发射区向基区注入载流子 集电区从基区接受载流子
发射结应加正向电压 正向偏置） （正向偏置）
集电结应加反向电压 反向偏置） （反向偏置） 若为PNP PNP管 图中电源极性如何？ 问：若为PNP管，图中电源极性如何？
发射区： 发射区：发射载流子 集电区： 集电区：收集载流子 基区： 基区：传送和控制载流子
放大状态下BJT中载流子的传输过程 放大状态下BJT中载流子的传输过程 BJT
2. 电流分配关系
根据传输过程可知
设 α =
IE =IB + IC
IC= ICN+ ICBO
传输到集电极的电流 发射极注入电流 I CN 即 α = IE
4 双极结型三极管及放大电路基础
4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 BJT 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 放大电路静态工作点的稳定问题 共集电极放大电路和共基极放大电路 组合放大电路 放大电路的频率响应
4.1 双极型三极管 双极型三极管BJT
一个PN结 一个PN结 PN 二个PN结 二个PN结 PN 二极管 三极管 单向导电性 电流放大（控制） 电流放大（控制）
三极管的不同封装形式
金属封装
塑料封装
大功率管
中功率管
4.1.1 BJT的结构简介 的结构简介
半体三极管的结构有两种类型 型和 型
1. NPN型 型
NPN管的电路符号 管的电路符号
4.1.1 BJT的结构简介 的结构简介
2.PNP型 型
2. 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流 CBO 集电极基极间反向饱和电流I 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 发射极开路时，集电结的反向饱和电流。 路时 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流 CEO 集电极发射极间的反向饱和电流I ICEO=（1+ β ）ICBO （
ICBO
c b e
β 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管子 是另一个电流放大系数。同样，
的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。 的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一 般 β >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态 BJT的三种组态
共基极接法，基极作为公共电极， CB表示 表示； (a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示； 共发射极接法，发射极作为公共电极， CE表示 表示； (b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示； 共集电极接法，集电极作为公共电极， CC表示 表示。 (c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。
α=∆IC/∆IE VCB=const ∆ ∆
很小时， 当ICBO和ICEO很小时，α ≈α、 β≈β，可以不 加区分。 加区分。
α与β间的关系： 间的关系： 间的关系
α ie ic α β = = = ib (1 − α ) i e 1 − α
α
=
β
1 + β
4.1.4 BJT的主要参数 的主要参数
共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用） 共基极放大电路只实现电压放大，电流不放大（控制作用）
两个要点
三极管的放大作用,主要是依靠它的I 三极管的放大作用,主要是依靠它的IE 输入电压的变化, 输入电压的变化 能通过基区传输,然后顺利到达集电极 能通过基区传输,, 是通过其改变输入电 而实现的。故要保证此传输, 而实现的。故要保证此传输,一方面要 流 , 再通过输入电流的传输去控制输出 满足内部条件 内部条件, 满足内部条件,即发射区掺杂浓度要远 电压的变化,所以BJT是一种电流控制器 BJT是一种 电压的变化,所以BJT是一种电流控制器 大于基区掺杂浓度,基区要薄; 大于基区掺杂浓度,基区要薄;另一方 面要满足外部条件 即发射结正偏, 外部条件, 面要满足外部条件,即发射结正偏,集 件。 电结要反偏。 电结要反偏。
截止 PNP管 PNP管：
饱和
放大状态： 放大状态：VC ≤ VB<VE，且VBE<Vth 截止状态： 截止状态：VBE>Vth 饱和状态： 饱和状态：
VBE<Vth，且VCE ≥ VBE
饱和状态： 饱和状态： VBE>Vth，且VCE ≤ VBE
vBE 再次注意：管子正常工作时， 再次注意：管子正常工作时， =
0.7V(硅管） 0.7V(硅管） 硅管 0.2V(锗管 锗管） －0.2V(锗管）
4.1.4 BJT的主要参数 的主要参数
1. 电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 (1)共发射极直流电流放大系数 β （ β =（IC－ICBO）/IB≈IC / IB | vCE=const
12V
2.硅管： 2.硅管：VBE=0.7V 硅管 锗管： 锗管：VBE=-0.2V
12V
c b
3.7V
e b
11.3V