下载文档原格式
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1•半导体…导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。
2. 特性…光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）6•杂质半导体的特性*载流子的浓度…多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻…通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型…通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN结的接触电位差…硅材料约为0.6〜0.8V，错材料约为0.2〜0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性……正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降……硅管0.6〜0.7V，错管0.2〜0.3V。
*死区电压——硅管0.5V，错管0.1V。
3. 分析方法——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2）等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低若V阳＞V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳＜V阴（反偏），二极管截止（开路）。
*三种模型& a三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
微变等效电路法<<»)模型第二章§ 2-1三极管及其基本放大电路三极管的结构、类型及特点1•类型…分为NPN和PNP两种。
各章节重难点
第1章半导体器件
•PN结及其单向导电性
•半导体二极管电路分析
•半导体三极管及其特性曲线
•场效应管的原理及特性
第2章基本放大电路
•放大电路的结构
•微变等效电路
•三种组态放大电路的分析
•放大电路的频率特性
第3章集成运算放大器
•集成电路的特点
•多级放大电路的分析
•差分放大电路的分析和计算
第4章放大电路中的负反馈
•负反馈的概念及分类
•负反馈的判断
•深度负反馈下电路的计算
第5章集成运算放大器的应用
•集成运放的基本运算
•集成运放的非线形应用
•有源滤波器的分析
第6章功率放大电路
•功率放大电路的特点
•互补对称功率放大电路的分析
第7章波形产生电路
•正弦波振荡电路的振荡条件
•RC正弦波振荡电路的原理
•L C正弦波振荡电路的原理
第8章直流稳压电源
•单相桥式整流电路的分析
•滤波电路的分析
•稳压电路的分析与设计
•开关稳压电源的分析与设计。
教学大纲课程名称：模拟电子技术总学时：74学时（理论学时54学时，实验学时20学时）学分：3开课学期：3授课对象：电气、电子信息科学类专业学生课程类别：必修课程性质：专业基础课一、课程的性质、任务和要求模拟电子技术课程是电气、电子信息类及相关专业的一门重要的专业基础课。
课程的主要任务是：使学生通过本大纲所规定的全部教学内容的学习，掌握电子线路的基本概念、基本原理和基本分析方法，达到具有初步分析、设计实际电子线路的能力，为后续课程的学习准备必要的知识，并为今后从事实际工作打下必要的基础。
学习本课程后，应达到下列基本要求：1．了解常用电子器件（包括集成组件）的外特性及其应用；了解放大电路的主要技术指标。
2．掌握基本放大电路的组成、分析方法和应用，会估算基本放大电路的静态工作点、放大倍数、输入电阻和输出电阻；掌握正弦波振荡器的组成及工作原理；掌握负反馈的基本组态及其对放大电路性能的影响；掌握集成运放组成的某些功能电路的电路组成、工作原理、性能和应用；掌握直流稳压电源的组成环节及各部分工作原理。
3．熟练掌握基本放大电路的工作原理；熟练掌握反馈的判别；熟练掌握集成运放组成的电路的分析方法。
4．熟悉常用电子仪器的使用方法，初步具有查阅电子元器件手册、正确使用元器件的能力、认识常见电子线路图的能力、测试常用电路功能及排除故障的能力。
二、本课程与其它课程的关系、主要参考教材先修课程：高等数学、电路分析基础。
教材名称：《模拟电子技术基础简明教程》，杨素行，高等教育出版社（第二版），1998年参考资料：《模拟电子技术基础》，童诗白，高等教育出版社（第三版），2001年《电子技术基础（模拟部分）》康华光，高等教育出版社（第四版），1999年《模拟电子技术基础》，应巧琴，高等教育出版社（第一版），1999年后续课程：数字电子技术基础、电力电子技术、电气自动控制系统、单片机原理及接口技术、微机原理及接口技术、电视原理及技术、微型计算机维护与维修等三、课程内容第一章半导体器件1．主要内容：半导体的特性；PN结；半导体二极管；双极性三极管。
目录编写说明 (2)教材和教学参考书 (3)第一部分理论教学要求 (3)第二部分实践教学要求 (13)第三部分教学进度表 (16)第四部分考核要求 (17)《模拟电子技术》课程教学大纲贺存锋编写说明一、课程的性质和教学目的本课程是电气、电子类专业的主要技术基础课之一，是一门理论和实际紧密结合的应用性很强的课程。
教学目的：在使学生获得模拟电子技术必备的的基本理论、基础知识的同时，着重培养学生的智力技能，提高他们分析问题、解决问题以及实践应用的能力，为学习后续课程和毕业后从事电子技术方面的工作打下必要的基础。
二、课程的任务和基本要求通过本课程的学习，在基本理论和基本技能方面应达到以下要求:1.基本器件方面了解常用半导体二极管、三极管、场效应管、线性集成电路的基本工作原理、特性和主要参数，并能合理选择和使用这些器件。
2.基本电路原理及结构方面掌握共射、共集放大电路，差分放大电路，互补对称功率放大电路，负反馈放大电路，集成运算放大电路的结构、理解它们的工作原理、性能及应用。
3.应用电路方面（1）熟悉正弦和非正弦信号产生电路，一阶有源滤波电路、整流滤波电路的结构、工作原理、性能及应用；熟悉三端稳压器件的应用。
（2）了解集成功放、集成模拟乘法器、集成函数信号发生器的应用。
（3）了解调制解调的基本概念和调制解调的基本方式。
4.分析计算方面（1）了解单级放大电路的图解分析方法。
（2）掌握三极管简化H参数微变等效电路分析方法，能估算单级放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻，了解多级放大电路的分析方法。
（3）掌握负反馈放大电路的类型判别，在深度负反馈条件下，掌握利用虚短或虚断估算电路电压放大倍数的方法。
（4）掌握正弦振荡条件的判断。
（5）熟悉稳压管稳压电路、串联型稳压电路的工程计算。
（6）掌握理想运放的基本运算规则、线性应用和非线性应用的分析计算方法。
（7）了解放大器频率特性和指标含义。
5．基本技能方面（1）初步掌握阅读和分析模拟电路原理图的一般规律。
河北科技大学 模拟电子技术基础课程复习提纲
1 / 11 / 1
《模拟电子技术基础》课程复习提纲
一、基本要求
（一）基本要求
1.掌握半导体器件的基本工作原理
2.掌握放大电路的基本分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。
3.掌握多级放大电路的耦合方式的优缺点，正确估算多级放大电路的动态参数。
4.能够正确判断电路中反馈的性质和交流负反馈的组态。
5.掌握集成运放组成的基本运算电路的分析方法。
（二）重点掌握的内容
常用半导体器件的工作原理，外特性；放大电路的基本概念及分析方法，放大电路中反馈的判断，基本运算电路的分析。
二、复习内容
1.半导体器件基础 （1）半导体器件基础 （2）半导体二极管 （3）晶体三极管
2.放大电路基础 （1）性能指标
（2）放大电路的分析方法
（3）放大电路静态工作点的稳定 （4）放大电路的三种组态（以共射为 主）
（5）多级放大电路 3.集成运算放大电路
（1）集成运放的基本组成与功能 （2）差分放大电路 （3）功率放大电路 4.负反馈放大电路
（1）负反馈的基本概念和判别方法 （2）负反馈电路表示方法和近似估算 （3）负反馈对放大电路性能的影响。
《模拟电子技术》课程教学与建设好坏将直接影响我校“自动化”、“电气工程与自动化”等专业后续相关课程的教学及毕业生的质量。
因此，本课程在专业培养计划中具有举足轻重的重要地位。
下面就模拟电子技术中的有关问题及重难点内容加以扼要说明介绍：（0）绪论在绪论课中，除了简要介绍电子技术的发展及其应用概况，本课程的性质、任务和要求以及基本内容外，还应着重介绍本课程的学习方法。
根据以往的经验，学生从学习“电路”课程过渡到学习“电子技术基础”课程时，总感到电子电路的分析与计算，不如“电路”课程中那样严格，那样有规律可循，时而忽略这个元件，时而忽略了那个参数，不好掌握。
因而必须指明本课程是一门技术基础课，着重“技术”二字。
在定性分析，搞清概念的基础上，进行定量估算。
由于半导体器件参数的分散性，存在较大的偏差，电阻、电容等元件一般有±５％以上的误差，有的甚至更大。
因此，盲目追求严格的计算，意义不大。
所以在本课程中，要特别注意进行近似计算和处理工程问题方法的训练。
此外，本课程是一门实践性较强的课程，因此，必须特别强调实验课的重要性，要把理论与实践紧密结合，加强电子技术实践能力和实验研究能力的培养。
（1）放大电路基础作为本课程的基础，由于课程刚入门，概念较多，又要初步培养分析、计算能力，因此，必须放慢进度，保证足够的学时。
1）关于半导体的物理基础部分，因“物理”和“化学”两课中一般都已讲过，本课程不必重复，可从晶体的共价键结构讲起。
ＰＮ结是重点内容，要求用物理概念讲清ＰＮ结的单向导电性，三极管的电流分配及放大原理。
重点掌握二极管与三极管的特性和主要参数。
2）在放大器的三种基本组态（共射、共基、共集）中，应重点掌握共射和共集电路的组成和工作原理。
3）放大器的图解分析法，主要用来确定静态工作点和分析动态工作过程，不要求用它来计算放大倍数。
4）微变等效电路分析法是分析放大器的一个重要工具。
H参数的导出，等效电路的建立，受控电源的概念等要让学生牢固地掌握。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术重难点盘点模拟电子技术是电气工程及其自动化等专业的学生必须掌握的一门技术，此课程在专业培养计划中具有举足轻重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作岗位的我们在工作中也许会接触到这些知识，下面就模拟电子技术中的重难点做一些说明。
在绪论课中，除了简要介绍电子技术的发展及其应用概况，本课程的性质、任务和要求以及基本内容外，还应着重介绍本课程的学习方法。
根据以往的经验，笔者从学习“电路”课程过渡到学习“电子技术基础”课程时，总感到电子电路的分析与计算，不如“电路”课程中那样严格，那样有规律可循，时而忽略这个元件，时而忽略了那个参数，不好掌握。
因而必须指明本课程是一门技术基础课，着重“技术”二字。
在定性分析，搞清概念的基础上，进行定量估算。
由于半导体器件参数的分散性，存在较大的偏差，电阻、电容等元件一般有±５％以上的误差，有的甚至更大。
因此，盲目追求严格的计算，意义不大。
所以在本课程中，要特别注意进行近似计算和处理工程问题方法的训练。
此外，本课程是一门实践性较强的课程，因此，必须特别强调实验课的重要性，要把理论与实践紧密结合，加强电子技术实践能力和实验研究能力的培养。
一、放大电路基础作为本课程的基础，由于课程刚入门，概念较多，又要初步培养分析、计算能力，因此，必须放慢进度，保证足够的学时。
关于半导体的物理基础部分，因“物理”和“化学”两课中一般都已讲过，本课程不必重复，可从晶体的共价键结构讲起。
ＰＮ结是重点内容，要求用物理概念讲清ＰＮ结的单向导电性，三极管的电流分配及放大原理。
重点掌握二极管与三极管的特性和主要参数。
1、在放大器的三种基本组态（共射、共基、共集）中，应重点掌握共射和共集电路的组成和工作原理。
2、放大器的图解分析法，主要用来确定静态工作点和分析动态工作过程，不要求用它来计算放大倍数。
3、微变等效电路分析法是分析放大器的一个重要工具。
H参数的导出，等效电路的建立，受控电源的概念等要让学生牢固地掌握。
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识在模拟电子技术中，半导体是至关重要的基础。
半导体材料，如硅和锗，其导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体的特性取决于其原子结构和晶体结构。
原子的最外层电子称为价电子。
在纯净的半导体中，通过共价键将原子结合在一起，形成稳定的晶体结构。
但在一定条件下，例如温度升高或受到光照，共价键中的电子可能会获得足够的能量，挣脱束缚成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，称为空穴。
杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体。
在 N 型半导体中，掺入了五价杂质原子，如磷。
这些杂质原子提供了大量的自由电子，使自由电子的浓度远大于空穴的浓度。
而在 P 型半导体中，掺入了三价杂质原子，如硼，从而形成了大量的空穴，空穴浓度远大于自由电子浓度。
二、PN 结PN 结是构成各种半导体器件的基础。
当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，由于浓度差，会发生多数载流子的扩散运动。
P 区的空穴向 N 区扩散，N 区的自由电子向 P 区扩散。
在扩散的过程中，在交界面附近形成了一个空间电荷区，也就是 PN 结。
空间电荷区中形成了内电场，其方向由 N 区指向 P 区。
内电场阻碍了多数载流子的扩散运动，同时促进了少数载流子的漂移运动。
当扩散运动和漂移运动达到动态平衡时，PN 结就形成了。
PN 结具有单向导电性。
当 PN 结外加正向电压时，外电场削弱了内电场，多数载流子能够顺利通过 PN 结，形成较大的正向电流。
而当外加反向电压时，外电场增强了内电场，多数载流子的扩散运动难以进行，只有少数载流子的漂移运动形成微小的反向电流。
三、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极引线和管壳封装而成的。
二极管的伏安特性曲线描述了其电流与电压之间的关系。
在正向特性中，当正向电压较小时，正向电流几乎为零，这个区域称为死区。
当正向电压超过死区电压后，电流随电压迅速上升。
在反向特性中，当反向电压在一定范围内时，反向电流很小，且基本不随反向电压变化。
《模拟电子技术基础》课程教学大纲课程编号：课程名称：《模拟电子电路基础》参考学时： 80实验或上机学时： 20先修课及后续课：本课程开设在高等数学、大学物理、电路原理课程之后，是电路与系统类课程的基础课程。
一、说明部分1．课程性质《模拟电子技术基础》是电类专业本科生在电子技术方面入门性质的技术基础课，具有自身的体系和很强的实践性。
本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专业中的应用打下基础。
2．教学目标及意义通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
3．教学内容及教学要求主要内容有：电子系统与信号的基本概念和组成、半导体二极管、三极管和场效应管及放大电路、功率放大电路、集成运算放大电路、反馈放大电路、信号的运算与处理电路、信号产生电路、直流稳压电源。
教学要求：本课程在完成上述内容的同时，需完成20学时的实验教学。
在课程结束后，需完成二周的电子技术基础课程设计。
所涉及的实验见《模拟电子技术基础》实验教学大纲；课程设计见《电子技术基础课程设计》课程设计教学大纲。
4．教学重点、难点本课程的重点为教学要求中重点掌握的内容，难点为第二章、第三章。
5．教学方法及教学手段本课程为技术基础理论课程，课程总学时数80，其中课堂讲授60，实验20，课程设计二周，采用以课堂教学为主。
课外教学可引导学生参加系、院电子设计竞赛。
6．教材及主要参考书[1] 康华光主编. 《电子技术基础》模拟部分第四版．北京高教出版社． 1998[2] 童诗白主编. 《模拟电子技术基础》第三版. 北京高等出版社. 19987．其它EDA工具应用：1）了解电子器件的模型及其参数和获得模型参数的途径。
2）掌握EWB软件的使用方法，并能熟练的用EWB软件进行系统的仿真。
开课对象：电子信息工程、自动化二、教学基本要求第一章绪论一、教学要求了解电子系统的基本概念及组成了解信号的分类方法及放大电路的分类熟悉放大电路的主要性能指标二、教学内容第一节基本概念电子系统与信号的基本概念第二节放大电路的分类及主要性能指标放大电路、放大电路模型、放大电路的主要性能指标三、本章学时数学时数1第二章半导体二极管及其基本电路一、教学要求了解半导体材料的基本结构及PN结的形成掌握PN结的单向导电工作原理掌握二极管（包括稳压管）的V－I特性及主要性能指标二、教学内容第一节半导体的基本知识PN结的形成及特点第二节半导体二极管半导体二极管的结构、特性、参数、模型及应用电路三、本章学时数学时数 3第三章半导体三极管及放大电路基础一、教学要求了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数了解半导体三极管放大电路的分类掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况理解放大电路的工作点稳定问题掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响二、教学内容第一节半导体三极管及基本放大电路半导体三极管的结构及工作原理放大电路的三种基本组态静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响第二节 H参数等效电路及放大电路性能指标用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标共集电极电路和共基极电路的工作原理第三节放大电路的频率响应三极管放大电路的频率响应三、本章学时数学时数 18第四章场效应管放大电路一、教学要求了解结型场效应管的工作原理、特性曲线及主要参数掌握用公式法和小信号模型分析法分析其放大电路的静态及动态性能了解三极管及场效应管放大电路的特点二、教学内容第一节场效应管的结构及工作原理结型场效应管的结构及工作原理金属—氧化物—半导体场效应管的结构及工作原理第一节场效应管放大电路场效应管放大电路的静态及动态性能分析三、本章学时数学时数3第五章功率放大电路一、教学要求掌握功率放大电路的输出功率、效率与Q点位置的关系理解和掌握乙类、甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算及功率BJT 的选择二、教学内容第一、二节功率放电路功率放大电路的输出功率、效率和非线性失真之间的关系乙类、甲乙类功率放大电路的组成、工作原理、各项指标的计算及BJT的选择三、本章学时数学时数4第六章集成运算放大电路一、教学要求正确理解镜像电流源、微电流源的工作原理、特点和主要用途重点掌握差分放大电路的工作原理和各项指标的计算正确理解运放的基本组成和工作原理二、教学内容第一节电流源电路、差分放大电路集成运算放大电路中的电流源集成运算放大电路中差分式放大电路第二节集成运算放大电路集成电路运算放大电路分析及主要参数三、本章学时数学时数6第七章反馈放大电路一、教学要求正确理解反馈的基本概念，负反馈放大电路增益的一般表达式，4种反馈组态及其特点能用瞬时极性法判别正、负反馈及反馈类型，正确解释负反馈对放大电路性能的影响在深度负反馈条件下，近似计算负反馈放大电路的增益了解负反馈放大电路产生自激的原因和条件，能用稳定裕度的概念分析反馈放大电路的稳定性二、教学内容第一节放大电路中的反馈反馈的基本概念、分类及特点第二节负反馈放大电路的分析负反馈对放大电路性能的影响负反馈放大电路的稳定问题三、本章学时数学时数8第八章信号的运算与处理电路一、教学要求抓住深度负反馈条件下的“虚短”和“虚断”的概念，讨论基本运算电路了解实际运放组成的运算电路的误差了解有源滤波电路的分类及一阶、二阶滤波电路的频率特性二、教学内容第一节集成运放组成的基本运算电路加、减、积分和微分、对数和反对数、乘法等电路实际运算放大器运算电路的误差分析第二节有源滤波电路滤波电路的基本概念，一阶、二阶有源滤波电路三、本章学时数学时数4第九章信号产生电路一、教学要求掌握正弦波振荡的相位平衡条件、幅值平衡条件掌握RC串并联式正弦波振荡电路的工作原理、起振条件、稳幅原理及振荡频率的计算了解LC正弦波振荡电路和石英晶体正弦波振荡电路的组成、工作原理和性能特点掌握单门限电压比较器和迟滞比较器的工作原理，理解方波发生器的工作原理二、教学内容第一节正弦波振荡电路正弦波振荡电路的振荡条件RC正弦波振荡电路、LC正弦波振荡电路和石英晶体正弦波振荡电路第二节电压比较器和非正弦波发生电路非正弦信号产生电路三、本章学时数学时数5第十章直流稳压电源一、教学要求掌握单相桥式整流滤波电路的工作原理及各项指标的计算掌握带放大器的串联反馈式稳压电路的稳压原理及输出电压的计算，三端集成稳压电源的使用方法及应用二、教学内容第一节整流、滤波、稳压电路小功率整流滤波电路线性串联型稳压电路第二节集成稳压电路三端集成稳压器的应用三、本章学时数学时数4总学时60学时第一章绪论 1学时第二章半导体二极管及其基本电路 3学时第三章半导体三极管及放大电路基础 18学时第四章场效应管放大电路 3学时第五章功率放大电路 4学时第六章集成电路运算放大电路 6学时第七章反馈放大电路 8学时第八章信号的运算与处理电路 4学时第九章信号产生电路 5学时第十章直流稳压电源 4学时习题课 4学时执笔人：谭敏教研室：电子信息工程系主任审核签名：谭敏。
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
《模拟电子技术基础》重点和难点提纲
（内部资料，仅供参考，谢绝外传）
一、基本概念和原理
1、本征半导体、杂志半导体基本概念：P型半导体的空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
N型半导体？
2、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（正偏），反之称为（反偏）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；稳定二极管稳压时是处于（反向）偏置状态，而二极管导通时是处于（正向）偏置状态。
PN反向相击穿包括（热击穿、电击穿(齐纳、雪崩击穿)），热击穿不可逆、电点穿是可逆的。
4、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
由漂移形成的电流是反向电流，它由（少数）载流子形成，其大小决定于（温度），而与外电场（无关）。
5、（BJT）三极管是（电流）控制元件，（FET）场效应管是（电压）控制元件。
晶体三极管的集电极电流=(βIb) 所以它是（电流）控制元件。
场效应管的漏极电流ID=(g m u gs)，所以它是（电压）控制器件。
6、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
三极管三种工作状态的判断？放大、饱和和截止？NPN（0.7V）、PNP(0.2V)发射结电压。
例如：用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是1V、6V、1.7V，则三个电极分别是（E、C、B ），该管是（NPN）型。
工作在（放大）区
7、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
当温度升高时三极管的反向饱和电流I CBO（增加）所以Ic也（也增加) 。
8、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共集电极）、（共基极）放大电路。
对应的FET呢？两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（β2）。
共基极放大电路的高频特性比共射极电路（好），fa=（1+β）fβ。
其他特性的比较（P148）。
射极输出器的主要特点是：电压放大倍数小于接近1，输入电阻高，输出电阻低。
9、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
其他的几种类型呢？从输入和输出来看。
例如：为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用（直流）负反馈。
为稳定交流输出电压，采用（电压）负反馈，为了提高输入电阻采用（串联）负反馈。
其他几种反馈的应用。
10、负反馈放大电路的放大倍数AF=（A/1+AF），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/F）。
负反馈使放大电路增益下降，但它可以（扩展）通频带（减少）失真。
反馈系数F=（Xf/Xo）。
反馈深度是（1+AF）。
11、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF）BW，其中BW=（fH –fL），（1+AF）称为反馈深度。
12、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
差分放大电路是为了（抑制零点漂移）而设置的。
差分放大电路能够抑制（共模）信号，放大（差模）信号。
理想情况下共模抑制比（KCMR）为（无穷大）。
通用型集成运放的输入级多采用（差分接法）。
运算放大器输入级多采用差（分）动式放大器的原因是（运算放大器多是多级直接耦合，差动放大器可以抑制零点漂移。
13、用低频信号改变高频信号的相位称为（调相）。
低频信号称为（调制信号）、高频信号称为（载波）。
14、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。
共基极电路比共射极电路高频特性（好）。
15、振荡电路的平衡条件是（AF=1），（正反馈）才能满足振荡电路的（相位平衡条件）。
振荡器由（放大电路、选频网络）组成；振荡频率由（选频网络）参数决定。
振荡器的输出
信号最初是由（干扰或噪声信号）而来的。
自激振荡的起振条件是（
1
.
.
F
A
）。
构成三点式振荡电路的原则可以简单记做（射同基反（或集反））。
正弦波振荡电路除了有放大电路和反馈网络，还应有选频网络和稳幅电路。
16、在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2）。
17、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
18、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。
19、当集成运放线性工作时，有两条分析依据（U-≈U+）（I-≈I+≈0）。
20、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2），全波呢？
在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2）。
21、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（截止）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（饱和）失真。
22、对功率放大器的主要要求有（Po大）（效率高）（波形不失真）。
三端集成稳压器CW7906的输出电压是（6V），其他类型？。
23、单相小功率直流稳压电源一般由电源变压器、整流电路滤波电路和稳压电路及四个部分组成。
二、分析判断
1、二极管导通还是截止的(工作状态)判断
2、三极管三种工作状态的判断
3、反馈类型的判断
4、振荡起振的判断
三、应用计算
1、由理想二极管构成的基本电路：先假设断开二极管；判断二极管两端电位的高低；使用理想二极管模型计算电路
2、三极管构成的基本电路（共射、共基、共集）（包括差分电路）：静态分析（直通通路：两个电流（实际只有一个）、一个电压）和动态分析静态分析（交流通路：两个电阻、一个电压增益）
3、深度负反馈的分析与计算：反馈基本概念和参数，反馈类型的分析，深度负反馈系数F。
(1)、BJT及组合电路。
(2)、运算放大器的计算：同相、反相、比例、求和、求差、微分和积分：利用虚短和虚断（深度负反馈）
(3)、集成稳压电源的简单计算
(4)、差分电路的分析及计算
4、有关振荡电路的频率简单计算
5、集成稳压电源的简单计算。
