低噪放大器定义：
噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输入信噪比等于输出信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。
低噪放大器的原理：
地球站的品质因数（G/T）主要取决于天线和低噪声放大器（LNA）的性能。
接收系统的噪声温度Ts是指折算到LNA输入端的系统等效噪声温度，它主要由天线噪声温度TA、馈线损耗LALA 和低噪声接收机噪声三个部分组成。
低噪放大器的应用：
低噪放大器(LNA)主要面向移动通信基础设施基站应用，例如收发器无线通信卡、塔顶放大器(TMA)、组合器、中继器以及远端/数字无线宽带头端设备等应用设计，并为低噪声指数(NF, Noise Figure)立下了新标竿。
目前无线通信基础设施产业正面临必须在拥挤的频谱内提供信号质量和覆盖度的挑战，接收器灵敏度是基站接收路径设计中最关键的要求之一，合适的LNA选择，特别是第一级LNA可以大幅度改善基站接收器的灵敏度表现，低噪声指数也是关键的设计目标，Avago提供了1900MHz下0.48dB同级产品的噪声指数。
另一个关键设计为线性度，它影响了接收器分辨紧密接近信号和假信号分别的能力，三阶截点OIP3可以用来定义线性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作条件下，Avago特有的GaAs增强模式pHEMT工艺技术可以带来0.48dB的噪声指数和35dBm的OIP3，在2500MHz和5V/56mA的典型工作条件下，噪声指数为0.59dB，OIP3则为35dBm。
通过低噪声指数和高OIP3，这些Avago的新低噪声放大器可以提供基站接收器路径比现有放大器产品更大的设计空间。
LNA经历了早期液氦致冷的参量放大器、常温参量放大器的发展过程，随着现代科学技术的高速发展，近几年已被微波场效应晶体管放大器所取代，此种放大器具有尺寸小、重量轻和成本低的优异特性。
特别是在射频特性方面具有低噪声、宽频带和高增益的特点。
在C、Ku、Kv 等频段中已被广泛的使用，目前常用的低噪声放大器的噪声温度可低于45K。
在雷达射频接收系统中，对系统性能指标的要求越来越高，其中低噪声放大器是影响着整个接收系统的噪声指标的重要因素。
与普通的放大器相比，低噪声放大器作用比较突出，一方面可以减少系统的杂波干扰，提高系统的灵敏度；另一方面可以放大系统的射频信号，保证系统正常工作。
因此，低噪声放大器的性能制约着整个接收系统的性能，对整个接收系统性能的提高起了决定性的作用。
因此，研制宽频带、高性能、更低噪声的放大器，已经成为微波技术中发展的核心之一。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数F=1（0分贝），其物理意义是输出信噪比等于输入信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度（绝对温度），致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于2分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
在工作频率和信源内阻均给定的情况下，噪声系数也和晶体管直流工作点有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极级联的低噪声放大电路。
低噪放大器常用规格：
低噪放大器
●频率0.1MHz 至 20GHz.
●应用于民用,军事,航天,空间技术等.
●低噪声,高功率,高增益.
●可按客户要求订制生产
低噪放大器
Model No. Freq.Range
(MHz)
Noise
Figure
(dB)
Gain
CW
(dB)
Gain
Flatness
(dB)
Output
Power
(dBm)
Input
VSWR
Voltage
(V)
Current
(mA)
Connector
Type
Dimension
LxWxH(mm)
UIYLNA7825A1~100 1.5 15 ±1.0 0 2 12 100 N,SMA 78×25.4×25.4 UIYLNA7825B136~174 1.0 21 ±1.0 0 1.5 12 100 N,SMA 78×25.4×25.4 UIYLNA7825D136~480 1.0 20 ±1.0 0 1.5 12 100 N,SMA 78×25.4×25.4 UIYLNA7825C400~480 1.0 19 ±1.0 0 1.5 12 100 N,SMA 78×25.4×25.4 UIYLNA11038A1800~1900 1.5 30 ±1.0 0 1.5 +12 500 SMA 110×38×20
优译创立于中国深圳市，注册资金2亿元人民币，是集军民用微波通信器件开发、设计与生
产的一体化企业，产品远销海内外。
公司成立于2003年，依托产业优势，凭借过硬的专业技术，以国内、国际双规运营的经验模式，在微波通信行业赢得信誉和口碑，生产的产品频率范围从
300KHz 至 110GHz, 功率最高可达20KW，广泛使用于民用、军事、航天、空间技术等领域。
始终
秉承“诚信为先、顾客至上、科技引领、敢于创新”的经营理念，坚持以“技术优势为根本，
以市场需求为导向”。
公司成立以来与国内外知名企业、院校、科研机构进行相互交流并深度合作，为产品开发研究奠定了技术基础。
主要生产的产品：射频隔离器、环形器、衰减器、负载、
合路器、功分器、电桥、射频滤波器、放大器等射频微波器件。
