模电基础电路图全集

线性：VCR曲线为通过原点的直线。 否则，为非线性。
非时变(时不变)： VCR曲线不随时间改变而 改变。 否则，为时变。 即： VCR曲线随时间改变而改变。
电阻元件有以下四种类型：
u-i特性 时不变 时变
线性 u
i u t1 t2
i
非线性 u i
u t1 t2 i
电阻实物
精密型金属膜电阻器
金属氧化皮膜电阻器
直流电流——大小、方向恒定， 用大写字母 I 表示。
参考方向--人为假设，可任意设定，但 一经设定，便不再改变。
参考方向的两种表示方法：
1 在图上标箭头； i
2 用双下标表示
a
b
在参考方向下，若计算值为正，表明
电流真实方向与参考方向一致；若计
算值为负，表明电流真实方向与参考
方向相反。
1.2.2 电压和电压的参考方向
信号处理 (中间环节)
接受转换信 号的设备
(负载)
1.2 电 路 变 量
1.2.1 电流和电流的参考方向
电流方向—正电荷运动的方向
电流参考方向—任选一方向为电流正方向。
如：
a
I
ba
I
b
正值
负值
严格定义：电荷在导体中的定向移动形 成电流。电流强度，简称电流i(t)，大 小为：
单位：A ， 1安 = 1 库 / 秒
当
(R=0)时，相当于导线,“短路”
注意：u与 i 非关联时 ，欧姆定理应改写为
例 分别求下图中的电压U或电流I。
3A 2 +U 解：关联
I2 + -6V -
非关联
瞬时功率：
电阻是耗能元件，
是无源元件。

R f 8 R f 20
R2
R3
加减运算电路旳设计环节 R1 24k 先根据函数关系画出电路，R2然 后30计k算参数
解(1) 画出电路 (2) 计算电阻
平衡电阻
R3 12k R 80k
Rf
R’ // R1 // R2 =Rf // R3
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui 2
Rf R3
ui 3
（由2虚）断因：为i叠 加i点为0虚地，i输i1 入ii信2 号ii3之间i f
满u足i1 线u0性 叠u加i2 定 0u理 ，互ui不3 影0u响。u0 uo
R1
R2
R3
Rf
uo 由由u虚R虚Rf 短地uu：i：1 u0i2 ui3
ui3 ui2
ii3 ii2
R3 R2
Rf
若 R1 ＝ R2 ＝ R3 ＝ R
换作用
1反相微分器 平衡电阻R’=Rf
iC
C
duC dt
由虚断：i i 0 iC i i f i f
iC
u uo Rf
C d ui
dt
由“虚
地u” 0
u
uo
iC
R
f
C
iiCi
ui
dui t
RuC
dt
u
u R
if ii+
Rf
uo
2实际应用旳微分器Zf
uRωi ↑限i→Zi制11/输uω入Ci电↓- →流i，C ↑降→低高高频u频噪o 噪声声uo Cf相位补u 偿i，+ 克制自激振荡
由虚短： u u
uo ui2
R1 R f RRf R2 R R1

PN结正偏时，CD >> CB ，则 Cj ≈ CD 故：PN结正偏时，以CD为主。 通常：CD ≈几十PF ~ 几千PF。 PN结反偏时，CB >> CD ，则 Cj ≈ CB 故：PN结反偏时，以CB为主。 通常：CB ≈几PF ~ 几十PF。
1.2 半导体二极管
结构
二极管 = PN结 + 管壳 + 引线
——成为硬件电路设计人才
学好模电、数电、单片机、DSP等。 初步具备 “看、算、选、干”能力
三、学什么？（What）
系 细化 电 细化 器 统 路 件 1、本课程研究内容： 各种半导体器件的性能、电路及应用 2、具体研究对象：
（1）按处理信号：1)模拟(A) 2)数字(D) （2）按信号频率：1)高频 2)中频 3)低频
耗尽层宽度一定
PN结
2. PN结的单向导电性
1.1 半导体的基本知识
(1) 加正向电压（正偏）——电源正极接P区，负极接N区 外电场的方向与内电场方向相反。 外电场削弱内电场 →耗尽层变窄 →扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
N型半导体 P型半导体 空间电荷区 耗尽层 N型半导体 P型半导体 + + + + － － － － + － + + + － － － 正向电流 － － － + － + + + － － － + － + + + + － － － + + + － － + － － + + + － 内电场 E
，所有的价电子都紧紧束 缚在共价键中，不会成为 自由电子，因此本征半导 体的导电能力很弱，接近

cb组态微变等效电路电压放大倍数输入电阻输出电阻图254基本共基放大电路ic26基本放大电路的派生电路图261复合管图262阻容耦合复合管共射放大电路图263阻容耦合复合管共集放大电路图264共射共基放大电路的交流通路图265共集共基放大电路的交流通路返回复合管261复合管及其放大电路阻容耦合复合管共集放大电路262共射共基放大电路的交流通路图265共集共基放大电路的交流通路231共源组态基本放大电路232共漏组态基本放大电路233共栅组态基本放大电路234三种组态基本放大电路的比较271场效应管放大电路的三种接法基本共源放大电路272场效应管放大电路静态工作点的设置方法及分析静态分析方法一
（1）交流负载线
交流负载线确定方法： 1.通过输出特性曲线上的Q点 做一条直线，其斜率为-1/R'L 。 2.R'L= RL∥Rc， 是交流负载电阻。
iC iB
3.交流负载线是有交流 输入信号时Q点的运 动轨迹。
4.交流负载线与直流 负载线相交Q点。
图 03.11 放大电路的动态 工作状态的图解分析
共发射极、共集电极、共基极
放大电路的结构示意框图见图03.01。
图03.01 放大概念示意图
2.1.2 放大电路的主要技术指标
• (1)放大倍数
• (2)输入电阻Ri • (3)输出电阻Ro
• (4)通频带
(1) 放大倍数
输出信号的电压和电流幅度得到了放大， 所以输出功率也会有所放大。对放大电路而言 有电压放大倍数、电流放大倍数和功率放大倍 数 , 通常它们都是按正弦量定义的。放大倍数 定义式中各有关量如图03.02所示。
图2.2.1 所示基本共射放大电路的直流通路和交流通路
图2.2.1 所示基本共射放大电路

积分电路应用
总结词
实现模拟信号的积分
详细描述
积分电路能够将输入的模拟信号进 行积分运算，常用于波形生成、控 制系统以及滤波器设计等领域。
总结词
平滑信号波形
详细描述
积分电路可以对输入信号进行平滑处 理，消除信号中的高频噪声和突变， 使输出信号更加平滑。
总结词
波形生成与控制
详细描述
积分电路可以用于波形生成与控制 ，例如在波形发生器中产生三角波 、锯齿波等连续波形。
微分电路应用
总结词：实现模拟信号的微分 总结词：提取信号突变信息 总结词：瞬态分析
详细描述：微分电路能够将输入的模拟信号进行微分运 算，常用于控制系统、瞬态分析以及波形生成等领域。
详细描述：微分电路可以用于提取输入信号中的突变信 息，例如在振动测量、声音分析等场合中提取信号的突 变点。
详细描述：在瞬态分析中，微分电路可以用于测量信号 的瞬时变化率，帮助分析系统的动态特性。
基本运算电路概述 加法电路
总结词
实现模拟信号的微分
详细描述
微分电路是用于实现模拟信号微分的电路。它通常由运算放大器和RC电路构成，通过将输入信号的时间导数乘以 RC电路的时间常数来获得输出信号。微分电路可以用于调节系统的响应速度和稳定性。
03 基本运算电路的工作原理
加法电路工作原理
总结词
实现模拟信号的相加
05 基本运算电路的实验与演 示
加法电路实验与演示
总结词
通过模拟实验，展示加法电路的基本 原理和实现方法。
详细描述
实验中，使用加法电路将两个输入信 号相加，得到输出信号。通过调整输 入信号的幅度和相位，观察输出信号 的变化，理解加法电路的基本原理和 实现方法。

V2
＋
Re
－
－Ee
＋
Rs －
3 sin t ＋
－ (b)
图 4-4 (a) 原电路； (b) 分解为差模和共模信号电路

第4章 模拟集成电路基础 由图4-4(b)不难求出输出电压uo。假设V1管单端输出(即V1 集电极至地)电压为uo1，它为
uo1 Ad1uid Ac1uic
uo2 Ad 2uid Ac2uic
上述利用了对称性，即有Rc1=Rc2=Rc。
综上可得，差模电压放大倍数为
Ad
uo uid
Rc
Rs hie
第4章 模拟集成电路基础
当集电极之间接入负载电阻RL时，在差模信号作用下，RL 两端的电位向相反的方向变化，一端增量为正，另一端增量为
负， 并且绝对值相等，因而RL的中点电位是交流地电位。这样， 差模电压放大倍数为
第4章 模拟集成电路基础
第4章 模拟集成电路基础
4.1 模拟集成电路概述 4.2 差动放大器 4.3 典型模拟集成电路
第4章 模拟集成电路基础
4.1 模拟集成电路概述
4.1.1 集成电路分类
(a)
(b)
(c)
(d)
图 4-1 单个晶体管与完整的集成电路的比较 (a) 单个晶体三极管； (b) 集成块； (c) 双列直插型； (d) 扁平型
I E1
IE2
Ee UBE
Rs
1
2Re
通常Rs/(1+β)<<2Re, UBE=0.7V (硅管)，所以
I E1
IE2
Ee 0.7 2Re
可见，静态工作电流取决于Ee和Re。同时，由于Uc1=Uc2，故 Uo=0，通常称作零输入零输出。信号电压由两管基极输入， 放 大后的输出电压可以从两个集电极之间取出(双端输出)，也可以

处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.4 放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理 功能。
这里研究的是线性放大，即放大电路 输出信号中包含的信息与输入信号完全相 同。输出波形的任何变形，都被认为是产 生了失真。
1、放大电路的符号及模拟信号放大
• 电压放大模型
• 电流放大模型
• 互阻放大模型
电压增益
+ Vs
–
Ri ——输入电阻
+
+
+
Vi
Ri
AVOVi
Vo RL
–
–
–
Ro ——输出电阻
由输出回路得 则电压增益为
Vo AV
AVVVoOi ViRAoVROLRRLo RLRL
由此可见 RL
AV 即负载的大小会影响增益的大小
要想减小负载的影响，则希望 Ro RL 理想情况 Ro 0
（考虑改变放大电路的参数）
由输入回路得
Ii
Is
Rs Rs Ri
要想减小对信号源的衰减，则希望…？
Ri Rs
理想 Ri 0
3. 互阻放大模型（自学） 4. 互导放大模型（自学） 5. 隔离放大电路模型
Ro
+
+
+
Vi
Ri
AV Vi
Vo
–
–O
–
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
放大电路的性能指标是衡量它的品质优劣 的标准，并决定其适用范围。
Vs 0
另一方法
+ Vs=0
–
放大电路
IT
+ VT
–
Vo AVOVi

1.2.5 稳压二极管
一、什么是稳压二极管 能够稳定一定电压的二极管
二、实行稳压的条件 1、工作在反向击穿状态 2、反向电压应大于稳压电压
DZ
(a)符号
基本电路的稳压过程
稳压电路
稳压电路 的搭建：
+
需要多大UVII
电阻呢？ -
R
IO
IR
IZ
+
DZ
UVO O
RL
-
1、稳压的基本电路 2、电流范围为4~8mA
发声器件的介绍
图1
图2
图1为喇叭，无极性器件（没有正负之分），无源蜂鸣器（内部没有振荡源），所以直流不能驱动，
需要2KHZ~5KHZ的方波才能使其发出声响。
图2为蜂鸣器，有极性（长脚为正，短接为负），有源蜂鸣器（内部含有 震荡源），当给予1.5V~15V的电压后，就会发出声响。
第一章 基本元器件介绍
UI DZ
6
R R4
uO1
500Ω
(a)
2
整流二极管
1.特点 用于把交流电变成脉动直流电
2.那什么是交流变脉动直流呢？
开关二极管 功能：
它是电路上为进行“开”、“关”作用而特殊设计的二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需 的时间比一般二极管短
应用： 在电路中主要防止反向电流烧坏一 些精密器件起保护作用。
甲类工作电路乙类工作电路107一周搞定系列之模电数电功率放大器内部的两种结构电路otl电路ocl电路108一周搞定系列之模电数电lm386lm386集成功率放大器的应用输出电容otl频率补偿抵消电感高频的不良影响防调节电压放大倍数109一周搞定系列之模电数电第二章基本电路验证与分析555定时器及应用110一周搞定系列之模电数电cothtr5k5k5k低低电平触发端高电平触发端电压控制端复位端低低电平有效放电端4516v它是一种应用方便的中规模集成电路广泛用于信号的产生变换控制与检测

二极管测试电路
二极管整流测试
稳压分析
三极管验证测试电路
场效应管测试
继电器电路
瞬态电压抑制器
共射级放大电路
分压偏置电路
5V稳压电路
-5V以及3~12V可调电源
稳压扩流电路
扩流电路
开关电源原理
反相比例放大器电路
同相比例放大器电路
反相加法电路
减法运算电路
双极性到单极性转换电路
单极性到双继续转换电路
三角波发生器
2截止区ib0也就是当ube电压小于导通电压时ib和ic都很大ic不再受ib的控制并且uce所占电压较小一般都很小这种接法ub一直为07vr22k1当基极和发射极完全导通时所分得的电压值为07vr110k场效应管测试q12n6659v1v2501截止区当电压小于15v的开启电压时mos2可变电阻区uds很小电流随ugs的增大而增大ugs不变uds增大电流变化很小4击穿区当uds达到一定值时场效应管被击穿id突然增大在这种情况下无限流电阻管子很容易烧毁继电器电路瞬态电压抑制器j1keyspacevcc12vvccv1220vrms60hzr21kxsc1exttrigk1emr121a05basicrelay继电器线圈阻值一般为500但这不是标准实际中的阻值还要大家去测试r1534led1共射级放大电路分压偏置电路q12n2219r11mr21kvcc12vv110mvrms1khzc11ufxm被切掉r3100kvccxmm5exttrigc21ufq12n2219r176kr224kvcc12vv110mvrms1khzr3500c11ufc21ufc31ufr41kxsc1exttrigr52kxmm1vcc5v稳压电路5v以及312v可调电源v1220vrms50hzu1lm7805ctlinevregcommonvoltagec122mfc2220ufc3100nfc4300nfd21n4148d11g4b42t1tsmisc25to1v1220vrms60hzd11g4b42c122mfc2240ufc3330nfc4100nfr11ku2lm317klinevregcommonvoltager2200r32kkeya50xmm1t1tspower10to1c5100nfc622mfc7330nfc8240ufc9100nfxmm2u1lm337hlinevregcommonvoltagec10100nfr4200r52kkeya50稳压扩流电路扩流电路v1100vrms60hzt1nltpq410d11g4b42u1lm7805ctlinevregcommonvoltagec122mfc2240ufc3330nfc4100nfr210kxmm1d2zpd30v2220vrms60hzt2nltpq410u2lm7805ctlin

iD
I
D
0
(1
uGS U GSoff
)2
ID0表示uGS=0时所对应的漏极电流。
式中:
ID0
unCox 2
W L
(U
2 GSoff
)
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
37
iD
ID0
UGSoff
0
uGS
(a) 图3―10N沟道耗尽型MOS管的特性及符号 (a)转移特性；(b)输出特性；(c)表示符号
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
13
3―1―2 结型场效应管的特性曲线
一、转移特性曲线
uGS≤0, iD≥0
iD f (uGS ) uDS C
恒流区中:
iD
IDSS (1
uGS UGSoff
)2
式中: IDSS——饱和电流，表示uGS=0时的iD值；
UGSoff——夹断电压，表示uGS=UGSoff时iD为
2024年9月17日星期二
模拟电子线路
9
D
P
P
UGS
横向电场作用: ︱UGS︱↑→ PN结耗尽层宽度↑ →沟道宽度↓
S
(b) UGS负压增大, 沟道变窄 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
2024年9月17日星期二
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10
D
P
P
UGSoff——夹断电压
UGS
S
(c) UGS负压进一步增大, 沟道夹断 图3―2栅源电压UGS对沟道的控制作用示意图
(2) uGS固定, uDS增大, iD增大极小。
2024年9月17日星期二
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21