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ASEMI快恢复二极管规格书型号：MUR840AC

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IRF840中文资料_数据手册_参数

IRF840中文资料_数据手册_参数

tf
Turn-off fall time
VDD = 250 V; RD = 30 Ω; RG = 9.1 Ω
Ld
Internal drain inductance Measured from tab to centre of die
Ld
Internal drain inductance Measured from drain lead to centre of die
CONDITIONS in free air
MIN. TYP. MAX. UNIT
-
- 0.85 K/W
- 60 - K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tj = 25 ˚C unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
EAS EAR IAS, IAR
Non-repetitive avalanche energy
Unclamped inductive load, IAS = 7.4 A; tp = 0.22 ms; Tj prior to avalanche = 25˚C; VDD ≤ 50 V; RGS = 50 Ω; VGS = 10 V; refer to fig:17
MIN.
- 55
MAX.
500 500 ± 30 8.5 5.4 34 147 150
UNIT
V V V A A A W ˚C
AVALANCHE ENERGY LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)

超快恢复二极管 ES2M SMB(DO-214AA)系列规格书推荐

超快恢复二极管 ES2M SMB(DO-214AA)系列规格书推荐
FEATURES
CCLeoaamsdepFlMiareanette.FrSiianelis:ehMo/RordoldehersidnCgPoilnmafsoptrliimca.natti(oUNnLo) tFel1a)m("mPa"Sbuiliftfyix designates
VRMS 35 70 105 140 210 280 420 560 700
Maximum DC blocking voltage
VDC 50 100 150 200 300 400 600 800 1000
Maximum average forward rectified current
I(AV)
MAX 2.95 2.25 .20 .51 1.40 2.32 5.69 4.57 3.94
NOTE
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic body over passivated chip Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight :0.005 ounce, 0.138 grams
Cycles
Peak Forward Surge Current - Amperesversus Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Figure 5 New SMB Assembly
Round Lead Process
Figure 6 Reverse Recovery Time Characteristic And Test Circuit Diagram

常用场效应管(25N120等)参数及代换

常用场效应管(25N120等)参数及代换

常用场效应管（25N120等）参数及代换FGA25N120AND （IGBT） 1200V/25A//TO3P （电磁炉用）FQA27N25 （MOSFET） 250V/27A/TO3P IRFP254FQA40N25 （MOSFET） 250V/40A/280W/0.051Ω/TO3P IRFP264FQA55N25 （MOSFET） 250V/55A/310W/0.03Ω/TO3PFQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω IRFP460AFQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3PFQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P MTY30N50EFQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 IRFPS37N50FQA24N60 （MOSFET） 600V/24A/TO3PFQA10N80 （MOSFET） 800V/9.8A/240W/0.81Ω/TO3PFQA13N80 （MOSFET） 800V/13A/300W/0. Ω/TO3PFQA5N90 （MOSFET） 900V/5.8A/185W/2.3Ω/TO3PFQA9N90C （MOSFET） 900V/8.6A/240W/1.3Ω/TO3PFQA11N90C （MOSFET） 900V/11.4A/300W/0.75Ω/TO3PFFA30U20DN （快恢复二极管） 200V/2×30A/40ns/TO3P DSEK60-02A FFPF30U60S （快恢复二极管） 600V/30A/90ns/TO220F MUR1560FFA30U60DN （快恢复二极管） 600V/2×30A/90ns/TO3P DSEK60-06A MBRP3010NTU （肖特基） 100V/30A/TO-220MBRA3045NTU （肖特基） 45V/30A/TO-3PISL9R3060G2 （快恢复二极管） 600V/30A/35ns/200W/TO247 APT30D60B RHRG3060 （快恢复二极管） 600V/30A/35nS/TO247FQP44N10 （MOSFET） 100V/44A/146W/0.0396Ω/TO220 IRF3710/IRF540N FQP70N10 （MOSFET） 100V/57A/160W/0.025Ω/TO220IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3PIRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W IRFP460KA3162/FAN8800 （Drive IC）单IGBT/MOSFETFET驱动ICRHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/30NS/TO-220 MUR860RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO0220 MUR1560RHRP8120 （快恢复二极管） 1200V/8A/75W/TO220RHRP15120 （快恢复二极管） 1200V/15A/TO220RHRP30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/125W/TO220单 DSEI20-10ARHRG30120 （快恢复二极管） 1200V/30A/T03PSSH45N20B （MOSFET） 200V/45A/TO3P IRFP260FGL40N150D （IGBT） 1500V/40A/TO264快速IGBTFGL60N100BNTD （IGBT） 1000V/60A/TO264快速IGBT 1MBH60-100HGTG10N120BND （IGBT） 1200V/35A/298W/100ns/TO247HGTG11N120CND （IGBT） 1200V/43A/298W/TO247HGTG18N120BND （IGBT） 1200V/54A/390W/90ns/TO247FQP5N50C （MOSFET） 500V/5A/73W/1.4Ω/TO-220 替代：IRF830,用于35W FQPF5N50C （MOSFET） 500V/5A/38W/1.4Ω/TO-220F 替代：IRF830，用于35W FQP9N50C （MOSFET） 500V/9A/135W/0.6Ω/TO220 替代：IRF840，用于75W FQPF9N50C （MOSFET） 500V/9A/44W/0.6Ω/TO-220F 替代：IRF840，用于75W FQP13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/190W/0.43Ω/TO220 用于75W/125W产品FQPF13N50 （MOSFET） 500V/13.4A/48W/0.43Ω/TO220F 用于75W/125W产品FQD5N50C （MOSFET） 500V/5A/1.4Ω/TO252 用于35WFQA16N50 （MOSFET） 500V/16A/200W/0.32C/TO3P 用于150W到250W的产品FDP15N50 （MOSFET） 500V/15A/0.43Ω/56W/TO220 用于150W左右的产品FQP18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/208W/TO220 用于250WG到400W的产品FQPF18N50V2 （MOSFET） 500V/18A/0.43Ω/56W/TO220 用于250WG到400W的产品FQA18N50V2 （MOSFET） 500V/20A/277W/0.225Ω/TO3P 用于250WG到400W的产品FQA24N50 （MOSFET） 500V/24A/290W/0.2Ω/TO3P 用于400W的产品FQA24N60 （MOSFET） 600V/23.5A/310W/0.24Ω/TO3P 用于400W的产品FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W/0.126Ω/TO3P 用于400W的产品FQL40N50 （MOSFET） 500V/40A/560W/0.085Ω/TO264 用于560W的产品IRF740B （MOSFET） 400V/10A/0.55Ω/134W/TO220IRF730B （MOSFET） 400V/5.5A/1.0Ω/73W/TO220IRF830B （MOSFET） 500V/4.5A/1.5Ω/73W/TO220 IRF840B （MOSFET） 500V/8A/0.85Ω/134W/TO220 IRFP450B （MOSFET） 500V/14A/0.4Ω/205W/TO3P IRFP460C （MOSFET） 500V/20A/0.2~0.24Ω/235W FQPF5N60C （MOSFET） 600V/5A/TO220FFQPF8N60C （MOSFET） 600V/8A/TO220FFQPF10N60C （MOSFET） 600V/10A/TO220FQPF12N60 （MOSFET） 600V/12A/51W/0.65Ω/TO220F FCP11N60 （MOSFET） 650V/11A/125W0.32Ω/TO220 RHRD660S （快恢复二极管） 600V/6A/TO-252RHRP860 （快恢复二极管） 600V/8A/75W/TO-220 RHRP1560 （快恢复二极管） 600V/15A/TO-220单2N7002 （三极管） 60V/0.12A/SOT-23HUF76629D3S （MOSFET） 100V/20A/110W/TO-252 HUF75639S3S （MOSFET） 100V/56A/200W/TO-263ISL9V3040D3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO252 ISL9V3040S3S （IGBT） 430V/21A/150W/300MJ/TO263 ISL9V5036S3S （IGBT） 360V/46A/250W/TO262FQP33N10L （MOSFET） 100V/33A/52MΩ127W/TO220。

常用稳压二极管的参数规格

常用稳压二极管的参数规格

常用稳压二极管的参数规格-稳压二极管参数大全[ 来源：不详| 作者：佚名| 时间：2008-3-27 1:17:23 | 浏览：本日：1 本周：24 本月：59 总数：118 ] 常用的稳压二极管常用的国产稳压二极管有2CW系列和2DW系列，常用的国产稳压二极管稳压二极管参数见表4-16和表4-17。

常用的进口稳压二极管有1N41××系列、1N46××系列、1N47××系列、1N52××系列、1N59××系列、1N6××系列、1N700系列、1N900系列、MTZ系列、MTZJ系列、RLZ系列、RLZJ系列及HZ系列、RD系列、05Z系列、PTZ系列、DTZ系列、，常用的进口稳压二极管参数见表4-18~表4-22。

快恢复二极管参数型号品牌电流电压时间极性IN5817GJ1A20V10nsIN5819GJ1A40V10nsIN5819MOT1A40V10nsIN5822MOT3A40V10ns21D-06FUI3A60V10nsSBR360GI3A60V10nsC81-004FUI3A40V10ns8TQ080IR8A80V10ns单管MBR1045MOT10A45V10ns单管MBR1545CTMOT15A45V10ns双管MBR1654MOT16A45V10ns双管16CTQ100IR16A100V10ns双管MBR2035CTMOT20A35V10ns双管MBR2045CTMOT20A45V10ns双管MBR2060CTMOT20A60V10ns双管MBR20100CTIR20A100V10ns双管025CTQ045IR25A45V10ns双管30CTQ045IR30A45V10ns双管C85-009*FUI20A90V10ns双管D83-004*FUI30A40V10ns双管D83-009*FUI30A90V10ns双管MBR4060*IR40A60V10ns双管MBR30045MOT300A45V10ns MUR120MOT1A200V35nsMUR160MOT1A600V35nsMUR180MOT1A800V35nsMUR460MOT4A600V35nsBYV95PHI1.5A1000V250nsBYV27-50PHI2A55V25nsBYV927-100PHI2A100V25nsBYV927-300PHI2A300V25ns BYW76PHI3A1000V200nsBYT56GPHI3A600V100nsBYT56MPHI3A1000V100nsBYV26CPHI1A600V30nsBYV26EPHI1A1000V30nsFR607GI6A1000V200nsMUR8100MOT8A1000V35ns单管HFA15TB60IR15A600V35ns单管HFA25TB60IR25A600V35ns单管MUR30100HAR30A1000V35ns单管MUR30120HAR30A1200V35ns单管MUR1620PHI16A200V35ns双管MUR1620CTMOT16A200V35ns双管MUR1620PMOT16A200V35ns双管MUR1660CTMOT16A600V35ns双管HFA16TA600IR16A600V35ns双管MUR3030GI30A300V35ns双管MUR3040MOT30A400V35ns双管MUR3060MOT30A600V35ns双管HFA30TA600IR30A600V35ns双管MUR20040MOT200A400V35ns双管B92M-02FUI20A200V35ns单管C92-02FUI20A200V35ns双管D92M-02FUI30A200V35ns双管D92M-03FUI30A300V35ns双管DSE130-06DSET30A600V35ns双管DSE160-06DSET60A600V35ns双管原创文章："/public/tool/kbview/kid/686/cid/1" 【请保留版权，谢谢！】文章出自电子元件技术网。

ES3JC（ASEMI）SMC新型快恢复二极管系列参数解说

ES3JC（ASEMI）SMC新型快恢复二极管系列参数解说
2.贴片超快恢复二极管ES3JC参数规格书
请您及时更换请请请您正在使用的模版将于2周后被下线请您及时更换
ES3JC（ ASEMI） SMC新型快恢复二极管系列参数解说
编辑：DD 2019-01-15
ES3JC【ASEMI】贴片超快恢复二极管SMC重要参数
1.贴片超快恢复二极管ES3JC
ES3JC的主要参数 二极管类型:Ultra-fast Recovery 持续峰值反向电压:1000V 直流阻断电压：1000V 平均整流电流（55度）：3A 浪涌电流（8.3ms正弦波）：100A 持续正向电压（直流1A）：1.15V 直流反向电流（于额定直流阻0度） 全载反向平均电流：10uA 典型节点电容：100PF 工作及储存温度范围：-55 to +150度 器件标记:ES3JC 封装类型:SMC 总功率, Ptot:50W 表面安装器件:贴片

FOSAN富信电子 二级管 ES2AB-ES2JB-产品规格书

FOSAN富信电子 二级管 ES2AB-ES2JB-产品规格书

安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES2A-ES2JSMB Super Fast Recovery Diode超快恢复二极管■Features 特点Fast Switching Speed 快的开关速度Super Fast Recovery time 超快恢复时间Glass passivated chip junction 玻璃钝化芯片保护结Surface Mount Device 表面贴装器件Case 封装:SMB■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES 2A ES 2B ES 2C ES 2D ES 2E ES 2G ES 2J Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 50100150200300400600V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 50100150200300400600V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570105140210280420V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 2A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 60AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 60℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号ES2A-ES2DES2E-ES2GES2J Unit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 11.251.68V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)100(T A =125℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 35nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J40pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES2A-ES2J ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.ES2A-ES2J ■Dimension外形封装尺寸。

士兰微 SVF840F D S MJ 说明书


±30
8
5
32
130
131
1.04
1.05
511.6
-55～+150
-55～+150
SVF840MJ
120 0.96
单位
V V
A
A W W/C mJ C C
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：2.6 共 10 页 第 1 页
SVF840F/D/S/MJ 说明书
1. 增加 TO-220-3L 带缺口立体图 版 本： 2.4 修改记录：
1. 更新 TO-251J-3L 封装外形图 版 本： 2.3 修改记录：
1. 修改典型特性曲线 版 本： 2.2 修改记录：
1. 修改产品规格分类 版 本： 2.1 修改记录：
1. 增加 TO-251J-3L 封装 版 本： 2.0 修改记录：
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：2.6 共 10 页 第 5 页
典型测试电路
SVF840F/D/S/MJ 说明书
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V
VDS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
产品名称： SVF840F/D/S/MJ 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司
文档类型： 说明书 公司主页： http: //
版 本： 2.6 修改记录：
1. 删除 TO-220-3L 版 本： 2.5 修改记录：

ASEMI快恢复二极管MURF1040CT

MURF1040CT快恢复二极管 MURF1040CT 型号：MURF1040CT
品牌：ASEMI
封装：TO-220
特性：快恢复二极管
电性参数：10A 400V
芯片材质：抗冲击硅芯片
正向电流(Io)：10A
芯片个数：2
正向电压(VF)：1.10V
芯片尺寸：86MIL
浪涌电流Ifsm：125A
漏电流(Ir)：10uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：35 ns
引线数量：3
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI都有详细介绍。

碳化硅快恢复二极管 650v 8a参数

碳化硅快恢复二极管是一种高性能的功率半导体器件，具有高频率、低电压降和低功率损耗等优点，因此在电源、逆变器、汽车电子等领域得到了广泛的应用。

本文将主要介绍碳化硅快恢复二极管650V 8A 参数方面的相关内容。

1. 额定参数碳化硅快恢复二极管650V 8A的额定电压为650V，额定电流为8A。

这意味着该二极管可以在650V的电压下正常工作，并且可以承受不超过8A的电流。

这一参数是其正常工作的基本条件，也是其在实际应用中需要满足的最基本要求之一。

2. 反向恢复时间碳化硅快恢复二极管的反向恢复时间也是其重要参数之一。

650V 8A 的碳化硅快恢复二极管，在通电后能够在极短的时间内从导通状态迅速恢复到截止状态，这一特性使得其在高频开关电源和逆变器中具有重要的应用价值。

反向恢复时间长短直接影响了二极管在实际电路中的性能表现，因此该参数的优化对于碳化硅快恢复二极管的性能提升具有重要意义。

3. 导通压降碳化硅快恢复二极管的导通压降也是其重要参数之一。

650V 8A的碳化硅快恢复二极管在导通状态下具有较低的导通压降，这一特性使得其在功率电子器件中广泛应用。

较低的导通压降能够减小功率损耗，提高能效，因此对于碳化硅快恢复二极管的性能改善具有重要作用。

4. 封装类型碳化硅快恢复二极管650V 8A通常采用TO-220、TO-247等常见的封装形式，这些封装形式具有良好的散热性能和结构稳定性，能够满足对于高功率和高频率应用领域的实际要求。

良好的封装类型能够保证二极管的工作稳定性和可靠性，也是其在实际应用中被广泛采用的重要原因之一。

5. 可靠性指标除了以上主要参数外，碳化硅快恢复二极管650V 8A还需要满足一系列的可靠性指标，如温度特性、耐压能力、耐湿能力、抗干扰能力等。

这些可靠性指标是其在实际应用中必须要满足的，对产品品质和性能表现具有重要影响。

总结来看，碳化硅快恢复二极管650V 8A在电源、逆变器、汽车电子等领域的应用前景广阔，其具有较高的额定电压和电流、较短的反向恢复时间、较低的导通压降等优点，同时也需要满足一系列的可靠性指标。

快恢复整流二极管参数FR101--FR107


汕头市森源科技电子商行
Plastic Fast Recover Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 1.0A
特征 Features
·低的反向漏电流 Low reverse leakage ·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:
trr
MAX. Reverse Recovery Time
典型结电容
Type junction capacitance
VR = 4.0V, f = 1MHz
Cj
150 15
FR FR 106 107
300 8
单位 Unit
V µA
nS pF
正向电流 IF(A) IF Instantaneous Forward Current (A)
ＦＲ１０１－１０７产品规格书
塑封快恢复整流二极管
反向电压 50 --- 1000 V 正向电流 1.0 A
DO-41
1.0(25.4) MIN
.034(0.9) .028(0.7)
DIA
.205(5.2) .166(4.2)
1.0(25.4) MIN
.107(2.7) DIA
.080(2.0)
Unit：inch（mm）

特性曲线 Characteristic Curves
正向特性曲线（典型值） TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC 10
2 1
0.2 Tj = 25 °C
0.1
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