扩散硅压阻式压力传感器介绍

硅压阻式压力传感器工作原理1. 硅压阻式压力传感器概述嘿，朋友们，今天我们来聊聊硅压阻式压力传感器。

听起来有点复杂，对吧？其实说白了，就是一种用来测量压力的设备，特别适合在一些要求高精度的场合，比如汽车、飞机甚至医疗设备上。

你可能会想，压力测量有什么了不起的？其实，压力测量就像我们生活中的调味料，少了它可不行！想想，如果没有压力传感器，我们的汽车可能就像个没头苍蝇，乱窜乱撞，根本无法安全驾驶。

这玩意儿的工作原理其实也很简单，就像你在吹气球时，气球里的气压会让它鼓起来。

硅压阻式传感器就利用这种原理来检测压力变化。

它的核心材料是硅，而硅呢，又是我们这个科技时代的宠儿，无处不在。

从手机芯片到太阳能电池板，它都在默默奉献。

1.1 硅的神奇之处说到硅，它真是个神奇的东西。

硅在常温下是个很稳定的元素，这让它在各类传感器中广受欢迎。

我们常常提到的“硅谷”，其实就是因为这里聚集了很多用硅做的高科技公司。

再说了，硅的导电性也特别好，能够帮助我们轻松地转换压力信号。

这就像我们平时听音乐，耳机里发出的声音其实就是电信号的变化，硅传感器也是这个道理。

1.2 工作原理那么，这个传感器到底是怎么工作的呢？当压力作用在传感器的膜片上时，膜片会发生形变。

想象一下，像你踩在沙滩上，沙子会凹下去。

这时，传感器内部的硅元件就会感受到这种形变。

硅元件内的电阻会因为形变而发生变化。

这个变化就好比我们心情的起伏，压力大了，电阻就变小了；压力小了，电阻就变大了。

接下来，变化的电阻会被转换成电压信号，然后再通过电路输出。

就像你用手机拍照，光线通过镜头后变成了电子信号，最后展现在屏幕上。

通过这种方式，我们就能实时监测压力的变化，确保一切正常。

2. 硅压阻式传感器的应用当然，硅压阻式压力传感器可不是只能用在一个地方。

它的应用范围可广泛得很，简直是无所不能。

比如在汽车上，压力传感器能帮助我们监测轮胎压力，确保安全行驶。

谁要是开着轮胎瘪了的车，那可真是开车去约会，结果一路上都是惊心动魄的体验。

一、硅压阻式充油芯体（扩散硅传感器）一般介绍：硅单晶材料在受到外力作用产生极微小应变时（一般步于400微应变），其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化（G因子突变）。

用此材料制成的电阻也就出现极大变化，这种物理效应称为压阻效应。

利用压阻效应原理，采用集成工艺技术经过掺杂、扩散，沿单晶硅片上的特点晶向，制成应变电阻，构成惠斯凳电桥，利用硅材料的弹性力学特性，在同一切硅材料上进行各向异性微加工，就制成了一个集力敏与力电转换检测于一体的扩散硅传感器。

给传感器匹配一放大电路及相关部件，使之输出一个标准信号，就组成了一台完整的变送器。

硅压阻式充油芯体（扩散硅传感器）技术特点：1、灵敏度高扩散硅敏感电阻的灵敏因子比金属应变片高50~80倍，它的满量程信号输出在80-100mv左右。

对接口电路适配性好，应用成本相应较低。

由于它输入激励电压低，输出信号大，且无机械动件损耗，因而分辨率极高。

2、精度高扩散硅压力传感器的感受、敏感转换和检测三位一体，无机械动件连接转换环节，所以重复性和迟滞误差很小。

由于硅材料的刚性好，形变小，因而传感器的线性也非常好。

因此综合表态精度很高。

3、可靠性高扩散硅敏感膜片的弹性形变量在微应变数量级，膜片最大位移量在来微米数量级，且无机械磨损，无疲劳，无老化。

平均无故障时间长，性能稳定，可靠性高。

4、频响高由于敏感膜片硅材料的本身固有频率高，一般在50KC。

制造过程采用了集成工艺，膜片的有效面积可以很小，配以刚性结构前置安装特殊设计，使传感器频率响应很高，使用带宽可达零频至100千赫兹。

5、温度性能好随着集成工艺技术进步，扩散硅敏感膜的四个电阻一致性得到进一步提高，原始的手工补偿已被激光调阻、计算机自动修整技术所替代，传感器的零位和灵敏度温度系数已达10-5/℃数量级，工作温度也大幅度提高。

6、抗电击穿性能好由于采用了特殊材料和装配工艺，扩散硅传感器不但可以做到130℃正常使用，在强磁场、高电压击穿试验中可抗击1500V/AC电压的冲击。

实验一扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验实验目的：1. 熟悉扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和特性。

2. 了解扩散硅压阻式压力传感器的使用方法和注意事项。

3. 利用扩散硅压阻式压力传感器进行压力测量实验。

实验器材：1. 扩散硅压阻式压力传感器2. 数字万用表3. 压力泵4. 接线板、导线等实验原理：扩散硅压阻式压力传感器是利用扩散硅作为敏感元件的压力传感器。

当扩散硅受到外界压力作用时，会产生微小的形变，从而改变扩散硅的电阻值。

通过电路对电阻值的变化进行放大和处理，最终转换成电压信号作为输出，实现压力的测量。

实验步骤：1. 将扩散硅压阻式压力传感器连接到接线板上，注意仔细阅读连接图并正确连接。

2. 将数字万用表连上扩散硅压阻式压力传感器的输出端口，选择电压测量档位，并将数显切换为直流电压。

3. 将压力泵连接到扩散硅压阻式压力传感器的压力输入端口，打开压力泵。

4. 按照设定步骤开始进行实验，观察和记录压力泵的压力输出值以及扩散硅压阻式压力传感器的电压输出值。

5. 在测量结束后，关闭压力泵，并将扩散硅压阻式压力传感器从电路中拆开。

实验结果分析：通过扩散硅压阻式压力传感器测量实验，我们能够得出被测压力值和输出电压值之间的关系。

由于具有较好的灵敏度和稳定性，扩散硅压阻式压力传感器被广泛应用于压力测量领域，如航空、采矿、化工、医疗等领域。

注意事项：1. 在进行实验前，必须确认设备和电路是否连接正确，避免短路或其他故障发生。

2. 在使用压力泵时，应注意安全防范措施，避免压力泵爆炸等危险事件发生。

3. 在电路连接和处理信号时，应注意干扰和噪声的影响，保证测量精度的准确性。

4. 在实验过程中，如有异常情况发生应及时停止实验，并排除故障，确保实验结果可靠有效。

实验二扩散硅压阻式压力传感器实验模块2.1实验目的：实验 2.1.1：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。

工作原理：是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。

单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。

压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。

转换原理：在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，，形成4个阻值相等的电阻条。

并将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。

平时敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡，给电桥加一个恒定电压源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。

压阻效应:当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。

这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。

硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。

实验 2.1.2：了解利用压阻式压力传感器进行差压测量的方法。

2.2实验设备和元件：2.2.1 实验设备：实验台所属各分离单元和导线若干。

2.2.2 其他设备：2号扩散压阻式压力传感器实验模块，14号交直流，全桥，测量，差动放大实验模块，数显单元20V，直流稳压源+5V，+_12V电源。

2.3实验内容：2.3.1扩散压阻式压力传感器一般介绍：单晶硅材料在受到外力作用产生极微小应变时（一般步于400微应变），其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化（G因子突变）。

扩散硅压力传感器工作原理
硅压力传感器是一种基于硅材料的传感器，用于测量压力。

其工作原理基于压力对硅芯片的变形产生的电阻变化。

硅压力传感器的核心部件是一个薄膜型硅压阻元件，通常由硅晶圆加工而成。

该元件由两层硅薄膜组成，上层为引压膜，下层为探测膜。

当外界施加压力作用在传感器上时，引压膜和探测膜之间的硅材料会产生一定程度的变形。

这种变形会改变硅材料的电阻特性，从而使得传感器的输出信号发生变化。

硅压力传感器通常采用电桥测量电路将这个电阻变化转化为电压输出。

通过对电桥进行精确的电压测量，就可以实现对外界压力的准确测量。

硅压力传感器的灵敏度和稳定性主要取决于硅材料的特性以及传感器的制造工艺。

传感器内部通常还会加入温度补偿电路，以消除温度对测量结果的影响。

另外，传感器还需要进行标定和校准，以确保其测量结果的准确性和可靠性。

总结来说，硅压力传感器通过测量硅芯片在压力作用下的变形，利用电桥测量电路将其转化为电压输出，实现对压力的测量。

它具有高灵敏度、稳定性好等特点，广泛应用于工业控制、汽车、医疗设备等领域。

北京XXX大学实验报告课程（项目）名称：实验三扩散硅压阻式压力传感器实验学院：专业：班级：学号：姓名：成绩：2013年12月10日一、任务与目的了解扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和工作情况。

二、实验仪器（条件）所需单元及部件：主、副电源、直流稳压电源、差动放大器、F/V显示表、压阻式传感器(差压)旋钮初始位置：直流稳压电源±4V档，F/V表切换开关置于2V档，差放增益适中或最大，主、副电源关闭。

三、原理（条件）扩散硅压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应制成的器件，也就是在单晶硅的基片上用扩散工艺(或离子注入及溅射工艺)制成一定形状的应变元件，当它受到压力作用时，应变元件的电阻发生变化，从而使输出电压变化。

四、内容与步骤（1）了解所需单元、部件、传感器的符号及在仪器上的位置。

（见附录三）(2) 如图３０A将传感器及电路连A(3) 如图３０B图３０B(5) 将加压皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝拧松。

（6）开启主、副电源，调整差放零位旋钮，使电压表指示尽可能为零，记下此时电压表读数(7) 拧紧皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝，轻按加压皮囊，电压表有压力指示时，记下此时的读数，并将数据填入表格中记录。

注：根据所得的结果计算系统灵敏度S= ΔV／ΔP，并作出V-P关系曲线，找出线性区域。

五、数据处理（现象分析）（1）拧紧皮囊上单向调节阀的锁紧螺丝，轻按加压皮囊，电压表的读数随压力的变化如下表：（2）根据所得的结果计算系统灵敏度S= ΔV／ΔP，并作出V-P关系曲线，找出线性区域。

六、结论通过实验进一步了解了扩散硅压阻式压力传感器的工作原理，并且观察了实过程中的工作状况，通过对实验数据的整理计算，得出实验仪器的灵敏度为S=92.35 V/Kpa。

扩散硅压阻式压力传感器实验报告一、实验目的本次实验的目的是通过对扩散硅压阻式压力传感器的研究，掌握其工作原理、特点和应用范围，并通过实验验证其性能指标。

二、实验原理1. 扩散硅压阻式压力传感器的工作原理扩散硅压阻式压力传感器是利用硅材料在外加电场下产生变形的特性来测量被测物体所受压力大小的一种传感器。

当被测物体施加一定大小的压力时，它们会在传感器表面产生微小变形，这种变形会影响到硅片上薄膜电阻值的大小，从而使得输出电信号发生变化。

2. 扩散硅压阻式压力传感器的特点（1）精度高：由于扩散硅压阻式压力传感器采用了先进制造技术和精密校准方法，因此其精度非常高。

（2）灵敏度高：由于硅材料具有较好的弹性和刚度，因此扩散硅压阻式压力传感器对被测物体所受小范围内的压力变化非常敏感。

（3）稳定性好：扩散硅压阻式压力传感器采用了先进的温度补偿技术，因此其在不同温度下的测量结果非常稳定。

3. 扩散硅压阻式压力传感器的应用范围扩散硅压阻式压力传感器广泛应用于汽车、航空航天、机械制造、医疗仪器等领域。

例如，在汽车制造中，扩散硅压阻式压力传感器可以用于测量发动机油路和燃油路的油压；在医疗仪器中，扩散硅压阻式压力传感器可以用于测量人体血液和气体等生物参数。

三、实验步骤1. 准备工作（1）检查实验设备是否完好无损，并按照实验要求进行连接；（2）检查被测物体是否符合实验要求，并将其放置在实验台上。

2. 连接电路将扩散硅压阻式压力传感器与电源和示波器连接起来。

其中，电源可以为恒流源或者恒压源，示波器用于观察输出电信号。

3. 施加压力将被测物体放置在扩散硅压阻式压力传感器上，并施加一定大小的压力。

此时，传感器会产生微小变形，导致输出电信号发生变化。

4. 观察实验结果通过示波器观察输出电信号的变化情况，并记录下实验结果。

根据实验结果，可以计算出被测物体所受的压力大小。

四、实验结果分析本次实验中我们使用了扩散硅压阻式压力传感器来测量被测物体所受的压力大小。

《传感器原理及应用》扩散硅压阻式压力传感器的压力测
量实验报告
1.实验功能要求
了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。

2.实验所用传感器原理
压阻压力传感器是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。

单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。

它又称为扩散硅压阻压力传感器，它不同于粘贴式应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力，而是直接通过硅膜片感受被测压力的。

3.实验电路
4.实验过程
1.按图10-2接好“差动放大器”与“电压放大器”，“电压放大器”输出端接数显直流电压表，选择20V档，打开直流开关电源。

2.调节“差动放大器”与“电压放大器”的增益调节电位器到适当位置并保持不动，用导线将“差动放大器”的输入端短接，然后调节调零电位器使直流电压表20V档显示为零。

3.取下短路导线，并按图10-2连接“压力传感器”与“分压器”。

4.气室的活塞退回到刻度“17”的小孔后，使气室的压力相对大气压均为0，气压计指在“零”刻度处，将“压力传感器”的输出接到差动放大器的输入端，调节Rw1使直流电压表20V档显示为零。

5.增大输入压力到0.01MPa，每隔0.005Mpa记下“电压放大器”输出的电压值U。

直到压强达到0.095Mpa；填入表。

5.实验结果
绘制P1-Uo2曲线：
y=p1*x+p2
P1=110.3
P2=0.87657
由图读出m=0.392
故灵敏度S=△U/ΔP =P1=110.3v/kp
非线性误差δf=(0.392/11.4)X100%=3.5%。

扩散硅压力传感器原理扩散硅压力传感器是一种常见的压力传感器，其原理基于硅片的应变效应。

下面将详细介绍扩散硅压力传感器的工作原理。

1. 原理概述扩散硅压力传感器采用硅片作为敏感元件，通过测量硅片受到的应变来确定被测介质的压力。

当介质施加压力时，会使得硅片发生微小的形变，这个形变会导致硅片电阻率发生变化。

通过测量电阻率的变化，就可以得到被测介质的压力值。

2. 工作原理扩散硅压力传感器由两个主要部分组成：敏感元件和信号处理电路。

（1）敏感元件敏感元件是由单晶硅制成的薄膜结构。

它通常由四个主要部分组成：基底、桥臂、悬臂和薄膜电阻。

基底是整个结构的支撑部分，它可以固定在外壳上。

桥臂和悬臂是连接在基底上的两个弯曲部分，它们一起形成一个“H”形结构。

薄膜电阻是在悬臂上制造的一个电阻器，用于测量敏感元件的电阻值。

当被测介质施加压力时，会使得硅片发生微小的形变。

这种形变会导致敏感元件的桥臂和悬臂长度发生微小变化，从而改变敏感元件的电阻值。

（2）信号处理电路信号处理电路是用于测量敏感元件的电阻值，并将其转换为压力值。

它通常由放大器、滤波器、模数转换器和微处理器组成。

放大器用于放大敏感元件的微小信号，以便能够进行后续处理。

滤波器用于去除噪声和干扰信号，确保测量结果准确可靠。

模数转换器则将模拟信号转换为数字信号，以便进行数字化处理。

最后，微处理器将数字信号解码并计算出被测介质的压力值。

3. 应用领域扩散硅压力传感器广泛应用于各种工业和科学领域中。

例如，在汽车制造业中，它们被用来测量汽车轮胎内部的气压。

在医学领域中，它们被用来测量人体内部的压力，如血液压力和眼压。

此外，它们还被用于工业自动化、航空航天和环境监测等领域。

4. 总结扩散硅压力传感器是一种基于硅片应变效应的传感器。

它采用敏感元件来测量被测介质的压力，并通过信号处理电路将信号转换为数字信号。

由于其高精度、高可靠性和广泛的应用领域，扩散硅压力传感器已成为许多工业和科学领域中不可或缺的设备。

扩散硅压力传感器的工作原理
扩散硅压力传感器的工作原理：
①敏感膜片结构首先需了解扩散硅压力传感器核心部件是由单晶硅制成厚度仅有数十微米弹性膜片；
②扩散电阻制作在膜片背面用光刻腐蚀技术制作四个矩形电阻并将它们连接成惠斯通电桥电路；
③压力感应当被测介质压力作用于膜片正面时由于材料弹性膜片会发生微小形变导致电阻值变化；
④电桥不平衡变化引起电阻值变化会打破原来平衡状态使电桥输出端产生与压力成正比电压信号；
⑤放大处理由于原始信号十分微弱需用专用放大器对其放大整形滤波等处理提高信噪比便于远传；
⑥温度补偿实际应用中温度变化会影响硅材料电阻率需在电桥中增加热敏电阻或采用软件算法补偿；
⑦非线性校正在较大压力范围内输出与压力间可能存在非线性关系需通过硬件软件手段进行修正；
⑧零点迁移为适应不同场合需求传感器可在出厂时预设一定量程迁移扩大测量范围满足特殊要求；
⑨防护封装裸露敏感元件需用不锈钢钛合金等耐腐蚀材料封装起来并充入惰性气体防止外界干扰；
⑩输出方式除了模拟量外现代智能传感器还提供RS485 CAN等数字通讯接口便于接入自动化系统；
⑪应用领域因其体积小精度高稳定性好等特点被广泛应用于石油石化航空航天医疗等多个行业；
⑫发展趋势随着MEMS技术进步未来扩散硅压力传感器将朝着集成化微型化多功能化方向发展。

第二节 压阻式传感器 固体受到作用力后，电阻率就要发生变化，这种效应称为压阻效应。

半导体材料的这种效应特别强。

利用半导体材料做成的压阻式传感器有两种类型：一种是利用半导体材料的体电阻做成的粘贴式应变片；另一类是在半导体材料的基片上用集成电路工艺制成扩散电阻，称扩散型压阻传感器。

压阻式传感器的灵敏系数大，分辨率高。

频率响应高，体积小。

它主要用于测量压力、加速度和载荷参数。

因为半导体材料对温度很敏感，因此压阻式传感器的温度误差较大，必须要有温度补偿。

1. 基本工作原理根据式（2－3） 式中，项，对金属材料，其值很小，可以忽略不计，对半导体材料，项很大，半导体电阻率的变化为(2－22) 式中为沿某晶向的压阻系数，σ为应力，为半导体材料的弹性模量。

如半导体硅材料，,，则，此例表明，半导体材料的灵敏系数比金属应变片灵敏系数 (1＋2μ)大很多。

可近似认为。

半导体电阻材料有结晶的硅和锗，掺入杂质形成P型和N型半导体。

其压阻效应是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的。

由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的压阻系数不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关，还与晶向有关。

所谓晶向，就是晶面的法线方向。

晶向的表示方法有两种，一种是截距法，另一种是法线法。

1．截距法 设单晶硅的晶轴坐标系为x、y、z，如图2－29所示，某一晶面在轴上的截距分别为r、s、t(2－23) 1/r、1/s、1/t为截距倒数，用r、s、t的最小公倍数分别相乘，获得三个没有公约数的整数a、b、c，这三个数称为密勒指数，用以表示晶向，记作〈a b c〉，某数（如a）为负数则记作〈b c〉。

例如图2－30(a)，截距为－2、－2、4，截距倒数为－、－、，密勒指数为〈1〉。

图2－30(b)截距为1、1、1，截距倒数仍为1、1、1，密勒指数为〈1 1 1〉。

图2－30(c)中ABCD面，截距分别为1、∞、∞，截距倒数为1、0、0，所以密勒指数为〈1 0 0〉。

四种压力传感器的基本工作原理及特点压力传感器是一种用于测量物体受到的压力变化的装置。

它们在工业领域中广泛应用，能够检测和监测各种物体的压力变化，从而保证生产过程的安全性和稳定性。

根据工作原理的不同，压力传感器可以分为四种类型：扩散硅压力传感器、电容式压力传感器、电阻式压力传感器和压阻式压力传感器。

1.扩散硅压力传感器：扩散硅压力传感器是最常见的一种压力传感器。

其工作原理是利用硅片的绝缘层将传感器分成两个区域，一个区域位于压力源下方，另一个区域位于压力源上方。

当外界压力作用在硅片上时，上下两个区域之间的电荷会发生变化。

通过测量这个电荷变化，可以得到物体受到的压力。

该传感器具有较高的精度和灵敏度，可以测量较小的压力变化。

2.电容式压力传感器：电容式压力传感器是通过测量电容变化来检测压力的。

它由两个金属电极构成，当外界压力施加在电极上时，电极之间的电容会发生变化。

通过测量电容的变化，可以推导出物体所受到的压力大小。

电容式压力传感器具有较高的灵敏度和快速的响应速度，适用于高频压力变化的测量。

3.电阻式压力传感器：电阻式压力传感器是利用电阻值的变化来测量压力的。

它由感应电阻体和测量电路组成。

当外界压力作用在感应电阻体上时，电阻值会发生变化。

通过测量电阻值的变化，可以确定物体所受到的压力。

电阻式压力传感器具有较高的稳定性和可靠性，可以适应各种环境条件下的测量需求。

4.压阻式压力传感器：压阻式压力传感器是利用电阻值与应变之间的关系来测量压力的。

它由弹性材料和导电材料构成。

当外界压力作用在弹性材料上时，材料会发生应变，导致导电材料的电阻值发生变化。

通过测量电阻值的变化，可以得到物体所受到的压力。

压阻式压力传感器具有较高的精度和可靠性，适用于高温和高压环境下的压力测量。

以上是四种常见的压力传感器的工作原理和特点。

它们各自具有不同的优点和适用范围，在工业控制和自动化领域中发挥着重要的作用。

扩散硅压阻式差压传感器是一种常见的压力传感器，其内部结构十分精密，具有很高的灵敏度和稳定性。

下面让我们来深入探讨一下这种传感器内部的构造与工作原理。

1. 膜片结构在扩散硅压阻式差压传感器内部，主要的敏感元件就是薄膜片。

薄膜片的材料通常选用硅材料，因其具有良好的弹性和导电性能。

薄膜片的表面会进行一定的加工，以增强其对压力的敏感性，一般会采用特殊的加工工艺，比如激光蚀刻或者纳米级的化学腐蚀技术等，从而使薄膜片在受压后能够更精确地发生形变。

2. 弹体结构在薄膜片的上下两侧，通常都会固定有一些弹性体，其作用是在外部受到压力作用时，能够保证膜片的稳定性和可靠性。

这些弹体一般由硅胶或者橡胶材料制成，其硬度和弹性常数需要经过精确的计算和调试，以便获得最佳的传感效果。

3. 压力传递结构为了将外部介质的压力准确地传递给薄膜片，扩散硅压阻式差压传感器内部通常会设计一套专门的压力传递结构。

这个结构一般由金属或者硅胶等材料制成，其作用是将外部介质的压力传递给薄膜片，并将其形变转化为电信号输出。

4. 电路结构薄膜片受到外部压力的作用后，其形变会导致内部电阻发生改变，扩散硅压阻式差压传感器内部设计有专门的电路结构，能够准确地测量这种电阻变化，并将其转化为相应的电压信号。

这通常需要借助一些专门的信号调理电路和数字转换器等设备，以确保传感器的输出能够准确地反映外部压力的变化。

扩散硅压阻式差压传感器内部结构包括薄膜片、弹体、压力传递结构和电路结构等部分。

这些部分通过精密的设计和加工，使得传感器能够具有高灵敏度、高稳定性和可靠性，可以广泛应用于工业自动化控制、流体控制系统和气压测量等领域。

而对我个人来说，我认为扩散硅压阻式差压传感器内部结构的精密和复杂性展现了现代科技的高度发展，也体现了工程技术的精湛和创新。

这种传感器的应用不仅提高了各行业的生产效率，还为我们的生活带来了极大的便利。

在文章中我多次提及扩散硅压阻式差压传感器内部结构，以突出这一主题的重要性和深度。

传感器课程设计报告题目：扩散硅压阻式压力传感器的差压测量专业班级：BG1003姓名：桑海波时间：2013.06.17~2013.06.21指导教师：胥飞2013年6月21日摘要本文介绍一种以AT89S52单片机为核心，包括ADC0809类型转换器的扩散硅压阻式压力传感器的差压测量系统。

简要介绍了扩散硅压阻式压力传感器电路的工作原理以及A/D变换电路的工作原理，完成了整个实验对于压力的采样和显示。

与其它类型传感器相比，扩散硅压阻式电阻应变式传感器有以下特点：测量范围广，精度高，输出特性的线性好，工作性能稳定、可靠，能在恶劣的化境条件下工作。

由于扩散硅压阻式压力传感器具有以上优点，所以它在测试技术中获得十分广泛的应用。

关键字：扩散硅压阻式压力传感器，AT89S52单片机，ADC0809，数码管目录1.引言 (1)1.1课题开发的背景和现状 (1)1.2课题开发的目的和意义 (1)2.设计方案 (2)2.1设计要求 (2)2.2设计思路 (2)3.硬件设计 (3)3.1电路总框图 (3)3.2传感器电路模块 (3)3.3A/D变换电路模块 (4)3.4八段数码管显示 (8)3.5AT89S52单片机 (9)3.6硬件实物 (12)4.实验数据采集及仿真 (13)4.1数据采集及显示 (13)4.2实验数据分析 (13)5.程序设计 (16)5.1编程软件调试 (16)5.2软件流程图 (17)5.3程序段 (18)6.结果分析 (19)7.参考文献 (20)1.引言1.1 课题开发的背景和现状传感器是一种能够感受规定的被测量的信息，并按照一定规律转换成可用输出信号的的器件或装置，通常由敏感元件、转换元件、测量电路三部分组成。

传感器技术是现代信息技术的三大支柱之一，其应用的数量和质量已被国际社会作为为衡量一个国家智能化、数字化、网络化的重要标志。

近年来，随着国家资金投入大的增加，我国压阻式传感器有了较快的发展，某些传感器如矩形双岛膜结构的6KPa微压传感器的性能甚至优于国外，其非线性滞后、重复性均小于5×10-4FS，分辨率优于20Pa，具有较高的过压保护范围以及可靠性。

硅压阻式压力传感器的相关介绍硅压阻式压力传感器作为一种典型的传感器，目前已经得到了广泛的应用，小编通过搜罗资料，为大家介绍关于其结构及原理方面的内容，以供大家参考。

硅压阻式压力传感器是利用单晶硅的压阻效应制成的。

在硅膜片特定方向上扩散4个等值的半导体电阻，并连接成惠斯通电桥，如图3.1所示，作为力——电变换器的敏感元件。

当膜片受到外界压力作用，电桥失去平衡时，若对电桥加激励电源（恒流和恒压），便可得到与被测压力成正比的输出电压，从而达到测量压力的目的。

硅压阻式压力传感器都由3个基本部分组成（图3.2）：①基体，直接承受被测应力；②波纹膜片，将被测应力传递到芯片；③芯片，检测被测应力。

芯片是在硅弹性膜片上，用半导体制造技术在确定晶向制作相同的4个感压电阻，将他们连成惠斯通电桥构成了基本的压力敏感元件。

膜片即是力敏电阻的衬底，又是外加应力的承受体，所以是压力传感元件的核心部分。

在硅膜片上的背面要用机械或化学腐蚀的方法加工成中间很薄的凹状，称为硅杯，在它的正面制作压阻全桥。

如果硅杯是圆形的凹坑，就称为圆形膜片。

膜片还有方形、矩形等多种形式。

当存在外加应力时，膜片上各处受到的应力是不同的。

4个桥臂电阻在模板上的位置与方向设置要根据晶向和应力来决定。

膜片的设计和制作决定了传感器的性能及量程。

图3.2所示的是一种充油封装结构，在传感器的波纹膜片及芯片之间填充了硅油，这种结构的压力传感器目前已相当成熟。

量程为0～100kPa至0～60MPa，工作温度为-55℃～125℃，精度为0.5%～0.1%；能够实现表压、绝压测量。

硅压阻式压力传感器的另一种封装形式是将硅应变片用于玻璃粉直接烧结在金属膜片上，构成烧结型压力传感器。

由于该传感器的结构特点，能够将弹性原件与被测介质直接接触，易于小型化，适于动态压力测量。

该传感器量程从0～100kPa至0～80MPa，工作温度为-55℃～125℃，精度为0.5%～0.1%。

固有频率从几千赫到几百赫，可用于气流模型试验、爆炸压力测试和发动机动态测量。