电子科技大学《模拟电路基础》在线作业256

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度/反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（A/((1+AF) ），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（1+AF ）BW，其中BW=（fH–fL ），（1+AF ）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（小于近似等于1 ），输入电阻（大），输出电阻（小）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（调幅），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（载波信号）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（KUxUy ），电路符号是（）。

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。

电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

学习中心/函授站_姓名学号西安电子科技大学网络与继续教育学院2020 学年下学期《模拟电子技术基础》期末考试试题考试说明：1、大作业试题于2020 年10 月15 日公布：（1）毕业班学生于2020 年10 月15 日至2020 年11 月1 日在线上传大作业答卷；（2）非毕业班学生于2020 年10 月22 日至2020 年11 月8 日在线上传大作业答卷；（3）上传时一张图片对应一张A4 纸答题纸，要求拍照清晰、上传完整；2、考试必须独立完成，如发现抄袭、雷同均按零分计；3、答案须用《西安电子科技大学网络与继续教育学院标准答题纸》手写完成，要求字迹工整、卷面干净。

一、填空题（每空2.5 分，共25 分）1、N 型半导体是本征半导体加入 5 价原子的杂质半导体。

2、稳压二极管利用PN 结的击穿区具有稳定电压的特性工作。

3、多级放大电路各级之间的连接称为耦合。

4、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为40 dB，第二级电压增益为10dB，则两级总电压增益为 50 dB。

5、差动放大器主要是利用电路结构的对称性特性来减少零点漂移的。

6、电压负反馈可使放大器输出电阻减小。

7、在放大电路中为了增加输入电阻应引入串联负反馈。

8、两级放大电路，A u1=-20，A u2=-50，总放大倍数为 1000，若输入电压U i=1mV，则输出电压U o为1V。

二、单项选择题（每小题2 分，共20 分）1、N 型半导体的电子浓度 A 空穴浓度。

A．大于B．小于C．等于D．无法确定2、既有电压增益，又有电流增益的放大器是 C 。

A．共基极B．共集电极C．共发射极D．说不清楚3、工作于放大区的三极管，当I B从10μA 增加到20μA 时，I C从1mA 变成2mA，则它的β 约为 A 。

VA ．50B ．100C ．200D ．20 4、场效应管属于 A 控制型器件。

A ．电压 B ．电流 C ．电感 D ．电容 5、两个 β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。

专升本-模拟电路基础•••A、稳压管不能击穿；•B、稳压管正向导通；•C、稳压管因电流太小而内阻过大；•D、稳压管因电流过大而烧管。

•2、•••A、5. 2kΩ•B、2. 4kΩ•C、3. 6kΩ•D、6. 8kΩ•••A、1. 43kΩ•B、2. 31kΩ•C、0. 82kΩ•D、1. 96kΩ•A、能够形成导电沟道•B、漏极电流不为零•B、内电场•C、外电场••A、CE 差动放大器•B、CE 放大器•C、CS 差动放大器•D、CS 放大器•••A、•B、•C、•D、•••A、输入电阻大•B、输出电阻小•C、输出电阻大•D、输入电阻小•••A、6W•B、12W•C、15W•D、9W•••A、18•B、9•C、4.5•D、2.25•••A、-2V•B、2V•C、3V•D、-3V••A、0.7V•B、0.3V•C、5.0V•D、1.0V•••A、•B、•C、•D、•14、某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为则对应该管的管脚排列依次是（）。

••A、c,b,e•B、b,c,e•C、b,e,c•D、e,b,c••A、稳定Au•B、放大信号•C、缩小信号•D、抑制零点漂移•••A、基本镜像恒流源电路•B、微变恒流源电路•C、带共集管的高精度恒流源•D、比例恒流源电路••A、多数载流子•B、少数载流子•C、少数载流子和多数载流子共同•D、扩散••A、相位失真•B、削波失真•C、频率失真•D、非线性失真••A、ROf ＝R0／F•B、ROf＝R0 ／T•C、R0f＝F R0•D、ROf＝T R0••A、b, c, e•B、e, b, c•C、b, e, c•D、c, b, e••A、输入电阻增加•B、输出电阻增加•C、输入电阻减小•D、输出电阻减小••A、略有减小•B、几乎不变•C、略有增加•D、不定••A、输出电阻增大•B、输出电流小•C、带负载能力强•D、电压放大倍数高••A、增大•B、不变•C、不能确定•D、减少••A、产生频率失真的原因是放大器模型中的电抗元件所致；•B、频率失真可能引起输入信号各频率分量在输出口的时延不同。

多选题 1.对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为()伏，而Ge二极管的导通电压典型值约为()伏 A.0.1V B.0.7V C.0.3V D.2.0V
2.正弦波振荡电路除了有放大电路和反馈网络，还应有()和() A.选频 B.稳幅 C.截止 D.导通
3.反馈放大电路由()电路和()网络组成 A.基本放大 B.反馈 C.正反馈 D.负反馈
12.当PN结外加反向电压时，扩散电流()漂移电流 A.大于 B.小于 C.等于
13.测得BJT各极对地电压为VB 1.8V，VE 0V，VC12V，则该管工作在()状态 A.截止 B.饱和 C.放大 D.已损坏
14.有用信号频率高于500Hz，可选用()滤波电路 A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻
20秋《模拟电路基础》在线作业2 红字部分为答案！
单选题 1.集成运放中间级的作用是() A.提高输人电阻 B.提高共模抑制比 C.提高放大倍数
2.希望抑制50Hz的交流电源干扰，可选用()滤波电路 A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻
3.加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为() A.随所加电压增加而变大 B.0.7V左右 C.随所加电压增加而减小。
4.FET用于放大时，应工作在()区 A.可变电阻 B.饱和 C.击穿
5.PN结外加反向电压时，其内电场() A.减弱 B.不变 C.增强
6.为了提高输入电阻，减小温漂，集成运放的输入级大多采用()电路 A.共射或共源 B.共集或共漏 C.差放电路
7.BJT依靠()控制漏极电流c的器件 A.电压 B.电流 C.电阻
判断题
1.与接入反馈前相比较，接入负反馈后，净输入量减小了。 A.错误 B.正确
2.与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。 A.错误 B.正确

模拟电子线路基础考试题库含答案1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

()正确错误(正确答案)2.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。

()正确荀吴(正确选项)3.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

() 正确(V)琢吴4•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

()正确(正确选项)琢吴5.晶体管的参数不随温度变化。

()正确荀吴(正确答案)6•集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。

（）正确葡吴（正确选项）7•理想运放的共模抑制比为无穷大。

（）正确（正确答案）荀吴8•产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）正确（正确选项）琢吴9.运算放大电路中一般引入正反馈（）正确荀吴3）10电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。

（）正确荀吴（正确答案）口.本征半导体遍度升高后,两种载流子浓度还是相等。

（）正确（V）琢吴12•参数理想对称的差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。

（）正确（正确选项）荀吴13•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）正确（正确选项）撕吴14•运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。

（）正确葡吴3）15•放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）正确（正确答案）荀吴16.负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）正确葡吴（正确答案）17•使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（）正确荀吴（正确选项）18•利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。

（）正确（正确选项）琢吴19•集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（）正确（正确选项）琢吴20•零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）正确（正确答案）荀吴21.本征半导体遍度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（）正确（正确答案）23.场效应管的工作原理是输入电压控制输出电流。

（）正确（V）間天24.三极管放大电路共有两种组态，分别为共基组态和共射组态。

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？二（10分）、电路如图1所示。

已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。

1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。

2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1三（10分）、电路如图2所示。

已知差模电压增益为10。

A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。

求电阻R E和R G。

图2四（10分）、电路如图3所示。

已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47k Ω，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。

1．判断反馈类型；2．画出A电路和B电路；3．求反馈系数B；4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。

图3五（10分）、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。

已知R1=1MΩ，R2=4MΩ，R3=1/3MΩ，R4= R5= R6=1MΩ，C1=C2=1μF。

图4参考答案及评分标准一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（2分）。

电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年1月12 日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（8分）试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。

2．（3分）射极跟随器为何称为电压跟随器？它具有什么特点？3．（3分）在集成电路中，为什么常用恒流源作为负载？4．（6分）什么是频率失真、非线性失真、交越失真？二（10分）、已知某反相比例放大器如图1所示，若图中集成运算放大器是理想的，已知电阻R1和R f，试求：1．电压增益v o A vfv i=2．输入电阻R if和输出电阻R of3．直流平衡电阻R p若图中集成运算放大器的电压增益为A o，带宽为f BW。

试求：4．带宽BWf'图1三（10分）、电路如图2所示，已知电路参数为：12s =162k Ω,R =463k Ω,R =0.75k Ω,V =12V,R DDsi R =4k Ω；晶体管参数为：21.5,4/,12.5VV K mA V r k Tds ===Ω，试求输入电阻R i 和输出电阻o R 。

图2四（10分）、某差动放大电路如图3所示，滑动电阻器R w 的滑动片处于中间位置。

已知三极管的0.7,50,100BE bb V r V β'===Ω 稳压管的6,12,12,V V V V V V Z CC EE ==-=-b c L w R =5k Ω,R =100kΩ,R =30kΩ,R =200Ω,R=1kΩ。

1． 试问3cc R T R V e 、、D 、、z 构成什么电路？2． 求差模电压放大倍数12v oAvdv v i i =-图3五（10分）、反馈放大电路如图4所示。

1．判断电路中的级间反馈类型和极性，说明反馈的作用；A；2．在深度负反馈条件下，写出电路的闭环电压增益表达式vf3．若要稳定电路的输出电流，在尽量保留原电路形式下，应去掉哪几个元件？在深度负反馈条件下，写出修改后电路A。

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。

（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。

试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

电子技术基础（模拟部分）综合练习题2010-12-12一．填空题：（将正确答案填入空白中）1．N 型半导体是在本征半导体中掺入 3 价元素，其多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

P 型半导体是在本征半导体中掺入 5 价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度最高；基区宽度最薄；集电结结面积最大。

3．三极管工作在放大区时，发射结要正向偏置，集电结反向偏置，工作在饱和区时，发射结要正向偏置，集电结正向偏置，工作在截止区时，发射结要反向偏置，集电结反向偏置。

4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。

5．某三极管，其α =0.98，当发射极电流为 2mA ，其基极电流为0.04mA ，该管的β值为49 。

6．某三极管，其β =100，当集电极极电流为 5mA，其基极电流为0.05mA ，该管的α值为0.99 。

7．某三极管工作在放大区时，当 I B从 20μA 增大到 40μA ，I C从 1mA 变成 2mA 。

则该管的β约为50。

8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于电流控制器件。

其输入电阻较低；场效应管通过栅极电压控制输出电流，所以它属于电压控制器件。

其输入电阻很高。

9. 晶体管的三个工作区是放大区，截止区，饱和区。

场效应的三个工作区是可变电阻区，饱和区，截止区。

10．场效应管又称单极型管，是因为只有一种载流子参与导电；半导体三极管又称双极型管，是因为有两种载流子参与导电。

11．串联式直流稳压电源是由组成取样电路；比较放大器；基准电压和调整管。

12．集成运算放大器的内部电路是由偏置电路 , 中间放大器, 输入级和输出级四部分组成。

A =20；A =-100； Av3=1，则可知这三级放13．在一个三级放大电路中，已知大电路中 A1是共基极v1 v2 组态； 3 是共集电极组态。

模拟电路基础课程测验题一、简答题：1、对交流小信号放大器而言，被放大的信号源有哪两种类型？负载有哪两种类型？根据信号源和负载的类型，放大器有哪四种类型？2、双极性结型晶体管（BJT）可能工作在哪三个区？作为放大器的主要元件，它应该工作在哪个区？此时，它的发射结和集电结的偏置状态如何？3、分别画出工作在放大区的BJT直流等效模型和最简交流小信号模型。

若考虑BJT的输出电阻，试重新画出它的交流小信号模型。

4、在对BJT放大器的静态工作点和交流小信号参数的分析时，我们分别采用直流通路和交流通路单独进行分析。

请说明这样做的理由及条件。

5、从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。

6、试画出单电源稳基压偏置的带射极电阻、旁路电容和耦合电容的共射单极BJT 放大电路的电路图。

（1）说明稳基压的原理；（2）说明耦合电容的作用；（3）说明引入旁路电容的意义。

二电路如图1所示，已知β= 100，VBE = 0.7V，VA= ∞，rbe= 5.6kΩ。

1．求输入电阻Ri；2．求小信号源电压增益Avs = vo/vs；3．求输出电阻Ro。

三电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）V TN = 1V，K n =1mA/V2，rDS = ∞。

电路参数为VDD= 8V，输入电阻Ri= 300kΩ。

（1）设计电路参数R1、R2和RS，使IDQ= 2mA，VDSQ= 5V；求小信号电压增益Av = vo/vi和输出电阻Ro。

(单选题)1: 在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生（）
A: 负离子
B: 空穴
C: 正离子
D: 电子-空穴对
正确答案: B
(单选题)2: N沟道结型场效应管的夹断电压VP为（）
A: 正值
B: 负值
C: 零
正确答案: A
(单选题)3: 选用差分放大电路的主要原因是（）
A: 减小温漂
B: 提高输入电阻
C: 稳定放大倍数
D: 减小失真
正确答案: A
(单选题)4: 对 PN 结二极管，当P区外接高电位，而 N区外接低电位，则PN结为（）。

A: 正偏
B: 反偏
C: 截止
正确答案: A
(单选题)5: 对恒流源而言，下列说法不正确的为（）
A: 可以用作偏置电路
B: 可以用作有源负载
C: 交流电阻很大
D: 直流电阻很大
正确答案: D
(单选题)6: 双闭环直流调速系统电流调节器的作用是使电网电压的变化对( )波动起及时抗扰的作用。

 
A:   电流
B:  转速
C: 电压
正确答案: A
(单选题)7: 差分放大电路由双端输入改为单端输入，则差模电压放大倍数（）
A: 不变
B: 提高一倍
C: 提高两倍。

电子科技大学考试试卷及标准答案20XX— 20XX学年第一学期课程名称：模拟电路┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（）（7）半导体中的空穴带正电。

（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。

（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。

（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。

（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

电子科技大学《模拟电路基础》应用设计报告设计题目：函数发生器学生姓名：陈云鑫学号：2014050103001教师姓名：李雷日期： 2015/12/18一、设计任务函数发生器要求：▪设计一个正弦波信号发生器▪设计一个方波信号发生器▪设计一个能同时输出正弦波、方波和三角波的函数发生器指标：▪频率：1kHz▪幅度：正弦波大于10Vpp，方波10Vpp，三角波6Vpp。

二、电路原理1、正弦波选用文氏桥振荡电路，RC串、并联电路构成正反馈，并起选频作用，R1、R2、Rw及二极管等元件构成负反馈和温幅环节。

调解Rw可以改变负反馈深度，以满足振荡的振幅条件和改善波形。

利用两个反向并联的二极管D1和D2正向电阻的非线性区特性来实现稳幅。

D1和D2要求特性匹配。

以确保输出的波形正、负半周对称。

R3的接入是为了消除二极管死区的影响，改善波形失真。

2、矩形波矩形波有两种状态，不是高电平就是低电平，所以电压比较器是他的重要组成部分。

因为缠身振荡，就是要求输出的两种状态自动的相互转换，所以电路中必须引入反馈；因为输入状态应按一定芙蓉时间间隔交替变化，即周期变化，所以电路必须要有延迟环节来确定每种状态来维持的时间。

电路由反相输入的滞回比较器和RC电路组成。

RC回路既作为延时环节，又作为反馈网络，通过RC充电放电实现输入状态的自动转换。

3、三角波在方波电路中，当滞回比较器的阈值电压数值较下时，可将电容两端的电压看成近似三角波。

但是，一方面这个三角波的线性度较差，另一方面带负载后将使电路的性能产生变化。

实际上，只要将方波电压作为积分运算电路的输入，在其输入就得到三角波电压。

当方波发生电路的输出电压Uo1=+Uz时，积分运算电路的输入电压Uo将线性下降；而当Uo1=-Uz时，Uo将线性上升。

三、电路仿真和结果1、正弦波2、方波3、正弦波-方波-三角波4、四、电路加工五、问题解答RC正弦振荡电路①使用1uf能够产生正弦波，但是频率不符合规定；10uf不能产生正弦波。

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期中考试模拟电路基础课程考试题 B 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年 11月 11日课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验0 分，期末 60 分参考答案及评分标准一（10分）、问答题1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管可以构成哪些应用电路（列出四类不同的应用电路）？分析这些应用电路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？答：单向导电性。

（1分）整流电路、限幅电路、箝位电路、倍压电路、逻辑电路等。

（1分）理想开关模型或恒压降模型。

（1分）2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导通时的交流小信号等效电阻比较，一般来说，哪个大？答：后者大。

3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值是什么？为了获得最大的动态范围，静态工作点应如何设置？答：(V CC-V CES)/2。

（1分）放大区的中央。

（1分）4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、动态范围通常采用直流负载线还是交流负载线？静态工作点的变化如何影响失真类型和动态范围？答：交流负载线。

（1分）静态工作点靠近饱和区时，先出现饱和失真；靠近截止区时，先出现截止失真。

（1分）都会使动态范围变小。

（1分）5．（1分）BJT的r ce和MOSFET的r ds与厄利电压之间的关系式描述了晶体管输出特性曲线的什么现象？答：在放大区微微上翘的现象。

（1分）二（4分）、试推导BJT和MOSFET的g m的表达式，并说明：在一般情况下，为什么单级MOSFET放大电路增益不及单级BJT放大电路大？答：BJT的g m的推导过程（略）（1分）MOSFET的g m的推导过程（略）（1分）因为BJT的g m与集电极电流成正比（1分），而MOSFET的g m与漏极电流的平方根成正比（1分）。

三（8分）、放大电路如图1所示，已知BJT的V BE=0.7V，r bb’=0，β=200。

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管：m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =0.1pA 。

（1）当二极管正偏压为0.65V 时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为0.7伏。

试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

电子科技大学智慧树知到“机械设计制造及其自动化”《模拟电路基础》网课测试题答案（图片大小可自由调整）第1卷一.综合考核(共15题)1.当PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层()。

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定2.稳压二极管在加正向偏圧吋，特性与普通二极管()。

A.不一致B.一致C.不确定3.对于普通二极管，Si二极管导通电压的典型值约为伏，而Ge极管的导通电压典型值约为()伏。

A.0.1VB.0.7VC.0.3VD.2.0V4.功率放大器的效率是()。

A.平均输出功率与平均输入功率之比B.平均输出功率与晶体管平均消耗的功率比C.最大不失真平均输出功率与电源提供的平均功率总功率之比D.晶体管上平均消耗的功率与电源提供的平均功率总功率之比5.二极管的正向电流是由()载流子的扩散运动形成的;反向电流是由少数载流子的()运动形成的。

A.多数B.少数C.扩散D.漂移6.单端输出的长尾式差分放大电路，主要靠公共发射极电阻引入负反馈来抑制温漂。

()A.错误B.正确7.FET用于放大时，应工作在()区。

A.可变电阻B.饱和C.击穿8.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

A.正值B.负值C.零9.某放大电路负载开路时输出电压为6V，连接2Ω负载电阻后测得输出电压为4V，由此判定放大电路的输出电阻为()。

A.1.5ΩB.1ΩC.0.5ΩD.0.25Ω10.与接入反馈前相比较，接入负反馈后，净输入量减小了。

()A.错误B.正确11.基本放大器当输入信号频率升高时，放大倍数会减小，其主要原因是()。

A.输入电阻减小B.输出电阻减小C.晶体管内存在极间电容D.耦合和旁路电容的影响12.所谓效率是指()。

A.输出功率与输入功率之比B.输出功率与晶体管上消耗的功率之比C.输出功率与电源提供的功率之比D.最大不失真输出功率与电源提供的功率之比13.凡是集成运算放大器构成的电路，都可以“虚短”和“虚断”概念加以分析。