大学物理 第7章 真空中的静电场 答案
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1第7章 静电场中的导体和电介质 习题及答案1. 半径分别为R 和r 的两个导体球,相距甚远。
用细导线连接两球并使它带电,电荷面密度分别为1s 和2s 。
忽略两个导体球的静电相互作用和细导线上电荷对导体球上电荷分布的影响。
试证明:Rr =21s s。
证明:因为两球相距甚远,半径为R 的导体球在半径为r 的导体球上产生的电势忽略不计,半径为r 的导体球在半径为R 的导体球上产生的电势忽略不计,所以的导体球上产生的电势忽略不计,所以半径为R 的导体球的电势为的导体球的电势为R R V 0211π4e p s =014e s R =半径为r 的导体球的电势为的导体球的电势为r r V 0222π4e p s =024e s r = 用细导线连接两球,有21V V =,所以,所以Rr=21s s 2. 证明:对于两个无限大的平行平面带电导体板来说,证明:对于两个无限大的平行平面带电导体板来说,(1)(1)(1)相向的两面上,电荷的面密度总是相向的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相反;大小相等而符号相反;(2)(2)(2)相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。
相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。
相背的两面上,电荷的面密度总是大小相等而符号相同。
证明: 如图所示,设两导体A 、B 的四个平面均匀带电的电荷面密度依次为1s ,2s ,3s ,4s (1)取与平面垂直且底面分别在A 、B 内部的闭合圆柱面为高斯面,由高斯定理得内部的闭合圆柱面为高斯面,由高斯定理得S S d E SD +==×ò)(10320s s e故+2s 03=s上式说明相向两面上电荷面密度大小相等、符号相反。
上式说明相向两面上电荷面密度大小相等、符号相反。
(2)在A 内部任取一点P ,则其场强为零,并且它是由四个均匀带电平面产生的场强叠加而成的,即电平面产生的场强叠加而成的,即0222204030201=---e s e s e s e s又+2s 03=s 故 1s 4s =3. 半径为R 的金属球离地面很远,并用导线与地相联,在与球心相距为R d 3=处有一点电荷+q ,试求:金属球上的感应电荷的电量。
真空中的静电场答案练习一一 填空题1.021εq q + 1q 、2q 、3q 2.不一定 3.06εq 4.304Rqr πε 5.023εσ-=A E ,0023,2εσεσ=-=C B E E 6. 0,rR 0εσ 二 计算题1. 解(1)2004rqQ F πε= 由对称性可知N F F x 71022.3-⨯== 沿x 轴正向(2)θπεcos 4220rqQ F F x == 01.0)01.0(42220++=x x x qQπε 令0=dxdF 可得:m x 071.0202=±=时,Q 受力最大 2.解:为带正电荷闭合圆环在圆心o 点的电场强度为带正电荷空隙在圆心o 点的电场强度由于空隙很小,因此空隙处正电荷可看作点电荷y F =02cos x F F θ=012E E E =-1E 2E 10E =l l R Q R R qE ⋅-==ππεπε241420202 所以C N E E /72.02==,方向指向空隙3解取线元dl ,有:∴∴负号表示场强方向沿y 轴负向4解作半径r 的同心球面,,由高斯定理:① 若r <R 1,则: ∴ E =0② 若R 1<r <R 2 则:∴③ 若r >R 2,则:∴练习二一. 填空题1.J 15108-⨯-,V 4105⨯-2.有源场,无旋场3.电势降低的方向4 . =,=二.计算题1.解电场分布:由高斯定理得当1R r < 01=E当12R r R ≥> 2024r QE πε=当2R r > 03=E电势分布:由叠加原理得当1R r < 2010144R Q R QV πεπε-= 当12R r R ≥> 200244R Q r QV πεπε-= 当2R r > 03=V2.解取同心球面为高斯面得当R r < 3020144RQr r V E πεπερ== 当R r > 2024r QE πε= 当R r < 302020********R Qr R Q dr rQ dr R Qr V R r R πεπεπεπε-=+=⎰⎰∞当R r > rQV 024πε=当R r = RQV R 04πε=3解(1) 设内、外球面所带电荷分别为、∴C(2) 由 有cm4解.取同心圆柱面为高斯面,得:当a r <022επρπhr rhE ⋅= 02ερr E =当a r >22επρπha rhE ⋅=022ερr a E =电势分布当a r <⎰-==002042rr dr r V ερερ 当a r >020200024ln 222ερερερερa r a a dr r dr r a V a a r -=+=⎰⎰静电场中的导体和电介质练习三一.填空题 1.022εS Q 2.r ε,r ε,r ε3.2041U C 4. 3q 5.R qd q0044πεπε-6. 减小,增大,减小,减小二.计算题1.解:(1).在介质内取同轴圆柱面为高斯面,则有: ∑⎰=⋅内0q S d D S l rl D λπ=⋅2rD πλ2=又E D ε= rE πελ2= (2).电势差为:⎰==BAR R A B AB R R dr r U ln 22πελπελ (3).电容为:ABA B AB R R l R R l U Q C ln 2ln 2πεπελ=== 2解:(1)在介质内取同心球面作为高斯面,由高斯定理得: ∑⎰=⋅内0q S d D S Q r D =⋅24π24r Q D π= 24rQ E πε= (2)电势差⎰⎰-==⋅=21211)11(44212R R R R R R Q dr r Q r d E U πεπε (3)由电容定义得:12214R R R R U Q C -==πε (4)2121228)(2R R Q R R C Q W πε-== 3.解:设C 板右表面带电 -q 1 ,A 板左右表面分别带电q 1、q 2,B 板左表面带电- q 2 AC 板间距d 1,AB 板间距d 2(1) 由题意可知,(1) (2)(1)(2)联解得(2)12q qQ +=AC ABV V =1122E d E d =1212o o q q d d S Sεε=1122q d d q =1121Q q d d =+2211Q q d d =+AC A V V V C=-V 0C =1021101111d Sd d Q d S q d E V V AC A εε+==== 4.解:由D 高斯定理有得到即此时两种介质中的D 是相等的。
专业班级_____ ________学号________第七章静电场中的导体和电介质一、选择题:1,在带电体A旁有一不带电的导体壳B,C为导体壳空腔的一点,如下图所示。
则由静电屏蔽可知:[ B ](A)带电体A在C点产生的电场强度为零;(B)带电体A与导体壳B的外表面的感应电荷在C点所产生的合电场强度为零;(C)带电体A与导体壳B的表面的感应电荷在C点所产生的合电场强度为零;(D)导体壳B的、外表面的感应电荷在C点产生的合电场强度为零。
解答单一就带电体A来说,它在C点产生的电场强度是不为零的。
对于不带电的导体壳B,由于它在带电体A这次,所以有感应电荷且只分布在外表面上(因其部没有带电体)此感应电荷也是要在C点产生电场强度的。
由导体的静电屏蔽现象,导体壳空腔C点的合电场强度为零,故选(B)。
2,在一孤立导体球壳,如果在偏离球心处放一点电荷+q,则在球壳、外表面上将出现感应电荷,其分布情况为 [ B ](A)球壳表面分布均匀,外表面也均匀;(B)球壳表面分布不均匀,外表面均匀;(C)球壳表面分布均匀,外表面不均匀;(D)球壳的、外表面分布都不均匀。
解答 由于静电感应,球壳表面感应-q ,而外表面感应+q ,由于静电屏蔽,球壳部的点电荷+q 和表面的感应电荷不影响球壳外的电场,外表面的是球面,因此外表面的感应电荷均匀分布,如图11-7所示。
故选(B )。
3. 当一个带电导体达到静电平衡时:[ D ](A) 表面上电荷密度较大处电势较高 (B) 表面曲率较大处电势较高。
(C)导体部的电势比导体表面的电势高。
(D)导体任一点与其表面上任一点的电势差等于零。
4. 如图示为一均匀带电球体,总电量为+Q ,其外部同心地罩一、外半径分别为r 1、r 2的金属球壳、设无穷远处为电势零点,则在球壳半径为r 的P 点处的场强和电势为: [ D ](A )E=r Q U r Q 0204,4πεπε=(B )E=0,104r Q U πε= (C )E=0,rQ U 04πε=(D )E=0,204r Q U πε=5. 关于高斯定理,下列说法中哪一个是正确的? [ C ](A )高斯面不包围自由电荷,则面上各点电位移矢量D为零。
第七章 真空中的静电场7-1 在边长为a 的正方形的四角,依次放置点电荷q,2q,-4q 和2q ,它的几何中心放置一个单位正电荷,求这个电荷受力的大小和方向。
解:如图可看出两2q 的电荷对单位正电荷的在作用力 将相互抵消,单位正电荷所受的力为)41()22(420+=a q F πε=,2520aqπε方向由q 指向-4q 。
7-2 如图,均匀带电细棒,长为L ,电荷线密度为λ。
(1)求棒的延长线上任一点P 的场强;(2)求通过棒的端点与棒垂直上任一点Q 的场强。
解:(1)如图7-2 图a ,在细棒上任取电荷元dq ,建立如图坐标,dq =λd ξ,设棒的延长线上任一点P 与坐标原点0的距离为x ,则2020)(4)(4ξπεξλξπεξλ-=-=x d x d dE则整根细棒在P 点产生的电场强度的大小为)11(4)(40020xL x x d E L--=-=⎰πελξξπελ=)(40L x x L-πελ方向沿ξ轴正向。
(2)如图7-2 图b ,设通过棒的端点与棒垂直上任一点Q 与坐标原点0的距离为y习题7-1图0 dqξd ξ习题7-2 图a204r dxdE πελ=θπελcos 420rdxdE y =, θπελsin 420r dxdE x =因θθθθcos ,cos ,2yr d y dx ytg x ===, 代入上式,则)cos 1(400θπελ--=y =)11(4220Ly y+--πελ,方向沿x 轴负向。
θθπελθd ydE E y y ⎰⎰==000cos 4 00sin 4θπελy ==2204Ly y L+πελ7-3 一细棒弯成半径为R 的半圆形,均匀分布有电荷q ,求半圆中心O 处的场强。
解:如图,在半环上任取d l =Rd θ的线元,其上所带的电荷为dq=λRd θ。
对称分析E y =0。
θπεθλsin 420RRd dE x =⎰⎰==πθπελ00sin 4RdE E x R02πελ= θθπελθd y dE E x x ⎰⎰-=-=0sin 4xdx习题7-2 图byx习题7-3图2022R q επ=,如图,方向沿x 轴正向。
第七章 静电场中的导体、电介质答案一、选择1.(C )2.(B)3.(C)4.(A)5.(D)6.(D)7.(A)8.(D )9.(A) 10(C) 11(B)12.(C) 13.(C) 14.(B) 15.(D) 16.(A) 17.(D) 18.(C) 19 .(B) 20.( B)21.( C) 22.( B)23.(C) 24.(D) 25.(A) 二、填空1. -q ; -q;2.不变,减小;3.σ(x 、y 、z )/ε0 ,与导体表面垂直朝外(σ>0)或与导体表面垂直朝里(σ<o ) ;4.0、C r q 04πε;5.S Qd 02ε;S Qd0ε; 6.)(21B A q q -; S d q q B A 02)(ε-; 7. 电位移线 、 电力线 ;8.r πλ2/,r r επελ02/ ;9. u/d ,d-t , u/d ;10.σ,)(/r 0εεσ;11.2C 0 ;12.-Q 2/(4C) ;13. R 1/R 2 ; )(4210R R +πε;R 2/R 1 ; 14.r 02πελ;204r L πελ;15. 8.85×10-10C ·m -2 , 负 ;16. 正;17. 9.421310-⋅⨯m V , C 9105-⨯; 18. 2221r r ;19.1/εr20. 2:1, 1:2, 2:9;三、计算题:1. 解:由题给条件(b-a )≤a 和L ≥b ,忽略边缘效应,将两同轴圆筒导体看作是无限长带电体,根据高斯定理可以得到两同轴圆筒导体之间的电场强度为r 00/2/)(επε⎰⎰==∑=⋅s sQ rLE Eds q s d E 内 Lr2QE 0πε= 同轴圆筒之间的电势差: 00ln 22b b a aQ dr Q b U E dl L r L a πεπε=⋅==⎰⎰ 根据电容的定义:02ln L Q C b U aπε== 电容器储存的能量:2201ln 24Q b W cU L aπε==2. 解: (1)设内、外球壳分别带电荷为+Q 和-Q ,则两球壳间的电位移大小为 2=/(4r )D Q π场强大小为20 =/(4r )r E Q πεε2101222020124)()11(442121R R R R Q R R Q r dr Q r d E U r r R R r R R επεεπεεπε-=-==⋅=⎰⎰电量 )/(41221120R R R R U Q r -=επε(2) 电容 12210124R R R R U Q C r -==επε (3)电场能量 1221221021222R R U R R CU W r -==επε3.解:设极板上分别带电量+q 和-q ;金属片与A 板距离为d 1,与B 板距离为d 2;金属片与A 板间场强为E 1=q/(ε0S )金属片内部场强为E 2=q/(ε0S )金属片内部场强为E ’=0 则两极板间的电势差为 U A -U B =E 1d 1+E 2d 2=[q/(ε0S )](d 1+d 2) =[q/(ε0S )](d-t)由此得C=q/(U A -U B )=ε0S/(d-t) 因C 值仅与d 、t 有关,与d 1、d 2无关,故金属片的安放位置对电容值无影响。
电势、导体与※电介质中的静电场 (参考答案)班级: 学号: 姓名: 成绩:一 选择题1.真空中一半径为R 的球面均匀带电Q ,在球心O 处有一带电量为q 的点电荷,如图所示,设无穷远处为电势零点,则在球内离球心O 距离为r 的P 点处的电势为: (A )r q04πε; (B ))(041R Qrq+πε;(C )r Qq 04πε+; (D ))(041R qQ r q-+πε;参考:电势叠加原理。
[ B ] 2.在带电量为-Q 的点电荷A 的静电场中,将另一带电量为q 的点电荷B 从a 点移动到b ,a 、b 两点距离点电荷A 的距离分别为r 1和r 2,如图,则移动过程中电场力做功为:(A ))(210114r r Q --πε; (B ))(210114r r qQ-πε;(C ))(21114r r qQ --πε; (D ))(4120r r qQ --πε。
参考:电场力做功=势能的减小量。
A=W a -W b =q(U a -U b ) 。
[ C ] 3.某电场的电力线分布情况如图所示,一负电荷从M 点移到N 点,有人根据这个图做出以下几点结论,其中哪点是正确的?(A )电场强度E M <E N ; (B )电势U M <U N ; (C )电势能W M <W N ; (D )电场力的功A >0。
[ C ]4.一个未带电的空腔导体球壳内半径为R ,在腔内离球心距离为d (d <R )处,固定一电量为+q 的点电荷,用导线把球壳接地后,再把地线撤去,选无穷远处为电势零点,则球心O 处的点势为:(A )0; (B )d q04πε; (C )-R q04πε; (D ))(1140R dq-πε。
参考:如图,先用高斯定理可知导体内表面电荷为-q ,外表面无电荷(可分析)。
虽然内表面电荷分布不均,但到O 点的距离相同,故由电势叠加原理可得。
[ D ] ※5.在半径为R 的球的介质球心处有电荷+Q ,在球面上均匀分布电荷-Q ,则在球内外处的电势分别为:(A )内r Q πε4+,外r Q04πε-; (B )内r Qπε4+,0; 参考:电势叠加原理。
《大学物理》静电场练习题及答案一、简答题1、为什么在无电荷的空间里电场线不能相交?答案:由实验和理论知道,静电场中任一给定点上,场强是唯一确定的,即其大小和方向都是确定的.用电场线形象描述静电场的空间分布时,电场线上任一点的切线方向表示该点的场强方向.如果在无电荷的空间里某一点上有几条电场线相交的话,则过此交点对应于每一条电场线都可作出一条切线,这意味着交点处的场强有好几个方向,这与静电场中任一给定点场强具有唯一确定方向相矛盾,故无电荷的空间里电场线不能相交.2、简述静电场中高斯定理的文字内容和数学表达式。
答案:在真空中的静电场内,通过任意封闭曲面的电通量等于该封闭曲面所包围的所有电荷电量的代数和的01ε倍。
0ε∑⎰=⋅内S SqS d E3、写出静电场的环路定理,并分别说明其物理意义。
答案:静电场中,电场强度的环流总是等于零(或0l=⋅⎰l d E),静电场是保守场。
4、感生电场与静电场有哪些区别和联系?5、在电场中某一点的电场强度定义为0q F E=.若该点没有试验电荷,那么该点的电场强度又如何? 为什么?答案: 电场中某一点的电场强度是由该电场自身性质所决定,与这一点有无试验电荷没有任何关系。
6、在点电荷的电场强度公式中,如果0→r ,则电场强度E 将趋于无限大。
对此,你有什么看法? 答案: 这表明,点电荷只是我们抽象出来的一个物理模型,当带电体较小而作用距离较大时使用点电荷模型较为方便、精确。
但当作用距离r 很小时,点电荷模型的误差会变大,这时我们不能再用点电荷的电场强度公式而要采用更精确的模型。
二、选择题1、如图所示,两个同心均匀带电球面,内球面半径为1R 、带有电荷1Q ,外球面半径为2R 、带有电荷2Q ,则在外球面外面、距离球心为r 处的P 点的场强大小E 为 ( A ) A 、20214r Q Q επ+B 、()()2202210144R r Q R r Q -π+-πεε C 、()2120214R R Q Q -+επ D 、2024r Q επ2、A 和B 为两个均匀带电球体,A 带电荷q +,B 带电荷q -,作一与A 同心的球面S 为高斯面,如图所示。
第七章 电场填空题 (简单)1、两无限大平行平面的电荷面密度分别为σ+和σ+,则两无限大带电平面外的电场强度大小为σε ,方向为 垂直于两带电平面并背离它们 。
2、在静电场中,电场强度E 沿任意闭合路径的线积分为 0 ,这叫做静电场的 环路定理 。
3、静电场的环路定理的数学表达式为 0l E dl =⎰ ,该式可表述为 在静电场中,电场强度的环流恒等于零 。
4、只要有运动电荷,其周围就有 磁场 产生;5、一平行板电容器,若增大两极板的带电量,则其电容值会 不变 ;若在两极板间充入均匀电介质,会使其两极板间的电势差 减少 。
(填“增大”,“减小”或“不变”)6、在静电场中,若将电量为q=2×108库仑的点电荷从电势V A =10伏的A 点移到电势V B = -2伏特的B 点,电场力对电荷所作的功A ab = 92.410⨯焦耳。
(一般)7、当导体处于静电平衡时,导体内部任一点的场强 为零 。
8、电荷在磁场中 不一定 (填一定或不一定)受磁场力的作用。
9、如图所示,在电场强度为E 的均匀磁场中,有一半径为R 的半球面,E 与半球面轴线的夹角为α。
则通过该半球面的电通量为2cos B R πα-⋅ 。
10、真空中两带等量同号电荷的无限大平行平面的电荷面密度分别为σ+和σ+,则两无限大带电平面之间的电场强度大小为 0 ,两无限大带电平面外的电场强度大小为σε 。
11、在静电场中,电场力所做的功与 路径 无关,只与 起点 和 终点位置 有关。
12、由高斯定理可以证明,处于静电平衡态的导体其内部各处无 净电荷 ,电荷只能分布于导体 外表面 。
因此,如果把任一物体放入空心导体的空腔内,该物体就不受任何外电场的影响,这就是 静电屏蔽 的原理。
(一般)13、静电场的高斯定理表明静电场是 有源 场, (一般)14、带均匀正电荷的无限长直导线,电荷线密度为λ。
它在空间任意一点(距离直导线的垂直距 离为x 处)的电场强度大小为 02x λπε ,方向为 垂直于带电直导线并背离它 。
《大学物理》真空中的静电场练习题及答案解析一 选择题1. 下列几个说法中哪一个是正确的 (B )(A )电场中某点场强的方向,就是将点电荷放在该点所受电场力的方向(B )电场中某点的场强大小与试验电荷无关。
(C )场强大小由 E =F /q 可知,某点的场强大小与试验电荷受力成正比,与电量成反比。
(D )在以点电荷为中心的球面上,由该点电荷所产生的场强处处相同2. 如图所示为一沿 x 轴放置的“无限长”分段均匀带电直线,电荷线密度分别为+λ、-λ,则 oxy坐标平面上点(0,a )处的场强E 的方向为( A )( A )x 正方向 (B ) x 负方向 (C )y 正方向(D )y 负方向3.如图所示,一个带电量为q 的点电荷位于正立方体的中心上,则通过其中一侧面的电场强度通量等于:( B )(A)04εq (B)06εq (C) 024εq (D) 027εq第2题图 第3题图 4.关于高斯定理0ε∑⎰⎰=⋅=Φi s e q s d E ,下列说法中正确的是( C )(A )如果高斯面无电荷,则高斯面上的电场强度处处为零(B )如果高斯面上的电场强度处处为零,则高斯面内无电荷(C )如果高斯面上的电场强度处处为零,则通过高斯面的电通量为零(D )若通过高斯面的电通量为零,则高斯面上的电场强度处处为零5.如图所示,闭合曲面S 内有一点电荷q ,P 为S 面上一点,在S 面外A 点有一点电荷,q ,将其移到B 点,则( B )(A )通过S 面的电通量不变,P 点的电场强度不变。
(B )通过S 面的电通量不变,P 点的电场强度变化。
(C )通过S 面的电通量改变,P 点的电场强度不变。
(D )通过S 面的电通量改变,P 点的电场强度变化。
6.下列说法中正确的是( D )(A )场强为0的点电势也为0 (B )场强不为0的点电势也不为0(C )电势为0的点,则电场强度也一定为0(D )电势在某一区域为常数,则电场强度在该区域必定为01.B2.A3.B4.C5.D 、6D二 填空题1、在点电荷的q +,q -电场中,作如图所示的三个高斯面,求通过321S S 、、S ,球面的电通量分别为________________、_______________、______________。
第七章 真空中的静电场7-1 在边长为a 的正方形的四角,依次放置点电荷q,2q,-4q 和2q ,它的几何中心放置一个单位正电荷,求这个电荷受力的大小和方向。
解:如图可看出两2q 的电荷对单位正电荷的在作用力 将相互抵消,单位正电荷所受的力为)41()22(420+=a q F πε=,2520aqπε方向由q 指向-4q 。
7-2 如图,均匀带电细棒,长为L ,电荷线密度为λ。
(1)求棒的延长线上任一点P 的场强;(2)求通过棒的端点与棒垂直上任一点Q 的场强。
解:(1)如图7-2 图a ,在细棒上任取电荷元dq ,建立如图坐标,dq =λd ξ,设棒的延长线上任一点P 与坐标原点0的距离为x ,则2020)(4)(4ξπεξλξπεξλ-=-=x d x d dE则整根细棒在P 点产生的电场强度的大小为)11(4)(40020xL x x d E L--=-=⎰πελξξπελ=)(40L x x L-πελ方向沿ξ轴正向。
(2)如图7-2 图b ,设通过棒的端点与棒垂直上任一点Q 与坐标原点0的距离为y204rdxdE πελ=θπελcos 420r dxdE y =,θπελsin 420rdxdE x = 因θθθθcos ,cos ,2yr d y dx ytg x ===,习题7-1图dq ξd ξ习题7-2 图axxdx习题7-2 图by代入上式,则)cos 1(400θπελ--=y =)11(4220Ly y +--πελ,方向沿x 轴负向。
θθπελθd y dE E y y ⎰⎰==00cos 400sin 4θπελy ==2204Ly y L+πελ 7-3 一细棒弯成半径为R 的半圆形,均匀分布有电荷q ,求半圆中心O 处的场强。
解:如图,在半环上任取d l =Rd θ的线元,其上所带的电荷为dq=λRd θ。
对称分析E y =0。
θπεθλsin 420R Rd dE x =⎰⎰==πθπελ00sin 4RdE E x R02πελ=2022Rq επ=,如图,方向沿x 轴正向。
7-4 如图线电荷密度为λ1的无限长均匀带电直线与另一长度为l 、线电荷密度为λ2的均匀带电直线在同一平面内,二者互相垂直,求它们间的相互作用力。
解:在λ2的带电线上任取一dq ,λ1的带电线是无限长,它在dq 处产生的电场强度由高斯定理容易得到为,xE 012πελ=两线间的相互作用力为θθπελθd y dE E x x ⎰⎰-=-=00sin4x习题7-3图λ1 习题7-4图⎰⎰==x dx dF F 0212πελλ⎰=la x dx 0212πελλ,ln 2021ala +πελλ如图,方向沿x 轴正向。
7-5 两个点电荷所带电荷之和为Q ,问它们各带电荷多少时,相互作用力最大? 解:设其中一个电荷的带电量是q ,另一个即为Q -q ,若它们间的距离为r ,它们间的相互作用力为204)(r q Q q F πε-=相互作用力最大的条件为04220=-=rqQ dq dF πε 由上式可得:Q=2q ,q=Q/27-6 一半径为R 的半球壳,均匀带有电荷,电荷面密度为σ,求球心处电场强度的大小。
解:将半球壳细割为诸多细环带,其上带电量为θθπσθπσd R rRd dq sin 222==dq 在o 点产生的电场据(7-10)式为304R ydqdE πε=,θcos R y =θθπεθπσπd RR dE E cos 4sin 200303⎰⎰== )(sin sin 200θθεσπd ⎰=20202sin 2πθεσ=4εσ=。
如图,方向沿y 轴负向。
7-7 设匀强电场的电场强度E 与半径为R 的半球面对称轴平行,计算通过此半球面电场强度的通量。
解:如图,设作一圆平面S 1盖住半球面S 2, 成为闭合曲面高斯,对此高斯曲面电通量为0,习题7-6图E习题7-7图即021=⋅+⋅=⋅⎰⎰⎰S S SS d E S d E S d E2211R E S d E S d E S S S π-=⋅-=⋅=ψ⎰⎰7-8 求半径为R ,带电量为q 的空心球面的电场强度分布。
解: 由于电荷分布具有球对称性,因而它所产生的电场分布也具有球对称性,与带电球面同心的球面上各点的场强E 的大小相等,方向沿径向。
在带电球内部与外部区域分别作与带电球面同心的高斯球面S 1与S 2。
对S 1与S 2,应用高斯定理,即先计算场强的通量,然后得出场强的分布,分别为04d 21==⋅=⎰r E S πψS E得 0=内E (r<R )24d 2επψqr E S ==⋅=⎰S Err ˆ204q πε=外E (r>R) 7-9 如图所示,厚度为d 的“无限大”均匀带电平板,体电荷密度为ρ,求板内外的电场分布。
解:带电平板均匀带电,在厚度为d/2的平分街面上电场强度为零,取坐标原点在此街面上,建立如图坐标。
对底面积为A ,高度分别为x <d/2和x >d/2的高斯曲面应用高斯定理,有1d ερψAxEA S ==⋅=⎰S E 得 )2( 01dx i x E <= ερ r习题7-18图习题7-9图2d 2ερψd A EA S ==⋅=⎰S E)2( 202d x i d E > ερ=7-10 一半径为R 的无限长带电圆柱,其体电荷密度为)(0R r r ≤=ρρ,ρ0为常数。
求场强分布。
解: 据高斯定理有⎰⎰==⋅VSdV rl E S d E ρεπ012R r ≤时:⎰'''=rr ld r r krl E 0022πεπ⎰''=rr d r lk22επ=rl E π23230r lk επn e kr E 023ε=→R r >时:⎰'''=Rr ld r r krl E 022πεπ⎰''=Rr d r lk202επ=rl E π23230R lk επn e rkR E 033ε=→7-11 带电为q 、半径为R 1的导体球,其外同心地放一金属球壳,球壳内、外半径为R 2、R 3。
(1)球壳的电荷及电势分布;(2)把外球接地后再绝缘,求外球壳的电荷及球壳内外电势分布; (3)再把内球接地,求内球的电荷及外球壳的电势。
解:(1)静电平衡,球壳内表面带-q ,外表面带q 电荷。
据(7-23)式的结论得:),)(111(4132101R r R R R q V ≤+-=πε );)(111(4213202R r R R R r qV ≤≤+-=πε习题7-10图rq),(432303R r R R q V ≤≤=πε).(4304R r rq V ≥=πε (2)),)(11(412101R r R R q U ≤-=πε );)(11(421202R r R R r qV ≤≤-=πε),(0323R r R V ≤≤=).(034R r V >>= (3)再把内球接地,内球的电荷及外球壳的电荷重新分布设静电平衡,内球带q /,球壳内表面带-q /,外表面带q /-q 。
),)((41132101R r R qq R q R q V ≤-'+'-'=πε得:21313221R R R R R R qR R q +-='=-'=3034R qq V πε)(4)(213132021R R R R R R q R R +--πε)(32R r R ≤≤7-12 一均匀、半径为R 的带电球体中,存在一个球形空腔,空腔的半径r(2r<R),试证明球形空腔中任意点的电场强度为匀强电场,其方向沿带电球体球心O 指向球形空腔球心O /。
证明:利用补缺法,此空腔可视为同电荷密度的一个完整的半径为R 的大球和一个半径为r 与大球电荷密度异号完整的小球组成,两球在腔内任意点P 产生的电场分别据〔例7-7〕结果为03ερ11r E =, 03ερ22r E -= E =E 1+E 2=03ερ1r 03ερ2r -习题7-12图o o '=3ερ上式是恒矢量,得证。
7-13 一均匀带电的平面圆环,内、外半径分别为R 1、R 2,且电荷面密度为σ。
一质子被加速器加速后,自圆环轴线上的P 点沿轴线射向圆心O 。
若质子到达O 点时的速度恰好为零,试求质子位于P 点时的动能E K 。
(已知质子的带电量为e ,忽略重力的影响,OP=L )解:圆环中心的电势为⎰=210042R R r rdr V πεπσ )(2120R R -=εσ圆环轴线上p 点的电势为⎰+=2122042R R P L r rdrV πεπσ)(22221222022021L R L R L r R R +-+=+=εσεσ 质子到达O 点时的速度恰好为零有k P E E E +=0p k E E E -=→0p k eV eV E -=0=210()2e R R σε=-02e σε-210(2e R R σε=- 7-14 有一半径为R 的带电球面,带电量为Q ,球面外沿直径方向上放置一均匀带电细线,线电荷密度为λ,长度为L (L>R ),细线近端离球心的距离为L 。
设球和细线上的电荷分布固定,试求细线在电场中的电势能。
解:在带电细线中任取一长度为dr 的线元,其上所带的电荷元为dq=λdr ,据(7-23)式带电球面在电荷元处产生的电势为rQ V 04πε=电荷元的电势能为: rdrQ dW 04πελ=习题7-13图r习题7-14图细线在带电球面的电场中的电势能为: ===⎰⎰LLr dr Q dW W 204πελ2ln 40πελQ*7-15 半径为R 的均匀带电圆盘,带电量为Q 。
过盘心垂直于盘面的轴线上一点P 到盘心的距离为L 。
试求P 点的电势并利用电场强度与电势的梯度关系求电场强度。
解:P 到盘心的距离为L ,p 点的电势为⎰+=RP Lr rdrV 022042πεπσ)(222220220L L R L r R -+=+=εσεσ 圆盘轴线上任意点的电势为⎰+=Rxr rdrx V 022042)(πεπσ)(22222200220x x R RQ x r R -+=+=πεεσ利用电场强度与电势的梯度关系得:i x R xR Q i dx dV x E )1(2)(22220+-=-=πεP 到盘心的距离为L ,p 点的电场强度为:i L R LR Q L E)1(2)(22220+-=πε7-16 两个同心球面的半径分别为R 1和R 2,各自带有电荷Q 1和Q 2。