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2011-2012（2）《模拟电子技术基础》总复习一. 二极管及其应用（一）二极管的符号及伏安特性曲线：（二）二极管的特性：单向导电性（三）二极管的模型：重点掌握理想模型和恒压降模型（四）典型习题1. 电路如图所示，已知u i =10sinωt（V），二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管的状态，并画出输出u i与u o的波形。
（a）（b）（c）2. 设二极管是理想的，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
（a）（b）3.电路如图所示，已知u i =8sinωt（V），二极管的正向导通电压U D=0.7V，试分析二极管的状态，画出输出u i与u o的波形，并标出幅值。
（a）（b）（c）4. 电路如图所示，已知二极管的正向导通电压和反向电流可忽略不计，试分析二极管D1和D2的状态，并求出输出电压U o。
（a）（b）二. 三极管及场效应管的应用（一）三极管的符号及伏安特性曲线：i B =f (u BE )∣u CE =const i C =f (u CE )∣i B =const此为NPN 管共射极放大电路的特性曲线，PNP 管的特性曲线（二）三极管的电流控制作用：B C i i β=（三）三极管放大电路的直流通路和交流通路：（四）三极管的交流等效电路：（五）三极管放大电路的组态（六）放大电路的分析方法交流等效电路法：利用三极管的交流等效模型求解A us 、A u 、R i 、R o 。
图解法：利用三极管的输入和输出特性曲线以及放大电路的输入和输出回路负载线，采用作图的方式确定一个Q 点。
（七）放大电路的非线性失真饱和失真：工作点位于饱和区截止失真：工作点位于截止区注意：图为NPN 管共射极放大电路出现的饱和失真和截止失真，PNP 管的失真现象正好与NPN 管相反。
（八）放大电路静态工作点稳定问题Q 点不合适， 的波形要失真；，A u 与I B 有关。
在电路中引入直流负反馈。
《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、 凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、 理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。
×4、 当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。
×5、 在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
×6、 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。
√7、 温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。
√8、 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
×9、 因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。
√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。
√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。
√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。
× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。
A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。
C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。
（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。
A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。
A、0；B、不定。
C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。
A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。
A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。
正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。
（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。
A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。
正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。
D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。
成考复习资料《模拟电子技术基础》复习资料1一、单选题1. 用万用表直流电压档测得电路中PNP型晶体管各极的对地电位分别是：Vb＝－12.3Ｖ，Ve ＝－12Ｖ，Vc＝－18Ｖ。
则三极管的工作状态为（）。
A. 放大B. 饱和C. 截止2. 某仪表放大电路，要求R i大，输出电流稳定，应选（）。
A. 电流串联负反馈B. 电压并联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压串联负反馈3. 直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式（或变压器耦合式）多级放大电路相比，低频响应（）。
A. 差B. 好C. 差不多4. 单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值Uo=（）Uz。
A. 0. 45B. 0. 9C. 1. 25. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道结型场效应管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管6. 某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A. P 沟道增强型MOS 管B. P 沟道耗尽型MOS 管C. N 沟道增强型MOS 管D. N 沟道耗尽型MOS 管7. 在如图2所示电路中，电阻RE的主要作用是（）。
A. 提高放大倍数B. 稳定直流静态工作点C. 稳定交流输出D. 提高输入电阻8. 利用二极管的（）组成整流电路。
A. 正向特性B. 单向导电性C. 反向击穿特性9. 根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。
A. 可能B. 不能10. 带射极电阻Re的共射放大电路，在Re上并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将（）。
A. 减小；B. 增大；C. 不变；D. 变为零。
二、判断题1. ( )功率的放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用。
2. ( )反相比例运算电路属于电压串联负反馈，同相比例运算电路属于电压并联负反馈。
3. （）负反馈放大电路不可能产生自激振荡。
4. （）任何实际放大电路严格说都存在某种反馈。
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
模拟电⼦技术基本概念复习考试题及答案模电基本概念复习题⼀、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
√×2、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N= v P。
×3、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×4、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×5、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√6、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√7、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×8、因为P型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×9、在N型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
√10、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作。
√11、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
×12、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
×13、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×14、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√15、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√16、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
×17、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
×18、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
×19、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
×20、放⼤器的输⼊电阻是从输⼊端看进去的直流等效电阻。
×21、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共射放⼤电路的输⼊电阻最⼩。
×22、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共基放⼤电路的输出电阻最⼩。
×23、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，它只能放⼤交流信号。
模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。
填空：（1）静态时，I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=； ，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=（2）电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0；（3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，uA 将 C ，R i 将 C ，R o 将B 。
A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻u为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为变压器反馈式、电感三点式和电容三点式三种电路，其中电容三点式振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振荡电路。
7、稳压电源一般由整流电路、滤波电路和稳压电路三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用电容滤波电路，而负载电流较大时应采用电感滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用串联型稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“×√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
（√）2、本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（√）3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（×）4、未加外部电压时，PN结中电流从P区流向N区。
（×）5、稳压管工作在反向击穿状态时，其两端电压恒为U z。
（）6、若晶体管将集电极和发射极互换，则仍有较大的电流放大作用。
（）7、增强型场效应管当其栅-源电压为0时不存在导电沟道。
（）8、MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大。
（）9、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）10、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E均可视为短路。
（对）11、只要将两个晶体管组成复合管就一定能提高管子的输入电阻。
（）12、作为输出级的互补电路常采用共射接法。
（））13、功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。
（ X ）14、零点漂移就是静态工作点的漂移。
（对）15、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（对）16、只有直接耦合放大电路才有温漂。
（X ）17、差模信号是差分放大电路两个输入端电位之差；（）共模信号是差分放大电路两个输入端电位之和。
（）18、不管差分放大电路的参数是否理想对称，R E均有共模负反馈作用；（√）R E越大，抑制温漂能力越强；（）因此，R E可想取多大就取多大。
（）19、差分放大电路采用恒流源代替R E是为了增大差模放大倍数。
（X ）20、利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（对）21、利用一只NPN型管和一只PNP型管构成的复合管只能等效为PNP型管。
（X ）22、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（对）23、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。
（对）24、在差分放大电路中采用恒流源作集电极负载电阻能够增大差模放大倍数；（√）同时，也可增大共模抑制比。
（√）25、只有输出与输入反相的放大电路，才可能引入负反馈。
（）26、对交流信号有反馈作用的称为交流反馈，对直流信号有反馈作用的称为直流反馈。
（）27、电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。
（对）28、使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（X ）29、引入直流负反馈可以稳定静态工作点。
（对）30、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（X ）31、实现运算电路不一定非引入负反馈。
（X ）32、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。
（×）33、在深度负反馈条件下，运算电路依靠反馈网络实现输出电压和输入电压的某种运算。
（）34、由集成运放组成的有源滤波电路中一定引入深度负反馈。
（）35、电压比较器电路中集成运放的净输入电流为零。
（对）36、电压比较器将输入模拟信号转换为开关信号。
（X）37、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（对）38、同相比例运算电路中的集成运放有共模信号输入，而反相比例运算电路中的集成运放无共模信号输入。
（）39、凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。
（X ）40、电压比较器的阈值电压是使集成运放同相输入端电位和反相输入端电位相等的输入电压。
（对）41、电压比较器输出端限幅电路中的稳压管不一定非加限流电阻不可。
（）42、只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。
（×）43、具有选频网络的放大电路引入正反馈，就将产生正弦波振荡。
（）44、在组成正弦波振荡电路时，若没有稳幅环节，则输出电压幅值将为无穷大。
（）45、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共射放大电路相接就将产生正弦波振荡。
（）46、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与共集放大电路相接就将产生正弦波振荡。
（）47、RC串并联网络既作为选频网络，又作为正反馈网络，与两级共射放大电路相接，并引入电压串联负反馈就将产生正弦波振荡。
（）48、只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。
（x ）49、在振荡频率特别高时，应考虑正弦波振荡电路中的放大电路采用共基接法。
（对）50、正弦波振荡电路的振荡频率应决定于选频网络，而不应决定于晶体管的极间电容、分布电容等。
（对）51、桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路的唯一特点是以RC串并联网络作为选频网络。
（）52、直流稳压电源是能量转换电路，是将交流能量转换成直流能量。
（对）53、在输出电压平均值相同的情况下，单相半波整流电路和单相桥式整流电路中二极管的平均电流相同。
（对）54、直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。
（对）55、在电网电压波动和负载电阻变化时，稳压电路的输出电压绝对不变。
（）三、选择填空题1、P型半导体中的多数载流子是 B ，N型半导体中的多数载流于是A 。
A.电子B.空穴C.正离子D.负离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度 C 本征半导体中载流子浓度。
A.大于B.等于C.小于3、室温附近，当温度升高时，杂质半导体中 C 浓度明显增加。
A.载流子B.多数载流子C.少数载流子4、硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A ，反向饱和电流比锗二极管 B 。
A.大B.小C.相等5、温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 B ，反向电流 A 。
A.增大B.减小C.不变6、工作在放大状态的晶体管，流过发射结的是 A 电流，流过集电结的是B 电流。
A.扩散B.漂移7、当晶体管工作在放大区时，PNP管的，各极电位关系为：NPN管的u C＞u B＞u E，PNP管的u C＜u B＜u E；工作在饱和区时i C＜ i B；工作在截止区时，若忽略I CBO和I CEO，则i B＝0，i C＝0。
A.＞B.＜C.＝8、晶体管通过改变A 来控制 C ；而场效应管是通过改变B 控制D ，是一种 F 控制器件。
A.基极电流B.栅-源电压C.集电极电流D.漏极电流E.电压F.电流9、晶体管电流由 B 形成，而场效应管的电流由 A 形成。
因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 C 。
A.一种载流子B.两种载流子C.大D.小10、JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时 A 导电沟道，而增强型MOS管则 B 导电沟道。
A.存在B.不存在11、直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越A 。
A.严重B.轻微C.和放大倍数无关12、电路的A d越大表示 C ，A c越大表示 A ，K CMR越大表示 B 。
A.温漂越大B.抑制温漂能力越强C.对差模信号的放大能力越强.13、复合管组成的电路可以 B 。
A.展宽频带B.提高电流放大系数C.减小温漂D.改变管子类型14、由于恒流源的电流恒定，因此等效的交流电阻 A ，而等效的直流电阻 B 。
A.很大B.很小C.不太大D.等于零15、集成运放有 B 个输入端和 A 个输出端。
A.1B.2C.316、集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过U Icmax时，集成运放将A ，当其差模输入电压超过U Idmax时，集成运放B 。
A.不能正常放大差模信号B.输入级放大管将击穿17、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了 C 。
A.放大变化缓慢信号B.放大共模信号C.抑制温漂18、对于长尾式差分放大电路，在差模交流通路中，射极电阻R E可视为B 。
A.开路B.短路C.2R E19、两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 C 。
A.βB.2βC.2β20、OCL电路中，输出功率最大时 A 。
A.输出电压幅值最大B.功放管管耗最大C.电源提供的功率最大21、通用型集成运放的输入级多采用 B ，中间级多采用 A ，输出级多采用 C 。
A.共射放大电路B.差分放大电路C.OCL电路D.OTL电路22、集成运放的互补输出级采用 C 。
A.共射接法B.共基接法C.共集接法D.差分电路其原因是 C 。
A.频带宽B.放大电压的能力强C.带负载能力强D.输入电阻大23、集成运放的A od越大，表示 D ；K CMR越大，表示 B 。
A.最大共模输入电压越大B.抑制温漂能力越强C.最大差模输入电压越大D.对差模信号的放大能力越强24、集成运放的输入失调电压U IO是，失调电流I IO是；A.使输出电压为零在输入端所加补偿电压B.两个输入端电位之差C.两个输入端静态电流之和D.两个输入端静成电流之差它们的数值越大，说明集成运放。
