A、电路图: 由两个MOS反相器交叉耦合而成的双稳态触发器。
字线
V
位/读出线 BS0 读/写“0” T2 T0 T1 A T4 T5 B T3 位/读出线 BS1 读/写“1”
6管MOS存储电路
静态MOS存储器
基本存储元—6管静态MOS存储元 B、存储元的工作原理
字线
①写操作。在字线上加一个正电压的字脉 冲,使 T2 、 T3 管导通。若要写“ 0”, 位/读出线 无论该位存储元电路原存何种状态, BS0 只需使写“ 0”的位线 BS0 电压降为地 电位(加负电压的位脉冲),经导通 读/写“0” T2 的T2 管,迫使节点A的电位等于地电 位,就能使T1 管截止而T0 管导通。 写入1,只需使写1的位线BS1 降为地电 位,经导通的 T3 管传给节点B,迫使 T0 管截止而T1 管导通。 写入过程是字线上的字脉冲和位线上 的位脉冲相重合的操作过程。
静态MOS存储器
用静态MOS存储片组成RAM
字位同时扩展法: 一个存储器的容量假定为 M×N位,若使用l×k位的芯片(l<M,k<N)需 要在字向和位向同时进行扩展。此时共需要(M /l)×(N /k)个存 储器芯片。 其中, M / l 表示把 M×N 的空间分成( M / l )个部分(称为页或区), 每页(N/k)个芯片。 地址分配: (A)用log2 l位表示低位地址:用来选择访问页内的l个字 (B ) 用log2 (M/l)位表示高位地址:用来经片选译码器产生片 选信号。
• 片选有效,才可以对芯片进行读/写操作 • 无效时,数据引脚呈现高阻状态,并可降低功耗
读控制(OE*)
• 芯片被选中有效,数据输出到数据引脚 • 对应存储器读MEMR*