21世纪深亚微米芯片技术的新进展

一款深亚微米射频SoC芯片的后端设计与实现张志鹏;张超;刘铁锋【摘要】随着集成电路的发展,片上系统芯片(SoC)技术广泛应用于多种领域中,越来越多的射频、模拟、存储器模块集成到一块芯片中.SoC芯片后端设计面临尺寸特征小,芯片规模大,物理设计复杂程度高等问题.良好的芯片版图设计是集成电路实现和成功的基础之一.介绍了基于台积电0.18μmULL低功耗工艺设计的射频SoC 电路结构,在此基础上,详细说明了后端版图设计流程与布局规划,重点介绍了时钟模块设计,多时钟电路及复杂时序关系设计的后端布局处理,供电设计以及布线优化方法和技巧,对各类相关芯片的后端设计具有良好的借鉴意义.%With the development of integrated circuit, the system on chip (SoC) technology is widely used in many applications, as more and more RF modules, analog modules and memory modules are embedded into one chip. The SoC back-end design confronts more challenges such as smaller feature size, larger chip area and more complex physical design. A remarkable layout design is one of the elements of the integrated circuit implemention and success. RF SoC circuit structure based on TSMC 0.18μmULL low power consumption process design is introduced,and on this basis, back-end layout design process and layout planning are explained in detail,mainly focusing on the clock generation module design,back-end processing method of multi-clock circuit and complex timing relationshipdesign,power supply plan and layout optimization methods and techniques,that supplies a good reference to many relevant kinds of beck-end chip design.【期刊名称】《微处理机》【年(卷),期】2017(038)006【总页数】6页(P1-6)【关键词】片上系统芯片;后端布局;多时钟设计;时钟生成;后端流程;供电设计【作者】张志鹏;张超;刘铁锋【作者单位】中国科学院沈阳自动化研究所网络化控制系统重点实验室,沈阳110016;中国科学院沈阳自动化研究所网络化控制系统重点实验室,沈阳110016;中国科学院沈阳自动化研究所网络化控制系统重点实验室,沈阳110016【正文语种】中文【中图分类】TP277随着集成电路的发展，片上系统芯片（SoC）技术在超大规模集成电路设计的开发与市场角度已经非常成熟，广泛应用于工业控制、智能手机、平板电脑等各类芯片中。

ALD技术的发展与应用摘要：随着微电子行业的发展, 集成度不断提高、器件尺寸持续减小, 使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战, 然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术, 因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好, 还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体领域。

本文简要介绍了ALD技术的原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术及ALD本身作为一种技术的发展状况(T-ALD,PE-ALD和EC-ALD 等);重点叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)应用。

最后,对ALD未来的发展应用前景进行了展望。

关键字：原子层沉积;薄膜沉淀;高K材料;铜互连The Develpoement and Application of ALD TechnologySu yuanSchoolofMicroelectronics,XidianUniversity, Xi’anShanxi710071Abstract：The latest development of atomic layer deposition(ALD)technology was tentatively reviewed .ALD has been widely used in fabrication of electronics chips because ALD is capable of depositing highly pure homogenous films with well-controlled film thickness and chemical contents .The discus-sions focused on :i)the principle of ALD technology ,its characteristics,and technical advantages ;ii)the mechanisms of chemical self-limiting(CS) and possible ways to achieve ALD , such as thermal-ALD(T-ALD), plasma-enhanced ALD(PE-ALD), electro chemical ALD(EC-ALD), and etc.i;ii)its applications in synthesis ofhigh k materials , interconnecting materials for integrated circuit(IC).The development trends of ALD technology and its potential applications were also briefly discussed.Keyword：ALD ;Film-Deposition ; high-k material ; Cu-Interconnecting一、引言随着半导体工艺的不断发展，基于微结构的集成期间在进一步微型化和集成化，特征尺寸已经缩小到了亚微米和纳米量级。

面向21世纪的硅深亚微米集成电路若干科学技术问题王阳元
【期刊名称】《世界科技研究与发展》
【年(卷),期】1996(18)3
【摘要】当前微电子科学技术的发展已步入“System on Chip”时代,硅集成电路工业已进入到0.5μm～0.35μm特征尺寸的产品群生产阶段。

二十一世纪头10年将面临如何进行0.1—0.18微米产品的开发与生产问题,其集成度将达到
10~9—10^(10)元件/chip,下面略述面向二十一世纪硅深亚微米集成电路的若干研究课题。

一、系统行为级TOPTO DOWN设计方法学集成电路设计是实现“System on Chip”的主要技术支柱之一。

【总页数】6页(P49-54)
【关键词】硅;深亚微米技术;集成电路;制造
【作者】王阳元
【作者单位】北京大学微电子学研究所
【正文语种】中文
【中图分类】TN43
【相关文献】
1.超深亚微米集成电路Cu互连金属扩散阻挡层制备研究现状 [J], 万宣艳;夏凯;
2.超深亚微米数字集成电路版图验证技术 [J], 吕江萍;陈超;胡巧云
3.超深亚微米集成电路互连线几何变异提取方法 [J], 高盼盼;叶兵
4.亚微米、深亚微米集成电路 [J], 无
5.深亚微米CMOS模拟集成电路设计 [J], 宋邦燮;刘力源
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深亚微米光刻技术
宋登元;郭宝增;王小平
【期刊名称】《固体电子学研究与进展》
【年(卷),期】1999(19)3
【摘要】超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）线宽的不断缩小，促进了光刻技术的发展和分辨率的提高，使分辨率已进入到深亚微米区域。

光学光刻分辨率的提高是依靠缩短曝光波长、增大透镜系统的数值孔径（ＮＡ）、采用新技术改进掩模和光学系统的设计以及提高光致抗蚀剂的性能来实现的。

在简要的介绍了ＶＬＳＩ发展趋势的基础上，论述了深紫外光刻（ＤＵＶＬ）、极紫外光刻（ＥＵＶＬ）和Ｘ射线光刻技术取得的重要成果及面临的问题和可能解决的途径。

【总页数】9页(P344-352)
【关键词】VLSI;光刻;深亚微米光刻;分辨率;集成电路
【作者】宋登元;郭宝增;王小平
【作者单位】河北大学电子与信息工程系;张家口职工大学
【正文语种】中文
【中图分类】TN470.5
【相关文献】
1.深亚微米光学光刻设备制造技术 [J], 谢常青
2.深亚微米光学光刻工艺技术 [J], 谢常青
3.深亚微米光学光刻设备制造技术研究 [J], 钟闽和;
4.深亚微米同步辐射x射线光刻技术 [J], 谢常青;叶甜春
5.应用于PHEMT器件的深亚微米T形栅光刻技术 [J], 谢常青;陈大鹏;李兵;叶甜春
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